JPS61114663A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61114663A JPS61114663A JP59237114A JP23711484A JPS61114663A JP S61114663 A JPS61114663 A JP S61114663A JP 59237114 A JP59237114 A JP 59237114A JP 23711484 A JP23711484 A JP 23711484A JP S61114663 A JPS61114663 A JP S61114663A
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- imaging device
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈発明の技術分野〉
本発明はＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄ
ｅｖｉｃｅ：電荷転送装置）を用いた固体撮像装置に関
し、特にインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置の暗電
流を減少させるようにした素子構造等に関するものであ
る。
ｅｖｉｃｅ：電荷転送装置）を用いた固体撮像装置に関
し、特にインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置の暗電
流を減少させるようにした素子構造等に関するものであ
る。
〈発明の技術的背景とその問題点゛・
近年固体撮像装置の開発は目ざましい進展を見せ、固体
撮像装置を用いたカメラは実用化段階を迎えつつある。
撮像装置を用いたカメラは実用化段階を迎えつつある。
しかしながら、この固体撮像装置のコストの低減と特性
の向上を図るためには、白点欠陥を減少させることによ
って歩留りの向上を図ると共に暗電流の低減による感度
の向上を図る必要がある。
の向上を図るためには、白点欠陥を減少させることによ
って歩留りの向上を図ると共に暗電流の低減による感度
の向上を図る必要がある。
固体撮像装置には種々の方式があるが、受光部にｐ−ｎ
接合ダイオードを用いたインターライン転送方式ＣＣＤ
撮像装置は青感度の向上が図り易く、またモザイク状カ
ラーフィルりと組合せて高解像度が得られることから、
単板カラービデオカメラ用に最も適した方式と考えられ
る。
接合ダイオードを用いたインターライン転送方式ＣＣＤ
撮像装置は青感度の向上が図り易く、またモザイク状カ
ラーフィルりと組合せて高解像度が得られることから、
単板カラービデオカメラ用に最も適した方式と考えられ
る。
しかしながら、インターライン転送方式の固体撮像装置
は受光部と転送部とを隣接して設ける構造であるため、
これらを分離するためのチャネルストップが必要である
。このチャネルストップには従来より局部酸化技術（ｌ
ｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏ
ｎ：ＬＯＣＯ９）などによる厚い酸化膜と高濃度拡散層
が用いられるが、これらの境界部の暗電流が増大するこ
とが、例えば下記文献において指摘されている。
は受光部と転送部とを隣接して設ける構造であるため、
これらを分離するためのチャネルストップが必要である
。このチャネルストップには従来より局部酸化技術（ｌ
ｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎｏｆ ５ｉｌｉｃｏ
ｎ：ＬＯＣＯ９）などによる厚い酸化膜と高濃度拡散層
が用いられるが、これらの境界部の暗電流が増大するこ
とが、例えば下記文献において指摘されている。
第５図は、従来のインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装
置の構成例を示す図であり、同図において、（°）は平
面図・（ｂ）は同図（ａ）＋ＣＩＡ−Ａ’に沿う
）断面図である。
置の構成例を示す図であり、同図において、（°）は平
面図・（ｂ）は同図（ａ）＋ＣＩＡ−Ａ’に沿う
）断面図である。
第５図において、ｐ型基板１上には埋め込みチャネ／Ｖ
ＣＣＤを構成するｎ一層２及びホトダイオードを構成す
るための１層３が形成されており、ｎ一層２及び１層３
の間には基板１のままの領域５が残され、ｎ一層２．ｎ
層３及び領域５の部分を除いてｐ＋層によるチャネルス
