JPS61114562A - マイクロ波用チツプキヤリヤ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１つの領域に導電性を有する少なくとも１個
のキャリヤと、導電面および少なくとも１個の穴を有す
る少なくともＩＷＡの誘電体基板とを備え、その誘′１
体基板の穴内（で能動もしくは受動マイクロ波構成部品
が設置されるマイクロ波構成部品用チップキャリヤに関
する。

〔従来の技術〕

マイクロ波半導体、例えば集積化ヒ化ガリウム製マイク
ロ彼チップにとっては波動インピーダンスの正確なケー
スが必要である。マイクロ波半導体チップをケース内に
カプセル化する際またはマイクロ波半導体チップをチッ
プキャリヤ上に取付ける際には、最良のマイクａ波特性
、良好な熱排出、完全に検査できること、および、ユー
ザ劃にて簡単に設置できることが必−要である。

チップキャリヤを使用しないで半導体チップを直後集積
回路内にマウントする場合、この半導体チップはこの回
路内にダイレクト（直接）マウントする前には僅かしか
試験することができない。

そのために、かかる半導体チップにおいては放障率が比
較的高い。

社命半会勃晴→ 枚重特許第４１１５８３７号明細書によれば集積回路用
チップ中ヤリャが公印である。この場合には集積回路は
絶縁基板上に設けられる。集積回路との出来る限り多く
の電気的結合部を設けにとができるようにするために、
絶縁基板はキャリヤに固定される側の面がこのキャリヤ
の外周を越えて突出させられている。このようなキャリ
ヤはマイクロ波にはｍ−られない。テスト用に、絶縁基
板の下面の周縁が金属化され７乙。全面に施されるので
はないこの金属化領或はマイクロ波ＬＤ伝送を妨害する
。テストだけを行ない潜るようにするために、このチッ
プキャリヤにおいてはチップと絶縁基板の下面のこの金
属比領攻との間に４は複雑ｖｃ構成された磁気的結合部
が設けられている。

テスト用以外には、チップのアース導体が４！３４基板
の下面を越えないように設けられている。

米国特許第４３４０９０２号明ＭＪ書によれば、良好な
熱排出を得るためにチップを金属片に取付けるようにし
たチップキャリヤが公知である。多層セラミック構造体
を貫通して案内されている複雑な構成のアース導体によ
って、チップはこのチップの基台とキャリヤとの間に配
置されている金属板に結合される。このチップキャリヤ
の構造は複雑であり、かつ、任意のプレート上の任意の
マイクロ波構成素子に対して柔軟に整汗可能ではな１ハ
。

米国特許＠３８６４７２７号明細書によれば、チップを
絶縁基板に取付けるようにしたチップキャリヤが公知で
ある。この絶縁基板は金属キャリヤに取付けられ、そし
て、このキャリヤはその基板が載置される−の面がその
基板の外周を越えて大幅に突出させられている。このよ
うなチップキャリヤは幅広のストリップ導線を有してお
り、プレート上に取付可能ではなく、かつ、構造上の理
由からマイクロ波回路に適用できない。

米国特許第５９４６４２８号明細ｉＩｊによれば、チッ
プを誘電体基板の穴内ｅこて金属中間片に取付け、この
金属中間片を金属キャリヤに取付けるようにしたチップ
キャリヤが公刊である。その場合に、金屑キャリヤは誘
電体基板と同じ外形寸法を有する。波動インピーダンス
の盛合は付加的な誘電体基台によって行なわれる。それ
ゆえ、構造が複雑になり、しかも僅かな個数Ｄストリッ
プ導線しか設けることができない。

米国特許４５７６９５６０号明ＭＲ’ｉｉ　ＶＣよれば
、複雑に構成されしかも電気的アース導体のために特別
な電気的結合部を必要とするチップキャリヤが公知であ
る。このようなチップキャリヤはマイクロ波用途には特
に適さない。

米国特許！４３５９０３４１号明細ｉ１＋Ｆｖｃよれば
、トランジスタを構成する際に対称性の理由からトラン
ジスタのエミッタのために２本の１気導線を必要とする
チップキャリヤが公用である。トランジスタのエミッタ
のだめのこれらの分離された導砂は、チップキャリヤの
みならず、このチップキャリヤが配設されるプレート片
にも多くのスペースを必要とし、かつ同様に材料に費用
がかかりすぎる。Ｏのチップキャリヤにおいては熱排出
が間隙に悪い。

