JPS6111476B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6111476B2 JPS6111476B2 JP53101048A JP10104878A JPS6111476B2 JP S6111476 B2 JPS6111476 B2 JP S6111476B2 JP 53101048 A JP53101048 A JP 53101048A JP 10104878 A JP10104878 A JP 10104878A JP S6111476 B2 JPS6111476 B2 JP S6111476B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- mesa
- film
- photoresist film
- receiving surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板上に多素子の赤外線検知素
子を形成する場合に、各検知素子の受光面の面積
を一定に制御する方法に関するものである。
子を形成する場合に、各検知素子の受光面の面積
を一定に制御する方法に関するものである。
例えば第１図に示すようにインジウムアンチモ
ナイド（InSb）を材料基板として、この基板上
にＰ―Ｎ接合を形成した光起電力型ダイオード群
を直線上に一列に配列して赤外線撮像装置を形成
する場合を考える。ここでA1，A2，A3，……An
は光起電力型ダイオード群を示す。これらの光起
電力型ダイオード群にa1，a2，a3……anの光量の
赤外線を照射するとき各光量に応じた量の電荷
b1，b2，b3……bnを発生する。この電荷によつて
画像を表示するわけであるが、上記光起電力型ダ
イオード群を構成する各検知素子の受光面積が不
均一であると各素子の光電変換効率が見掛け上不
均一となる。なぜならば、基板全面に亘り一様な
照射を受けた場合に個々の素子内に発生する電荷
量は受光面積に比例するからである。このため受
光面積の広い素子ほど見掛け上高感度となり、結
果として表示画面の明暗が観測対象物の温度分布
と異なつてくる。
ナイド（InSb）を材料基板として、この基板上
にＰ―Ｎ接合を形成した光起電力型ダイオード群
を直線上に一列に配列して赤外線撮像装置を形成
する場合を考える。ここでA1，A2，A3，……An
は光起電力型ダイオード群を示す。これらの光起
電力型ダイオード群にa1，a2，a3……anの光量の
赤外線を照射するとき各光量に応じた量の電荷
b1，b2，b3……bnを発生する。この電荷によつて
画像を表示するわけであるが、上記光起電力型ダ
イオード群を構成する各検知素子の受光面積が不
均一であると各素子の光電変換効率が見掛け上不
均一となる。なぜならば、基板全面に亘り一様な
照射を受けた場合に個々の素子内に発生する電荷
量は受光面積に比例するからである。このため受
光面積の広い素子ほど見掛け上高感度となり、結
果として表示画面の明暗が観測対象物の温度分布
と異なつてくる。
特に医学診断用の赤外線映像装置に上述のよう
な素子を主体とする撮像装置を使用すると、個々
の赤外線検知素子の感度差が、被写体の局所的な
温度差によるコントラストと同程度かまたはそれ
以上となる。したがつて画像に表れる明暗が被写
体の温度差によるものか、または検知素子の感度
差に起因するものか解らなくなり、疾病の診断が
困難となる不都合を生ずる。したがつて各検知素
子の受光面積を一定にして感度を一定の値に制御
する必要がある。
な素子を主体とする撮像装置を使用すると、個々
の赤外線検知素子の感度差が、被写体の局所的な
温度差によるコントラストと同程度かまたはそれ
以上となる。したがつて画像に表れる明暗が被写
体の温度差によるものか、または検知素子の感度
差に起因するものか解らなくなり、疾病の診断が
困難となる不都合を生ずる。したがつて各検知素
子の受光面積を一定にして感度を一定の値に制御
する必要がある。
ここで従来の多素子型赤外線検知素子の製作工
程を説明して、製作された素子の問題点について
述べる。第２図に示すようにＰ型の導電型を有す
るInSbの基板１上にｎ型の導電型を与える不純
物、例えばテルルTeを熱拡散して浅いｎ型層２
を形成する。次に第３図に示すようにホトレジス
ト膜３を上記したｎ型層２の上の全面にわたつて
形成し、該ホトレジスト膜３を第４図に示すよう
に受光面形成予定領域上にだけ残し、他の部分に
形成したレジスト膜は除去する。そのあと第５図
に示すようにホトレジスト膜を除去した部分を素
子形成のためにＢのようにエツチングして各素子
をメサ形として分離する。しかし従来のこのよう
な素子形成の方法では、上記のエツチングを行う
ときに弗酸を主成分とする腐蝕力の強いエツチン
グ液を使用するので、第６図に示すようにレジス
ト膜３の周辺よりエツチング液が矢印のように廻
り込んで受光面予定領域内側に浸透する。そして
受光面の上面図である第７図に示すように受光面
の一部がＣのように不規則にエツチングされて、
受光面の面積が各素子ごとに異なるという欠点を
生ずる。
程を説明して、製作された素子の問題点について
述べる。第２図に示すようにＰ型の導電型を有す
るInSbの基板１上にｎ型の導電型を与える不純
物、例えばテルルTeを熱拡散して浅いｎ型層２
