JPS6111461B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6111461B2 JPS6111461B2 JP54106185A JP10618579A JPS6111461B2 JP S6111461 B2 JPS6111461 B2 JP S6111461B2 JP 54106185 A JP54106185 A JP 54106185A JP 10618579 A JP10618579 A JP 10618579A JP S6111461 B2 JPS6111461 B2 JP S6111461B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- electron beam
- auxiliary
- drawn
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子ビームによつてパターンを描画
形成する電子ビーム露光装置に係り、特に描画さ
れたパターンからパターン自体および露光装置本
体の精度を簡単に測定することができるパターン
形成方法に関する。
形成する電子ビーム露光装置に係り、特に描画さ
れたパターンからパターン自体および露光装置本
体の精度を簡単に測定することができるパターン
形成方法に関する。
第１図は電子ビーム露光装置を概略的に示す構
成図である。図において１１は電子ビームを発射
する電子光学鏡筒、１２は駆動ステージ、１３，
１４はたとえばレーザ光線を用いて駆動ステージ
１２の平面位置を検出する位置検出装置である。
このような電子ビーム露光装置によつて、半導体
装置を製造する際に用いられるプロダクシヨンマ
スクを形成するには、先ず第２図に示すようにガ
ラス基板２１表面にCr膜２２を被着形成し、さ
らにこのCr膜２２表面に電子ビームレジスト
（たとえばPMMA）膜２３を被着形成し、しかる
後このガラス基板２１を上記駆動ステージ１２上
に載置固定し、この後電子ビーム露光装置を作動
させて電子ビームにより上記レジスト膜２３に所
定パターンを順次描画し、しかる後上記レジスト
膜２３の現象を行ないさらにエツチング処理を行
なつてCrによるパターンを形成することによつ
て行なつている。ここで微細パターンを高精度に
描画するためには、前記電子光学鏡筒１１、駆動
ステージ１２および位置検出装置１３，１４の各
精度を極めて高くする必要がある。しかしながら
いくら精度を高くしても誤差を皆無にするのは不
可能であり、また電子ビームは外部磁場による影
響を受け易いため、描画されたパターンには位置
ずれが発生することになる。このためパターン描
画後はプロダクシヨンマスク１枚毎にそのパター
ンの精度を測定し、精度の悪いものは不良マスク
として選別除去しなければならない。従来、この
ような精度不良のマスクの選別方法としては、描
画されたパターンそのものをチエツクする方法が
とられているために、このチエツクのために極め
て多大な労力と時間が費やされてしまうといつた
欠点があつた。
成図である。図において１１は電子ビームを発射
する電子光学鏡筒、１２は駆動ステージ、１３，
１４はたとえばレーザ光線を用いて駆動ステージ
１２の平面位置を検出する位置検出装置である。
このような電子ビーム露光装置によつて、半導体
装置を製造する際に用いられるプロダクシヨンマ
スクを形成するには、先ず第２図に示すようにガ
ラス基板２１表面にCr膜２２を被着形成し、さ
らにこのCr膜２２表面に電子ビームレジスト
（たとえばPMMA）膜２３を被着形成し、しかる
後このガラス基板２１を上記駆動ステージ１２上
に載置固定し、この後電子ビーム露光装置を作動
させて電子ビームにより上記レジスト膜２３に所
定パターンを順次描画し、しかる後上記レジスト
膜２３の現象を行ないさらにエツチング処理を行
なつてCrによるパターンを形成することによつ
て行なつている。ここで微細パターンを高精度に
描画するためには、前記電子光学鏡筒１１、駆動
ステージ１２および位置検出装置１３，１４の各
精度を極めて高くする必要がある。しかしながら
いくら精度を高くしても誤差を皆無にするのは不
可能であり、また電子ビームは外部磁場による影
響を受け易いため、描画されたパターンには位置
ずれが発生することになる。このためパターン描
画後はプロダクシヨンマスク１枚毎にそのパター
ンの精度を測定し、精度の悪いものは不良マスク
として選別除去しなければならない。従来、この
ような精度不良のマスクの選別方法としては、描
画されたパターンそのものをチエツクする方法が
とられているために、このチエツクのために極め
て多大な労力と時間が費やされてしまうといつた
欠点があつた。
この発明は上記のような事情を考慮してなされ
たもので、その目的は、パターン描画形成後、簡
単にパターンの精度および電子ビーム露光装置の
精度を測定することができる電子ビーム露光装置
によるパターン形成方法を提供することにある。
たもので、その目的は、パターン描画形成後、簡
単にパターンの精度および電子ビーム露光装置の
精度を測定することができる電子ビーム露光装置
