JPS61123033A - 保護膜構造体 - Google Patents

保護膜構造体

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JPS61123033A
JPS61123033A JP59245081A JP24508184A JPS61123033A JP S61123033 A JPS61123033 A JP S61123033A JP 59245081 A JP59245081 A JP 59245081A JP 24508184 A JP24508184 A JP 24508184A JP S61123033 A JPS61123033 A JP S61123033A
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Kiyotaka Wasa
清孝 和佐
Takashi Hirao
孝 平尾
Atsuo Nishikawa
西川　敦夫
Seiji Nishino
西野　清二
Takeo Oota
太田　威夫
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、保護膜の構造に関し、特に耐湿保護膜の構造
に関している。
従来例の構成とその問題点 半導体ＩＣをはじめとして、機能素子あるいは機能材料
の保護膜は、素子あるいはデバイスの信頼性の向上につ
ながり、従来からシリコン酸化物、ガラスなどの無機材
料あるいけポリイミド、パリレンなどの有機材料が保護
膜として用いられてきた。これらの従来の保護膜は小面
積にかぎられていたか、最近は、センサアレイ、記録板
、記録テープなどの大面積の機能材料の耐湿性、耐摩耗
性向上のだめの保護層が要請されている。
中でも、保護すべき基体と熱膨張の累々る保護層を設け
たり、あるいは室温程度の低温度下で均質々保護層を形
成する技術が、特に強く要請されている。
しかしなから、従来の技術による保護膜は、これらの要
請に対して、特性的にも経済性からも不充分であった。
本発明者等は新規な構成と構成材料を見つけることによ
り、これらの要請に対応できる新規彦保護膜構造を発明
した。
発明の目的 本発明は、基体の耐湿性を高め、機械的強度の高い保護
膜構造体を得ることを目的とする。
発明の構成 本発明は、基体を緻密な硬質無機材料からなる保護層で
被覆し、かつ基体と保護層の界面に接着層を設けたもの
である。
実施例の説明 本発明の基本構造を第１図の１０に示す。第１図におい
て、本発明の一実施例にかかる保護膜構造体１０は、基
体１１の一部又は全面を少なくとも緻密な硬質無機材料
からなる保護層１２で被覆されており、さらに上記基体
１１を有機物で構成し、かつ保護層１２と基体１１の界
面に接着層１３５　ページ を設けたこ七を特徴としている。
この種の構造において、例えば、機能性材料、例えば光
センサ薄膜１６が基体１１の裏面１４に設けられておシ
、例えば大気からの水分１５の光センサ薄膜１６への到
達を保護膜構造にょシ遮断している。
この種の構造において、基体の材料は、成形性あるいは
可撓性をもたすという必要から、有機材料例えばフィル
ムあるいは板状のアクリレートポリスチレン、ポリカー
ボネイト、ポリエチレン。
マイラー、塩化ビニール々どがしばしば用いられる。一
方、表面の保護層１２は、耐湿性あるいは機械的強度の
点から、有機材料よりも無機材料の方が、本質点に有効
であることがわがっているが、例えば、無機材料の保護
膜として広く知られている石英ガラスを用いようとして
も、基体との熱膨張率や機械的強度の太き々差により保
護層と基体との接着性が弱いため実用にならない。
従来、この種の構成で、接着性を高めるため、保護層と
基体との界面に、例えば、有機被膜がら６　ページ なる接着層を設けることが、例えば、アルミニウム金属
膜を樹脂の上に付着させるために用いられていた。アル
ミニウムは、無機材料中では軟い材料で、有機材料の基
体に付着することは、自然と考えられるが、アルミニウ
ムよりはるかに硬い硬質無機材料例えば窒化シリコン、
炭化シリコンなどを保護層に用いても到底付着しないと
考えられていた。
しかるに、本発明者らは、この種の有機材料を用いた基
体に付着させる場合においても、表面保護層の構成と材
料および表面保護層と基体との界面の接着層の構成と材
料を選ぶことにより、接着性の高い有効々保護層が実現
できることを確認しこれにより、実用上有効な保護層の
構造を発明した。
す々わち、上記接着層１３として例えばポリウレタン系
の薄層を用い、保護層１２としてシリコン窒化物あるい
は酸素原子を含むシリコンオキシナイトライド薄膜を用
いると例えば湿度雰囲気での基体１１の吸水量が著しく
減少することを確認７　・＼ した。
なお、基体１１の耐熱性は、１００’Ｃ程度であるから
、シリコン窒化物薄膜は例えばスパッタ法あるいけプラ
ズマＣｖＤ（化学的気相蒸着）法で、例えば１００’Ｃ
以下の低温で形成する。この場合、シリコン窒化物薄膜
は非晶質であり、化学組成は半導体ＩＣのプロ十スに広
く用いられているＳｉ３Ｎ４　に一致する必要はなく、
シリコン−窒素の結合成分が含まれていれば、シリコン
あるいは窒素のいずれかが過剰であっても、有効である
ことを本発明者らは確認した。
接着層１３の厚さは、０．１〜１０１１ｍ程度の範囲を
用いたが、接着層１３がこれ以上に厚く彦ると、保護層
１２の平面の平滑性が失われるので、実用性に欠く。ま
た、この範囲以下に薄くなシすぎると、付着性の均一さ
か失われることを確認したか、接着層１３は、基体１１
