JPS61123138A - 位置合せ信号検出装置 - Google Patents

位置合せ信号検出装置

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JPS61123138A
JPS61123138A JP59243515A JP24351584A JPS61123138A JP S61123138 A JPS61123138 A JP S61123138A JP 59243515 A JP59243515 A JP 59243515A JP 24351584 A JP24351584 A JP 24351584A JP S61123138 A JPS61123138 A JP S61123138A
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JP
Japan
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polarization
polarized light
light
inclination
slit
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JP59243515A
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English (en)
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Hideki Ine
秀樹 稲
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Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7065Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えば半導体焼付装置におけるマスクとウェ
ハのような2物体を整合するために用いられる位置合せ
信号検出装置に関する。
[発明の背景] 半導体焼付装置等に用いられる位置合V装置においては
、走査面上にアライメントマークを有するマスクとウェ
ハとを重ねて配冒し、これらのアライメントマークをレ
ーザビームにより走査し、各マークの位置を検出するこ
とによってマスクとウェハとの位置関係を検出している
この場合、マスクのアライメントマークMは、第4図(
a)に示すように走査線A上で平行な関係にある第1.
第2のエレメントマークM1.M2と、これらのマーク
M1 、M2とは走査線Aに対し逆向きに傾けられ、か
つ相互に平行な第3゜第4のマークM3 、M4とを、
走査線Aに対しそれぞれ角度θとして配置した構成であ
る。また、ウェハのアライメントマークWは、同図N)
)に示すように第1.第2のエレメントマークW1゜W
2を互いに逆向きに傾けると共に、走査線Aに対しそれ
ぞれ角度θとした構成であって、アライメントマークM
とWとを同図(C)に示すように重ね合せてマスクとウ
ェハとの相対的な位置合せを行なうわけである。
この状態において、光走査機構を用いてレーザビームで
アライメントマークM、W上を走査線へに沿って走査す
ると、レーデビームは各マークM。
Wにより散乱され、受光部ではその散乱光に基づいて第
4図(d)に示すような各エレメントマークM1 、W
l 、M2 、M3 、W2 、M4の位置に相当する
走査位置にパルス信号が得られる。このパルス信号をコ
ンパレータにより適当なスレッシホールド電圧でスライ
スし、同図(e)に示すような矩形波形のパルス列を求
め、このパルス列の時間的な間隔からアライメントマー
クM、W同士の位置関係を算出して各マークM、Wの相
対的な偏位量を判定し、駆動系による位置合せ、すなわ
ち整合を行なうのである。
従来、このレーザビームの走査は、特開昭53−908
72号に記載されているように、スポット光で行なって
いた。しかし、塵埃や、アライメントマークM、Wを形
成するアルミニウムの粒子が走査線上に点在したり、ア
ライメントマークM、Wの一部が欠落している場合等に
、整合の失敗あるいは整合精度の低下等を沼来するとい
う欠点を有していた。
このようなスポット光走査による欠点を解消する試みは
種々なされており、例えば本出願人の出願に係る特開昭
58−82248号には、アライメントマークM、Wを
シートビーム(走査面上でスリット状に細長く延びた照
明域を形成するビーム、以下、スリット状ビームともい
う)で走査することを述べている。そして、このシート
