JPS60150542A - 撮像管 - Google Patents
撮像管Info
- Publication number
- JPS60150542A JPS60150542A JP482884A JP482884A JPS60150542A JP S60150542 A JPS60150542 A JP S60150542A JP 482884 A JP482884 A JP 482884A JP 482884 A JP482884 A JP 482884A JP S60150542 A JPS60150542 A JP S60150542A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- returning beam
- reflecting
- revolution
- pickup tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/84—Arrangements for removing or diverting unwanted particles, e.g. for negative ions or fringing electrons; Arrangements for velocity or mass selection
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Details Of Television Scanning (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は撮像管、特に電磁集束−静電偏向型電子光学系
を用いた撮像管に関する。
を用いた撮像管に関する。
電磁集束−静電偏向型電子光学系を用いた撮像管（以下
、ＭＳＭ撮像管と略称する）は、原理的には、偏向収差
が少すく、偏向直線性や電子ビームのランディング特性
が良好であり、優れた電子光学系である。ところが、Ｍ
Ｓ型撮像管では、戻りビーム像と呼ばれる偽信号の発生
があｐ、低照度の被写体撮像に際し重大な欠点となる。
、ＭＳＭ撮像管と略称する）は、原理的には、偏向収差
が少すく、偏向直線性や電子ビームのランディング特性
が良好であり、優れた電子光学系である。ところが、Ｍ
Ｓ型撮像管では、戻りビーム像と呼ばれる偽信号の発生
があｐ、低照度の被写体撮像に際し重大な欠点となる。
この戻シビーム像につい、て説明するに、先ず遡常のＭ
Ｓ型撮像管について説明する。
Ｓ型撮像管について説明する。
この撮像管は第１図に示すように、管体１内に電子銃２
が配置され、これより発生した電子ビームに対する水平
・垂直偏向用の静電偏向電極５が、例えば管体１の内周
面に被着形成された導電膜によって構成される。６は集
束コイル、７はアラインメントコイルケ示す。電子銃２
は例えは第２図に示すように、カソードにと第１グリッ
ドＧ１１第２グリッドＧｚｋ有し、第２グリツドＧ２に
は、微小開ロリミツテイングアバーチャａ２有する電極
板８が管軸とはソ直交する面内に設けられている。
が配置され、これより発生した電子ビームに対する水平
・垂直偏向用の静電偏向電極５が、例えば管体１の内周
面に被着形成された導電膜によって構成される。６は集
束コイル、７はアラインメントコイルケ示す。電子銃２
は例えは第２図に示すように、カソードにと第１グリッ
ドＧ１１第２グリッドＧｚｋ有し、第２グリツドＧ２に
は、微小開ロリミツテイングアバーチャａ２有する電極
板８が管軸とはソ直交する面内に設けられている。
このような構成による撮像管において、電子銃２よシ発
射された電子ビーム９は、静電偏向電極５によって形成
される電界によって水平・垂直偏向されてフェイスプレ
ート３上に設けられたターゲット４上を走査するように
なされる。このターゲット４における電子ビーム走査領
域は、第２図において領域Ａで示す範囲とするとき、こ
の領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信号が生じる。す
なわち、電子銃２より発射されｆＣ，１次電子ビーム９
は、ターゲット４の領域Ａ上を走査するものであるが、
その一部の電子は電子銃２側に押し戻され、戻シビーム
１０となる。そして、この戻りビーム１０が第２グリツ
ドＧ２の主として電極板８に当シ、その一部が再びター
ゲット４に向う反射ビーム１１となる。さて、ターゲッ
トの走査領域Ａの表面電位は１次ビーム９の走査による
放電によって陰極電位のＯ■近くに保持されているが、
走査領域外の領域Ｂにおいては、１次ビーム９の走査が
なされず、この領域の表面電位はターゲット印加電圧に
近い高い電位の数１０■にあるため、ここに反射ビーム
１１が入射すると偽信号を発生し、戻りビーム像となる
。２２はターゲット４に対向して配置てれるメツシュ電
極を示す。
射された電子ビーム９は、静電偏向電極５によって形成
される電界によって水平・垂直偏向されてフェイスプレ
ート３上に設けられたターゲット４上を走査するように
なされる。このターゲット４における電子ビーム走査領
域は、第２図において領域Ａで示す範囲とするとき、こ
の領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信号が生じる。す
