JPS61111563A - 半導体装置の金属配線切断方法 - Google Patents

半導体装置の金属配線切断方法

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JPS61111563A
JPS61111563A JP59234765A JP23476584A JPS61111563A JP S61111563 A JPS61111563 A JP S61111563A JP 59234765 A JP59234765 A JP 59234765A JP 23476584 A JP23476584 A JP 23476584A JP S61111563 A JPS61111563 A JP S61111563A
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JP
Japan
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metal wiring
semiconductor device
laser beam
melting point
high melting
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JP59234765A
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English (en)
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Junichi Arima
純一 有馬
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/12—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special environment or atmosphere, e.g. in an enclosure
    • B23K26/123—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring in a special environment or atmosphere, e.g. in an enclosure in an atmosphere of particular gases
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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  • Mechanical Engineering (AREA)
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置において半導体ウエーノ・（以下
単に「ウェーハ」という。）上に形成されている金属配
線の切断方法の改良に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来のレーザトリミング装置の概念的構成図で
、（１）はレーザ光源、（２）は光学系、（３）は元ビ
ームポジショナ−１（４）はレーザ光線、（６１は目標
物であるウェーハ上の高融点金属配線である。
この従来装置では、レーザ光源＋１）で発生したレーザ
光線（４）は光学系（２）を通り、元ビームポジショナ
−（３）によって目標物であるウェーハ上の高融点金属
配線（６）に対して位置制御して照射され、高融点金属
配線［５１を切断する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の装置では、高融点金属配線（６）の
レーザ光線（４ｉＫよる浴融切断は大気中で行なわれる
ので、高融点金属配線（６）の溶融飛沫が飛散し、半尋
体装置上の隣接する配線間の短絡を生、じ友り、隣接回
路に損ｇｊを与えるおそれがあるという問題点があった
。
この発明は以上のような問題点を解決する之めになされ
たもので、高融点金属配線の溶融飛沫が隣接する配線０
回路に影響を与えることのない金属配線切断方法を得る
ことを目的としている。
〔問題点を解決する次めの手段〕
この発明に係る半導体装置の金属配線切断方法では、切
断対象物である尚融点金属配線が形成されたウェーハを
、上記金属配紳をレーザ光線で昇華切断できるような雰
囲気中に置くものである。
〔作用〕
この発明では、萬融点金属配線をレーザ光線で昇華切断
できるような雰囲気で処理するので、溶断飛沫は発生せ
ず、これによる問題は解消する。
〔実施例〕 第１図はこの発明の一実施例の具体的実施形態を示す構
成図で、前述の第２図の従来例と同一符号は同等部分を
示し、その説明は重複を避ける。
図において、（６）はチャンバ、（７）は酸素ガス導入
口、（８）は排気系、（９１は酸素雰囲気である。目標
物であるｉｉ融点金属配線（５）が形成されたウェーハ
はチャンバ（６）内の酸素雰囲気（９）中に置かれてい
る。
この実施例では、チャンバ（６）全排気系（８）によっ
て一定の真空に保ち、酸素を酸素ガス導入口（７）がら
一定圧で導入した状態で、レープ光源ｉｌ＋からのレー
ザ光線（４）を光学系（２）、光ビームポジショナ−（
３）を介して上記チャンバ（６）の酸素雰囲気（９）中
に置かれたウェーハ上の高融点金属配Ｉｆｉ！！５１　
Ｋ照射することによって、上記高融点金属配線（５）と
昇華、切断させる。
上記実施例では酸素雰囲気を用い之が、高融点金属（例
えばモリブデンシリサイド）配線ヲレーザ光線の照射で
昇華させる雰囲気であればよい。
ま之、この方法は高融点金属薄膜のバターニングにも使
用できる。
〔発明の効果〕
以上説明したように、この発明ではウェーハ上の高融点
金属配線をレーザ光線で昇華させ、切断するので、隣接
配線１回路に悪影響を与えることなく、半導体装置の製
造歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例の具体的実施形態を示す図
、第２図は従来のレーザトリミング装置の概念的構成図
である。 図において、［＋ｉはレーザ光線、（５１は高融点金属
配線、（９１は酸素ガス雰囲気である。 なお、各図中同一符号は同−ｉ友は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）表面に高融点の金属配線を有する半導体ウェーハ
    を、上記金属配線にレーザ光線を照射して上記金属配線
    を昇華させ得るガス雰囲気中に置き、上記金属配線の所
    望位置にレーザ光線を照射して上記金属配線を昇華させ
    切断することを特徴とする半導体装置の金属配線切断方
    法。
  2. （２）レーザ光線を照射して金属配線を昇華させ得るガ
    ス雰囲気として酸素雰囲気を用いることを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の半導体装置の金属配線切断方
    法。
  3. （３）金属配線がモリブデンシリサイドからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の半
    導体装置の金属配線切断方法。
JP59234765A 1984-11-05 1984-11-05 半導体装置の金属配線切断方法 Pending JPS61111563A (ja)

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GB2166379B (en) 1988-11-23
US4720620A (en) 1988-01-19
GB8527219D0 (en) 1985-12-11
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