トップ４が形成されて画素間が分離されている。またｎ
一層２及び領域５の上には絶縁膜６を介してシフトレジ
スタ電極を構成するポリシリコン層？、８，９．１０が
設けられている。またシフトレジスタ電極の上部Ｋｌｄ
ｃ ＣＤシフトレジスタへの光の入射を防止するため、
Ａβ電極１１が設けられている。
ＣＣＤを構成するｎ一層２及びホトダイオードを構成す
るための１層３が形成されており、ｎ一層２及び１層３
の間には基板１のままの領域５が残され、ｎ一層２．ｎ
層３及び領域５の部分を除いてｐ＋層によるチャネルス
トップ４が形成されて画素間が分離されている。またｎ
一層２及び領域５の上には絶縁膜６を介してシフトレジ
スタ電極を構成するポリシリコン層？、８，９．１０が
設けられている。またシフトレジスタ電極の上部Ｋｌｄ
ｃ ＣＤシフトレジスタへの光の入射を防止するため、
Ａβ電極１１が設けられている。
上記の如き構成において、装置の駆動時には例えば特開
昭５６−８５９８１に示されるように、シフトレジスタ
電極には３値のクロックパルスが印加され、ホトダイオ
ードに蓄積された信号電荷のシフトレジスタへの読み出
しと、シフトレジスタ内での信号電荷の転送が行なわれ
る。
昭５６−８５９８１に示されるように、シフトレジスタ
電極には３値のクロックパルスが印加され、ホトダイオ
ードに蓄積された信号電荷のシフトレジスタへの読み出
しと、シフトレジスタ内での信号電荷の転送が行なわれ
る。
しかしながら、上記の如き構造の固体撮像装置にあって
は、ホトダイオードはチャネルストップによって分離さ
れているが、チャネルストップとの境界は前述のように
暗電流、更には白点欠陥の発生源となり、このため装置
の感度や歩留りの低下を招くおそれがあった。
は、ホトダイオードはチャネルストップによって分離さ
れているが、チャネルストップとの境界は前述のように
暗電流、更には白点欠陥の発生源となり、このため装置
の感度や歩留りの低下を招くおそれがあった。
〈発明の目的〉
本発明は上記に鑑みて成されたものであり、チャネルス
トップとｐ −ｎ接合ホトダイオードとの境界で生じる
暗電流、更には白点欠陥を大幅に減少させるようにした
固体撮像装置を提供することを目的としている。
トップとｐ −ｎ接合ホトダイオードとの境界で生じる
暗電流、更には白点欠陥を大幅に減少させるようにした
固体撮像装置を提供することを目的としている。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため、本発明はホトダイオードより
なる受光部と、この受光部で発生した信号電荷を転送す
るＣＣＤシフトレジスタよりなる転送部と、上記の受光
部及び転送部を分離するチャネルストップ部とを有する
固体撮像装置において、上記のＣＣＤシフトレジスタの
電極を上記のチャネルヌトップ部を越えて上記の受光部
方向に延設させて設けるように構成している。
なる受光部と、この受光部で発生した信号電荷を転送す
るＣＣＤシフトレジスタよりなる転送部と、上記の受光
部及び転送部を分離するチャネルストップ部とを有する
固体撮像装置において、上記のＣＣＤシフトレジスタの
電極を上記のチャネルヌトップ部を越えて上記の受光部
方向に延設させて設けるように構成している。
即ち、本発明はシフトレジスタ電極をチャネルストップ
を越えてホトダイオード部にまで延在させる構成となし
た点を最大の特徴としており、このような構造により暗
電流の低減を図ることが可能となる。
を越えてホトダイオード部にまで延在させる構成となし
た点を最大の特徴としており、このような構造により暗
電流の低減を図ることが可能となる。
〈発明の実施例〉
以下、図面を参照して、本発明の実施例を評判に説明す
る。
る。
第１図は本発明を適用したインターライン転送方式ＣＣ
Ｄ撮像装置の構成図を示したものであり、第１図におい
て、（ａ）は平面図、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−へ′
断面図である。
Ｄ撮像装置の構成図を示したものであり、第１図におい
て、（ａ）は平面図、（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−へ′
断面図である。
第１図において、ｐ基板２１上には埋め込みチャネ／Ｌ
’ＣＣＤを構成するためのｎ一層２２及びホトダイオー
ドを構成するための１層２３を形成すると共に、ｎ一層
２２に沿ってチャネルストップを構成するためのｐ＋層
２４を形成する。またｎ一層２２と１層２３との間及び