ビームによる帯の広い走査によって走査線上の塵埃やマ
ークの欠陥はスポット状ビームのそれに比して遥かに軽
減される。しかし、シートビームは、傾きを検出ずべき
マークMl 、 Wl 、 M2 、 M3 、 W2
 、 M4それぞれの傾き角に合致させて切換える必要
があり、上記出願の一実施例ではシートビームを形成す
るためのシリンドリカルレンズを1走査ごとに機械的に
交換してシートビームの傾きを切換え、1回目の走査で
マークMl 、Wl 、M2を、2回目の走査でマーク
M3 、W2 、M4をというように一連のアライメン
トマークM、Wの検出を2回の走査で行なっている。従
って、マーク検出速度が遅いという不都合があった。
また、特開昭59−99921号ではアライメントマー
りM、Wを構成するエレメントマークMl 、 Wl、
M2およびM3 、W2 、M4の各傾き角に合致する
2個のシートビームをX字状に交差ざUたビームで走査
すること(以下クロスビーム方式という)が述べられて
いる。しかしながら、この出願の一実施例では傾きの異
なるマークMl 、Wl 。
M2とM3 、W2 、M4とを識別するためにそれぞ
れ定められた偏光状態のシートビームを使用するため、
適用装置や走査光学系の設計上ではその分自由度が少な
くなる。
例えば、特にマスク(またはレチクル)とウェハとの間
に投影光学系が介在する露光装置においては、マスクか
ら直接反射される光MOとマスクで回折してウェハに達
し、ウェハで反射される光MWとを同時に検出すると、
マークM1〜M2に対応する第4図(d)の検出信号の
振幅が変動し、位置検出の精度を低下させたり、誤動作
の原因となる。これは、露光光の熱等によるマスクとウ
ェハとの間の光路状態の僅かな変化によっ−U M D
とMWとの位相関係が変動するためである。そこぐ、こ
のような露光装置においては、信号MDとMWとを分離
するために偏光を用いる方法が本出願人により提案され
ている。口の方法では偏光MDとMWに分けるために利
用しているので、偏光状態の異なる2つのシートビーム
を照射する上記のクロスビーム方式は適用できない。
また、このクロスビーム方式を適用する場合、7−り走
査光をマークからの反射光の光軸と一致させ、かつマー
クからの反射光を分離するためにハーフミラ−を用いる
が、この場合、レーザ光源から発されたレーザビームは
、マークを照射する11f1にハーフミラ−で半分にな
り、さらにマークからの反射光が走査光と分離する際に
半分になって、結局、マーク検出にはレーザ出力の1/
4相当分しか利用できない。従りC、レーザ出力が同一
であれば、検出信号のS/N比が低下し、位置検出精度
の低下や誤動作の可能性が高くなる。加えて、マークか
らの反射光の約1/2がレーザ光源に帰還されるため、
この帰還レベルが高ければレーザ光源の出力レベルや発
振周波数が変動する等の問題もある。
そこで、本出願人による特願昭58− 48091号で
は、マークM1 、Wl、M2およびM3 、 W2 
M4の各傾き角に合致する2個のシートビームを間隔を
開けて走査すること(以下ハの7方式という)が述べら
れている。しかし、このハの7方式のものは、偏光方向
設定の自由度は保有しているものの、し〜ザ出力を2分
割して同時に2つの傾き方向のシートビームを形成して
いるため、各アライメントマークの検出に寄与するのは
レーザ出力の1/2だけである。従って、上述と同様に
レーザ出力が同一であれば検出信号のS/N比か低下す
るという不都合がある。
[発明の目的] 本発明は、上述の従来形にあける問題点に鑑みてなされ
たもので、位置合せマークによる物体の位置を高精度に
かつ能率良く検出でき、特に投影光学系を介して露光を
行なう装置に好適な位置合せ信号検出装置を提供するこ
とにある。
[発明の概要J 上記目的を達成するため本発明では、レーザ等の@光発
生手段から出射される偏光を、第1の電気的偏光面回転
素子を透過させてその偏光方向を切換制御し、$1の偏
光ビームスプリッタにより偏光方向に応じて別々の光路
に導き、それぞれの光路で各位置合せマークの傾き方向
の各一方に相当するシートビームに加工し、これらの傾
き方向の異なるシートビームの出射方向を第2の偏光ビ
ームスプリッタによって再び一致させ、さらに第1の偏
光面回転素子と連動する第2の電気的偏光面回転素子で
偏光方向を一致させた上で位置合せマーク上を走査する
ようにしている。
し実施例の説明] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は位置合せ信号検出装置の光学系の構成図を示?
