JPS61122196A - 気相反応装置 - Google Patents
気相反応装置Info
- Publication number
- JPS61122196A JPS61122196A JP24191884A JP24191884A JPS61122196A JP S61122196 A JPS61122196 A JP S61122196A JP 24191884 A JP24191884 A JP 24191884A JP 24191884 A JP24191884 A JP 24191884A JP S61122196 A JPS61122196 A JP S61122196A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- susceptor
- wafer
- gas phase
- wafer mounting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、単結晶を気相成長させるための気相反応装置
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
上記の様な気相反応装置としては、縦形の気相反応装置
とバレル形の気相反応装置とが最も一般的に用いられて
いる。
とバレル形の気相反応装置とが最も一般的に用いられて
いる。
縦形の気相反応装置は、ベルジャ内にサセプタを水平に
配すると共にこのサセプタの下側に高周波語意コイルを
配し、更にサセプタ及びコイルの中央部を貫通する様に
反応ガス吹出し用のノズルを配し、サセプタをノズルに
対して回転させながら気相反応を行わせるものである。
配すると共にこのサセプタの下側に高周波語意コイルを
配し、更にサセプタ及びコイルの中央部を貫通する様に
反応ガス吹出し用のノズルを配し、サセプタをノズルに
対して回転させながら気相反応を行わせるものである。
またバレル形の気相反応装置は、ベルジャ内に六角錐台
等のサセプタを配すると共にベルジャ外に輻射加熱用の
ランプを配し、更にベルジャの上部に反応ガスの吹出し
口を配し、サセプタをベルジャに対して回転させながら
気相反応を行わせるものである。
等のサセプタを配すると共にベルジャ外に輻射加熱用の
ランプを配し、更にベルジャの上部に反応ガスの吹出し
口を配し、サセプタをベルジャに対して回転させながら
気相反応を行わせるものである。
発明が解決しようとする問題点
ところで上記の様な従来の気相反応装置では、ベルジャ
内の気圧勾配に応じた反応ガスの気流中にサセプタが位
置しているのみであり、サセプタ上に載置されているウ
ェハには気圧勾配による気゛流によって反応ガスが供給
される。ところがベルジャ内の気圧勾配は一般には均一
でなく、この気圧勾配による気流もベルジャ内で均一で
はない。
内の気圧勾配に応じた反応ガスの気流中にサセプタが位
置しているのみであり、サセプタ上に載置されているウ
ェハには気圧勾配による気゛流によって反応ガスが供給
される。ところがベルジャ内の気圧勾配は一般には均一
でなく、この気圧勾配による気流もベルジャ内で均一で
はない。
このために、サセプタがノズルやベルジャに対して回転
していても、ウェハに反応ガスが均一には供給されなく
て、成長膜の厚さ等が均一な高品質の製品を製造するこ
とができない。
していても、ウェハに反応ガスが均一には供給されなく
て、成長膜の厚さ等が均一な高品質の製品を製造するこ
とができない。
問題点を解決するための手段
本発明による気相反応装置は、ウェハ載置面を有するウ
ェハ載置手段３と、前記ウェハ載置面に対向する多数の
小孔７を有すると共に前記ウェハ載置面に垂直な軸の回
りに回転可能な反応ガス吹出し手段６とを夫々具備して
いる。
ェハ載置手段３と、前記ウェハ載置面に対向する多数の
小孔７を有すると共に前記ウェハ載置面に垂直な軸の回
りに回転可能な反応ガス吹出し手段６とを夫々具備して
いる。
作用
本発明による気相反応装置では、ウェハ載置面に対向す
る多数の小孔７を反応ガス吹出し手段６が有している。
る多数の小孔７を反応ガス吹出し手段６が有している。
このために、ウェハ載置面に載置されているウェハ８に
は、不均一な気流によってではなく多数の小孔７からの
吹出しによって反応ガスが供給され、ウェハに供給され
る反応ガスの均一性が非常に高い。
は、不均一な気流によってではなく多数の小孔７からの
吹出しによって反応ガスが供給され、ウェハに供給され
る反応ガスの均一性が非常に高い。
しかも反応ガス吹出し手段６が回転可能であるので、ウ
ェハには反応ガスが更に均一に供給される。
ェハには反応ガスが更に均一に供給される。
実施例
以下、本発明の一実施例を第１図及び第２図を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
これらの第１図及び第２図に示す様に、本実施例の気相
反応装置では、コイルカバーとサセプタホルダとを兼ね
ている断面山形の基台１が石英ベルジャ２内に配されて
いる。
反応装置では、コイルカバーとサセプタホルダとを兼ね
ている断面山形の基台１が石英ベルジャ２内に配されて
いる。
基台１の垂直に近い部分の外表面にはウェハ載置手段で
ある一対の板状のサセプタ３が取り付けられており、基
台１の内部のサセプタ３に対応する部分には渦巻状を成
している高周波誘導コイル４が取り付けられている。な
お各々のサセプタ３の下端部近傍には、２本ずつのビン
５が設けられている。
ある一対の板状のサセプタ３が取り付けられており、基
台１の内部のサセプタ３に対応する部分には渦巻状を成
している高周波誘導コイル４が取り付けられている。な
お各々のサセプタ３の下端部近傍には、２本ずつのビン
５が設けられている。
また石英ベルジャ２内には、反応ガス吹出し手段である
一対のノズル６が配されている。これらのノズル６は、
サセプタ３の略全面に対向する多数の小孔７を有すると
共に、サセプタ６に対する角度調節を行うことができ、
更にその軸心の回りに回転可能である。
一対のノズル６が配されている。これらのノズル６は、
サセプタ３の略全面に対向する多数の小孔７を有すると
共に、サセプタ６に対する角度調節を行うことができ、
更にその軸心の回りに回転可能である。
