JPS6111936A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6111936A JPS6111936A JP59133613A JP13361384A JPS6111936A JP S6111936 A JPS6111936 A JP S6111936A JP 59133613 A JP59133613 A JP 59133613A JP 13361384 A JP13361384 A JP 13361384A JP S6111936 A JPS6111936 A JP S6111936A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
- C23C14/025—Metallic sublayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は斜方入射蒸着法によシ金属磁性薄膜會形成して
なる磁気記録媒体の製造方法に関するもので、特に耐錆
性にすぐれ且つ密着性の良好な保護層？備えた金属薄膜
型磁気記録媒体の製造方法に関する。
なる磁気記録媒体の製造方法に関するもので、特に耐錆
性にすぐれ且つ密着性の良好な保護層？備えた金属薄膜
型磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来よシ磁気記録媒体としては、非磁性支持体上ＶＣｒ
−Ｆｅ ２０３、Ｃｏ會ドープした了−Ｆｅ２０ａ
。
−Ｆｅ ２０３、Ｃｏ會ドープした了−Ｆｅ２０ａ
。
Ｆ、ｅ ａ ０４． Ｃ，ｏ ｋドープしたＦｅ３Ｏ
４，ｒ−Ｆｅ２０ａとＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合物
、ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等ケ粉
末磁性材料會塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレ
ン−ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものｔ塗布し
乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。近
年高！度記録への要求の高まシと共に真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等のべ一ノーデポジシ
ョン法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法
によ多形成される強磁性金属薄膜管磁気記録層とする。
４，ｒ−Ｆｅ２０ａとＦｅ３Ｏ４のベルトライド化合物
、ＣｒＯ２等の磁性粉末あるいは強磁性合金粉末等ケ粉
末磁性材料會塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレ
ン−ブタジェン共重合体、エポキシ樹脂、ポリウレタン
樹脂等の有機バインダー中に分散せしめたものｔ塗布し
乾燥させる塗布型のものが広く使用されてきている。近
年高！度記録への要求の高まシと共に真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等のべ一ノーデポジシ
ョン法あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッキ法
によ多形成される強磁性金属薄膜管磁気記録層とする。
バインダー會使用しない、いわゆる非バインダー型磁気
記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種種行な
われている。
記録媒体が注目を浴びておシ実用化への努力が種種行な
われている。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として強磁性金属よ
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程も
複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大・きな附
帯設備ケ要するという欠点會有している。非バインダー