io同図において、1はマスク(またはレチクル)、2
Gよウェハであって、ウェハ2はウェハステージ3上に
載置されている。4は投影レンズで、内部に不図示の1
/4波長板を備えている。
マスク1とウェハ2上には、第4図(a)、(b)に示
す、アライメントマークM、Wが描かれており、これら
は、投影レンズ4を介してマークMをウェハ2上に投影
し、またはマークWをマスク1上に逆投影したとき、第
4図(C)に示すように互いに重なり合う状態で配置さ
れている。5はこの装置全体の動作を所定のシーケンス
に従って制御する制御部である。
10はレーザ光源であり、所定の偏光例えば偏光面が紙
面に対して水平なP偏光を発生する。11は印加される
電圧に応じて入射光の偏光面を゛回転させる第1の電気
光学的偏光面回転素子で、制御部5から電圧が印加され
ないときはレーザ光源10からのP偏光をそのまま出射
し、一方、it’ll fi1部5から所定の電圧が印
加されたときはレーザ光aioからのP偏光の偏光面を
90°回転させて偏光面が紙面に垂直なS偏光として出
射づる。す゛なわち、この偏光面回転素子11はある電
圧(以下、半波長電圧という)が印加された状態でのみ
λ/2板として機能する。この偏光面回転素子11とし
ては、例えばモトローラ社から9065の製品名でシャ
ッタ用として市販されている電気光学セラミックス(P
LZT)で、両面にくし形電極を有するものを使用する
ことができる。PLZI 9065の半波長電圧は、規
格値を基に締出すると556.8 (v )である。
この偏光面回転素子(以下、PLZTという)11から
出射される偏光の進路に沿って、Pi!!光を透過しS
偏光を反射することにより偏光を2つの光路のいずれか
に択一的に分岐する第1の偏光ビームスプリッタ12、
第1の偏光ビームスプリッタ12を透過したP偏光の光
路を構成する反射ミラー13および第1のシリンドリカ
ルレンズ14、第1の偏光ビームスプリッタ12で反射
されたSS光の光路を構成する反射ミラー15および第
2のシリンドリカルレンズ16、P偏光を透過しS偏光
を反射することにより上記2つの光路を経て入射するP
またはSN光を同一方向に出射する第2の偏光ビームス
プリッタ11、その偏光面回転能をPLZTllと同期
して制御されることにより入射偏光の偏光面を同一方向
に一致させて出射する第2の電気的偏光面回転素子(P
LZT)18、結像レンズ19、ならびに回転多面鏡2
0が配置されている。なお、上述において、PLZT1
8としてはPLZTllと同様の上記PLZT9065
を使用することができる。また、上記第1のシリンドリ
カルレンズ14および第2のシリンドリカルレンズ16
は、その集光能力を持つ軸が紙面に対し45度傾くとと
もに互いに直交している。
さらに、この回転多面1t20により偏向走査されたレ
ーザビームLの光軸に沿って、f−θレンズ21、フィ
ールドレンズ22、およびレーザビームしを2つの方向
に分けかつ直交方向に反射させ走査角に従って順次に偏
向するためのダハプリズム23が構設されている。また
、このプリズム23の両側には対称的に2系列の光学系
が設けられており、偏向されたレーザビームLの進行順
に沿って、レーザビームLを偏向する反射ミラー24a
 、 24b、復路の反射光を光電検出光学系に導光す
るための偏光ビームスプリッタ25a 、 25b 、
中間レンズ26a 、 26b 、絞り27a 、 2
7b 、対物レンズ28a。
28bがそれぞれ配置されている。
また、復路において偏光ビームスプリッタ25a。