より軟かく、可焼性が犬でかつ保護層１２とのぬれがよ
ければよく、ポリウレタン系以外にも、広範囲の有機材
料を用いることができる。
本発明の内容をさらに深く理解されるために、以下具体
実施例により説明する。
実施例１ 厚さ５騎の表面および裏面が平滑なポリカーボイト基板
を基体１１に用いた。ポリカーボネイ）・基板は基材中
或いは表面に吸着している水分を除去するため例えば９
０’Ｃで１０時間熱処理した。
上記基体全面にスピンコード法により、ポリウレタン系
の熱硬化樹脂を、厚さ２μｍ付着させ、８０’に　、　
１　ｏ時間熱硬化して接着層１３を形成した。次に、プ
ラズマＣＶＤ法で基体を８０℃に保って厚さｏ、３ｔｔ
ｍのシリコン窒化物薄膜からなる保護層１２を設け、保
護膜構造体１０を形成した。
上記ポリカーボネイト基板を湿度雰囲気中（ｓｏ″Ｃ。
８５％ＲＨ）で、５０ｈｒ放置し、保護層なしの場合と
ポリカーボネイト板の吸水量を比較すると、保護層あり
の場合は０．０１％以上なのに対し、保護層外しでは０
．２％以上であった（第３図）。
実施例２ 実施例１の保護膜１２上に、さらに、破水性の９　ベー
ジ 表面層として、厚さ１００人程鹿のシリコン炭化物薄膜
２１を、プラズマＣＶＤ法で形成して保護膜構造体２０
とした。形成時の温度はａ　Ｏ’Ｃに保った。シリコン
炭化物薄膜２１からは、電子線回折像は得られず非晶質
であったが、シリコンと炭素との結合を示す赤外線吸収
スペクトルが得られた。また、表面の電気抵抗の湿度雰
囲気中の変化を測定したが、９０′Ｃ９５％ＲＨにおい
ても、乾燥時と変化なく、長幼な破水性を示した。この
場合、ポリカーボネイト板の吸収量の湿度雰囲気中での
変化は、シリコン炭化物表面層がない場合に比べてＡ以
下になった。
以上の実施例からも理解されるごとく、本発明にかかる
保護膜構造体は、硬度および膨張率の相異々る基体と保
護層１２を有効に接着させ、基体の耐湿性を高めるとと
もに、保護層１２が緻密でかつ、機械的強度を高める効
果もある。
なお、保護層１２の厚さは、基体１１に設けられた機能
材料の要求特性によって最適値が決まるから、本実施例
の範囲に限られたものではない。
１０　ペー／ また、保護層１２の化学組成は、例えば、シリコン窒化
物が主成分であって、これに酸素、炭素々とが加わった
多成分系でも同称の効果が得られる。
この場合、保護層１２と接着層１３の界面１６の近傍で
は、保護層１２の酸素濃度を高めシリコン酸化物が主成
分であった方が、接着性がより高ｌる。なお、保護層１
２の厚さが薄く、例えば１００人〜０．３μｍ程度では
、シリコン酸化物が接着層１３０作用することを本発明
者らは確認した。この場合、例えば、シリコン酸化物以
外にも同様の効果を示す材料があし、例えば酸化錫、酸
化インジュウム、酸化鉛、酸化チタンなどの金属酸化物
が有効であることも、本発明者らは確認した。
以上の説明では、基体を有機物の場合について示したが
、第１図の構造体さらに表面層を破水性薄膜で構成した
多層構成は、基体が金属半導体ガラス、セラミックスな
どの無機材料の場合でも有効で、本発明にかかる保護層
の有効の範囲は広く、半導体素子や電子部品のみならず
例えば光デイスク板、ｘｉ気メモリ板、磁気テープ、光
センサア１１　べ−７ レイなど大面積の保護膜として広く実用され、その工業
上の利用価値は高い。
第４図に本発明を光ティスフ板に応用した場合の例を示
している。２２は例えばポリカーボネイト板、２３はＴ
ｅｏｘやＴｅｃ等を用いた記録層、２４けレーザ光の案
内溝、２５け本発明の保護膜構造体である。
発明の効果 以上のように本発明は、基体の一部又は全面を緻密な硬
質無機材料からなる保護層で被覆するとともに、上記基
体と保護層の界面に接着層を設けた保護膜構造体である
ので、硬度および膨張率。
相異なる基体と保護層を有効に接着させ、基体の耐湿性
を高めるとともに保護層が緻密でかつ、機械的強度を高
めるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例にかかる保護膜構造体の断面
図、第２図は本発明の他の実施例の保護膜構造体の断面
図、第３図は本発明による保護膜の吸湿特性を示す図、
第４図は本発明の光デイスク板への応用例を示す図であ
る。 １１・・・・基体、１２・・・・・・保護層、１３・・
・・・・接着層、２１　・・・・表面破水層、２２・・
・・・・有機基板、２３・・・・記録層、２４・　・レ
ーザー光案内溝、２５　・・・・保護膜構造体。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）基体の一部又は全面を緻密な硬質無機材料からな
    る保護層で被覆するとともに、上記基体と保護層の界面
    に接着層を設けたことを特徴とする保護膜構造体。 （２）基体をアクリレートポリスチレン、ポリカーボネ
    ート、マイラー、ポリエチレン、塩化ビニール等の有機
    高分子材料で構成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第１項記載の保護膜構造体。 （３）保護層が、シリコン窒化物、シリコンオキシナイ
    トライド、シリコン炭化物を含む薄膜で構成されたこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の保護膜構造体
    。 （４）接着層の硬度が少なくとも保護層より小さいこと
    を特徴とする特許請求の範囲第３項記載の保護膜構造体
    。 （６）接着層が、基体より可焼性の大なる有機物被膜で
