JPS61120902A - 磁気検出装置 - Google Patents
磁気検出装置Info
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- JPS61120902A JPS61120902A JP59243717A JP24371784A JPS61120902A JP S61120902 A JPS61120902 A JP S61120902A JP 59243717 A JP59243717 A JP 59243717A JP 24371784 A JP24371784 A JP 24371784A JP S61120902 A JPS61120902 A JP S61120902A
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- thin film
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- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、直線運動する物体の移動距離、及び回転運動
する物体の回転角度の検出等に使用される検出装置に関
するものであり、さらに言えば、磁気抵抗効果を有する
強磁性薄膜抵抗素子（以下ＭＲ素子と称す。）を使用し
て磁極歯（磁性材よりなる歯状の凹凸）を検出する装置
に関するものである。
する物体の回転角度の検出等に使用される検出装置に関
するものであり、さらに言えば、磁気抵抗効果を有する
強磁性薄膜抵抗素子（以下ＭＲ素子と称す。）を使用し
て磁極歯（磁性材よりなる歯状の凹凸）を検出する装置
に関するものである。
従来の技術
近年、物体の変位量を精度良く検出する装置として、Ｍ
Ｒ素子を利用したものが増えてきている。
Ｒ素子を利用したものが増えてきている。
このような動向の中で本発明者は、ＭＲ素子を用いて、
これと相対運動を行う磁極歯を検出する装置として、特
願昭５９−１２３０２号明細書及び特願昭５９−２０５
８０７号明細書で提案してきた。
これと相対運動を行う磁極歯を検出する装置として、特
願昭５９−１２３０２号明細書及び特願昭５９−２０５
８０７号明細書で提案してきた。
以下図面を参照しながら、上述した先願の技術を従来の
検出装置の一例として説明する。
検出装置の一例として説明する。
第３図、第４図、第６図は従来の信号検出用ＭＲ素子を
用いた検出装置の一例を示すものであり、第３図はＭＲ
センサの構成及び電気的な接続関係の説明図、第４図は
検出装置の要部構成図、第６図は信号検出用ＭＲ素子の
磁界−抵抗値特性図である。なお、各図において同一の
構成部品については同一の番号を付す。
用いた検出装置の一例を示すものであり、第３図はＭＲ
センサの構成及び電気的な接続関係の説明図、第４図は
検出装置の要部構成図、第６図は信号検出用ＭＲ素子の
磁界−抵抗値特性図である。なお、各図において同一の
構成部品については同一の番号を付す。
第３図において、ＭＲセンサ１は、基板３３の表面に信
号検出用ＭＲ素子２，３，４，５，６゜７と端子８，９
，１０，１１．１２．ｉ３，１４゜１５．１６，１７．
１８．１９とを形成したものであり、各ＭＲ素子及び端
子は第３図に示すように電気的に接続されており、特に
端子８，１０゜１２は定電圧２０、端子９，１１．１３
は定電圧２１と接続されている。なお、各信号検出用Ｍ
Ｒ素子は、被検出物である磁極歯のピッチをＰとして、
一対となる信号検出用ＭＲ素子２と６（又は３と６、又
は４と７）とでＴ−Ｐの間隔を隔てて配置され、信号検
出用ＭＲ素子２と４及び４と６（又は３と５及び５と７
）とで、−ｐの間隔を隔てて配置され、結果として出力
端子２２ 、２３ 。
号検出用ＭＲ素子２，３，４，５，６゜７と端子８，９
，１０，１１．１２．ｉ３，１４゜１５．１６，１７．
１８．１９とを形成したものであり、各ＭＲ素子及び端