25bにより分離される反射光の光軸上には、対称的に
それぞれ結像レンズ30a 、 30b ;中央部のみ
を尊光部とした部分遮光板31a 、 31b 、コン
デンリ°レンズ32a 、 32b 、光電変換器33
a 、 33bがそれぞれ配列され、これらにより左右
対称の2系列の光電検出系が形成されている。
第1図における制御部5は、光電変換器33a。
33tlで得られた出力信号を基に走査面上でレーザビ
ームLの傾き制御を行なうもので、第2図に示すように
、波形整形回路51、計数回路52、時限回路53、演
算回路54、制御回路55および駆動回路56を置端し
ている。光電変換器33a 、 33bの出力は波形整
形回路51および計数回路52を経て制御回路55に接
続されている。制御回路55には時限回路53の出力も
接続されており、制御回路55の出力は駆動回路56を
経由してPLZTIIおよび18に接続されている。ま
た、演算回路54には波形整形回路51で得られたパル
ス信号が出力され、演算回路54において整合状態が演
算される。
本発明の実施例は上述の構成を有するのぐ、P   “
LZTIIおよび18に電圧が印加されていなければ、
レーザ光源10から出射したP偏光1−0は、PLZT
llで偏光面を回転されることなくそのままP偏光とし
て出射され、偏光ビームスプリッタ12を透過し、反射
ミラー13で図上左向きに折り曲げられ、第1のシリン
ドリカルレンズ14によりスリット状のビームL1とさ
れ、第2の偏光ビームスプリッタ15に入射してここを
透過し、ざらにP L Z T 18および結像レンズ
19を経て多面鏡20の振れ原点Bに入射する。一方、
PLZTllおよび18に電圧が印加されていれば、レ
ーザ光源10から出射したP偏光1oは、PLZTII
で偏光面を90”回転されてS偏・光となるため偏光ビ
ームスプリッタ12で反射され、さらに反射ミラー15
で図上下向きに折り曲げられる。反射ミラー15で反射
されたS−尤のレーザビームは、第2のシリントリ・カ
ルレンズ16により、ビームL1と互いに直交する方向
のスリット状ビームL2となり、第2の偏光ビームスプ
リッタ11に入射し、ここでビームL1と同一の光幀十
を同一方向に反射されるが、今度はP L Z T18
に電圧が印加されCいるのでこのP L Z T 18
により偏光面を90°回転されてP偏光とされた後、ビ
ームL1と同様、結像レンズ19を経て多面R20の撮
れ原点Bに入射する。
回転多面鏡20により偏向走査されたレーザビームしす
なわちLlは、中間レンズ21.22を通過した後にプ
リズム23の端面23aに入射し、ここで左方向に漏向
され、さらに反射ミラー24aにより下方向に偏向され
る。そして、全光量が偏光ビームスプリッタ25a、中
間レンズ26a、絞り27aおよび対物レンズ28aを
介してマスク1上の一点に結像し、さらに投影レンズ4
によって再びつ1ハ2上の一点に結像する。ここで、マ
スク1上に結像するビームは直線偏光であるが、ウェハ
2上に結像するビームは投影レンズ4内の1/4波長板
を通過する際、円偏光に変換されている。
マスク1およびウェハ2上に結像したこれらのビームは
、第3図<a>に示す!のように、アライメントマーク
Ml 、Wl 、M2と甲行なスリット光としてマスク
143よびつ」−ハ2の面トの第1のアライメントマー
ク群を照射することになる。
この状態においてスリット光Jが走査線△に治って右方
向に走査されると、先ず、7ライメントマ一クM1 、
Wl 、M2に対応する位置C散乱が生じ、充電変換器
33aの出力として第3図(b)に示す出力信号31.