米国特許第３６５４４５４号明細書によれば、誘電体基
板をキャリヤに取付けるようにしたチップキャリヤが公
知である。誘電体基板の穴の内部で１よマイクロ波構成
素子がキャリヤに敗付けられている。誘１体基板とキャ
リヤとの間には、キャリヤを金属化する少なくとも１つ
の領域が形成されている。この金属化領域は、誘電体基
板がキャリヤ上ＩＣａＩｆされる側の面内に、銹５≦体
基板の外周全かなり憾えて延在している。誘電体基板は
比較的厚い。従って、電気的接続部はその全長に亘って
比咬的厚くなければならず、このことは電気導体の実装
密度を低下させてしまう。チップキャリヤのこのような
構成は複雑であるばかりでなく、マイクロ波用途にとっ
ても特に好ましくない６電気接続部を備えたかかるチツ
ブキ？　ＩＩヤを種々の用途、特に種々の使用回路に適
合させることは、少なくとも簡単な方法では可能で（徒
ない。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は、電気導体を簡単女方法にてインピーダンス盛
合することができ、最良のマイクａ波特性を有すること
ができ、良好な熱排出を持ち、半導体を担持するチップ
キャリヤの試験を簡単な方法にて行なうことができ、ユ
ーザ訓で簡単に設置することができ、単純な構成を有し
、かつ、マイクロ波伝送、１１路の高密度実装を基本的
にｏＴ能にするような、冒頭で述べた種類のチップキャ
リヤを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するだめに、本発明は。

冒頭で述べた種類のチップキャリヤに分いて、誘電体基
板の少なくとも１個の穴はその少なぐとも１個の誘電体
基板か１つの領域ておいて４屯性の／Ｊ）　ｊ（（とも
１個のキャリヤ上に載置されるように形状および大きさ
が合わせられ、少なくとも１個ちつマイクロ波半導体素
子が前記少なくとも１個の誘１体基板の少なくとも１個
の穴内（て設置され、前記少なくとも１個のマイクロ波
半導体素子のアース接続線は前記少なくとも１個の穴内
でその穴り下方に配置されている前記キャリヤの導電性
領域に接続され、前記少なくとも１１１！の誘電体基板
は前記少なくとも１個のキャリヤ上に＠置される側の面
が前記少なくとも１ｍのキャリヤの導電性領域よりも大
きな寸法を有し、前記少なくとも１個の誘電体基板上に
形成された導′１面はマイクロ波ストリップ導線であり
、そして、そのマイクロ波ストリップ導線は前記少なく
とも１個の誘電体基板が前記少なぐとも１個のキャリヤ
の導電性領１或の外周よりも突出しているところに、チ
ップキャリヤが取付けられる外部材料と電気的に盛合す
るために拡大部を有することを特徴とする。

誘電体基板上セラミックプレートから成ることは有利で
ある。

本発明によるチップキャリヤにおいては、キャリヤ全体
を金属で製作してもよい。しかしながらキャリヤは金属
化するようＫしてもよい。この金属化はキャリヤの全表
面に亘って行なわれなくてもよい。その場合に、マイク
ロストリップ導線が幅拡大訃よび（または〕厚み拡大さ
れる個所の近傍では、金属化が大規模に行なわれないよ
うにすることは重要である。その場合て、半導体のアー
ス接続線がその金員化領域を弁して使用回路のアースと
′電気的に接続され得るような規模にて、ギヤリヤの金
属化が行なわれることは重要である。

同時に、この金属化領域を介して同様に熱が排出される
。使用された半導体においてどの程度熱が発生するかに
応じて、金属化すなわちキャリヤの金属特性を適合させ
ることができる。

〔実施列〕

次に本発明の実施例を図面ンて基づいて詳細に説明する
。

、４１図９よび第２図には本発明によるチップキャリヤ
が示されている。マイクロストリップ導線（接続導＃−
）５と形状可変の穴５とが設けられている誘１体基板１
は、その穴３を通してキャリヤ２に触ることができるよ
うに、そのキャリヤ２と結合されている。キャリヤ２は
特に円柱状金属ピンの形状に形成されている。穴５内で
はキャリヤ２上に、アース接続線１１を有する半導体チ
ップ４が設置されている。半導体チップ４のそのほかの
接ｖｃＪ１０は誘１体基板１に設けられているマイクロ
ストリップ導線５に接続されている。

