JPS6233739B2 - - Google Patents
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- JPS6233739B2 JPS6233739B2 JP58194580A JP19458083A JPS6233739B2 JP S6233739 B2 JPS6233739 B2 JP S6233739B2 JP 58194580 A JP58194580 A JP 58194580A JP 19458083 A JP19458083 A JP 19458083A JP S6233739 B2 JPS6233739 B2 JP S6233739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- chip
- photorepeater
- drawn
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体装置の製造に用いるマスタマス
クの形式方法の改良に関する。
クの形式方法の改良に関する。
(b) 従来技術と問題点
半導体装置の製造方法に用いられるコピーマス
クを形成するためのマスタマスクの従来のマスク
形成方法について第１図、および第２図を用いな
がら説明する。
クを形成するためのマスタマスクの従来のマスク
形成方法について第１図、および第２図を用いな
がら説明する。
第１図に示すようにマスタマスク形成用のガラ
ス基板１上には、クロム（Cr）よりなる金属膜
２が蒸着等により形成され、その上にはホトレジ
スト膜３が形成されている。そしてこのガラス基
板上にホトリピータ４を設置し、このホトリピー
タを縦、および横方向へ、所定のピツチで移動さ
せることでホトリピータより出射される光により
ホトレジスト膜３上を所定のパターンに描画して
いる。そして所定のパターンに描画されて露光さ
れたホトレジスト膜をレジスト膜除去液で除去し
て、所定パターンのホトレジスト膜を形成後、こ
のパターニングされたホトレジスト膜をマスクと
して用い、その下に形成されているCr膜を所定
のパターンに形成してマスタマスクを形成してい
る。
ス基板１上には、クロム（Cr）よりなる金属膜
２が蒸着等により形成され、その上にはホトレジ
スト膜３が形成されている。そしてこのガラス基
板上にホトリピータ４を設置し、このホトリピー
タを縦、および横方向へ、所定のピツチで移動さ
せることでホトリピータより出射される光により
ホトレジスト膜３上を所定のパターンに描画して
いる。そして所定のパターンに描画されて露光さ
れたホトレジスト膜をレジスト膜除去液で除去し
て、所定パターンのホトレジスト膜を形成後、こ
のパターニングされたホトレジスト膜をマスクと
して用い、その下に形成されているCr膜を所定
のパターンに形成してマスタマスクを形成してい
る。
ところで従来、金属膜、およびホトレジスト膜
を形成した基板上を、ホトリピータを用いて描画
してマスタマスクを形成する際、第２図に示すよ
うな描画方法が用いられていた。
を形成した基板上を、ホトリピータを用いて描画
してマスタマスクを形成する際、第２図に示すよ
うな描画方法が用いられていた。
図示するようにCrよりなる金属膜２、および
ホトレジスト膜３を形成したガラス基板１の左端
部の小方形のチツプ１１上にホトリピータ４を設
置して、チツプ１１内のパターンを描画した後、
このホトリピータを矢印Ａに示す横方向に所定の
ピツチＢだけ移動させて小方形のチツプ１２内の
パターンを描画する。次いで更にホトリピータを
矢印Ａ方向に所定のピツチＢづつ順次移動させて
チツプ１３内のパターンを描画し、次いでチツプ
１４内のパターンを描画し、このようにして順次
横方向に一列のチツプのパターンを描画してチツ
プ１５のパターンを描画した段階で、ホトリピー
タを縦方向に所定のピツチＢだけ移動させて、第
２列目のチツプ１６内のパターンを描画する。そ
の後、ホトリピータを矢印Ｃ方向にピツチＢづつ
移動させてチツプ１６，１７，１８，１９，２０
内のパターンを描画する。次いでホトリピータを
縦方向に所定のピツチＢだけ移動させてチツプ２
１内のパターンを描画した後、ホトリピータを矢
印Ｄ方向に移動させチツプ２５内のパターンを描
画し、順次このようにしてチツプ２６…３０，３
１…のパターンを描画して最終のチツプ３５内迄
のパターンを順次描画し、これによつて縦、横所
定数の小方形のチツプ１１，１２…３５で構成さ
れた大方形のマスクパターンを描画するようにし
ている。
ホトレジスト膜３を形成したガラス基板１の左端