子は第３図に示すように電気的に接続されており、特に
端子８，１０゜１２は定電圧２０、端子９，１１．１３
は定電圧２１と接続されている。なお、各信号検出用Ｍ
Ｒ素子は、被検出物である磁極歯のピッチをＰとして、
一対となる信号検出用ＭＲ素子２と６（又は３と６、又
は４と７）とでＴ−Ｐの間隔を隔てて配置され、信号検
出用ＭＲ素子２と４及び４と６（又は３と５及び５と７
）とで、−ｐの間隔を隔てて配置され、結果として出力
端子２２ 、２３ 。
２４より１２００ずつ位相のずれた３相出力信号が得ら
れるよう構成している。但し、各信号検出用ＭＲ素子は
図中±Ｘ方向の磁界強度の変化に応じて抵抗値が変化し
、他の方向の磁界強度の変化に対しては抵抗値がほとん
ど変化しない、言わゆる磁気的異方性効果を有する。
れるよう構成している。但し、各信号検出用ＭＲ素子は
図中±Ｘ方向の磁界強度の変化に応じて抵抗値が変化し
、他の方向の磁界強度の変化に対しては抵抗値がほとん
ど変化しない、言わゆる磁気的異方性効果を有する。
第４図は第３図のＭＲ七ンナ１を用いた検出装置を示し
、第４図ムは平面図、Ｂは人のＳ−Ｓ線断面図である。
、第４図ムは平面図、Ｂは人のＳ−Ｓ線断面図である。
この検出装置は、可動部３４が固定部２６に沿って直線
的に移動する際の、両者の相対位置を検出するものであ
り、可動部３４は、ＭＲセンサ１とバイアス磁界を供給
する為の永久磁石２６とを含んで構成され、一方固定部
２６は、可動部３４と対向する面に、凹凸のピッチがＰ
の磁極歯が形成されている。さらに可動部３４と固定部
２６とは、第４図に示す様に配置され、特に基板３３は
固定部２５に対して角度α０傾いており、永久磁石２６
は固定部２６に対して平行に配置されている。なお、第
３図に示す各信号検出用ＭＲ素子の電気的な接続関係は
、第４図において、図面が乱雑になるので省略する。
的に移動する際の、両者の相対位置を検出するものであ
り、可動部３４は、ＭＲセンサ１とバイアス磁界を供給
する為の永久磁石２６とを含んで構成され、一方固定部
２６は、可動部３４と対向する面に、凹凸のピッチがＰ
の磁極歯が形成されている。さらに可動部３４と固定部
２６とは、第４図に示す様に配置され、特に基板３３は
固定部２５に対して角度α０傾いており、永久磁石２６
は固定部２６に対して平行に配置されている。なお、第
３図に示す各信号検出用ＭＲ素子の電気的な接続関係は
、第４図において、図面が乱雑になるので省略する。
以上のように構成された検出装置について、以下その動
作について説明する。
作について説明する。
まず、第４図において可動部３４が固定部２６に沿って
±Ｘ′方向へ移動する場合を考えると、永久磁石２６か
ら固定部２５に向かう磁力線は、固定部２５上の磁極歯
の凹凸な形状に影響を受け、周期的にその方向が曲げら
れる。磁力線は方向が曲げられた事によシ、各信号検出
用ＭＲ素子に対して、その感磁方向（±Ｘ方向）の成分
を含むようになる（以後、この成分を信号磁界と呼ぶ）
。
±Ｘ′方向へ移動する場合を考えると、永久磁石２６か
ら固定部２５に向かう磁力線は、固定部２５上の磁極歯
の凹凸な形状に影響を受け、周期的にその方向が曲げら
れる。磁力線は方向が曲げられた事によシ、各信号検出
用ＭＲ素子に対して、その感磁方向（±Ｘ方向）の成分
を含むようになる（以後、この成分を信号磁界と呼ぶ）
。
かつ、各ＭＲ素子と磁極歯とは、この図に示す様に、角
度α０傾けである為、永久磁石２６上り発生した磁力線
は、最初から各信号検出用ＭＲ素子に対して、一定の感
磁方向成分（オフセット磁界）を与えている。これは、
第６図に示す、磁界−抵抗値特性図上では、次の様な事
を意味する。ＭＲセンサ１の各信号検出用ＭＲ素子は各
々、与えられる±Ｘ方向の外部磁界に対して第６図の様
な特性を有している。図中ａ、ｃ、ｅは非線形な領域、
ｂ、（１は直線性の良い領域を示す。角度α０が零の時
は、磁界０を中心に上記信号磁界が変化する為、信号検