を形成する。次に第３図に示すようにホトレジス
ト膜３を上記したｎ型層２の上の全面にわたつて
形成し、該ホトレジスト膜３を第４図に示すよう
に受光面形成予定領域上にだけ残し、他の部分に
形成したレジスト膜は除去する。そのあと第５図
に示すようにホトレジスト膜を除去した部分を素
子形成のためにＢのようにエツチングして各素子
をメサ形として分離する。しかし従来のこのよう
な素子形成の方法では、上記のエツチングを行う
ときに弗酸を主成分とする腐蝕力の強いエツチン
グ液を使用するので、第６図に示すようにレジス
ト膜３の周辺よりエツチング液が矢印のように廻
り込んで受光面予定領域内側に浸透する。そして
受光面の上面図である第７図に示すように受光面
の一部がＣのように不規則にエツチングされて、
受光面の面積が各素子ごとに異なるという欠点を
生ずる。
多素子型検知素子の場合上述したように各素子
の受光面の面積が一定の値に制御されていない
と、各検知素子の感度が見掛け上異なりしたがつ
て対象物の温度差に対応した画像を表示すること
ができなくなる。
の受光面の面積が一定の値に制御されていない
と、各検知素子の感度が見掛け上異なりしたがつ
て対象物の温度差に対応した画像を表示すること
ができなくなる。
本発明は上記した欠点を除去するもので、半導
体基板上に多素子の赤外線検知素子を形成する場
合に、上記基板にＰ―Ｎ接合を形成した後、素子
を形成するためのエツチングを受光面周辺で行
い、形成されたメサ部側面のＰ―Ｎ接合上に絶縁
膜を形成した後、エツチングにより形成されたメ
サ頂面よりも少面積の受光面の形成予定箇所にホ
トレジスト膜を形成し、上記ホトレジスト膜およ
び受光面周辺に形成した絶縁膜上に電極形成のた
めの導電被膜を形成した後、ホトレジスト膜およ
びホトレジスト膜上の導電被を除去して、受光面
上の周辺に電極となる導電被を形成したことを特
徴とする新規な赤外線検知素子を作成する方法を
提供せんとするものである。
体基板上に多素子の赤外線検知素子を形成する場
合に、上記基板にＰ―Ｎ接合を形成した後、素子
を形成するためのエツチングを受光面周辺で行
い、形成されたメサ部側面のＰ―Ｎ接合上に絶縁
膜を形成した後、エツチングにより形成されたメ
サ頂面よりも少面積の受光面の形成予定箇所にホ
トレジスト膜を形成し、上記ホトレジスト膜およ
び受光面周辺に形成した絶縁膜上に電極形成のた
めの導電被膜を形成した後、ホトレジスト膜およ
びホトレジスト膜上の導電被を除去して、受光面
上の周辺に電極となる導電被を形成したことを特
徴とする新規な赤外線検知素子を作成する方法を
提供せんとするものである。
以下図面を用いて本発明の一実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
本発明による検知素子の製造工程の途中までは
第２図より、第５図までの従来の方法による工程
と同じ方法をとる。次に第８図に示すようにメサ
エツチングを実施した箇所Ｂを陽極酸化して素子
材料の酸化膜４を形成する。陽極酸化膜の形成法
はカーボンを陰極とし0.1規定のカセイカリ
（KOH）の電解液に素子を浸積させることにより
行い、さらに上記酸化膜の補強を目的として該酸
化膜上にSiOの膜５を蒸着によつて形成する。次
に第９図に示すように受光面上に形成したホトレ
ジスト膜３を一旦除去する。次に全面に亘つてホ
トレジスト膜を再度形成し、電極形成予定箇所を
除いて露光した後、第１０図に示すように上記電
極形成予定箇所Ｌのホトレジスト膜をレジスト除
去剤にて除去する。次に第１１図に示すようにホ
トレジスト膜形成部を含み全面にわたつてインジ
ウムの被膜７を蒸着によつて形成する。次に第１
１図の矢印を示したＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｋ間のホト
レジスト膜６を除去する。このホトレジスト膜は
レジスト除去液に不溶となつているが、トリクレ
ンスプレーにより除去することができる。こうす
ると同時にホトレジスト膜上のＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，
Ｋ間の金属膜も除去される。このようにして第１
２図および第１３図に示すように受光面８の周辺
に電極７が形成される。次に電極形成金属膜とボ
ンデイングパツト９を取り出して素子が完成す
る。以上のようにして形成された電極はホトリゾ
グラフイの技術を用いて作成されるので精度良く
形成され、従つて受光面の面積も一定の値に制御
されるので検知素子の感度も一定に制御される。
また素子の電極が受光面の周辺に形成されるの
で、受光面上の周辺の一箇所に形成される従来の
電極の場合よりも、光電変換により発生した信号
の、素子のシート抵抗による損失が少なくなり、
感度が向上するという利点も生ずる。
第２図より、第５図までの従来の方法による工程
と同じ方法をとる。次に第８図に示すようにメサ
エツチングを実施した箇所Ｂを陽極酸化して素子
材料の酸化膜４を形成する。陽極酸化膜の形成法
はカーボンを陰極とし0.1規定のカセイカリ
（KOH）の電解液に素子を浸積させることにより
行い、さらに上記酸化膜の補強を目的として該酸
化膜上にSiOの膜５を蒸着によつて形成する。次
に第９図に示すように受光面上に形成したホトレ
ジスト膜３を一旦除去する。次に全面に亘つてホ