部の小方形のチツプ１１上にホトリピータ４を設
置して、チツプ１１内のパターンを描画した後、
このホトリピータを矢印Ａに示す横方向に所定の
ピツチＢだけ移動させて小方形のチツプ１２内の
パターンを描画する。次いで更にホトリピータを
矢印Ａ方向に所定のピツチＢづつ順次移動させて
チツプ１３内のパターンを描画し、次いでチツプ
１４内のパターンを描画し、このようにして順次
横方向に一列のチツプのパターンを描画してチツ
プ１５のパターンを描画した段階で、ホトリピー
タを縦方向に所定のピツチＢだけ移動させて、第
２列目のチツプ１６内のパターンを描画する。そ
の後、ホトリピータを矢印Ｃ方向にピツチＢづつ
移動させてチツプ１６，１７，１８，１９，２０
内のパターンを描画する。次いでホトリピータを
縦方向に所定のピツチＢだけ移動させてチツプ２
１内のパターンを描画した後、ホトリピータを矢
印Ｄ方向に移動させチツプ２５内のパターンを描
画し、順次このようにしてチツプ２６…３０，３
１…のパターンを描画して最終のチツプ３５内迄
のパターンを順次描画し、これによつて縦、横所
定数の小方形のチツプ１１，１２…３５で構成さ
れた大方形のマスクパターンを描画するようにし
ている。
ところで、これら小方形のチツプ１７，１８，
１９のように周囲が他の小方形のチツプで囲まれ
ているチツプは、そのチツプ１７，１８，１９の
４隅に第３図に示すようなバーニヤと称する十字
形状のマスクパターンの検査マーク４１が設けら
れており、大方形のマスクパターンを形成後、こ
の検査マークの中心点Ｏから十字形の先端部まで
の寸法を顕微鏡にて測長することで各チツプの寸
法を検査するようにしている。またこれ等、小方
形のチツプの寸法の測長とともに、これら小方形
のチツプで構成される大方形のマスクパターンの
周囲の四方の寸法をレーザビームを用いて測長し
て形成されたマスクパターンの精度を検査する方
法も取られており、これら小方形のチツプの測
長、および大方形のマスクパターンの周囲の四方
の長さの測長を合わせて実施することで、形成さ
れた大方形のマスクパターンの精度検査を実施し
ている。
１９のように周囲が他の小方形のチツプで囲まれ
ているチツプは、そのチツプ１７，１８，１９の
４隅に第３図に示すようなバーニヤと称する十字
形状のマスクパターンの検査マーク４１が設けら
れており、大方形のマスクパターンを形成後、こ
の検査マークの中心点Ｏから十字形の先端部まで
の寸法を顕微鏡にて測長することで各チツプの寸
法を検査するようにしている。またこれ等、小方
形のチツプの寸法の測長とともに、これら小方形
のチツプで構成される大方形のマスクパターンの
周囲の四方の寸法をレーザビームを用いて測長し
て形成されたマスクパターンの精度を検査する方
法も取られており、これら小方形のチツプの測
長、および大方形のマスクパターンの周囲の四方
の長さの測長を合わせて実施することで、形成さ
れた大方形のマスクパターンの精度検査を実施し
ている。
ところで従来の大方形のマスクパターンの形成
方法では、小方形のチツプのパターンを描画した
後、この描画したパターンを有するチツプと燐接
する小方形のチツプのパターンを順次描画する方
法が用いられており、このような方法ではホトリ
ピータが移動する際の慣性によつて１チツプのパ
ターンを描画する毎にパターンの寸法の誤差が加
算され、最終の大方形のマスクパターンを形成し
た場合、その小方形のチツプのパターンを形成す
る際の寸法の誤差が加算されて大方形のマスクパ
ターンが形成される。そのため大方形のマスクパ
ターンを形成後、この大方形のパターンの周囲の
４辺の長さをレーザビームを用いて測長しなけれ
ばならず、形成されたマスクパターンの検査に多
大の労力を要する問題点があつた。
方法では、小方形のチツプのパターンを描画した
後、この描画したパターンを有するチツプと燐接
する小方形のチツプのパターンを順次描画する方
法が用いられており、このような方法ではホトリ
ピータが移動する際の慣性によつて１チツプのパ
ターンを描画する毎にパターンの寸法の誤差が加
算され、最終の大方形のマスクパターンを形成し
た場合、その小方形のチツプのパターンを形成す
る際の寸法の誤差が加算されて大方形のマスクパ
ターンが形成される。そのため大方形のマスクパ
ターンを形成後、この大方形のパターンの周囲の
４辺の長さをレーザビームを用いて測長しなけれ
ばならず、形成されたマスクパターンの検査に多
大の労力を要する問題点があつた。
(c) 発明の目的
本発明は上記した問題点を除去し、小方形のチ
ツプのパターンを形成する際に生じた位置ずれ量
が加算されないで、大方形のマスクパターンが形