82.83が得られる。この場合、出力信号S2は、ウ
ェハ2上に結像したスリット光(円偏光)JのマークW
1における散乱反射光が、第1図の投影レンズ4内の1
/4波長板を通過する際、S偏光に変換され、対物レン
ズ28a1絞り21a、中間レンズ26aの復路を戻り
、偏光ビームスプリッタ25a ′c反射され、8らに
結像レンズ30a、部分遮光板31a 、:]ンデンサ
レンズ32aを経由して光電変換器33aに入射するこ
とにより得られる。一方、出力信号S1.33は、マス
ク1上に結像したスリット光(直線偏光)lのマークM
l 、M2における散乱回折光が、第1図の投影レンズ
4内に入り、円偏光に変換され−Cウェハ2面上に結像
され、ここで反射されて上述のマークWの散乱光と同じ
復路を辿ることにより得られる。なお、マスク1上に結
像したスリット光(直II−光)Jのアライメントマー
クM1.M2における散乱光の成分には、上記の散乱回
折光の他に、マスク1上から対物レンズ28aないし偏
光ビームスプリツタ25a方面に戻る直接反射光MDが
あるが、この直接反射光MDは、入射したとき園光方向
と同じ状態のまま偏光ビームスプリッタ2Saに入射す
るため、ここを透過して光電検出系には侵入しない。
上述において、スリブi・光1は、アライメントマーク
Ml ; Wl 、M2にほぼ重なることにより検出す
るので、従来の単なるスポット光よりもその検出感度は
高く検出精度は良好となる。また、マスク1の平滑面を
透過し、さらにウェハ2の平滑面で反射された非散乱光
は部分遮光板31aの中央部に結像し、ここで遮光され
光電変換器33aに至り達することはない。
これらの光電変換器33aの出力信号31 、32 。
S3は、それぞれ波形整形回路51に入力し、ここで一
定レベルでカットされたクロスポイント位置をパルス幅
として、第3図(C)に示すように矩形波状パルスPi
 、P2 、P3に整形される。このパルスPI 、P
2 、P3による出力は、計数回路52および演算回路
54に送信され、計数回路52では所定数のパルスすな
わち3gのパルスを計数すると制御回路55に信号を送
信する。また、この制御回路55へは時限回路53から
第3図(d)に示す予め設定された時間における時間幅
Hの出力下が送信される。制御回路55は第3番目のパ
ルスP3が所定の時間H内にあることを確認すると、駆
動回路56に傾き切換信号を発してPL7T11LBよ
び18に半波長電圧を印加させる。これにより、PLZ
TIIは、レーザ光源10からのPII2光の偏光面を
90°回転してS偏光として出射し、偏光ビームスプリ
ッタ12は、このS偏光を反射することによりレーザビ
ームの光路を切換え、反射ミラー15を介して第2のシ
リンドリカルレンズ16に出射する。
第2のシリンドリカルレンズ16は、第1のシリンドリ
カルレンズ14に対して所定の角度で配置され(いるの
で、マスク1およびウェハ2Cのスリブ1−光の傾きは
変り、ンスク1F)よびウェハ2の面、irは第3図<
a>のノ′に示すようにアライメントマークM3 、W
2 、M4と平行な傾き方向に切換えられる。また、こ
のときは、PLZT18に6半波長電圧が印加されてい
るので1.第2のシリンドリカルレンズ16を経たSa
光は、PLZT18C゛1〕偏光に変換され、レーザビ
ームLの偏光方向は、その傾き角によらず一定である。
アライメントマークM3 、W2 、M4は、この傾き
切換後のスリット光1′で走査され、光電変換器33a
から第3図(b)に示す出力信号S4゜S5.S6が得
られ、波形整形回路51により第3図(C)に示すパル
スp4 、p5 、P6が求められ、第1のアライメン
トマーク群の検出が終了する。そして、演W回路54に
6いて先に検出したパルスPI 、P2 、P3ととも
に必要に応じて演算処理される。
一方、出力丁が送信されている状態においC1例えば第
3番目のパルスP3が検出されなかった場合、すなわち
アライメントマークM2が欠落したときには第3番目の
パルスP3が得られるべき時間Hの経過後に、制御回路
55は傾き切換(fi号を駆動回路56に発し、走査ス
リット光の傾きを切換えて前述と同様の検出を行なう。
この場合、パルスP3は欠落しているので、波形整形回