１層２３とｐ＋層２４との間には、それぞれｐ基板２１
のままの領域２５及び３２を残している。
’ＣＣＤを構成するためのｎ一層２２及びホトダイオー
ドを構成するための１層２３を形成すると共に、ｎ一層
２２に沿ってチャネルストップを構成するためのｐ＋層
２４を形成する。またｎ一層２２と１層２３との間及び
１層２３とｐ＋層２４との間には、それぞれｐ基板２１
のままの領域２５及び３２を残している。
上記ｎ一層２２．１層２３、領域２５及び３２の上部に
は絶縁膜２６を介してシフトレジスタ電極分構成するポ
リシリコン！２７，２８．２９及び３０’を設けている
。即ち、ポリシリコン層２７゜２８．２９及び３０はチ
ャネルストップを構成するためのｐ 層２４を越えて領
域３２上にまで延在してホトダイオードを構成するため
の１層２３の端部まで設けるように成している。ここで
ポリシリコン層２７及び２９を下側に形成し、ポリシリ
コン層２８及び３０を上側に形成している。またこれら
のポリシリコン電極（シフトレジスタ電極）の上側には
シフトレジスタへの光の入射を防ぐためのＡ［電極３１
を設けている。
は絶縁膜２６を介してシフトレジスタ電極分構成するポ
リシリコン！２７，２８．２９及び３０’を設けている
。即ち、ポリシリコン層２７゜２８．２９及び３０はチ
ャネルストップを構成するためのｐ 層２４を越えて領
域３２上にまで延在してホトダイオードを構成するため
の１層２３の端部まで設けるように成している。ここで
ポリシリコン層２７及び２９を下側に形成し、ポリシリ
コン層２８及び３０を上側に形成している。またこれら
のポリシリコン電極（シフトレジスタ電極）の上側には
シフトレジスタへの光の入射を防ぐためのＡ［電極３１
を設けている。
上記の如き構成において、ホトダイオード？構成するた
めの１層２３は上側及び下側のポリシリコン電極がその
端部にまで延設する構成であるため、ポリシリコン電極
をマスクとして、例えばイオン注入法により作製するこ
とが可能であり、との場合、１層２３の端部とポリシリ
コン電極の端部は自動的に位置合せされることになる。
めの１層２３は上側及び下側のポリシリコン電極がその
端部にまで延設する構成であるため、ポリシリコン電極
をマスクとして、例えばイオン注入法により作製するこ
とが可能であり、との場合、１層２３の端部とポリシリ
コン電極の端部は自動的に位置合せされることになる。
、次に、上記のように構成され
た本発明の一実施例の固体撮像装置の駆動の一例を示す
。
た本発明の一実施例の固体撮像装置の駆動の一例を示す
。
上記ＣＣＤシフトレジヌタの電極３０，２７゜２８及び
２９には第２図に示すクロックパルスφ１゜φ２．φ４
．φハキれぞれ印加する。即ち、上側のポリシリコン電
極２８．３０にはＶ、（低）、ｖ１…。
２９には第２図に示すクロックパルスφ１゜φ２．φ４
．φハキれぞれ印加する。即ち、上側のポリシリコン電
極２８．３０にはＶ、（低）、ｖ１…。
ｖＨ（高）の３値のレベルのパルスを印加し、下側のポ
リシリコン電極２７．２９にはＶＬ、Ｖ、の２値のレベ
ルのパルスを印加する。例えば電極２８に印加するクロ
ックパルスφ３がｖＨレペｔＬｔ（Ｄトき、電極２７及
び２９にはＶ■レベルのパルスが印加され、また電極３
０にはＶＬレベルのパルスが印加されることになり、こ
の状態においてホトダイオード２３に蓄積した信号電荷
は第１図（ａ）の実線矢印ａに示す経路でシフトレジス
タへと転送される。またこのとき破線矢印すで示す方向
への信号電荷の流れはチャネルストップ２４により阻止
される。このときホトダイオード間はチャネルストップ
によっては分離されていないが、この部分の基板上は電
極２７．２９が覆っており、電［２７，２９に印加され
るクロックパルスφ２．φ。
リシリコン電極２７．２９にはＶＬ、Ｖ、の２値のレベ
ルのパルスを印加する。例えば電極２８に印加するクロ
ックパルスφ３がｖＨレペｔＬｔ（Ｄトき、電極２７及
び２９にはＶ■レベルのパルスが印加され、また電極３
０にはＶＬレベルのパルスが印加されることになり、こ
の状態においてホトダイオード２３に蓄積した信号電荷
は第１図（ａ）の実線矢印ａに示す経路でシフトレジス
タへと転送される。またこのとき破線矢印すで示す方向
への信号電荷の流れはチャネルストップ２４により阻止
される。このときホトダイオード間はチャネルストップ
によっては分離されていないが、この部分の基板上は電
極２７．２９が覆っており、電［２７，２９に印加され
るクロックパルスφ２．φ。
はｖｏ、またはｖｌであるので信号電荷の混入は生じな