出用ＭＲ素子の磁界−抵抗値特性中、非線形な領域Ｃを
使用する事になるが、角度α０を適当な値に設定した時
は、上記オフセット磁界の影響で各信号検出用ＭＲ素子
の動作点は、図中人（抵抗値Ｒ８，磁界の強さ１Ｈｘｌ
）となり、動作黒人を中心に上記信号磁界が変化する為
、信号検出用ＭＲ素子の磁界−抵抗値特性中、直線性の
良い領域ｄで使用する事になる。
度α０傾けである為、永久磁石２６上り発生した磁力線
は、最初から各信号検出用ＭＲ素子に対して、一定の感
磁方向成分（オフセット磁界）を与えている。これは、
第６図に示す、磁界−抵抗値特性図上では、次の様な事
を意味する。ＭＲセンサ１の各信号検出用ＭＲ素子は各
々、与えられる±Ｘ方向の外部磁界に対して第６図の様
な特性を有している。図中ａ、ｃ、ｅは非線形な領域、
ｂ、（１は直線性の良い領域を示す。角度α０が零の時
は、磁界０を中心に上記信号磁界が変化する為、信号検
出用ＭＲ素子の磁界−抵抗値特性中、非線形な領域Ｃを
使用する事になるが、角度α０を適当な値に設定した時
は、上記オフセット磁界の影響で各信号検出用ＭＲ素子
の動作点は、図中人（抵抗値Ｒ８，磁界の強さ１Ｈｘｌ
）となり、動作黒人を中心に上記信号磁界が変化する為
、信号検出用ＭＲ素子の磁界−抵抗値特性中、直線性の
良い領域ｄで使用する事になる。
発明が解決しようとする問題点
前述の信号検出用ＭＲ素子の磁界−抵抗値特性は、温度
特性を有する。しかし、同一基板上に近接して形成され
た複数の信号検出用ＭＲ素子の各温度特性は良く揃う為
、従来の検出装置の様に２本の信号検出用ＭＲ素子をハ
ーフブリッジで使用する事により、周囲温度の変化に対
しては、各出力端子より直流ドリフトの小さい出力信号
を得る事ができた。
特性を有する。しかし、同一基板上に近接して形成され
た複数の信号検出用ＭＲ素子の各温度特性は良く揃う為
、従来の検出装置の様に２本の信号検出用ＭＲ素子をハ
ーフブリッジで使用する事により、周囲温度の変化に対
しては、各出力端子より直流ドリフトの小さい出力信号
を得る事ができた。
しかしながら、各信号検出用ＭＲ素子は、電流による自
己発熱を生じる。特に、第３図に示す従来例のように多
数の信号検出用ＭＲ素子を同一基板上に配置すると、基
板中央に近い信号検出用ＭＲ素子４，６に対して外側に
配置された信号検出用ＭＲ素子２．アの方が温度が低い
場合が多く。
己発熱を生じる。特に、第３図に示す従来例のように多
数の信号検出用ＭＲ素子を同一基板上に配置すると、基
板中央に近い信号検出用ＭＲ素子４，６に対して外側に
配置された信号検出用ＭＲ素子２．アの方が温度が低い
場合が多く。
これによる出力信号の直流ドリフトは、出力信号振幅の
１ｏ％程度にも及ぶ事があった。
１ｏ％程度にも及ぶ事があった。
また、永久磁石２６より発生する磁力線は、磁極歯の影
響を受けて変化するが、その磁界中に配置された磁性材
である信号検出用ＭＲ素子の影響も受ける。その為に各
信号検出用ＭＲ素子は、バランス良く等間隔で配置する
のが望ましいが、第３図の従来例を見てわかるように、
両端の信号検出用ＭＲ素子２と７は、それぞれ左右のバ
ランスが悪く、信号磁界の乱れが発生し易い。その結果
、出力信号に歪を生じるという問題点を有していた。
響を受けて変化するが、その磁界中に配置された磁性材
である信号検出用ＭＲ素子の影響も受ける。その為に各
信号検出用ＭＲ素子は、バランス良く等間隔で配置する
のが望ましいが、第３図の従来例を見てわかるように、
両端の信号検出用ＭＲ素子２と７は、それぞれ左右のバ
ランスが悪く、信号磁界の乱れが発生し易い。その結果
、出力信号に歪を生じるという問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、信号検出用ＭＲ素子の自己
発熱による出力信号の直流ドリフトを改善し、さらに信
号検出用ＭＲ素子自身による信号磁界の乱れから生じる
歪みを軽減する事により、高精度な磁気検出装置を提供