成されるようにし、もつて形成された最終の大方
形のマスクパターンを検査するための検査工数を
低減せしめるような新規なマスク形成方法の提供
を目的とするものである。
ツプのパターンを形成する際に生じた位置ずれ量
が加算されないで、大方形のマスクパターンが形
成されるようにし、もつて形成された最終の大方
形のマスクパターンを検査するための検査工数を
低減せしめるような新規なマスク形成方法の提供
を目的とするものである。
(d) 発明の構成
かかる目的は、マスク基板に対するセルパター
ンの露光位置を該マスク基板上で所定距離移動し
た後停止させる工程を繰返して、該マスク基板上
に該セルパターンをマトリクス状に形成するに際
し、該マトリクスの周縁を構成する各列内及び各
行内にそれぞれ基準セルパターンを露光する工程
と、その後、該マトリクス内の前記基準セルパタ
ーン以外の部分に該セルパターンを順次繰返し露
光する工程と、前記基準セルパターンとそれに燐
接するセルパターンとの間の位置ずれを検出する
工程とを有することを特徴とするマスク形成方法
によつて達成される。
ンの露光位置を該マスク基板上で所定距離移動し
た後停止させる工程を繰返して、該マスク基板上
に該セルパターンをマトリクス状に形成するに際
し、該マトリクスの周縁を構成する各列内及び各
行内にそれぞれ基準セルパターンを露光する工程
と、その後、該マトリクス内の前記基準セルパタ
ーン以外の部分に該セルパターンを順次繰返し露
光する工程と、前記基準セルパターンとそれに燐
接するセルパターンとの間の位置ずれを検出する
工程とを有することを特徴とするマスク形成方法
によつて達成される。
(e) 発明の実施例
以下図面を用いながら本発明の一実施例につき
詳細に説明する。
詳細に説明する。
本発明のマスク形成方法を説明するための図を
第４図に示す。
第４図に示す。
前記したマスク形成用金属膜２、およびホトレ
ジスト膜３を順次積層形成したガラス基板１を用
意する。次いで第４図に示すようにこのように形
成した基板１上の描画すべき大方形のマスクパタ
ーンの周囲を構成する縦の行、および横の列のチ
ツプの内、横の第１列の中央部のチツプ５１上に
ホトリピータ４を設置し、チツプ５１内のパター
ンを描画する。次いでホトリピータを描画すべき
大方形のマスクパターンの周囲の４方のうちの縦
の第１行中央部のチツプ５２上にホトリピータ４
を設置して、チツプ５２内のパターンを描画す
る。次いでホトリピータを描画すべき大方形のマ
スクパターンの周囲の４方のうちの横の第５列の
中央部のチツプ５３上にホトリピータ４を設置し
て、チツプ５３内のパターンを描画する。次いで
ホトリピータを描画すべき大方形のマスクパター
ンの周囲の４方のうちの縦の第５行の中央部のチ
ツプ５４上にホトリピータ４を設置して、チツプ
５４内のパターンを描画する。その後、ホトリピ
ータを描画すべき大方形のマスクパターンの左端
部の隅の位置に移動させ、チツプ５５内のパター
ンを描画する。その後、矢印Ｅ方向に沿つてホト
リピータを所定のピツチづつ移動させ、チツプ５
６，５７，５８内のパターンを描画する。次いで
ホトリピータを縦方向に所定のピツチ移動させ、
チツプ５９内のパターンを描画した後、更に矢印
Ｆ方向に所定のピツチづつ移動させて、チツプ６
０，６１，６２，６３内のパターンを描画した
後、更にホトリピータを縦方向に所定のピツチ移
動させた後、更に矢印Ｇ方向に沿つて移動させ、
チツプ６４，６５，６６内のパターンを描画す
る。次いでホトリピータを縦方向に所定のピツチ
移動させた後、更に矢印Ｈ方向に沿つて移動さ
せ、チツプ６７，６８，６９，７０，７１内のパ
ターンを描画する。次いでホトリピータを縦方向
に所定のピツチ移動させ、チツプ７２内のパター
ンを描画した後、ホトリピータを矢印Ｋ方向に沿
つて移動させ、チツプ７３，７４，７５内のパタ
ーンを順次描画する。
ジスト膜３を順次積層形成したガラス基板１を用
意する。次いで第４図に示すようにこのように形
成した基板１上の描画すべき大方形のマスクパタ
ーンの周囲を構成する縦の行、および横の列のチ
ツプの内、横の第１列の中央部のチツプ５１上に
ホトリピータ４を設置し、チツプ５１内のパター
ンを描画する。次いでホトリピータを描画すべき
大方形のマスクパターンの周囲の４方のうちの縦
の第１行中央部のチツプ５２上にホトリピータ４
を設置して、チツプ５２内のパターンを描画す
る。次いでホトリピータを描画すべき大方形のマ
スクパターンの周囲の４方のうちの横の第５列の
中央部のチツプ５３上にホトリピータ４を設置し
て、チツプ５３内のパターンを描画する。次いで