キャリヤ２は＃電体基板１の載置される面が誘直体基４
！ｉ１の外形よりも小さく形成されている。

誘電体基板１が載置されているキャリア２の載置面の外
周よりも外−に位置しているマイクロストリップ導線６
は、チップキャリヤの取付けられるマスタープレート２
０（第３図およびｚ４図参照）の使用材料と波動インピ
ーダンスが正しく盛合するように、幅が拡大されている
。マスタープレート２０としてはたとえばテアａノＲＴ
デュロイド（Ｄｕｒｏｉｄ　）　５８８０．　　α３８
亀を使用することがでキル。マスタープレート２０は同
様にセラミックプレートを使用することもできる。チッ
プキャリヤの接続面７は金属化することができる。しか
しながら、チップキャリヤには接続帯片８を設けること
もできる。接続帯片８を使用したりまたは接続面７を金
属化すると、突き３わせ面の形成が回避される。

半導体４７）＠覆すなわち半導体４のハーメチックなパ
ッケージ化は上述した米国特許明細書により専門家には
よく知られている方法にて行なうことができる。

第５図および第４図にはマイクロス）　ＩＪツブ導線回
路ＩＣマウノトされたチップキャリヤが示されている。

このマウントはマスタープレート２０上にチップキャリ
ヤを取付けることによって行なわれる。マウントのため
に、チップキャリヤのキャリヤ２（金属ピン）はマイク
ロストリップ導ａｄ路２０の穴２３内に設置され、裏側
でアース２４に゛電気的に結合される。チップキャリヤ
のそのほかの接続部２５はマスタープレート２０の上面
に設けられている。

チップキャリヤのマイクロストリップ導線とマスタープ
レートのマイクロストップ導線との間の突き合わせ個所
は、回路技術的に望ましければ、出来る限り小さくされ
る。電気的接続部２４．２５はこのために接着剤または
はんだによって製作“される。このようにして、第５図
に図示されているように、チップキャリヤに金属化面７
を使用する際にもまた接続帯片８（接続リード）を使用
する際にも、チップキャリヤとマスタープレートのマイ
クロストリップ導線回路との間には、実質的に突き合せ
面を有しない電気的接続が形成される。

それにより、マイクロ波の反射が回避される。

マスターグレート２０の裏面−ではキャリヤ２の金属化
領域とマスタープレート２０の裏面カバー２１との間に
電気的結合が形成される。マスク−プレート２０の上面
側ではチップキャリヤの通気的接続部と個々のマイクロ
ストリップ導線２２との間に磁気的結合が形成される。

チップキャリヤに接続帯片８を使用する際には、チップ
キャリヤの接続面７の該当部分とマスタープレート２０
のマイクロストリップ導８２２との間には金属化接着剤
またははんだが設けられ、接続帯片８が簡単な方法にて
折曲げられてその金属化接着剤または金属化はんだなら
びにマスタープレート２０上のマイクロストリップ導ｄ
２２と結合される。

第４図にはチップキャリヤが取付けられているマスター
プレート（マイクロストリップ導線回路］２０の正面図
が示されている。チップキャリヤのキャリヤ２はマスタ
ーグレート２０の穴２５にぴったり合わせられている。

穴２３はチップキャリヤのマイクロストリップ導線６を
簡単な方法にてマスタープレート２００マイクロストリ
ツプ４’ｌｉ！！２２に結合することができるようにマ
スタープレート２０上に設けられている。

８ｇ５図にはチップキャリヤの優れた寸法および材料か
示されている。チップキャリヤの誘電体基板１は特に酸
化アルミニウム（Ａｔ２０３）から成り、そして特に１
０　ｍｉｔの厚さである。誘電体基板１はたとえば５６
０ｍの直径の円板またはチップキャリヤ軸に垂直表両方
向の各々の大きさが５．０簡の直線に形成され得る。チ
ップキャリヤのキャリヤ２ｔよ特に円柱状金属ビンから
成る。このキャリヤ２は特に３．０咽の直径およびｌ、
Ｑｍの高さを有する。

金属キャリヤ２を使用して、その金属キャリヤ２上に直
接構成部品４をマウントすると、熱排出が最良となり、
かつ、同時に非常に低イ／ピーダンスのアース接続が作
られるという、Ｆｌ１点がある。