型の磁気記録媒体では上記酸化物よ、シ大きな飽和磁化
會有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含
有しない状態で薄膜として形成せしめるため。
り飽和磁化の小さい金属酸化物を磁性材料として使用し
ているため、高密度記録に必要な薄形化が信号出力の低
下をもたらすため限界にきており、かつその製造工程も
複雑で、溶剤回収あるいは公害防止のための大・きな附
帯設備ケ要するという欠点會有している。非バインダー
型の磁気記録媒体では上記酸化物よ、シ大きな飽和磁化
會有する強磁性金属をバインダーの如き非磁性物質を含
有しない状態で薄膜として形成せしめるため。
高密度記録化のために超薄形にできるという利点全音し
、しかもその製造工程は簡単である。
、しかもその製造工程は簡単である。
高密度記録用の磁気記録媒体に要求される条件の一つと
して、高枕磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい薄
型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
して、高枕磁力化、薄形化が理論的にも実験的にも提唱
されておシ、塗布型の磁気記録媒体よりも一桁小さい薄
型化が容易で、飽和磁束密度も大きい非バインダー型磁
気記録媒体への期待は大きい。
特に真空蒸着による方法はメッキの場合のような排液処
理ケ必要とせず製造工程も簡単で膜の折。
理ケ必要とせず製造工程も簡単で膜の折。
出速度も大きくできるため非常にメリットが大きい。真
空蒸着によって磁気記録媒体に望ましい抗磁力および角
型性會有する磁性膜を製造する方法としては、米国特許
３３４Ａλ６３２号、同３３μ２６３３勺等に述べられ
ている斜め蒸着法が知られている。
空蒸着によって磁気記録媒体に望ましい抗磁力および角
型性會有する磁性膜を製造する方法としては、米国特許
３３４Ａλ６３２号、同３３μ２６３３勺等に述べられ
ている斜め蒸着法が知られている。
さらに強磁性金属薄膜から成る磁気記録媒体Ｋかかわる
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気記録媒体は磁気信号の記録、再生及び消
去の過程において磁気ヘッドと高速相対運動めもとにお
かれるがｔその際走行がスムーズにしかも安定忙行なわ
れねばならぬし、同時にヘッドとの接触による摩耗もし
くは破壊が起ってはならない。又磁性記録媒体の保存中
に腐蝕等による経時変化によって記録された信号の減少
あるいは消失があってはならないととも要求される。耐
久性、耐候性會向上させる方法として保績層會設けるこ
とが検討されている。
大きな問題として腐蝕及び摩耗に対する強度、走行安定
性がある。磁気記録媒体は磁気信号の記録、再生及び消
去の過程において磁気ヘッドと高速相対運動めもとにお
かれるがｔその際走行がスムーズにしかも安定忙行なわ
れねばならぬし、同時にヘッドとの接触による摩耗もし
くは破壊が起ってはならない。又磁性記録媒体の保存中
に腐蝕等による経時変化によって記録された信号の減少
あるいは消失があってはならないととも要求される。耐
久性、耐候性會向上させる方法として保績層會設けるこ
とが検討されている。
例えばＮ１−Ｗ合金（特開昭５ｉ−ａ３ｉｉ。
号）、Ｎ１−Ｂ合金Ｃ特開昭ｊ−−一μｏｊ号）。
Ｎｉ合金属を熱処理によシ硬度ケあげたものＣ特開昭１
ｔ−１０２６０３号）、Ｎｉ−Ｃｒ合金（特開Ｗ３ ｊ
Ｊ −７Ｊ ／ ０１ 号３ 等）合金薄ＩＸｋ保護
層とするもの、酸化物、炭化物（特開昭５Ｏ−１０μ４
ｏコ号）、酸化物磁性体上にα−Ｆｅ２０３系薄膜を保
護層として配したもの（特開昭５）−！２６θに号）、
５ｉＳｉ酸化物（特開昭！λ−／コアλ０３号）、磁性
層との間にＣｒｋ介してのＳ ｉ −８ｉ酸化物（特開
昭ｊコー／、２７２０μ号）％窒化ケイ素化合物（特開
昭ｊｊ−７３り３１号） ％ Ｌ ａの硼化物層（特開
昭１ｔ−／／１２を号）會保護層とするもの、さらに有
機物を保護層とするもの、例えば飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭ｊｔＯ−７１００号）、滑性液体層中に酸化防
止剤ケ含有させたもの（特開昭５ｔ−２ｏｔＯ３号）等