によるパターン形成方法を提供することにある。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。先ず前記第２図に示すようにCr膜２
２、電子ビームレジスト膜２３が順次被着形成さ
れたガラス基板２１を、前記第１図に示す電子ビ
ーム露光装置の駆動ステージ１２上に載置固定す
る。
明する。先ず前記第２図に示すようにCr膜２
２、電子ビームレジスト膜２３が順次被着形成さ
れたガラス基板２１を、前記第１図に示す電子ビ
ーム露光装置の駆動ステージ１２上に載置固定す
る。
第３図は上記ガラス基板２１を示す平面図であ
る。このガラス基板２１を駆動ステージ１２上に
載置した後は、この基板２１の中央部に位置する
主パターン形成予定領域３１以外の領域たとえば
基板２１の四隅に位置する各補助パターン形成予
定領域３２〜３５に、第４図に示すような補助パ
ターンをそれぞれ順次描画する。上記補助パター
ンの大きさはガラス基板２１が５インチのウエハ
ー用であれば、たとえば420μｍ×420μｍ程度の
ものとなる。上記４つの領域３２〜３５に補助パ
ターンを描画した後は、上記主パターン形成予定
領域３１に、半導体装置を製造する際に実際に必
要とする所定の主パターンを順次描画する。上記
主パターン描画後、今度は上記各領域３２〜３５
に、第５図に示すように上記第４図に示す補助パ
ターンと対をなすもう１つの補助パターンを順次
重ね合わせて描画する。パターンの描画が終了し
たら、この後現像、エツチング処理を行なつて
Crによるパターンを形成する。
る。このガラス基板２１を駆動ステージ１２上に
載置した後は、この基板２１の中央部に位置する
主パターン形成予定領域３１以外の領域たとえば
基板２１の四隅に位置する各補助パターン形成予
定領域３２〜３５に、第４図に示すような補助パ
ターンをそれぞれ順次描画する。上記補助パター
ンの大きさはガラス基板２１が５インチのウエハ
ー用であれば、たとえば420μｍ×420μｍ程度の
ものとなる。上記４つの領域３２〜３５に補助パ
ターンを描画した後は、上記主パターン形成予定
領域３１に、半導体装置を製造する際に実際に必
要とする所定の主パターンを順次描画する。上記
主パターン描画後、今度は上記各領域３２〜３５
に、第５図に示すように上記第４図に示す補助パ
ターンと対をなすもう１つの補助パターンを順次
重ね合わせて描画する。パターンの描画が終了し
たら、この後現像、エツチング処理を行なつて
Crによるパターンを形成する。
第６図は上記現像、エツチング処理が行なわれ
た後の前記領域３２〜３５のうちの１つに形成さ
れた補助パターンを示す図である。第６図では電
子ビーム露光装置による誤差および電子ビームの
外部磁場による影響が全くない場合の補助パター
ンが示めされており、一方の補助パターンの部分
パターン４１とこれに対応する他方の補助パター
ンの部分パターン４２，４２とは、それぞれ幅方
向で予め各ａ（たとえば0.5μｍ）だけずれるよ
うに設定されており、また同様に部分パターン４
３と部分パターン４４，４４とはそれぞれ幅方向
で予め各ｂ（たとえば１μｍ）だけずれるように
設定されている。したがつてパターン描画形成
後、前記各領域３２〜３５における両補助パター
ン相互の位置関係すなわち位置ずれを検出すれば
これによつて主パターンの精度を類推測定するこ
とができる。また同様に電子ビーム露光装置の精
度も類推測定することができる。しかも従来のよ
うにパターン全部ではなく、領域３２〜３５の極
く狭い補助パターンのみによつて精度測定をする
ため、極めて簡単にしかも短時間で測定すること
ができる。
た後の前記領域３２〜３５のうちの１つに形成さ
れた補助パターンを示す図である。第６図では電
子ビーム露光装置による誤差および電子ビームの
外部磁場による影響が全くない場合の補助パター
ンが示めされており、一方の補助パターンの部分
パターン４１とこれに対応する他方の補助パター
ンの部分パターン４２，４２とは、それぞれ幅方
向で予め各ａ（たとえば0.5μｍ）だけずれるよ
うに設定されており、また同様に部分パターン４
３と部分パターン４４，４４とはそれぞれ幅方向
で予め各ｂ（たとえば１μｍ）だけずれるように
設定されている。したがつてパターン描画形成
後、前記各領域３２〜３５における両補助パター
ン相互の位置関係すなわち位置ずれを検出すれば
これによつて主パターンの精度を類推測定するこ
とができる。また同様に電子ビーム露光装置の精
度も類推測定することができる。しかも従来のよ
うにパターン全部ではなく、領域３２〜３５の極
く狭い補助パターンのみによつて精度測定をする
ため、極めて簡単にしかも短時間で測定すること
ができる。
なおこの発明は上記の一実施例に限定されるも
のではなく、たとえば前記第４図および第５図に
それぞれ示す補助パターンの形状は他にどんなも
のでも良く、要するに単純で位置ずれが明確に検
出できるようなものであれば良い。さらに補助パ
ターンの描画位置、個数、描画順序はどのようで
あつてもよい。
のではなく、たとえば前記第４図および第５図に
それぞれ示す補助パターンの形状は他にどんなも
のでも良く、要するに単純で位置ずれが明確に検
出できるようなものであれば良い。さらに補助パ
ターンの描画位置、個数、描画順序はどのようで
あつてもよい。
以上説明したようにこの発明によれば、主パタ