それに対して、金属化キャリヤ２を使用すると、隣接す
る材料の熱膨張係数の盛合に関する利点が得られる。

種々の構成部品の形状および大きさに関する要件に穴３
を適合させることにより、チップ構成部品とマイクロス
トリップ導線および金属キャリヤまたは金属化キャリヤ
２との間の接Ｈ？ｆａ　ｅ出来る限り短くすることがで
きる。

誘電体基板が直接キャリヤ２上にｉｆされるので、＃電
体基板１は非常に薄く形成することができる。このこと
により、マイクロストリップ導線は５　Ｑ　ＧＨｚ以下
の周波数の際にも僅かな幅にて形成されなければならず
、それゆえマイクロストリップ導線の個数が予め決めら
れている場合ンては穴３をその個数に応じて小さく形成
することができるという利点が奏される。このことから
、チップ接点とマイクロストリング導線およびキヤ！ツ
ヤ２との間の接続線を同様に短くすることができるよう
になり、その結果全インピーダンスを減少させることが
できる。

チップキャリヤは特にマイクロ波集漬回路用に適してい
る。チップ接点、マイクコストリップ導線および金属キ
ャリヤまたは金属化キャリヤ２ぐよ必要に応じてカプセ
ル化される前知融れることができるので、耽にチップキ
ャリヤ内に組込まれているマイクロ波構成部品を容易に
ｍｌす定し、試験しまたは検定することができる。チッ
プキャリヤは、種々の構成部品、モジュールおよび回路
用に使用することができるので、多方面に使用可能であ
る。

さらに、このようなチップキャリヤは基板１の上部Ｃ１
ζカバーキャップを取付けることにより容易にハーメチ
ックに封止することができる。

穴５をマイクロ波構成部品の形状および大きさに適合さ
せることは、この穴３を、チップキャリヤ上に取付けら
れるべき各マイクロ波構成部品の個々の必要性のために
それらの形状および大きさに応じて変形することができ
ること全意味する。

金属化キャリヤ２を使用する場合には、基板１の材料は
これらの材料（つまり基材１の材料と金属化キャリヤ２
の材料）がほぼ等しい熱膨張係数を有するように選定さ
れる。たとえば、キャリヤ２としては、基板１として使
用されているのと同じ材料に金属被覆が設けられたもの
を使用することができる。

チップキャリヤは被）夏によりＩ・−メチツクに気密に
封止することができる。その被・夏は誘電体注型材料ま
たは誘電体カバーによって形成することができる。

マイクロストリップ導線は波動インピーダンスを正確に
たとえば５０オームに盛合させることができる。マイク
ロストリップ導線の幅は５１以Ｆ１特にα１鳩〜１＋ｗ
の大きさである。誘電体基板１は好ましくはＩ１１１Ｉ
ｍ〜α５ａ＋の厚さ、特にＱ、２５■＝１０ｍｉｔの厚
さである。キャリヤ２は好ましくはマイクロストリップ
導線回路２０に対する′通気的接続部２４′ｔ−まだ充
分に形成することのできる厚さであるべきである。

マイクロストリップ導、Ｉ！は誘電体基板１上にたとえ
ばアルミニウムの蒸着およびその後に行なわれるアルミ
ニウム層のエツチングによって作ることができる。この
ようにして製作されたアルミニウム構成体がマイクロス
トリップ導線を形成する。

マイクロストリップ導線は厚膜技術を用いても製作する
ことができる。

半導体チップ４に付加的にまたは半導体チップ４０代わ
りに、能動もしくは受動マイクロ波構成部品を基板１よ
り厳密に言えば、純粋な基板表面部またはマイクロスト
リップ導線上に設けることができる。

基板１は複数のキャリヤ２を有することもできる。誘電
体基板１は同様：Ｃ複数の穴ろを有することもできる。

誘１体基板１は同様に複数のチップ構成部品を１つの穴
６内に設置することもできる。

誘電体基板１上でのマイクロストリップ導線の必要な拡
大はマイクロストリップ導線の高さおよび（または）＠
を変えることによって行なうことができる。

本発明にとって改要なことは、誘電体基板１上のマイク
ロストリップ導線とチップキャリヤが使用される回路の
接続部とＯ波動インピーダンスの盛合が誘電体基板１上
で、かっ誘電体基板１の下に設けられた金属材料が存在
する領域の外で行なわれることである。このように形成
されたチップキャリヤは全インピーダンスが最少になる
。