い。
い。
このように上記構造にすることにより、ホトダイオード
間のチャネルストップを省略することが可能となる。
間のチャネルストップを省略することが可能となる。
一方、全てのパルスがｖＬとｖｌのレベルの間で振幅し
ているときには、ホトダイオードは光電変換により発生
した信号電荷を蓄積していく。またシフトレジスタ内の
信号電荷は順次出力側へ転送されていく。ここで、クロ
ックパルスｖＬ及ヒＶ１のレベルを表面準位が空乏化し
ない電位、例えばＶＬ及びＶＩを負下位とし、ＶＨのみ
を正電位として（例えばＶ、＝−５Ｖ、Ｖ、＝ＯＶ、Ｖ
Ｈ＝５Ｖ）駆動することが可能であり、この場合、ホト
ダイオードからシフトレジスタへ信号電荷を読み出す期
間は、ホトダイオードに光電変換によυ信号電荷を蓄積
していく期間（積分期間）に比べて充分に短かいため、
大部分の期間、ポリシリコン電極には負の電圧が印加さ
れることになる。このため、基板のままの領域３２及び
領域３２とＬＯＣＯ５による厚い酸化膜の境界部分（ｂ
ｉｒｄ’ｓ ｂｅａｋ部分）には正孔が蓄積することに
なる。これにより暗電流及び白点欠陥の発生源となる表
面準位が正孔で埋められ、暗電流及び白点欠陥が抑圧さ
れることになる。
ているときには、ホトダイオードは光電変換により発生
した信号電荷を蓄積していく。またシフトレジスタ内の
信号電荷は順次出力側へ転送されていく。ここで、クロ
ックパルスｖＬ及ヒＶ１のレベルを表面準位が空乏化し
ない電位、例えばＶＬ及びＶＩを負下位とし、ＶＨのみ
を正電位として（例えばＶ、＝−５Ｖ、Ｖ、＝ＯＶ、Ｖ
Ｈ＝５Ｖ）駆動することが可能であり、この場合、ホト
ダイオードからシフトレジスタへ信号電荷を読み出す期
間は、ホトダイオードに光電変換によυ信号電荷を蓄積
していく期間（積分期間）に比べて充分に短かいため、
大部分の期間、ポリシリコン電極には負の電圧が印加さ
れることになる。このため、基板のままの領域３２及び
領域３２とＬＯＣＯ５による厚い酸化膜の境界部分（ｂ
ｉｒｄ’ｓ ｂｅａｋ部分）には正孔が蓄積することに
なる。これにより暗電流及び白点欠陥の発生源となる表
面準位が正孔で埋められ、暗電流及び白点欠陥が抑圧さ
れることになる。
第３図は本発明の他の実施例を示し、２種のｐウニ）ｖ
を用いる構造（Ｙ、 ｌ５ｈｉｈａｒａ ｅｔ ａｌ、
。
を用いる構造（Ｙ、 ｌ５ｈｉｈａｒａ ｅｔ ａｌ、
。
“Ｉｎｔｅｒｌｉｎｅ ＣＣＤ Ｉｍａｇｅ ５ｅｎｓ
ｏｒ ｗｉｔｈａｎ Ａｎｔｉｂｌｏｏｍｉｎｇ ５ｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ、” ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＥＤ−３
１゜ｐｐ、８３−８８）の固体撮像装置に適用した場合
の構成を示す図であり、第３図において（ａ）は平面図
、（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
ｏｒ ｗｉｔｈａｎ Ａｎｔｉｂｌｏｏｍｉｎｇ ５ｔ
ｒｕｃｔｕｒｅ、” ＩＥＥＥＴｒａｎｓ、 Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＥＤ−３
１゜ｐｐ、８３−８８）の固体撮像装置に適用した場合
の構成を示す図であり、第３図において（ａ）は平面図
、（ｂ）は第３図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
第３図において、第１図と同一部分は同一符号で示して
おり、第１図におけるｎ基板２１に代えてｎ基板４０上
に深い９層４１と浅い９層４２を形成し、深い９層４１
上には埋め込みチャネルＣＣＤを構成するｎ一層２２を
形成し、浅い９層４２上に受光部のｐ−ｎ接合ホトダイ
オードを構成するための１層２３を形成し、チャネルス
トップ２４とｎ基板４０の間には逆バイアス電圧を印加
した構成であり、その他の部分については第１図に示し
た装置と同様に構成している。
おり、第１図におけるｎ基板２１に代えてｎ基板４０上
に深い９層４１と浅い９層４２を形成し、深い９層４１
上には埋め込みチャネルＣＣＤを構成するｎ一層２２を
形成し、浅い９層４２上に受光部のｐ−ｎ接合ホトダイ
オードを構成するための１層２３を形成し、チャネルス
トップ２４とｎ基板４０の間には逆バイアス電圧を印加
した構成であり、その他の部分については第１図に示し
た装置と同様に構成している。
上記第３図に示した装置の駆動方法は第１図に示した実