ーンを描画する前後に、同一領域に一対の補助パ
ターンを描画し、この両補助パターン相互の位置
関係を検出するようにしたことにより、主パター
ンの精度および電子ビーム露光装置の精度を簡単
に測定することができる電子ビーム露光装置によ
るパターン形成方法を提供することができる。
ーンを描画する前後に、同一領域に一対の補助パ
ターンを描画し、この両補助パターン相互の位置
関係を検出するようにしたことにより、主パター
ンの精度および電子ビーム露光装置の精度を簡単
に測定することができる電子ビーム露光装置によ
るパターン形成方法を提供することができる。
第１図は電子ビーム露光装置を概略的に示す構
成図、第２図は露光前のプロダクシヨンマスクを
示す断面図、第３図ないし第６図はそれぞれこの
発明の一実施例の方法を説明するための平面図で
ある。 １１…電子光学鏡筒、１２…駆動ステージ、１
３，１４…位置検出装置、２１…ガラス基板、３
１…主パターン形成予定領域、３２〜３５…補助
パターン形成予定領域、４１，４２，４３，４４
…部分パターン。
成図、第２図は露光前のプロダクシヨンマスクを
示す断面図、第３図ないし第６図はそれぞれこの
発明の一実施例の方法を説明するための平面図で
ある。 １１…電子光学鏡筒、１２…駆動ステージ、１
３，１４…位置検出装置、２１…ガラス基板、３
１…主パターン形成予定領域、３２〜３５…補助
パターン形成予定領域、４１，４２，４３，４４
…部分パターン。
Claims (1)
- １ 電子ビーム露光装置によつて基板にパターン
を描画する際、上記基板の主パターン形成予定領
域以外の少なくとも１つの領域に所定の幅を有す
る複数の部分パターンからなる第１の補助パター
ンを描画し、この後に主パターンを描画し、この
後に上記第１の補助パターンに重ね合せてこの第
１の補助パターンの各部分パターンとそれぞれ対
をなしかつ幅方向でそれぞれ異なる寸法だけずれ
た部分パターンを有する第２の補助パターンを描
画し、この後、上記第１および第２の補助パター
ンの対応する部分パターン相互の幅方向での位置
関係を検出することにより上記主パターンの描画
精度を測定するようにしたことを特徴とする電子
ビーム露光装置によるパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10618579A JPS5630723A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Pattern formation by electron beam exposing device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10618579A JPS5630723A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Pattern formation by electron beam exposing device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5630723A JPS5630723A (en) | 1981-03-27 |
| JPS6111461B2 true JPS6111461B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=14427146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10618579A Granted JPS5630723A (en) | 1979-08-21 | 1979-08-21 | Pattern formation by electron beam exposing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5630723A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5769742A (en) * | 1980-10-20 | 1982-04-28 | Sanyo Electric Co Ltd | Inspecting method for accuracy of pattern |
| JPS5834731U (ja) * | 1981-08-28 | 1983-03-07 | 三洋電機株式会社 | 電子ビ−ム露光用マスク |
| JP2577339B2 (ja) * | 1981-08-28 | 1997-01-29 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム露光装置による基板に対するレジストパタ−ンの検査方法 |
-
1979
- 1979-08-21 JP JP10618579A patent/JPS5630723A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5630723A (en) | 1981-03-27 |
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