が提案されている。
ｔ−１０２６０３号）、Ｎｉ−Ｃｒ合金（特開Ｗ３ ｊ
Ｊ −７Ｊ ／ ０１ 号３ 等）合金薄ＩＸｋ保護
層とするもの、酸化物、炭化物（特開昭５Ｏ−１０μ４
ｏコ号）、酸化物磁性体上にα−Ｆｅ２０３系薄膜を保
護層として配したもの（特開昭５）−！２６θに号）、
５ｉＳｉ酸化物（特開昭！λ−／コアλ０３号）、磁性
層との間にＣｒｋ介してのＳ ｉ −８ｉ酸化物（特開
昭ｊコー／、２７２０μ号）％窒化ケイ素化合物（特開
昭ｊｊ−７３り３１号） ％ Ｌ ａの硼化物層（特開
昭１ｔ−／／１２を号）會保護層とするもの、さらに有
機物を保護層とするもの、例えば飽和脂肪酸の単分子層
（特開昭ｊｔＯ−７１００号）、滑性液体層中に酸化防
止剤ケ含有させたもの（特開昭５ｔ−２ｏｔＯ３号）等
が提案されている。
特にＣｒ ｂ Ｔ １ ＊ Ｓ ｎ ｂ Ａ ｌ−＊
Ｃｕ ％Ｚ ｒ ｈ ＴＢ。
Ｃｕ ％Ｚ ｒ ｈ ＴＢ。
等の非磁性金属膜ケ保護層として設けると耐候性が向上
することが知られているが、これらの保護層は耐久性に
おいては十分とけ言えず実用上さらに改善を必要として
いた。
することが知られているが、これらの保護層は耐久性に
おいては十分とけ言えず実用上さらに改善を必要として
いた。
本発明は耐候性にすぐれると共に耐久性忙すぐれる金属
薄膜型磁気記録媒体を提供することにある。
薄膜型磁気記録媒体を提供することにある。
本発明は、斜方入射蒸着法によシ非磁性基体上に金属磁
性薄膜全形成した後、同一真空槽内にて該金属磁性薄膜
表面忙酸化性ガスの吹付は処理を施し、しかる後非金属
磁性薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法に関する。さらに非磁性金属薄膜としてＣｒ ｓ
Ｔ １ ｓ Ｓ ｎ ｈＣｕ ｓ Ａ ｔ ｂ Ｚ
ｒ 、Ｔ ａから選ばれる少なくとも１種ケ使用するこ
とを特徴とする上記磁気記録媒体の製造方法に関する。
性薄膜全形成した後、同一真空槽内にて該金属磁性薄膜
表面忙酸化性ガスの吹付は処理を施し、しかる後非金属
磁性薄膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法に関する。さらに非磁性金属薄膜としてＣｒ ｓ
Ｔ １ ｓ Ｓ ｎ ｈＣｕ ｓ Ａ ｔ ｂ Ｚ
ｒ 、Ｔ ａから選ばれる少なくとも１種ケ使用するこ
とを特徴とする上記磁気記録媒体の製造方法に関する。
本発明において斜方入射蒸着法とは、基体表面の法線に
対し金属磁性材料の蒸気流ケある入射角θで入射させ基
体表面上に金属磁性蒸着薄膜ケ析出させる方法で米国特
許３３４Ｌコ４ｊＪ号、同３３μ２６３３号に開示され
ている。この際入射角θ？金属磁性薄膜の成長に伴なっ
て変化させるようにしても良く、特にテープ状基体に金
属磁性薄膜音形成せしめる際には基体の移動と共に蒸気
流の入射角を連続的に変化させる方法が取られる。
対し金属磁性材料の蒸気流ケある入射角θで入射させ基
体表面上に金属磁性蒸着薄膜ケ析出させる方法で米国特
許３３４Ｌコ４ｊＪ号、同３３μ２６３３号に開示され
ている。この際入射角θ？金属磁性薄膜の成長に伴なっ
て変化させるようにしても良く、特にテープ状基体に金
属磁性薄膜音形成せしめる際には基体の移動と共に蒸気
流の入射角を連続的に変化させる方法が取られる。
本発明においてはこうして形成された金属磁性薄膜の表
面に、金属磁性薄膜會蒸着形成せしめた真空槽と同一の
槽内において酸化性ガスケ吹きつける処理を施し、しか
る後金属磁性薄膜表面上に非磁性金属薄膜音形成せしめ
るものである。
面に、金属磁性薄膜會蒸着形成せしめた真空槽と同一の
槽内において酸化性ガスケ吹きつける処理を施し、しか
る後金属磁性薄膜表面上に非磁性金属薄膜音形成せしめ
るものである。
嬉１図は本発明によシ製造される磁気記録媒体を示して
いる。非磁性基体ｌ上に斜方入射蒸着による金属磁性薄
膜コが設けられておシ、さらにその上に非磁性金属薄膜
３が形成されている。金属磁性薄膜コの膜厚は磁気記録
媒体として充分な出カケ与え得る厚さおよび高密度記録
の充分行え得る薄さケ必要とすることから約０．０λμ
？Ｆ１ ｆ）ｈらｔ、ｏμｍ好ましくはｏ、ｏｒｐｍか
ら２．０ｐｍである。一方弁磁性金属薄膜３の厚さは充