施例と同様で良く、第１図の場合と同様に暗電流及び白
点欠陥を減少させることが出来る。
施例と同様で良く、第１図の場合と同様に暗電流及び白
点欠陥を減少させることが出来る。
また強い光の入射により発生した過剰電荷は浅い９層４
２が空乏化しているためｎ基板４０へ流出して１ルーミ
ングが抑圧される。
２が空乏化しているためｎ基板４０へ流出して１ルーミ
ングが抑圧される。
第４図は本発明の更に他の実施例を示し、うすいｐウェ
アＬ／（ｉ−用いてブル−ミングのみならずスミアを抑
圧するようにした構造の装置に適用した場合の構成を示
す図であり、第４図において、（ａ）は平面図、（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
アＬ／（ｉ−用いてブル−ミングのみならずスミアを抑
圧するようにした構造の装置に適用した場合の構成を示
す図であり、第４図において、（ａ）は平面図、（ｂ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
第４図において、第１図と同一部分は同一符号で示して
おり、第１図におけるｎ基板２１に代えてｎ基板４０上
全体にうすい９層４３を形成し、この９層４３上に埋め
込みチャネ／ｌ／ ＣＣＤ ｋ構成するためのｎ一層２
２及び受光部のｐ −ｎ接合ホトダイオードを構成する
ためのｎ 層３３．ｎ一層２３を形成し、チャネルスト
ップ２４とｎ基板４０の間には逆バイアス電圧４４を印
加して、９層４３を基板４０とＣＣＤシフトレジスタ及
びホトダイオードの間に渡って完全に空乏化させるよう
に構成しており、その他の部分については第１図に示し
た装置と同様に構成している。
おり、第１図におけるｎ基板２１に代えてｎ基板４０上
全体にうすい９層４３を形成し、この９層４３上に埋め
込みチャネ／ｌ／ ＣＣＤ ｋ構成するためのｎ一層２
２及び受光部のｐ −ｎ接合ホトダイオードを構成する
ためのｎ 層３３．ｎ一層２３を形成し、チャネルスト
ップ２４とｎ基板４０の間には逆バイアス電圧４４を印
加して、９層４３を基板４０とＣＣＤシフトレジスタ及
びホトダイオードの間に渡って完全に空乏化させるよう
に構成しており、その他の部分については第１図に示し
た装置と同様に構成している。
なお、シフトレジスタ電極を構成するポリシリコン層２
７，２８．２９及び３０はホトダイオードを構成してい
るｎ＋層３３の端部にまで延設して形成している。
７，２８．２９及び３０はホトダイオードを構成してい
るｎ＋層３３の端部にまで延設して形成している。
上記の如き構成において、シフトレジスタ電極に３１ｉ
ｉ１のパルスを印加して、信号電荷の読み出しで、シフ
トレジスタ内での転送及び受光部での信号電荷の蓄積を
制御する方法は第１図に示した装置の場合と同様で良く
、第１図の場合と同様に暗電流及び白点欠陥を減少させ
ることが出来る。また、この第４図に示す構造において
は、強い光の入射により発生した過剰電荷はｎ’Ｆ１２
３及び９層４３を通ってｎ基板４０へ流出していき、プ
ルーミングが抑圧される。更に９層４３のｎ一層２２の
下部も空乏化しているため、中性領域で発生する電子の
拡散は生じない。このため、ＣＣＤシフトレジアタ内の
信号電荷への混入によるスミアが抑圧されることになる
。
ｉ１のパルスを印加して、信号電荷の読み出しで、シフ
トレジスタ内での転送及び受光部での信号電荷の蓄積を
制御する方法は第１図に示した装置の場合と同様で良く
、第１図の場合と同様に暗電流及び白点欠陥を減少させ
ることが出来る。また、この第４図に示す構造において
は、強い光の入射により発生した過剰電荷はｎ’Ｆ１２
３及び９層４３を通ってｎ基板４０へ流出していき、プ
ルーミングが抑圧される。更に９層４３のｎ一層２２の
下部も空乏化しているため、中性領域で発生する電子の
拡散は生じない。このため、ＣＣＤシフトレジアタ内の
信号電荷への混入によるスミアが抑圧されることになる
。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によれば、シフトレジスタ電極をチ
ャネルストップを越えてホトダイオードにまで延在させ
るように構成しているため、固体撮像装置の暗電流及び
白点欠陥を減少させることが出来、その結果として固体
撮像装置の歩留りの向上を図ることが出来ると共に感度
の向上を図ることが出来る。
ャネルストップを越えてホトダイオードにまで延在させ
るように構成しているため、固体撮像装置の暗電流及び