なわち、電子銃２より発射されｆＣ，１次電子ビーム９
は、ターゲット４の領域Ａ上を走査するものであるが、
その一部の電子は電子銃２側に押し戻され、戻シビーム
１０となる。そして、この戻りビーム１０が第２グリツ
ドＧ２の主として電極板８に当シ、その一部が再びター
ゲット４に向う反射ビーム１１となる。さて、ターゲッ
トの走査領域Ａの表面電位は１次ビーム９の走査による
放電によって陰極電位のＯ■近くに保持されているが、
走査領域外の領域Ｂにおいては、１次ビーム９の走査が
なされず、この領域の表面電位はターゲット印加電圧に
近い高い電位の数１０■にあるため、ここに反射ビーム
１１が入射すると偽信号を発生し、戻りビーム像となる
。２２はターゲット４に対向して配置てれるメツシュ電
極を示す。
本発明は、ＭＳ型撮像管において、上述した戻りビーム
による偽信号の発生全効果的に回避することができる撮
像管を提供することを目的とする。
による偽信号の発生全効果的に回避することができる撮
像管を提供することを目的とする。
かかる目的を達成するため、本発明においては、ＭＳ型
熾像管ｖｃｊ、−いて、第２図に示した１次電子ビーム
の偏向量Ｒ１と戻りビームの反射板への到達位＃Ｒ２、
及び反射ビームのターゲットへの到達位置Ｒ３とには、
原理的にはＲ２＝ ２ Ｒｌ、Ｒ３＝３Ｒ１の関係が存
在すゐこと、また実際のＭＳ型撮像管では集束コイルの
発生する磁界分布は管軸方向に一様ではなく、このため
戻シビームは反射板に発散方向の角度θを有して到達す
ること、この戻りビームの角度θ・は−次ビームの偏向
量Ｒ１にはソ比例することを知得し、反射電極板に工夫
をして反射ビーム全走査領域内に向わせしめ、外領域に
到達しないようにしたものである。
熾像管ｖｃｊ、−いて、第２図に示した１次電子ビーム
の偏向量Ｒ１と戻りビームの反射板への到達位＃Ｒ２、
及び反射ビームのターゲットへの到達位置Ｒ３とには、
原理的にはＲ２＝ ２ Ｒｌ、Ｒ３＝３Ｒ１の関係が存
在すゐこと、また実際のＭＳ型撮像管では集束コイルの
発生する磁界分布は管軸方向に一様ではなく、このため
戻シビームは反射板に発散方向の角度θを有して到達す
ること、この戻りビームの角度θ・は−次ビームの偏向
量Ｒ１にはソ比例することを知得し、反射電極板に工夫
をして反射ビーム全走査領域内に向わせしめ、外領域に
到達しないようにしたものである。
以下、本発明の実施例を図面音用いて説明する。
尚、以下の説明におい−Ｃ１第２図と対応する部分には
同一符号を付けて重複説明全省略する。第３図は、本発
明による撮像管の反射電極板の一例を示す図である。本
実施例の反射電極板８１は、回転双曲線正接曲面を有し
ている。すなわち点Ｑを関係で規定される。αは定数で
あり、電子光学系の構成により決定さ扛る。この曲面は
点Ｑ Ｋ ｊ、−いて半角４５°の回転円錐面になって
いる。上述したように、ＭＳＷ撮像管における戻シビー
ム１０は、反射電極板に到達する位置Ｒ２と角度θは１
次電子ビームの偏向量Ｒ１に比例する。すなわち、Ｒ２
Ｃ’：Ｒ１、θｆｆＲ１となる。
同一符号を付けて重複説明全省略する。第３図は、本発
明による撮像管の反射電極板の一例を示す図である。本
実施例の反射電極板８１は、回転双曲線正接曲面を有し
ている。すなわち点Ｑを関係で規定される。αは定数で
あり、電子光学系の構成により決定さ扛る。この曲面は
点Ｑ Ｋ ｊ、−いて半角４５°の回転円錐面になって
いる。上述したように、ＭＳＷ撮像管における戻シビー
ム１０は、反射電極板に到達する位置Ｒ２と角度θは１
次電子ビームの偏向量Ｒ１に比例する。すなわち、Ｒ２
Ｃ’：Ｒ１、θｆｆＲ１となる。
向、Ｒ２とＲ１の関係は原理的にはＲ２＝２＆でめるが
、実際のＭＳ型撮像管ではＲ２は２ Ｒ−ｔよりも、大
きくなるが、比例関係ははソ保たれている。
、実際のＭＳ型撮像管ではＲ２は２ Ｒ−ｔよりも、大
きくなるが、比例関係ははソ保たれている。
このように戻りビームｌＯは反射電極板に偏向量Ｒ１に
対し単純な関係でもって到達する事実から、第３図に示
すように、戻シビーム１０は仮想的に軸上の一点Ｐから
戻ってくるように春える。
対し単純な関係でもって到達する事実から、第３図に示
すように、戻シビーム１０は仮想的に軸上の一点Ｐから
戻ってくるように春える。
第２図の従来例では反射電極板８は平板でるるため、反
射ビーム１１は第２図に示すごとく発散ビームとなり管
軸から離れる方向に出射されていく。
射ビーム１１は第２図に示すごとく発散ビームとなり管
軸から離れる方向に出射されていく。
これに対し本実施例では第３図に示すごとく、反射電極
板８１は回転曲面を有し、特に曲面が双曲線正接ｔａｎ
ｈ面になっているため、戻りビーム１０は一度反射点と
管軸に対し点対称に反射され、ここで再反射して反射ビ
ーム１１となる。この反射ビーム１１は無電界、無磁界
ならば戻シビーム１０の出射点ＰＫ来束するが、実際に
は、偏向電界、集束磁界の作用により走査憤域Ａの内に
到達する。このように、戻シピーム１０により発生する
反射ビーム１１の初期条件（位置、角度）を反射電極の
形状を変えることにより大幅に移動し、反射ビーム１１
が走査領域Ａ内に到達せしめることができ、戻シビーム
像の発生を防ぐことができる。
板８１は回転曲面を有し、特に曲面が双曲線正接ｔａｎ
ｈ面になっているため、戻りビーム１０は一度反射点と