    構成したことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の
    保護膜構造体。 （７）保護層の表面に破水性の表面層を設けたことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の保護膜構造体。 （８）保護層を少なくともシリコン炭化物薄膜で構成し
    たことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の保護膜
    構造体。 （９）保護層の表面を、さらに有機被膜で保護したこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の保護膜構造体
    。 （１０）基体をポリカーボネイトで構成し、少なくとも
    保護層を低温プラズマＣＶＤで形成したシリコン窒化物
    薄膜或いはシリコンオキシ・ナイトライドで構成したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の保護膜構造
    体。 （１１）表面層が、シリコン炭化物を含む層で構成され
    た事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の保護膜構
    造体。 （１２）接着層として無機薄膜を用いた事を特徴とする
    特許請求の範囲第１項記載の保護膜構造体。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4935312A (en) * 1987-06-25 1990-06-19 Nippon Mining Co., Ltd. Film carrier having tin and indium plated layers
JP2542647B2 (ja) * 1987-11-23 1996-10-09 太陽誘電株式会社 光情報記録媒体
US5505808A (en) * 1989-02-02 1996-04-09 Armstrong World Industries, Inc. Method to produce an inorganic wear layer
US5096742A (en) * 1990-01-09 1992-03-17 Hoechst Celanese Corporation High temperature, high humidity stabilization process for optical information storage media containing polycarbonate substrates
US5136274A (en) * 1990-02-01 1992-08-04 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Humidity sensor
US5107989A (en) * 1990-02-05 1992-04-28 Conductive Containers, Inc. Container for protecting electronic components from static charges
US5188876A (en) * 1990-04-12 1993-02-23 Armstrong World Industries, Inc. Surface covering with inorganic wear layer
TW214603B (en) * 1992-05-13 1993-10-11 Seiko Electron Co Ltd Semiconductor device
FR2737835B1 (fr) * 1995-08-09 1997-10-17 Matra Defense Circuit electronique a micro-composants encapsule et procede de demontage d'un tel circuit
DE19854733A1 (de) * 1998-11-27 2000-05-31 Heidenhain Gmbh Dr Johannes Abtasteinheit einer Positionsmeßeinrichtung
JP4177993B2 (ja) * 2002-04-18 2008-11-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
JP4581011B2 (ja) 2008-01-25 2010-11-17 株式会社東芝 電気部品とその製造方法
CN112996945B (zh) * 2018-07-10 2024-04-05 耐科思特生物识别集团股份公司 用于电子设备的热传导及保护涂覆件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766541A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Optical disk
JPS58111141A (ja) * 1981-12-23 1983-07-02 Fujitsu Ltd 情報記録媒体
JPS5965949A (ja) * 1982-10-05 1984-04-14 Canon Inc 光学的記録要素
JPS6199950A (ja) * 1984-10-19 1986-05-19 Hitachi Ltd 光学記録部材