ホトリピータを描画すべき大方形のマスクパター
ンの周囲の４方のうちの縦の第５行の中央部のチ
ツプ５４上にホトリピータ４を設置して、チツプ
５４内のパターンを描画する。その後、ホトリピ
ータを描画すべき大方形のマスクパターンの左端
部の隅の位置に移動させ、チツプ５５内のパター
ンを描画する。その後、矢印Ｅ方向に沿つてホト
リピータを所定のピツチづつ移動させ、チツプ５
６，５７，５８内のパターンを描画する。次いで
ホトリピータを縦方向に所定のピツチ移動させ、
チツプ５９内のパターンを描画した後、更に矢印
Ｆ方向に所定のピツチづつ移動させて、チツプ６
０，６１，６２，６３内のパターンを描画した
後、更にホトリピータを縦方向に所定のピツチ移
動させた後、更に矢印Ｇ方向に沿つて移動させ、
チツプ６４，６５，６６内のパターンを描画す
る。次いでホトリピータを縦方向に所定のピツチ
移動させた後、更に矢印Ｈ方向に沿つて移動さ
せ、チツプ６７，６８，６９，７０，７１内のパ
ターンを描画する。次いでホトリピータを縦方向
に所定のピツチ移動させ、チツプ７２内のパター
ンを描画した後、ホトリピータを矢印Ｋ方向に沿
つて移動させ、チツプ７３，７４，７５内のパタ
ーンを順次描画する。
このような方法でマスタマスクのパターンを描
画すれば、最初に形成すべき大方形のマスクパタ
ーンの周囲の列、および行の中央部のチツプのパ
ターンをあらかじめ描画してから、小方形のチツ
プのパターンを描画しているので、従来のマスク
プリント方法におけるように隣接するチツプのパ
ターンを順次、連続して描画する場合と異なり、
小方形のチツプのパターンを描画する時に生じた
寸法の誤差も加算されることがなくなる。また形
成すべき大方形のマスクパターンの周囲の寸法は
ホトリピータを駆動させるCPUに記憶させ、マ
スクパターンを形成する際に、まず最初に形成す
べき大方形の周囲の四方の列、および行の中心部
のチツプよりパターンを描画しているので、形成
した大方形のマスクパターンの周囲の寸法は殆ど
誤差を生じることがない。そのため、このような
マスクプリント方法で形成されたマスタマスクを
検査するには、大方形のマスクパターンの周囲の
４方の列、および行の中央部のチツプ５１，５
２，５３，５４のコーナーａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇ，ｈに形成されている第３図に示した検査
マーク４１のいずれかを選びだして、その検査マ
ーク４１の中心位置からの位置ずれを顕微鏡で検
査するのみで容易に形成された大方形のマスクパ
ターンの周囲の寸法の誤差を測長することがで
き、従来のマスク形成方法を用いて描画した場合
におけるように形成した大方形のマスクパターン
の周囲の寸法をレーザビームを用いて測長するよ
うな複雑な検査工程を用いなくて済み、形成され
るマスクパターンの検査工数が短縮される効果を
生じる。
画すれば、最初に形成すべき大方形のマスクパタ
ーンの周囲の列、および行の中央部のチツプのパ
ターンをあらかじめ描画してから、小方形のチツ
プのパターンを描画しているので、従来のマスク
プリント方法におけるように隣接するチツプのパ
ターンを順次、連続して描画する場合と異なり、
小方形のチツプのパターンを描画する時に生じた
寸法の誤差も加算されることがなくなる。また形
成すべき大方形のマスクパターンの周囲の寸法は
ホトリピータを駆動させるCPUに記憶させ、マ
スクパターンを形成する際に、まず最初に形成す
べき大方形の周囲の四方の列、および行の中心部
のチツプよりパターンを描画しているので、形成
した大方形のマスクパターンの周囲の寸法は殆ど
誤差を生じることがない。そのため、このような
マスクプリント方法で形成されたマスタマスクを
検査するには、大方形のマスクパターンの周囲の
４方の列、および行の中央部のチツプ５１，５
２，５３，５４のコーナーａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇ，ｈに形成されている第３図に示した検査
マーク４１のいずれかを選びだして、その検査マ
ーク４１の中心位置からの位置ずれを顕微鏡で検
査するのみで容易に形成された大方形のマスクパ
ターンの周囲の寸法の誤差を測長することがで
き、従来のマスク形成方法を用いて描画した場合
におけるように形成した大方形のマスクパターン
の周囲の寸法をレーザビームを用いて測長するよ
うな複雑な検査工程を用いなくて済み、形成され
るマスクパターンの検査工数が短縮される効果を
生じる。
尚、本実施例においては、大方形のマスクパタ
ーンを形成する際、形成すべき大方形のマスクパ