マイクロストリップ導線の波動インピーダンスの正確な
盛合は計算によりまだは経験的に生ぜしめられる。その
場合に必要なマイクロストリップ導線の厚み拡大はその
幾何学形状が、キャリヤ２と基板１とプレート２０との
材料および形状１種゛々の比誘電率、マイクロ波の種々
の走行時間、漂遊電界、基板１およびプレート２０上の
マイクａ波導碧の種々の様式ＫｆｆＺ存する。チップキ
ャリヤからプレート２０への電気的接続部においては波
動インピーダンスの突出が存在してはいけない。

誘電体基板１は基本的に任意の形状、たとえば円形、正
方形、長方形等の形状をとることができる。

上述したチップキャリヤは波動イノビーダンス盛合形ス
トリング導線だけでａなく、同様にマイクロ波４線回路
の任意の半導体素子および任意の材料にも適用可能であ
る。簿い基板１は幅狭のストリップ導線の形成を可能に
する。それにより、穴３の周囲に導線を高実装密度にて
実装することができるようになり、このことは穴３の内
部に配置される集積回路および（または）ノ・イブリッ
ト回路にとっては重要なことである。その場合には。

同時に、誘電体基板１上でかなり接近して隣接する導線
間の結合部の長さを短くすることができる。

チップキャリヤ上には、さらに、プレート材料およびチ
ップキャリヤに個々に波動インピーダンスが盛合させら
れたスパイダ（リードフレームンを設けることができる
（たとえばはんだ付けされる）。その場合に、スパイダ
の個々の盛合は種々の幾何学形状に形成されたスパイダ
フィンガによって得られる。

スパイダにおいては僅かな公差も実現可能ではないので
、誘電体基板１上のマイクロストリップ導線り波動イン
ピーダンスを盛合させることば有利である。というのは
、このようなマイクロストリップ導線はたとえば僅かな
公達を持つ厚膜技術によって製作することができるから
である。

上述したチップキャリヤの利点は製作、が簡単であるこ
とおよび据付けが簡単であることである。

キャリヤ２が比較的小さな直径を有するので、キャリヤ
２用の穴２３はプレート２０内に容易に設けることがで
きる。

キャリヤ２が中空ピンとして＃作される場合には、その
キャリヤ２は熱容量が僅少となり、従ってはんだ付けが
容易になる。

上述したチップキャリヤ用としてｍ琳、を方法でスパイ
ダを製作することができ、それゆえ上述したチップキャ
リヤは構成型式が僅かしかなくても非常に多ぐの種々の
用途、特に３０　ＧＨｚ以下の用途に対して普遍的に使
用可能である。

上述したチップキャリヤにおいて重要なことは、出来る
限り薄く形成される誘電体基板１である。

このような誘電体基板１は、ストリップ導Ｉｌｉ！５間
の結合を妨げることなく、これらのストリップ導線の高
密変実装を可能にする。誘電体基板１はストリップ導線
５の配設されている面がキャリヤ２の外周を越えて突出
しているので、キャリヤ２を形成する金属の領域の外で
、ストリップ導線５はストリップ導線６のところで厚さ
を拡大することができる。高さおよび（または）ｌ＠が
拡大されたス）　ＩＪッグ導線６は機械的に非常に安定
し、スパイダを介してまたは直接的にプレートのストリ
ップ導線に接続し得るような幅になる。そしてかかる接
続は・特に高い機械的公差を必要としない。そのように
することにより、上述したチップキャリヤの据付が一層
簡単かつ安価になる。

〔発明０効果〕 以上に説明したように、本発明においては、誘電体基板
はキャリヤに取付けられる側の面がこのキャリヤの外周
を越えて突出しているので、誘電体基板がキャリヤの外
周と越えて突出している部分では、簡単な方法でチップ
キャリヤのマイクａ波ス）　ＩＩノブ導線を幅拡大する
ことができ、それゆえ、チップキャリヤが取付けられる
べき使用材料との波動インピーダンスの正しい盛合が可
能になる。

さらに、本発明においては、チップキャリヤつ少なくと
も１個の電気的接続部用に接続帯片が使用される場合に
は、チップキャリヤをたとえばマスタープレート上に取
付ける際に実質的に突き合わせ面が生じない。それゆえ
、マイクａ波の反射が回避される。このことは、本発明
にぶるチップキャリヤにおいては、少なくとも１個の接
続面が金属化される場合にもあてはまる、 また本発明によるチップキャリヤはアース接続線を短ぐ
することができる。従って、本発明によるチップキャリ
ヤはアース接続線のインダクタ７スを僅少にすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