白点欠陥を減少させることが出来、その結果として固体
撮像装置の歩留りの向上を図ることが出来ると共に感度
の向上を図ることが出来る。
第１図は本発明をインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装
置に適用した実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’断面図
、第２図はクロックパルスのタイミング図、第３図は本
発明の他の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′断面図、第
４図は本発明の更に他の実施例の構成を示す図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’断面図、第５図は従来装置の構成例を示す図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’ 断面図である、２１・・・ｐ基板、 ２２ ・ｎ層
ＦＭ （埋め込みチャネ）Ｖ ）、 ２３・・ｎ層
（ホトタイオード）、２４・ｐ層層（チャネルストップ
）、 ２５゜３２・・・ｐ層のままの領域、 ２６・
・・絶縁層、２７．２９・・ポリシリコン電極（シフト
レジスタ上側電極）、 ２８．３０・−ポリシリコン電
極（シフトレジスタ上側電極）、 ３１・・Ａ［Ｎ（
遮光用）、 ４０・・・ｎ基板、 ４１・・・深いｐウ
ェル、 ４２・・・浅いｐウェル、 ４３・・・（
うすい）ｐウェル。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（ｂ） 第１図
置に適用した実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）
は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ −Ａ’断面図
、第２図はクロックパルスのタイミング図、第３図は本
発明の他の実施例の構成を示す図であり、同図（ａ）は
平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ′断面図、第
４図は本発明の更に他の実施例の構成を示す図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’断面図、第５図は従来装置の構成例を示す図であり、
同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
’ 断面図である、２１・・・ｐ基板、 ２２ ・ｎ層
ＦＭ （埋め込みチャネ）Ｖ ）、 ２３・・ｎ層
（ホトタイオード）、２４・ｐ層層（チャネルストップ
）、 ２５゜３２・・・ｐ層のままの領域、 ２６・
・・絶縁層、２７．２９・・ポリシリコン電極（シフト
レジスタ上側電極）、 ２８．３０・−ポリシリコン電
極（シフトレジスタ上側電極）、 ３１・・Ａ［Ｎ（
遮光用）、 ４０・・・ｎ基板、 ４１・・・深いｐウ
ェル、 ４２・・・浅いｐウェル、 ４３・・・（
うすい）ｐウェル。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（ｂ） 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトダイオードよりなる受光部と、該受光部で発生
した信号電荷を転送するＣＣＤシフトレジスタよりなる
転送部と、上記受光部及び転送部を分離するチャネルス
トップ部とを有する固体撮像装置において、 上記ＣＣＤシフトレジスタの電極を上記チャネルストッ
プ部を越えて上記受光部方向に延在させて設けて成るこ
とを特徴とする固体撮像装置。 ２、信号電荷と同一の導電性を有する基板上に形成され
た、信号電荷と逆の導電性を有する同一層上に前記ホト
ダイオート、ＣＣＤシフトレジスタ及びチャネルストッ
プ部を形成して成ることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の固体撮像装置。 ３、前記チャネルストップ部を前記ホトダイオードとＣ
ＣＤシストレジスタ間のみに設け、前記ホトダイオード
相互間の分離を隣接するホトダイオード間の基板上に延
設せしめたＣＣＤシストレジスタの電極への信号供給を
制御して行なわせるように成したことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ４、前記ホトダイオードは前記ＣＣＤシフトレジスタの