分な保曖作用の得られること、金属磁性薄膜表面と記録
再生用磁気ヘッドとの間隙によるスペーシングロスによ
って出力の低下しないことの条件によシ約ｏ、ｏｏｓ〜
ｏ、ｔｐｍ好ましくはｏ、ｏｏ、ｓ〜０．０２μｍの範
囲である。
いる。非磁性基体ｌ上に斜方入射蒸着による金属磁性薄
膜コが設けられておシ、さらにその上に非磁性金属薄膜
３が形成されている。金属磁性薄膜コの膜厚は磁気記録
媒体として充分な出カケ与え得る厚さおよび高密度記録
の充分行え得る薄さケ必要とすることから約０．０λμ
？Ｆ１ ｆ）ｈらｔ、ｏμｍ好ましくはｏ、ｏｒｐｍか
ら２．０ｐｍである。一方弁磁性金属薄膜３の厚さは充
分な保曖作用の得られること、金属磁性薄膜表面と記録
再生用磁気ヘッドとの間隙によるスペーシングロスによ
って出力の低下しないことの条件によシ約ｏ、ｏｏｓ〜
ｏ、ｔｐｍ好ましくはｏ、ｏｏ、ｓ〜０．０２μｍの範
囲である。
本発明に用いられる磁性金属材料としては。
Ｆ ｅ ａ ＣＯ＆ Ｎ １等の金属、あるい、はＦ
ｅ −Ｃｏ ａＦｅ−Ｎ’ｔ、 Ｃｏ−Ｎｉｂ ’Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎ１ｂＦｅ−Ｒｈｂ Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ
、ｃｏ−ＡｕｂＣｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃ
ｏ−Ｇｄ＊Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ−Ｐｔ５ Ｎｉ−Ｃｕ、’
Ｍｎ−Ｂ１＆Ｍｎ−８ｂ、Ｍｎ−Ａｔ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒｂ Ｎ１−Ｃ
ｏ−ＣｒｂＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金であ
る。
ｅ −Ｃｏ ａＦｅ−Ｎ’ｔ、 Ｃｏ−Ｎｉｂ ’Ｆｅ
−Ｃｏ−Ｎ１ｂＦｅ−Ｒｈｂ Ｆｅ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｃｕ
、ｃｏ−ＡｕｂＣｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、Ｃｏ−Ｐｒ、Ｃ
ｏ−Ｇｄ＊Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ−Ｐｔ５ Ｎｉ−Ｃｕ、’
Ｍｎ−Ｂ１＆Ｍｎ−８ｂ、Ｍｎ−Ａｔ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃ
ｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒｂ Ｎ１−Ｃ
ｏ−ＣｒｂＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金であ
る。
特に好ましいのはＣＯあるいはＣＱ’１（７０重量％以
上含有するような合金である。金属磁性蒸着膜形成ケ酸
素のような反応性ガスケ含む雰囲気中で行なってもよい
。非磁性金属材料としてはＣｒ。
上含有するような合金である。金属磁性蒸着膜形成ケ酸
素のような反応性ガスケ含む雰囲気中で行なってもよい
。非磁性金属材料としてはＣｒ。
Ｔｉｈ Ｓｎｂ ｃ、、Ａｚｂ Ｚｒｍ Ｔａから選ば
れる少なくとも１種ケ用いるのがいい。非磁性金属薄膜
の形成には、蒸着、イオンプレーテング、スパッタリン
グ等のＰＶＤ法（フイジカルーベー／（−・デポジショ
ン法）が用いられる。本発明に用いられる基体としては
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド
、ポリ塩化ビニル。
れる少なくとも１種ケ用いるのがいい。非磁性金属薄膜
の形成には、蒸着、イオンプレーテング、スパッタリン
グ等のＰＶＤ法（フイジカルーベー／（−・デポジショ
ン法）が用いられる。本発明に用いられる基体としては
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミド
、ポリ塩化ビニル。
三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナ