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1771793B1 (de) * 1968-07-11 1971-01-21 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren zur Herstellung von gegen Temperaturschwankungen bestaendigen,abriebfesten,transparenten oxidischen Schutzschichten auf thermoplastischen Kunststoffen durch Vakuumaufdampfen
US4187344A (en) * 1978-09-27 1980-02-05 Norton Company Protective silicon nitride or silicon oxynitride coating for porous refractories
DE3039821A1 (de) * 1980-10-22 1982-06-03 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Mehrschichtsystem fuer waermeschutzanwendung
JPH0680541B2 (ja) * 1982-02-22 1994-10-12 株式会社日立製作所 情報記録媒体
WO1984002289A1 (en) * 1982-12-17 1984-06-21 Burroughs Corp Coated media for optical recording and associated coating techniques
JPS59188856A (ja) * 1983-04-12 1984-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd レ−ザ−記録媒体
JPS59198544A (ja) * 1983-04-26 1984-11-10 Daicel Chem Ind Ltd 光学式情報記録デイスク

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5766541A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Optical disk
JPS58111141A (ja) * 1981-12-23 1983-07-02 Fujitsu Ltd 情報記録媒体
JPS5965949A (ja) * 1982-10-05 1984-04-14 Canon Inc 光学的記録要素
JPS6199950A (ja) * 1984-10-19 1986-05-19 Hitachi Ltd 光学記録部材

Also Published As

Publication number Publication date
US4770923A (en) 1988-09-13
EP0182371A3 (en) 1987-12-09
EP0182371A2 (en) 1986-05-28

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