管軸に対し点対称に反射され、ここで再反射して反射ビ
ーム１１となる。この反射ビーム１１は無電界、無磁界
ならば戻シビーム１０の出射点ＰＫ来束するが、実際に
は、偏向電界、集束磁界の作用により走査憤域Ａの内に
到達する。このように、戻シピーム１０により発生する
反射ビーム１１の初期条件（位置、角度）を反射電極の
形状を変えることにより大幅に移動し、反射ビーム１１
が走査領域Ａ内に到達せしめることができ、戻シビーム
像の発生を防ぐことができる。
第４図及び第５図は本発明の他の実施例の反射電極板の
形状？示したものであり、第４図の反射電極板８２は、
回転円錐面ｔなし、第５図の反射電極板８３は球面をな
している。また、回転楕円面とすることも可能でアル。
形状？示したものであり、第４図の反射電極板８２は、
回転円錐面ｔなし、第５図の反射電極板８３は球面をな
している。また、回転楕円面とすることも可能でアル。
同、上述の各実施例では反射電極として回転面のすべて
を利用するように説明したが、戻りヒームの到達位置几
２が最大偏向量Ｒｍ（走査領域人の最大半径）の約２／
３以上の場合が戻りビーム像発生領に対応するため、反
射電極もこの領域のみを回転曲面とすればよい。第６図
に示した実施例では、第３図に示したｔ ａｎｈ曲面の
一部８４を反射電極に利用しており、中心軸近傍は平板
電極８５を用いている。又、電子銃２は種々の構成をと
９得るし、反射電極はリミッティングアパーチャ金有す
る電極とは別にしてもよいことは勿論である。
を利用するように説明したが、戻りヒームの到達位置几
２が最大偏向量Ｒｍ（走査領域人の最大半径）の約２／
３以上の場合が戻りビーム像発生領に対応するため、反
射電極もこの領域のみを回転曲面とすればよい。第６図
に示した実施例では、第３図に示したｔ ａｎｈ曲面の
一部８４を反射電極に利用しており、中心軸近傍は平板
電極８５を用いている。又、電子銃２は種々の構成をと
９得るし、反射電極はリミッティングアパーチャ金有す
る電極とは別にしてもよいことは勿論である。
上述の如く、本発明によれば反射電極によシ反射ビーム
が走査領域内に到達されるので、戻シビ
が走査領域内に到達されるので、戻シビ
第１図は電磁集束−静電偏向型撮像管の側面図、第２図
はその要部の構成図、第３図ないし第６図は夫々本発明
による撮像管の反射電極を示す図である。 １・・・管体、２・・・電子銃、３・・・７エイスプレ
ート、４・・・ターゲット、訃・・静電偏向電極、６・
・・集束コイル、８，８１，８２，８３，８４．８５・
・・反射電極、９・・・１次電子ビーム、１０・・・戻
りヒーム、１１・・・反射ビーム。 男 １ 目 隻 Ｚ 図 第 ３ 図
はその要部の構成図、第３図ないし第６図は夫々本発明
による撮像管の反射電極を示す図である。 １・・・管体、２・・・電子銃、３・・・７エイスプレ
ート、４・・・ターゲット、訃・・静電偏向電極、６・
・・集束コイル、８，８１，８２，８３，８４．８５・
・・反射電極、９・・・１次電子ビーム、１０・・・戻
りヒーム、１１・・・反射ビーム。 男 １ 目 隻 Ｚ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電磁集束−静電偏向型撮像管において、ターゲット
と対向して回転面を有する反射電極を設け、該反射電極
によりターゲットの電子ビーム走査領域の幅の２／３以
上の位置に向うターゲットよりの戻シビームを、再びタ
ーゲットの電子ビーム走査領域内に反射させることを特
徴とする撮像管。 ２ 上記反射電極が、球面、回転楕円面、回転円錐面も
しくは回転双曲線正接曲面全有することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP482884A JPS60150542A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 撮像管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP482884A JPS60150542A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 撮像管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150542A true JPS60150542A (ja) | 1985-08-08 |
Family
ID=11594556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP482884A Pending JPS60150542A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | 撮像管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60150542A (ja) |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP482884A patent/JPS60150542A/ja active Pending
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