フタレートのようなプラスチックベースが好ましい。
フタレートのようなプラスチックベースが好ましい。
第２図は本発明に基づい′た磁気記録媒体製造のための
巻取９式蒸着装置の一例上水している。真空槽／／には
仕切シ壁ｌコによって他の部分と隔てられた上室１３が
設けちれておシ、テープ状基体の送り出しロールｌμお
よび巻取りロールｌ！が配設されている。真空槽／／の
下方は隔壁ｌｔによシλ室１７、ｌにに区切られており
、冷却キャン／９．．１０が配置されている。各室１３
．／７＆ ／Ｉはそれぞれ排気口！／、２２、λ３によ
り独立に真空排気されるようになっている。冷却キャン
ｌりの下方には磁性金属材料を蒸発させるための蒸発源
２μが配置されていて、蒸発源２４１からの蒸発ビーム
がマスク２ｊｆ介して、キャン／りの表面に沿って移動
する基体２乙に斜方入射蒸着されるようになっている。
巻取９式蒸着装置の一例上水している。真空槽／／には
仕切シ壁ｌコによって他の部分と隔てられた上室１３が
設けちれておシ、テープ状基体の送り出しロールｌμお
よび巻取りロールｌ！が配設されている。真空槽／／の
下方は隔壁ｌｔによシλ室１７、ｌにに区切られており
、冷却キャン／９．．１０が配置されている。各室１３
．／７＆ ／Ｉはそれぞれ排気口！／、２２、λ３によ
り独立に真空排気されるようになっている。冷却キャン
ｌりの下方には磁性金属材料を蒸発させるための蒸発源
２μが配置されていて、蒸発源２４１からの蒸発ビーム
がマスク２ｊｆ介して、キャン／りの表面に沿って移動
する基体２乙に斜方入射蒸着されるようになっている。
金属磁性薄膜の形成された基体コロはキャンｌりの表面
に沿ってさらに移動しノズル２７から金属磁性薄膜表面
に酸素が吹きつけられる。吹きつけ酸素量は真空装置の
排気能力、ノズルの大きさ。
に沿ってさらに移動しノズル２７から金属磁性薄膜表面
に酸素が吹きつけられる。吹きつけ酸素量は真空装置の
排気能力、ノズルの大きさ。
位置、基体の幅、搬送速度等により条件が定められるも
のである。金属磁性薄膜の蒸着へのノズルコアからの酸
素の影響を除去するために仕切シ板２１５設けることも
できる。し力為る後基体コｔは室１１に移送され非磁性
金属薄膜が設けられる。
のである。金属磁性薄膜の蒸着へのノズルコアからの酸
素の影響を除去するために仕切シ板２１５設けることも
できる。し力為る後基体コｔは室１１に移送され非磁性
金属薄膜が設けられる。
非磁性金属薄膜はキャ／２０の下方に配設された蒸発源
λりからの蒸着、あるいはターゲット３０ケ用いてのス
パッタリングいずれかで設けられる。スパッタリング時
に必要なガスは導入部３１から導入されるようになって
いる。非磁性金属薄膜の形成された基体コｔは上室１３
の巻取シロールｉｓに巻きとられる。
λりからの蒸着、あるいはターゲット３０ケ用いてのス
パッタリングいずれかで設けられる。スパッタリング時
に必要なガスは導入部３１から導入されるようになって
いる。非磁性金属薄膜の形成された基体コｔは上室１３
の巻取シロールｉｓに巻きとられる。
こうして第１図に示され構成の磁気記録媒体が得られる
が、必要に応じ非磁性金属薄膜表面上に潤滑剤層、さら
には基体裏面にいわゆるバック層ケ設けてもよい。また
金属磁性薄膜と支持体との間に有機あるいは無機物よシ
なる繰る設けても良い。
が、必要に応じ非磁性金属薄膜表面上に潤滑剤層、さら
には基体裏面にいわゆるバック層ケ設けてもよい。また
金属磁性薄膜と支持体との間に有機あるいは無機物よシ
なる繰る設けても良い。
以下に実施例によシ本発明を図Ｊ１に参照しながら具体
的に説明する。本発−明がこれらに限定されるものでな
いことはいうまでもない。
的に説明する。本発−明がこれらに限定されるものでな
いことはいうまでもない。
実施例１
第２図に示した巻取り式蒸着装置？用いて金属薄膜型磁
気テープ？ｆ：製造した。基体コロとしては幅Ｊ ００
ｒａｎｈ ／ ２． ！μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを使用し、搬送速度は２０ｍ／分とした
。蒸発源２μにはＣｏｔチャージして基体コロ上に斜方
入射蒸着法によシＣ，磁性薄膜を厚さｌコｏｏｌとなる
ように形成させた。しかる後ノズル２７よシｔ２ｏＯｃ