するものである。
発熱による出力信号の直流ドリフトを改善し、さらに信
号検出用ＭＲ素子自身による信号磁界の乱れから生じる
歪みを軽減する事により、高精度な磁気検出装置を提供
するものである。
問題点を解決するだめの手段
上記問題点を解決するために本発明の磁気検出装置は、
少なくとも１対の信号検出用ＭＲ素子を挾んでその両側
に少なくとも１対の補償用ＭＲ素子を配置するという構
成を備えたものである。
少なくとも１対の信号検出用ＭＲ素子を挾んでその両側
に少なくとも１対の補償用ＭＲ素子を配置するという構
成を備えたものである。
作用
本発明は上記した補償用ＭＲ素子の電流による自己発熱
を利用し、これを一種の電熱器として用いることにより
、この１対の補償用ＭＦｔ素子の間に挾まれた複数の信
号検出用ＭＲ素子の温度分布を均一にする事ができる。
を利用し、これを一種の電熱器として用いることにより
、この１対の補償用ＭＦｔ素子の間に挾まれた複数の信
号検出用ＭＲ素子の温度分布を均一にする事ができる。
つまり、従来の同一基板上に配置された複数の信号検出
用ＭＲ素子は、外側に配置されたものが内側に配置され
たものより温度が低いので、外側の信号検出用ＭＲ素子
を、そのさらに外側に配置された補償用ＭＲ素子の発熱
によって温めて、各信号検出用ＭＲ素子の温度分布を均
一にするものである。これにより、従来問題とされた出
力信号の直流ドリフトは、軽減することができる。
用ＭＲ素子は、外側に配置されたものが内側に配置され
たものより温度が低いので、外側の信号検出用ＭＲ素子
を、そのさらに外側に配置された補償用ＭＲ素子の発熱
によって温めて、各信号検出用ＭＲ素子の温度分布を均
一にするものである。これにより、従来問題とされた出
力信号の直流ドリフトは、軽減することができる。
また、補償用ＭＲ素子は、外側に配置された信号検出用
ＭＲ素子のさらに外側に配置されるので、この信号検出
用ＭＲ素子の左右の磁気的バランスが良くなり、ここで
の磁界の乱れが少なくなる。
ＭＲ素子のさらに外側に配置されるので、この信号検出
用ＭＲ素子の左右の磁気的バランスが良くなり、ここで
の磁界の乱れが少なくなる。
その結果、従来問題とされた出力信号の歪を小さくする
事ができる。
事ができる。
実施例
以下本発明の磁気検出装置の一実施例について、図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における磁気検出装置に使用
されるＭＲセンサの構成及び電気的な接続関係の説明図
である。なお、この図において第３図の従来例と同一の
構成部品については同一の番号を付す。
されるＭＲセンサの構成及び電気的な接続関係の説明図
である。なお、この図において第３図の従来例と同一の
構成部品については同一の番号を付す。
第１図において、ＭＲセンサ３６は、基板３３の表面に
信号検出用ＭＲ素子２，３，４，５，６゜γと、補償用
ＭＲ素子２了、２８と端子８，９゜１０．１１．１２，
１３，１４，１６，１６゜１７．１８，１９，２９，３
０，３１．３２とを形成したものであり、各信号検出用
及び補償用ＭＲ素子は、図に示す様に電気的に接続され
ており、特に端子８，１０，１２．２９は定電圧２０、
端子９，１１．１３．３０は定電圧２１と接続されてい
る。なお、各信号検出用ＭＲ素子は被検出物である磁極
歯のピッチをＰとして、１対となる信号検出用ＭＲ素子
２と６（又は３と６、又は４と７）とで７−ｐの間隔を
隔てて配置され、信号検出用ＭＲ素子２と４及び４と６
（又は３と６及び６と７）とで７１１ Ｐの間隔を隔て
て配置され、結果として出力端子２２，２３．２４より
１２００ずつ位相のずれた３相出力信号が得られるよう
に構成している。また、補償用ＭＲ素子２７ 、２８は
、各信号検出用ＭＲ素子を挾んでその両側に配置さし、
信号検出用ＭＲ素子２と補償用ＭＲ素子２７との間隔は
、この実施例では各信号検出用ＭＲ素子の配置間隔と同