電極をマスクとして形成して成ることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ５、前記ＣＣＤシフトレジスタは３値レベルのクロック
パルスでインターレース駆動させて成ることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。 ６、前記ＣＣＤシフトレジスタの電極は前記ホトダイオ
ードの信号電荷の蓄積期間に表面準位が空乏化しない電
位のクロックパルスが印加されて成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237114A JPS61114663A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59237114A JPS61114663A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61114663A true JPS61114663A (ja) | 1986-06-02 |
Family
ID=17010616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59237114A Pending JPS61114663A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61114663A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122266A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0218964A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPH07170459A (ja) * | 1991-02-12 | 1995-07-04 | Gold Star Electron Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子 |
| JP2007036119A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
| US8446508B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-05-21 | Sony Corporation | Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP59237114A patent/JPS61114663A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122266A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-26 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0218964A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Sharp Corp | 固体撮像装置 |
| JPH07170459A (ja) * | 1991-02-12 | 1995-07-04 | Gold Star Electron Co Ltd | Ｃｃｄ映像素子 |
| US8446508B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-05-21 | Sony Corporation | Solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
| US8643757B2 (en) | 2005-07-27 | 2014-02-04 | Sony Corporation | Method of producing solid state imaging device with optimized locations of internal electrical components |
| JP2007036119A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ |
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