ａ／分で酸素ガスケｃｏ磁性薄膜表面に吹きつけた。次
いで蒸発源２りよシＣｒ、ＳｎあるいはＡｔ’に厚さ／
２０又となるよう蒸着せしめた。ＣＯ磁性金属の蒸着時
およびＣｒ、Ｓｎｈ Ａｔ等の非磁性金属の蒸着時の真
空度はいずれもｊ、ｏｘｌｏ ’Ｔｏｒｒとした。
気テープ？ｆ：製造した。基体コロとしては幅Ｊ ００
ｒａｎｈ ／ ２． ！μｍ厚のポリエチレンテレフタ
レートフィルムを使用し、搬送速度は２０ｍ／分とした
。蒸発源２μにはＣｏｔチャージして基体コロ上に斜方
入射蒸着法によシＣ，磁性薄膜を厚さｌコｏｏｌとなる
ように形成させた。しかる後ノズル２７よシｔ２ｏＯｃ
ａ／分で酸素ガスケｃｏ磁性薄膜表面に吹きつけた。次
いで蒸発源２りよシＣｒ、ＳｎあるいはＡｔ’に厚さ／
２０又となるよう蒸着せしめた。ＣＯ磁性金属の蒸着時
およびＣｒ、Ｓｎｈ Ａｔ等の非磁性金属の蒸着時の真
空度はいずれもｊ、ｏｘｌｏ ’Ｔｏｒｒとした。
比較例１
実施例１と同様圧してｃｏ蒸着によシ磁性薄膜をポリエ
チレンテレフタレートフィルム上に形成した後、酸素ガ
スの吹きつけ処理ケ実施せずに実施例１と同様にしてＣ
ｒｈＢ’ｎあるいはＡ／、？Ｉ−蒸着したサンプルケ作
成した。さらにＣｏ蒸着後実施例１と同様にして酸素ガ
ス吹きつけ処理會実施しｓｃｒ％Ｓ ｎ ｓ Ａ ｔの
非磁性金属薄膜の形成を実施しないサンプルも作成した
。
チレンテレフタレートフィルム上に形成した後、酸素ガ
スの吹きつけ処理ケ実施せずに実施例１と同様にしてＣ
ｒｈＢ’ｎあるいはＡ／、？Ｉ−蒸着したサンプルケ作
成した。さらにＣｏ蒸着後実施例１と同様にして酸素ガ
ス吹きつけ処理會実施しｓｃｒ％Ｓ ｎ ｓ Ａ ｔの
非磁性金属薄膜の形成を実施しないサンプルも作成した
。
こうして得られた磁気テープの耐候性および耐久性音測
定した。耐候性は発露型ウェザ−テスター（山崎精機研
究所製Ｅ−／ＪＷＧ形）に２４Ａ時間保存後の錆の発生
状況を！段階評価によシ調べた。耐久性については薄膜
の引っかき強度音測定した。先端曲率半径ｊμｍのサフ
ァイア針？膜面に垂直に押し付けて荷重ケかけて動かし
引っかきによって膜は傷がつく時の荷重によシ強度會テ
ストした。測定結果は下記表１のとおシである。
定した。耐候性は発露型ウェザ−テスター（山崎精機研
究所製Ｅ−／ＪＷＧ形）に２４Ａ時間保存後の錆の発生
状況を！段階評価によシ調べた。耐久性については薄膜
の引っかき強度音測定した。先端曲率半径ｊμｍのサフ
ァイア針？膜面に垂直に押し付けて荷重ケかけて動かし
引っかきによって膜は傷がつく時の荷重によシ強度會テ
ストした。測定結果は下記表１のとおシである。
実施例２
第２図の巻取り式蒸着装置會用いてり、！μｍ厚のポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に斜方入射蒸着法に
よシＣｏＮｉ （Ｎｉ３ｏ重景チ）の磁性薄膜ケ厚さ１
ｓｏｏＡとなるよう形成させた。しかる後ノズルコアよ
り１０００ｃｃ１分で酸素ガスを上記磁性薄膜表面に吹
きつけた。次いでターゲット３０よＪ） Ｔ ｉ＊ Ｃ
’ｕ ＆ Ｚｒ＊あるいはＴａｋ厚さ１ｊｔＯｋとなる
ようスパッタリングによって設けた。ＣｏＮｉ磁性金属
の蒸着時にはＣｏＮｉ蒸気流近傍に、酸素ガスを導入し
てｌ。
エチレンテレフタレートフィルム上に斜方入射蒸着法に
よシＣｏＮｉ （Ｎｉ３ｏ重景チ）の磁性薄膜ケ厚さ１
ｓｏｏＡとなるよう形成させた。しかる後ノズルコアよ
り１０００ｃｃ１分で酸素ガスを上記磁性薄膜表面に吹
きつけた。次いでターゲット３０よＪ） Ｔ ｉ＊ Ｃ
’ｕ ＆ Ｚｒ＊あるいはＴａｋ厚さ１ｊｔＯｋとなる
ようスパッタリングによって設けた。ＣｏＮｉ磁性金属
の蒸着時にはＣｏＮｉ蒸気流近傍に、酸素ガスを導入し
てｌ。
ｏＸｌｏ ’Ｔｏｒｒ、 Ｔｉ、 Ｃｕ、 Ｚｒ、
Ｔａの非磁性金属のスパッタリング時にはＡｒガス會導
入してＯ，Ｏ／Ｔｏｒｒとした。
Ｔａの非磁性金属のスパッタリング時にはＡｒガス會導
入してＯ，Ｏ／Ｔｏｒｒとした。
比較例２
実施例２と同様にしてＣｏ Ｎ ｉ 合金の斜方入射蒸
着によシ磁性薄膜會ポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に形成した後酸紫ガスの吹きつけ処理會実施せずに