じにしである。さらに、この実施例では、補償用ＭＲ素
子２７，２８は、各信号検出用ＭＲ素子と同一のものを
使用する。
信号検出用ＭＲ素子２，３，４，５，６゜γと、補償用
ＭＲ素子２了、２８と端子８，９゜１０．１１．１２，
１３，１４，１６，１６゜１７．１８，１９，２９，３
０，３１．３２とを形成したものであり、各信号検出用
及び補償用ＭＲ素子は、図に示す様に電気的に接続され
ており、特に端子８，１０，１２．２９は定電圧２０、
端子９，１１．１３．３０は定電圧２１と接続されてい
る。なお、各信号検出用ＭＲ素子は被検出物である磁極
歯のピッチをＰとして、１対となる信号検出用ＭＲ素子
２と６（又は３と６、又は４と７）とで７−ｐの間隔を
隔てて配置され、信号検出用ＭＲ素子２と４及び４と６
（又は３と６及び６と７）とで７１１ Ｐの間隔を隔て
て配置され、結果として出力端子２２，２３．２４より
１２００ずつ位相のずれた３相出力信号が得られるよう
に構成している。また、補償用ＭＲ素子２７ 、２８は
、各信号検出用ＭＲ素子を挾んでその両側に配置さし、
信号検出用ＭＲ素子２と補償用ＭＲ素子２７との間隔は
、この実施例では各信号検出用ＭＲ素子の配置間隔と同
じにしである。さらに、この実施例では、補償用ＭＲ素
子２７，２８は、各信号検出用ＭＲ素子と同一のものを
使用する。
第２図は本発明の磁気検出装置の一実施例を示し、第２
図人は平面図、ＢはムのＴ−Ｔ線断面図である。なお、
この磁気検出装置は、第１図で説明したＭＲセンサ３Ｓ
を使用しており、同一の構成部品は部品番号を統一する
。
図人は平面図、ＢはムのＴ−Ｔ線断面図である。なお、
この磁気検出装置は、第１図で説明したＭＲセンサ３Ｓ
を使用しており、同一の構成部品は部品番号を統一する
。
第２図において、この検出装置は、可動部３６が固定部
２５に沿って直線的に移動する際の、両者の相対位置を
検出するものであり、可動部３６は第１図で説明したＭ
Ｒセンサ３５とバイアス磁界を供給する為の永久磁石２
６とを含んで構成され、一方固定部２６は、可動部３６
と対向する面に凹凸のピッチがＰの磁極歯が形成されて
いる。
２５に沿って直線的に移動する際の、両者の相対位置を
検出するものであり、可動部３６は第１図で説明したＭ
Ｒセンサ３５とバイアス磁界を供給する為の永久磁石２
６とを含んで構成され、一方固定部２６は、可動部３６
と対向する面に凹凸のピッチがＰの磁極歯が形成されて
いる。
さらに可動部３６と固定部２６とは、第２図に示す様に
配置され、特に基板３３（又は各信号検出用ＭＲ素子の
薄膜面）は、固定部２６に対して角度α０傾いており、
永久磁石２６は固定部２６に対して平行に配置されてい
る。また、図示はしないが、可動部３６を固定部２６に
沿って移動可能に保持する為の走行保持系を有する。な
お、図面が乱雑になるので、第１図に示す各信号検出用
及び補償用ＭＲ素子の電気的な接続関係は、第２図にお
いて省略する。
配置され、特に基板３３（又は各信号検出用ＭＲ素子の
薄膜面）は、固定部２６に対して角度α０傾いており、
永久磁石２６は固定部２６に対して平行に配置されてい
る。また、図示はしないが、可動部３６を固定部２６に
沿って移動可能に保持する為の走行保持系を有する。な
お、図面が乱雑になるので、第１図に示す各信号検出用
及び補償用ＭＲ素子の電気的な接続関係は、第２図にお
いて省略する。
以上のように構成された磁気検出装置について、以下第
１図及び第２図を用いてその動作を説明する。但し、こ
の磁気検出装置の基本的な信号検出（磁極歯検出）原理
は、第３図、第４図、第６図で示す従来例と同じである
ので、ここでは省略する。
１図及び第２図を用いてその動作を説明する。但し、こ
の磁気検出装置の基本的な信号検出（磁極歯検出）原理
は、第３図、第４図、第６図で示す従来例と同じである
ので、ここでは省略する。
本発明の磁気検出装置において、この実施例では補償用
ＭＲ素子２γ、２８は、信号検出用ＭＲ素子２，３，４