トレジスト膜を再度形成し、電極形成予定箇所を
除いて露光した後、第１０図に示すように上記電
極形成予定箇所Ｌのホトレジスト膜をレジスト除
去剤にて除去する。次に第１１図に示すようにホ
トレジスト膜形成部を含み全面にわたつてインジ
ウムの被膜７を蒸着によつて形成する。次に第１
１図の矢印を示したＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｋ間のホト
レジスト膜６を除去する。このホトレジスト膜は
レジスト除去液に不溶となつているが、トリクレ
ンスプレーにより除去することができる。こうす
ると同時にホトレジスト膜上のＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，
Ｋ間の金属膜も除去される。このようにして第１
２図および第１３図に示すように受光面８の周辺
に電極７が形成される。次に電極形成金属膜とボ
ンデイングパツト９を取り出して素子が完成す
る。以上のようにして形成された電極はホトリゾ
グラフイの技術を用いて作成されるので精度良く
形成され、従つて受光面の面積も一定の値に制御
されるので検知素子の感度も一定に制御される。
また素子の電極が受光面の周辺に形成されるの
で、受光面上の周辺の一箇所に形成される従来の
電極の場合よりも、光電変換により発生した信号
の、素子のシート抵抗による損失が少なくなり、
感度が向上するという利点も生ずる。
以上述べたごとく本発明の方法を用いれば赤外
線検知素子の受光面の面積が精度よく一定の値に
制御でき、また受光面の周辺に電極が一様に形成
される。ゆえに本発明の方法で作製した多素子の
赤外線検知素子を用いて赤外線撮像装置を構成す
れば対象物の温度分布に忠実な表示画像が得られ
る。
線検知素子の受光面の面積が精度よく一定の値に
制御でき、また受光面の周辺に電極が一様に形成
される。ゆえに本発明の方法で作製した多素子の
赤外線検知素子を用いて赤外線撮像装置を構成す
れば対象物の温度分布に忠実な表示画像が得られ
る。
第１図は多素子検知素子を用いた赤外線撮像装
置の一部のブロツク図、第２図より第５図までは
従来の方法による赤外線検知素子の製造法を示す
ための断面図、第６図、第７図は従来の素子の欠
点を説明するための図、第８図より第１３図まで
は本発明に係る赤外線検知素子の製造法を説明す
るための断面図及び平面図である。 １……Ｐ型InSb基板、２……ｎ型結晶層、３
……ホトレジスト膜、４……酸化膜、５……SiO
膜、６……ホトレジスト膜、７……金属膜、８…
…受光面、９……ボンデイングパツト、A1…An
……検知素子、Ｂ……メサエツチング面、Ｃ……
エツチング面、Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｋ……金属膜除
去箇所、Ｌ……ホトレジスト膜除去箇所、a1…an
……光量、b1…bn……電荷量。
置の一部のブロツク図、第２図より第５図までは
従来の方法による赤外線検知素子の製造法を示す
ための断面図、第６図、第７図は従来の素子の欠
点を説明するための図、第８図より第１３図まで
は本発明に係る赤外線検知素子の製造法を説明す
るための断面図及び平面図である。 １……Ｐ型InSb基板、２……ｎ型結晶層、３
……ホトレジスト膜、４……酸化膜、５……SiO
膜、６……ホトレジスト膜、７……金属膜、８…
…受光面、９……ボンデイングパツト、A1…An
……検知素子、Ｂ……メサエツチング面、Ｃ……
エツチング面、Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｋ……金属膜除
去箇所、Ｌ……ホトレジスト膜除去箇所、a1…an
……光量、b1…bn……電荷量。
Claims (1)
- １ 半導体基板上にメサ形赤外線検知素子を形成
するにあたり、上記基板にＰ―Ｎ接合を形成した
後、該接合面よりも深くエツチングを行つてメサ
を形成し、メサ側面のＰ―Ｎ接合上に絶縁膜を形
成した後、エツチングにより形成されたメサ頂面
よりも小面積の受光面形成予定箇所上にホトレジ
スト膜を形成し、上記ホトレジスト膜から上記メ
サ周辺の絶縁膜上に亘り導電被膜を形成した後、
上記ホトレジスト膜を除去することにより、該ホ
トレジスト膜上の導電被膜部分を除去し、受光面
の周辺に残存する導電被膜を電極とすることを特
徴とする赤外線検知素子の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104878A JPS5527657A (en) | 1978-08-19 | 1978-08-19 | Method of manufacturing infrared ray detecting element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10104878A JPS5527657A (en) | 1978-08-19 | 1978-08-19 | Method of manufacturing infrared ray detecting element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5527657A JPS5527657A (en) | 1980-02-27 |
