JPH0440645A - 光ディスク - Google Patents

光ディスク

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JPH0440645A
JPH0440645A JP2146307A JP14630790A JPH0440645A JP H0440645 A JPH0440645 A JP H0440645A JP 2146307 A JP2146307 A JP 2146307A JP 14630790 A JP14630790 A JP 14630790A JP H0440645 A JPH0440645 A JP H0440645A
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JP
Japan
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film
substrate
hygroscopic
hygroscopic film
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Yoshinori Suzuki
鈴木 吉範
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Mitsubishi Chemical Corp
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Mitsubishi Plastics Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。第1図
に示すように、溝幅0.6μm、溝深さ700人、溝ピ
ッチ1.6μmのスパイラル溝が形成された直径130
mm、厚さ1.2mmのポリカーボネート(以下、pc
と略す)基板1の一方の面にSin、。
SiN、などからなる厚さ0.07μmの干渉膜(無機
保護膜) 2 、 TbFeCoからなる厚さ0.08
1t rnの光磁気記録膜3,5iOyからなる無機保
護膜4を順次スパッタ法により形成し、該無機保護膜4
の上に低吸湿性膜5と高吸湿性膜6とをそれぞれ紫外線
硬化型樹脂をスピンコード法により所定の膜厚で形成し
て片面光ディスクを作製した。
上述した低吸湿性膜5の形成材料としては、その吸水率
が0.4%未満であるものが選ばれるが、吸水率の条件
を満たす範囲で無機物、有機物のいずれも使用できる。
本実施例では紫外線硬化型樹脂を用いた。ここでの吸水
率はJIS K 7209に準拠したもので、試験対象
物の吸水前の質量と、この対象物を23±2℃の水中に
24±1時間浸漬して吸水させた後の質量増加分との比
の百分率である。
また、低吸湿性膜5に、吸水率が0.4%未満である材
料を用いたのは、基板材料として好適に用いられるPC
,PMMA、エポキシなどの樹脂の吸水率(順に0,1
5%、030%、 0.15%)がいずれも04%未満
であり、これらの吸水率の近傍であれば基板の両面にお
ける湿度環境をほぼ同程度に制御できるからである。
また、高吸湿性膜6の形成材料としては、その吸水率が
0.4%以上のものが選ばれるが、吸水率の条件を満た
す範囲で無機物、有機物のいずれも使用できる。本実施
例では低吸湿性膜5と同種の紫外線硬化型樹脂を用いた
ここで、低吸湿性膜5の上に高吸湿性膜6を設けたのは
、光デイスク周辺における湿気の大半を高吸湿性膜6に
より吸収して外部の湿気の一部のみを高吸湿性膜6を介
して低吸湿性膜5へ浸透させ、この低吸湿性膜4により
基板表面の湿度環境を所定の水準に保持するためである
なお、これら低吸湿性膜5および高吸湿性膜6の各膜厚
は、樹脂の塗布量、スピンコード回転数およびスピンコ
ード時間などを制御することにより任意に設定すること
が可能である。
本実施例における低吸湿性膜上 膜6の吸水率(%)!3よび膜厚(μff1)を表1に
示した。
表  1 表1における吸水率はJIS K 7209に準拠して
、24℃の水中に24時間浸漬し、紫外線硬化型樹脂の
元の質量と吸水前後の質量増加分との比から求めた。
層厚は紫外線硬化型樹脂塗布前後の厚み差をマイクロゲ
ージにて測定した結果である。
このようにして作製した2枚の片面光ディスクのうち一
方を実施例とし、他方から高吸湿性膜6を除去したもの
を比較例とし、これらに対してそれぞれ温湿度ジャンプ
試験を施した。
この温湿度ジャンプ試験はまず光ディスクを35℃、8
0%RH雰囲気中に50時間放置し、その後、50℃、
50%RH雰囲気に移したときの傾き角[mrad]の
経時変化を測定するものである。傾き角の測定はISO
規格DP−10089に準拠した評価装置により行なっ
た。
測定結果を第2図に示す。
第2図より、比較例では環境の変化に伴い、初期の傾き
角1.8mradからの変化量が約5.0mradと非
常に大きく、一方、実施例では初期の傾き角2、6mr
adからの傾き角の変化が約1.5mradと小さいこ
とがよくわかる。
これは、比較例では光磁気記録膜と反対側のPC基板表
面の吸湿−脱湿による応力によりディスクが可逆的に太
き(変化してしまうが、実施例ではPC基板の両面にお
いて湿度環境のバランスが保たれているためと考えられ
る。
なお、上述した実施例では、プラスチック基板としてポ
リカーボネート(pc)を用いたが、ポリメチルメタア
クリレート(PMMAI、エポキシなどの透明樹脂も基
板材料に好適であり、これらの樹脂を用いた場合でもこ
れらの樹脂からなる基板上の光磁気記録膜(情報記録層
)上に吸湿性膜を設けることにより環境変化に耐え得る
光ディスクを得ることができる。
また、上述した低吸湿性膜5および高吸湿性膜6を設け
た2枚の片面光ディスクの基板同士を貼り合わせて作製
した両面ディスクにおいても、吸湿性膜により基板周囲
の湿度環境をバランスよく維持できるので、基板の反り
、変形等がなく記録膜の剥離、クラックの発生が少ない
高耐久性、高信頼性のものとなる。
[発明の効果1 以上説明したように、本発明によれば吸湿性のあるプラ
スチック基板上に設けられた情報記録層側に低吸湿性膜
および高吸湿性膜を設けたので、両吸湿性膜により基板
の反り量変化を小さ(抑えることができ、長寿命、高信
頼性の光ディスクを提供することができる。
3・・・光磁気記録膜、 4・・・無機保護膜、 5・・・低吸湿性膜、 6・・・高吸湿性膜。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す概略断面図、 第2図は、本発明の一実施例に対して温湿度ジャンプ試
験を行なったときの傾き角[mrad]の経時変化を示
すグラフである。 1・・・プラスチック基板、 2・・・干渉膜、

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)プラスチック基板の一面に情報記録層が形成された
    光ディスクにおいて、前記情報記録層上に低吸湿性膜が
    形成され、さらに該低吸湿性膜上に高吸湿性膜が形成さ
    れたことを特徴とする光ディスク。 2)前記低吸湿性膜の吸水率は前記プラスチック基板の
    吸水率の近傍であることを特徴とする請求項1記載の光
    ディスク。 3)前記低吸湿性膜の吸水率が0.4%未満であり、前
    記高吸湿性膜の吸水率が0.4%以上であることを特徴
    とする請求項1記載の光ディスク。
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