，５，６．７と同じ材料、同じ形状を有し、同じ磁界−
抵抗値特性を有する。また、補償用ＭＲ素子２７．２８
は、各信号検出用ＭＲ素子と共通の定電圧２０．２１と
接続する事により各信号検出用ＭＲ素子とほぼ同様に自
己発熱する。これによって、１対の補償用Ｍｌ’ｌ素子
２６゜２７の間に配置された各信号用ＭＲ素子の温度を
均一とすることができる。具体的には、各信号用ＭＲ素
子のうち、外側に配置された２、７が、内側に配置され
た４、５よりも温度が低いという従来の問題点に対して
、前述の補償用ＭＲ素子２６゜２７の自己発熱を利用し
て、信号検出用ＭＲ素子２．７を加熱し、結果として各
信号検出用ＭＲ素子の温度の均一化を図るものである。
ＭＲ素子２γ、２８は、信号検出用ＭＲ素子２，３，４
，５，６．７と同じ材料、同じ形状を有し、同じ磁界−
抵抗値特性を有する。また、補償用ＭＲ素子２７．２８
は、各信号検出用ＭＲ素子と共通の定電圧２０．２１と
接続する事により各信号検出用ＭＲ素子とほぼ同様に自
己発熱する。これによって、１対の補償用Ｍｌ’ｌ素子
２６゜２７の間に配置された各信号用ＭＲ素子の温度を
均一とすることができる。具体的には、各信号用ＭＲ素
子のうち、外側に配置された２、７が、内側に配置され
た４、５よりも温度が低いという従来の問題点に対して
、前述の補償用ＭＲ素子２６゜２７の自己発熱を利用し
て、信号検出用ＭＲ素子２．７を加熱し、結果として各
信号検出用ＭＲ素子の温度の均一化を図るものである。
これによって、出力端子２２．２３．２４より得られる
出力信号の温度ドリフトは減少し、精度の良い磁気検出
装置を実現できる。
出力信号の温度ドリフトは減少し、精度の良い磁気検出
装置を実現できる。
また、磁性材としての各信号検出用ＭＲ素子の中で、最
も磁気的なバランスの悪い最も外側に配置された２、７
は、第１図及び第２図で示すように、そのさらに外側に
配置された補償用ＭＲ素子２６．２了によって、磁気的
なバランスの悪さが改善され、ここでの磁界の乱れが軽
減される。これによって、出力端子２２，２３．２４よ
り得られる出力信号の歪みが改善される。
も磁気的なバランスの悪い最も外側に配置された２、７
は、第１図及び第２図で示すように、そのさらに外側に
配置された補償用ＭＲ素子２６．２了によって、磁気的
なバランスの悪さが改善され、ここでの磁界の乱れが軽
減される。これによって、出力端子２２，２３．２４よ
り得られる出力信号の歪みが改善される。
しかも、各信号検出用及び補償用ＭＲ素子と各端子は、
基板３３上に例えば蒸着等の方法で同時に形成されるの
で、補償用ＭＲ素子を付加する事で従来とコストは変わ
らない。
基板３３上に例えば蒸着等の方法で同時に形成されるの
で、補償用ＭＲ素子を付加する事で従来とコストは変わ
らない。
なお、本実施例において、補償用ＭＲ素子と信号検出用
ＭＲ素子を全く同一の物とし、かつ電源も同一の定電圧
源を使用したが、これに限定されるものではない。目的
は、複数の信号検出用ＭＲ素子の温度分布を均一にして
、かつ、磁気的バランスを改善する事にあり、例えば、
補償用ＭＲ素子の形状を変更し、その抵抗値を変えて、
ここでの発熱量を適当に調節する事も可能である。また
、同様の目的で、補償用ＭＲ素子から信号用ＭＲ素子ま
での距離を変える。補償用ＭＲ素子の定電圧電源の電圧
をコントロールする事も可能である。
ＭＲ素子を全く同一の物とし、かつ電源も同一の定電圧
源を使用したが、これに限定されるものではない。目的
は、複数の信号検出用ＭＲ素子の温度分布を均一にして
、かつ、磁気的バランスを改善する事にあり、例えば、
補償用ＭＲ素子の形状を変更し、その抵抗値を変えて、
ここでの発熱量を適当に調節する事も可能である。また
、同様の目的で、補償用ＭＲ素子から信号用ＭＲ素子ま
での距離を変える。補償用ＭＲ素子の定電圧電源の電圧
をコントロールする事も可能である。
発明の効果
以上のように本発明は、少なくとも１対の補償用ＭＲ素