ターンの周囲を構成する縦の行、および横の列の
中央部のチツプ５１，５２，５３，５４のパター
ンを形成してから、その他のチツプのパターンを
形成する方法をとつたが、本発明のマスク形成方
法はこれに限らず、形成すべき大方形のマスクパ
ターンの周囲を構成する縦の行、横の列の各々よ
りこの縦の行、横の列を構成する小方形のチツプ
をいずれか１個づつ選び出し、このチツプのパタ
ーンをあらかじめ描画する方法をとつても良い。
ーンを形成する際、形成すべき大方形のマスクパ
ターンの周囲を構成する縦の行、および横の列の
中央部のチツプ５１，５２，５３，５４のパター
ンを形成してから、その他のチツプのパターンを
形成する方法をとつたが、本発明のマスク形成方
法はこれに限らず、形成すべき大方形のマスクパ
ターンの周囲を構成する縦の行、横の列の各々よ
りこの縦の行、横の列を構成する小方形のチツプ
をいずれか１個づつ選び出し、このチツプのパタ
ーンをあらかじめ描画する方法をとつても良い。
(f) 発明の効果
以上述べたように本発明のマスク形成方法によ
れば、形成されたマスクパターンの寸法を簡単に
測長でき、形成されたマスクパターンの検査工数
を低減させることができる効果を生じる。
れば、形成されたマスクパターンの寸法を簡単に
測長でき、形成されたマスクパターンの検査工数
を低減させることができる効果を生じる。
第１図はマスク形成方法を説明するための概略
図、第２図は従来のマスク形成方法を説明するた
めの説明図、第３図はマスク形成方法に用いる位
置合わせマークの平面図、第４図は本発明のマス
ク形成方法を説明するための説明図である。 図に於いて、１はガラス基板、２は金属膜、３
はホトレジスト膜、４はホトリピータ、１１，１
２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１
９，２０，２１，２５，２６，３０，３１，３
５，５１，５２，５３，５４，５５，５６，５
７，５８，５９，６０，６１，６２，６３，６
４，６５，６６，６７，６８，６９，７０，７
１，７２，７３，７４，７５はチツプ、４１は位
置合わせマーク、Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，
Ｋはホトリピータの移動方向を示す矢印、Ｂはホ
トリピータの移動ピツチ、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇ，ｈはチツプのコーナー、Ｏは位置合わせ
マークの中心位置を示す。
図、第２図は従来のマスク形成方法を説明するた
めの説明図、第３図はマスク形成方法に用いる位
置合わせマークの平面図、第４図は本発明のマス
ク形成方法を説明するための説明図である。 図に於いて、１はガラス基板、２は金属膜、３
はホトレジスト膜、４はホトリピータ、１１，１
２，１３，１４，１５，１６，１７，１８，１
９，２０，２１，２５，２６，３０，３１，３
５，５１，５２，５３，５４，５５，５６，５
７，５８，５９，６０，６１，６２，６３，６
４，６５，６６，６７，６８，６９，７０，７
１，７２，７３，７４，７５はチツプ、４１は位
置合わせマーク、Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，
Ｋはホトリピータの移動方向を示す矢印、Ｂはホ
トリピータの移動ピツチ、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，
ｆ，ｇ，ｈはチツプのコーナー、Ｏは位置合わせ
マークの中心位置を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マスク基板に対するセルパターンの露光位置
を該マスク基板上で所定距離移動した後停止させ
る工程を繰返して、該マスク基板上に該セルパタ
ーンをマトリクス状に形成するに際し、 該マトリクスの周縁を構成する各列内及び各行
内にそれぞれ基準セルパターンを露光する工程
と、 その後、該マトリクス内の前記基準セルパター
ン以外の部分に該セルパターンを順次繰返し露光
する工程と、 前記基準セルパターンとそれに燐接するセルパ
ターンとの間の位置ずれを検出する工程とを有す
ることを特徴とするマスク形成方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58194580A JPS6085523A (ja) | 1983-10-17 | 1983-10-17 | マスク形成方法 |
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