ｄｒ１図は本発明によるチップキャリヤの概略斜視図、
第２図はその一部所面爾面図である。 第６図はマイクロストリップ伝送線路に組込まれた本発
明によるチップキャリヤの一部断面側面図、第４図はそ
の概略平面図である。 ＠５図ンよ本発明によるチップキャリヤの寸法および材
料について説明するだめの概略図である。 １・・・誘電体基板、２・・・キャリヤ、３・・・穴、
４・・・半導体、５，６・・・マイクロストリップ伝送
線路、７・・接続面、８・・・接続帯片、１１・・・マ
ース接続線、２０・・マスタープレート、２２・・・マ
イクロストリップ伝送ｍ路、２３・・・穴、２４．２５
・・・電気的結合部。 ＩＧＩ ＩＧ２

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）１つの領域において導電性の少なくとも１個のキャ
   リヤと、導電面および少なくとも１個の穴を有する少な
   くとも１個の誘電体基板とを備え、その誘電体基板の穴
   内に少くとも１個の能動もしくは受動マイクロ波構成部
   品が設置されるマイクロ波用チップキャリヤにおいて、
   前記誘電体基板（１）の少なくとも１個の穴（３）は、
   前記少なくとも１個の誘電体基板（１）が前記１つの領
   域において導電性の少なくとも１個のキャリヤ（２）上
   に載置されるように、形状および大きさが合わせられ、
   少なくとも１個のマイクロ波半導体素子（４）が前記少
   なくとも１個の誘電体基板（１）の少なくとも１個の穴
   （３）内に設置され、前記少なくとも１個のマイクロ波
   半導体素子（４）のアース接続線（１１）は、前記少な
   くとも１個の穴（３）内で、その穴（３）の下方に配置
   されている前記キャリヤ（２）の導電性領域に接続され
   、前記少なくとも１個の誘電体基板（１）は前記少なく
   とも１個のキャリヤ（２）上に載置される面が前記少な
   くとも１個のキャリヤ（２）の導電性領域よりも大きな
   寸法を有し、前記少なくとも１個の誘電体基板（１）上
   に形成された前記導電面はマイクロ波ストリップ導線（
   ５）であり、そのマイクロ波ストリップ導線（５）は、
   前記少なくとも１個の誘電体基板（１）が前記少なくと
   も１個のキャリヤ（２）の導電性領域の外周よりも突出
   しているところに、チップキャリヤが取付けられる外部
   材料と通気的に盛合するために拡大部（６）を有するこ
   とを特徴とするマイクロ波用チップキャリヤ。 ２）チップキャリヤの少なくとも１個の接続面（７）は
   金属化されていることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載のチップキャリヤ。 ３）少なくとも１個の接続帯片（８）が設けられている
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記
   載のチップキャリヤ。 ４）少なくとも１個のマイクロ波半導体素子（４）は被
   覆されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
   いし第３項のいずれか１項に記載のチップキャリヤ。 ５）少なくとも１個のマイクロ波半導体素子（４）はハ
   ーメチックにパッケージ化されていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれか１項に記
   載のチップキャリヤ。 ６）少なくとも１個の誘電体基板（１）はセラミックか
   ら成ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
   ５項のいずれか１項に記載のチップキャリヤ。 ７）少なくとも１個の誘電体基板（１）は０．０５ｍｍ
   〜０．５ｍｍの厚さを有することを特徴とする特許請求
   の範囲第１項ないし第６項のいずれか１項に記載のチッ
   プキャリヤ。 ８）少なくとも１個のキャリヤ（２）は少なくとも一部
   分が金属化されていることを特徴とする特許請求の範囲
   第１項ないし第７項のいずれか１項に記載のチップキャ
   リヤ。 ９）少なくとも１個の誘電体基板（１）は４〜１２の比
   誘電率を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項
   ないし第８項のいずれか１項に記載のチップキャリヤ。 １０）拡大されたストリップ導線（６）は５ｍｍ以下の
   幅を有することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
   し第９項のいずれか１項に記載のチップキャリヤ。 １１）拡大されていないストリップ導線（５）は１ｍｍ
   以下の幅を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項ないし第１０項のいずれか１項に記載のチップキャリ
   ヤ。