子を設けるという簡単な構成で、各信号検出用ＭＲ素子
の温度を均一にし、かつ磁気的なバランスを改善する事
ができ、これにより、信号検出用ＭＲ素子の検出信号の
直流ドリフト、歪みを改善することができる。
子を設けるという簡単な構成で、各信号検出用ＭＲ素子
の温度を均一にし、かつ磁気的なバランスを改善する事
ができ、これにより、信号検出用ＭＲ素子の検出信号の
直流ドリフト、歪みを改善することができる。
第１図は本発明の一実施例における磁気検出装置に使用
されるＭＲセンサの正面図、第２図人は本発明の磁気検
出装置の一実施例を示す平面図、第２図Ｂは同図ムのＴ
−Ｔ線断面図、第３図は従来の磁気検出装置に使用され
るＭＲセンサの正面図、第４図人は従来の磁気検出装置
を示す平面図、第４図Ｂは同図人のＳ−Ｓ線断面図、第
６図は磁界−抵抗値特性図である。 ２．３，４，５，６．７・・・・・・信号検出用ＭＲ素
子（強磁性薄膜抵抗素子）、２０，２１・・・・・・定
電圧、２７．２８・・・・・・補償用ＭＲ素子（強磁性
薄膜抵抗素子）、２６・・・・・・固定部、２６・・・
・・・永久磁石、３３・・・・・・基板、３５・・・・
・・ＭＲセンサ、３６・・・・・・可動部、Ｐ・・・・
・・磁極歯ピッチ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 十×−× 第２図 第 ３ 図 ＋× −ズ 第４図 −）１” −＋ Ｘ ’
されるＭＲセンサの正面図、第２図人は本発明の磁気検
出装置の一実施例を示す平面図、第２図Ｂは同図ムのＴ
−Ｔ線断面図、第３図は従来の磁気検出装置に使用され
るＭＲセンサの正面図、第４図人は従来の磁気検出装置
を示す平面図、第４図Ｂは同図人のＳ−Ｓ線断面図、第
６図は磁界−抵抗値特性図である。 ２．３，４，５，６．７・・・・・・信号検出用ＭＲ素
子（強磁性薄膜抵抗素子）、２０，２１・・・・・・定
電圧、２７．２８・・・・・・補償用ＭＲ素子（強磁性
薄膜抵抗素子）、２６・・・・・・固定部、２６・・・
・・・永久磁石、３３・・・・・・基板、３５・・・・
・・ＭＲセンサ、３６・・・・・・可動部、Ｐ・・・・
・・磁極歯ピッチ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 十×−× 第２図 第 ３ 図 ＋× −ズ 第４図 −）１” −＋ Ｘ ’
Claims (3)
- （１）一定の間隙を維持しながら相対運動を行う第１の
手段と第２の手段とを含んで構成され、前記第１の手段
は、磁性材よりなる一定のピッチで形成された磁極歯を
複数含み、前記第２の手段は、同一基板上に形成された
磁気的異方性効果を有する複数の強磁性薄膜抵抗素子と
、これに磁界を与える永久磁石とを含み、前記複数の強
磁性薄膜抵抗素子は、前記磁極歯と前記永久磁石との間
の磁界中に配置されると共に、前記磁極歯の形成面に対
して一定の傾斜角度をもって配置され、さらに前記複数
の強磁性薄膜抵抗素子は、前記磁極歯のピッチをＰとし
て（ｎ＋（１／２））・Ｐ（ｎ：整数）の間隔を隔てて
配置された少なくとも１対の信号検出用強磁性薄膜抵抗
素子と、前記信号検出用強磁性薄膜抵抗素子を挾んでそ
の両側に配置された少なくとも１対の補償用強磁性薄膜
抵抗素子とを含み、各１対の信号検出用強磁性薄膜抵抗
素子は、一端で直列接続され、その接続点より出力信号
を得ると共に、残りの２端で定電圧Ｅ＿１、定電圧Ｅ＿
２に接続され、前記少なくとも１対の補償用強磁性薄膜
抵抗素子は、一端で直列接続され、残りの２端で定電圧
Ｅ＿３、定電圧Ｅ＿４に接続された事を特徴とする磁気
検出装置。 - （２）定電圧Ｅ＿１と定電圧Ｅ＿３は等しく、定電圧Ｅ
＿２と定電圧Ｅ＿４は等しい事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の磁気検出装置。 - （３）補償用強磁性薄膜抵抗素子は、信号検出用強磁性
薄膜抵抗素子と同一の材料より成り、同一の形状を有す
る事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気検出
装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243717A JPS61120902A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
| DE8585300512T DE3583870D1 (de) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetmessaufnehmer. |
| EP85300512A EP0151002B1 (en) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetic detector |
| US06/695,049 US4725776A (en) | 1984-01-25 | 1985-01-25 | Magnetic position detector using a thin film magnetoresistor element inclined relative to a moving object |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59243717A JPS61120902A (ja) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120902A true JPS61120902A (ja) | 1986-06-09 |
| JPH0544962B2 JPH0544962B2 (ja) | 1993-07-07 |
Family
ID=17107936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59243717A Granted JPS61120902A (ja) | 1984-01-25 | 1984-11-19 | 磁気検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61120902A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431019A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nikon Corp | Magnetic head for magnetic encoder provided with heating element |
| JPH0384417A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転位置検出装置 |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP59243717A patent/JPS61120902A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6431019A (en) * | 1987-07-27 | 1989-02-01 | Nikon Corp | Magnetic head for magnetic encoder provided with heating element |
| JPH0384417A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 回転位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0544962B2 (ja) | 1993-07-07 |
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