、実施例２と同様にしてＴ ｉ ａ Ｃｕ ＆・Ｚ ｒ
＆あるいはＴａ＆スパッタリングしたサンゾルケ作成
した。さらにＣｏＮｉ蒸着後実施例２と同様にして酸素
ガス吹きつけ処理のみ全実施し。
着によシ磁性薄膜會ポリエチレンテレフタレートフィル
ム上に形成した後酸紫ガスの吹きつけ処理會実施せずに
、実施例２と同様にしてＴ ｉ ａ Ｃｕ ＆・Ｚ ｒ
＆あるいはＴａ＆スパッタリングしたサンゾルケ作成
した。さらにＣｏＮｉ蒸着後実施例２と同様にして酸素
ガス吹きつけ処理のみ全実施し。
Ｔｉｈ Ｃｕｂ Ｚｒｂ Ｔａ等の非磁性金属薄膜音形
成させないサンプ、ルも作成した。こうして得られた磁
気テープの耐候性および耐久性？実施例１および比較例
１と同様な方法にて測定したところ表〔発明の効果〕 このように本発明によれば耐候性にすぐれるとともに耐
久性にすぐれる金属薄膜型磁気記録媒体ケ製造すること
ができるもので、そのメリットは極めて大きい。
成させないサンプ、ルも作成した。こうして得られた磁
気テープの耐候性および耐久性？実施例１および比較例
１と同様な方法にて測定したところ表〔発明の効果〕 このように本発明によれば耐候性にすぐれるとともに耐
久性にすぐれる金属薄膜型磁気記録媒体ケ製造すること
ができるもので、そのメリットは極めて大きい。
第１図は本発明によシ製造される磁気記録媒体の構成？
示している。 ハ・・・・・・・・非磁性基体、２・・・・・・・・・
金属磁性薄膜３・・・・・・・・・非磁性金属薄膜 第２図は本発明に基づいた。磁気記録媒体製造用巻取り
式蒸着装置の１例を示している。 ／ｌ・・・・・・・・・真空槽、／２・・・・・・・・
・仕切壁、／３・・・・・・・・・上室、７４！・・・
・・・・・・送出しロール、／ｊ・・・・・・・・・巻
取りロール、／７・・・・・・・・・隔壁、／７％ ７
ｇ・・・・・・・・・隔壁によシ仕切られた室、／９１
ノθ・・・・・・・・・冷却キャン、２／、１２．ｕｊ
・・・・・・・・・排気孔、２グ。 コタ・・・・・・・・・蒸発源、２６・・・・・・・・
・マスク、コロ・・・・・・・・・基体、２７・・・・
・・・・・酸素ガス供給ノズル、２１・・・・・・・・
・仕切板、３０・・・・・・・・・ターゲラ）＆３／・
・・・・・・・・ガス導入部。
示している。 ハ・・・・・・・・非磁性基体、２・・・・・・・・・
金属磁性薄膜３・・・・・・・・・非磁性金属薄膜 第２図は本発明に基づいた。磁気記録媒体製造用巻取り
式蒸着装置の１例を示している。 ／ｌ・・・・・・・・・真空槽、／２・・・・・・・・
・仕切壁、／３・・・・・・・・・上室、７４！・・・
・・・・・・送出しロール、／ｊ・・・・・・・・・巻
取りロール、／７・・・・・・・・・隔壁、／７％ ７
ｇ・・・・・・・・・隔壁によシ仕切られた室、／９１
ノθ・・・・・・・・・冷却キャン、２／、１２．ｕｊ
・・・・・・・・・排気孔、２グ。 コタ・・・・・・・・・蒸発源、２６・・・・・・・・
・マスク、コロ・・・・・・・・・基体、２７・・・・
・・・・・酸素ガス供給ノズル、２１・・・・・・・・
・仕切板、３０・・・・・・・・・ターゲラ）＆３／・
・・・・・・・・ガス導入部。
Claims (2)
- （１）斜方入射蒸着法により非磁性基体上に金属磁性薄
膜を形成した後、該金属磁性薄膜表面に同一真空槽内に
て酸化性ガスの吹付け処理を施し、しかる後該金属磁性
薄膜上に非磁性金属薄膜を形成することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。 - （２）非磁性金属薄膜として、Ｃｒ、Ｔｉ−Ｓｎ、Ｃｕ
、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔａから選ばれる少なくとも１種を使用
することを特徴とする特許請求範囲第１項記載の磁気記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133613A JPS6111936A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/749,252 US4643915A (en) | 1984-06-28 | 1985-06-27 | Process for producing magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133613A JPS6111936A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6111936A true JPS6111936A (ja) | 1986-01-20 |
Family
ID=15108901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133613A Pending JPS6111936A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4643915A (ja) |
| JP (1) | JPS6111936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326819A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6154023A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4755426A (en) * | 1986-01-18 | 1988-07-05 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium and production of the same |
| US4861662A (en) * | 1987-02-03 | 1989-08-29 | Akashic Memories Corporation | Protective layer for magnetic disk |
| JPH03212819A (ja) * | 1990-01-16 | 1991-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| KR940000259A (ko) * | 1992-06-12 | 1994-01-03 | 게리 리 그리스월드 | 테이프 지지체상에서의 다층 필름 제조 시스템 및 방법 |
| JP3018762B2 (ja) * | 1992-08-06 | 2000-03-13 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| DE102007009615A1 (de) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Leybold Optics Gmbh | Anlage und Verfahren zur Vakuumbehandlung von bandförmigen Substraten |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54140998A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of magnetic memory medium |
| DE3232520A1 (de) * | 1981-09-03 | 1983-03-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd., Minami-Ashigara, Kanagawa | Verfahren zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59133613A patent/JPS6111936A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-27 US US06/749,252 patent/US4643915A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326819A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4643915A (en) | 1987-02-17 |
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