| JPS6111476B2 true JPS6111476B2 (ja) | 1986-04-03 |
Family
ID=14290232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10104878A Granted JPS5527657A (en) | 1978-08-19 | 1978-08-19 | Method of manufacturing infrared ray detecting element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5527657A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2464563A1 (fr) * | 1979-08-31 | 1981-03-06 | Thomson Csf | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif |
| US5049962A (en) * | 1990-03-07 | 1991-09-17 | Santa Barbara Research Center | Control of optical crosstalk between adjacent photodetecting regions |
| US5668395A (en) * | 1994-11-22 | 1997-09-16 | Northwestern University | Composition for InSB and GaAs thin film on silicon substrate for use in photodetectors |
| JPH1131850A (ja) | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| FR2990562B1 (fr) * | 2012-05-09 | 2015-03-06 | Sagem Defense Securite | Procede de realisation d'un capteur infrarouge insb |
-
1978
- 1978-08-19 JP JP10104878A patent/JPS5527657A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5527657A (en) | 1980-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH027417B2 (ja) | ||
| TWI649865B (zh) | 影像感測器及其製造方法 | |
| JPS6111476B2 (ja) | ||
| GB2261323A (en) | Infrared imaging device | |
| JP2541458B2 (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
| JP2000150851A (ja) | 半導体多波長撮像素子とその製造方法 | |
| CN111244193A (zh) | 一种二极管、探测器及探测器的制作方法 | |
| JPH0513741A (ja) | 半導体光検出装置 | |
| JP2001044400A (ja) | 半導体赤外線検出素子 | |
| JPH0454969B2 (ja) | ||
| JPS60177670A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| JPS63271979A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2780294B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2023097802A (ja) | 受光素子及び受光素子の製造方法 | |
| JPS62193277A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2647954B2 (ja) | 半導体受光装置の形成方法 | |
| JPH02278767A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH06125071A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPH0439791B2 (ja) | ||
| JPS638633B2 (ja) | ||
| JPS5497390A (en) | Manufacture of semiconductor photo detector | |
| JPH0272665A (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| JPS5990468A (ja) | 固体赤外撮像素子 | |
| JPS59216382A (ja) | 赤外線イメ−ジセンサ | |
| JPH04278582A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 |