以上の様な本実施例の気相反応装置で気相反応を行わせ
るには、２本のピン５でウェハ８を支えると共にこのウ
ェハ８をサセプタ３に立て掛けることによって、まずウ
ェハ８をサセプタ３に密接させる。
るには、２本のピン５でウェハ８を支えると共にこのウ
ェハ８をサセプタ３に立て掛けることによって、まずウ
ェハ８をサセプタ３に密接させる。
次いでサセプタ３に対するノズル６の角度調節を行って
、ノズル６の軸心をサセプタ３に垂直にする。そして高
周波誘導コイルによって、基台ｌ及びサセプタ３を介し
てウェハ８を加熱する。この状態でノズル６をその軸心
の回りに回転させつつ、反応ガスとキャリアガスとして
の水素ガスとを小孔７から吹き出させる。
、ノズル６の軸心をサセプタ３に垂直にする。そして高
周波誘導コイルによって、基台ｌ及びサセプタ３を介し
てウェハ８を加熱する。この状態でノズル６をその軸心
の回りに回転させつつ、反応ガスとキャリアガスとして
の水素ガスとを小孔７から吹き出させる。
なお反応済及び未反応の反応ガスとキャリアガスとして
の水素ガスとは、石英ベルジャ２と基台１との間の隙間
から下方へ導かれて排出される。
の水素ガスとは、石英ベルジャ２と基台１との間の隙間
から下方へ導かれて排出される。
発明の効果
上述の如く、本発明による気相反応装置では、ウェハに
反応ガスが均一に供給されるので、成長膜の厚さ等が均
一な高品質の製品を製造することができる。
反応ガスが均一に供給されるので、成長膜の厚さ等が均
一な高品質の製品を製造することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す側断面図、第２図は第
１図のＩｆ−ｎ線における断面図である。 なお図面に用いた符号において、 ３・−・−・・・・・−・−・−サセプタ６−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−ノズル？−−−−−・−
・−・−−−一−−小孔８・−−−一−・−−−−・・
−・・−一一−ウェハである。
１図のＩｆ−ｎ線における断面図である。 なお図面に用いた符号において、 ３・−・−・・・・・−・−・−サセプタ６−−−−−
−−−−−−−−−−−−−−ノズル？−−−−−・−
・−・−−−一−−小孔８・−−−一−・−−−−・・
−・・−一一−ウェハである。
Claims (1)
- ウエハ載置面を有するウエハ載置手段と、前記ウエハ載
置面に対向する多数の小孔を有すると共に前記ウエハ載
置面に垂直な軸の回りに回転可能な反応ガス吹出し手段
とを夫々具備する気相反応装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24191884A JPS61122196A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 気相反応装置 |
| DE3540628A DE3540628C2 (de) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Herstellen eines Epitaxiefilms durch chemische Dampfabscheidung |
| FR8516907A FR2573325B1 (fr) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Appareil et procede pour faire des depots de vapeur sur des plaquettes |
| US06/798,295 US4651674A (en) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Apparatus for vapor deposition |
| NL8503163A NL8503163A (nl) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Inrichting en werkwijze voor dampneerslag. |
| GB08528217A GB2169003B (en) | 1984-11-16 | 1985-11-15 | Chemical vapour deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24191884A JPS61122196A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 気相反応装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61122196A true JPS61122196A (ja) | 1986-06-10 |
Family
ID=17081486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24191884A Pending JPS61122196A (ja) | 1984-11-16 | 1984-11-16 | 気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61122196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03259311A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用スイッチ付ノブ |
-
1984
- 1984-11-16 JP JP24191884A patent/JPS61122196A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03259311A (ja) * | 1990-02-26 | 1991-11-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 車両用スイッチ付ノブ |
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