路51から演算回路54に送信されるパルスは第3図(
e)に示すようになる。
レーザビームLがきらに偏向走査されて、プリズム23
の側面23bに達すると、今度はビームしはプリズム2
3により右側に偏向され、反射ミラー24b、’1m光
ビームスプリッタ25b、中間レンズ26b、絞り27
b、対物レンズ28bを経てマスク1およびウェハ2の
面上の第2のアライメントマーク群を先の説明と同様に
検出することになる。
なお、7ライメントマーク検出に先立ってマーク位置を
模索する際は、一方のスリット光例えばLlだけで走査
すればよい。
1発明の効rA] 以上説明したように本発明に係る位置合せ濡号検出装置
は、下記の利点を有する。
■照明光を検出すべきマークの傾きに合せたスリット光
としているので、走査面上に存在する塵埃等からの散乱
光による影響を受は難い。
■1回の走査でスリット光の傾きを各マークの傾きに合
せて切換えるので、検出のための走査は1回で済む。す
なわち高速度の検出が可能である。
■漏光の偏光方向を偏光面回転素子で切換えることによ
り偏光ビームスプリッタで透過方向と反射方向どの2つ
の光路へ択一的に分岐させるようにしているため、所望
の傾き方向のスリット光を1¥成したり、被検出光を検
出光学系へ分岐する際の光量利用効率は、偏光ビームス
プリッタの透過もしくは反射率を無視すると、偏光面回
転素子の透過率を90%以上として81%以上となり、
従来のハの7方式の50%以下に比べると極めで高い。
■また、クロスビーム方式のものと比較した場合、位置
検出マークからの散乱光を検出するディテクタは、マー
クの傾き方向を検知する必要がないため簡略な構成で足
りる。
[発明の適用例] なお、本発明は上述の実施例に限定されることなく適宜
変形して実施することができる。例えば、上述の実施例
においては、本発明を縮小投影露光装置に適用した例に
ついて説明したが、本発明はミラープロジェクション方
式のような等箔糸の露光装置に適用できるのは勿論であ
る。また、10キシミティ方式やコンタクト方式のマス
クアライナのようにマスクとウェハとの間に投影光学系
が介在しない投影方式の露光装置であっても適用可能で
ある。この場合は、対物レンズ28a 、 28bとマ
スク1との間に1/4波長板を配置するようにすれば、
偏光ビームスプリッタ25a 、 25bによって往路
と復路とでレーザご−ムをほとんど無損失で分離するこ
とが可能となり、各傾き角ごとのビームを時分割で独立
しC出力していることとも併せてレーザ出力の利用効率
をさらに上げることができ、かつアライメント7−クか
らの反射光の光源側への帰還をほぼ零にすることができ
る。また、」jボに、13いては、7スク1■のアライ
メントマークM1 、M3からの回折光信号Sl 、3
3もつ]−ハ2からの反射光MWにより検出している。
しかし、この信号31.33としてはマスク1からの直
接反射光MDを検出する方がS/N比は良い。
この直接反射光MDは、第1図に示すように反射率の低
いハーフミラ−34a 、 34b 、 偏光ビームス
プリッタ35a 、 35b 、結像レンズ36a 、
 36b 、部分遮光板37a 、 37b 、 −]
ンデンサレンズ38a 、 38b 63よび光電変換
器39a 、 39bを配置することによりレーザ出力
の利用効率、を余り低モさせることなく検出することが
できる。
ざらに、本発明は、マスクアライナ以外の対象物例えば
印刷用原版等の位置合せにも適用可能Cある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例に係る位置合せ信号検出装置
の光学系構成図、第2図は第1図の装置の制御系のブロ
ック回路図、第3図は作動状態の説明図、第4図は従来
のアライメント7−クの検出方法の説明図である。 1:マスク、2:ウェハ、4:投影レンズ、5二制御部
、10:レーザ光源、ICl3:1Iii光而回転面子
、12.17.25a 、 25b : Q光ヒ−ムス
プリツタ、14.16:シリンドリカルレンズ、2〇二
回転多面鏡、33a 、 33b :光電変換器、51
:波形整形回路、52二計数回路、53:時限回路、5
4:演算回路、55:制御回路、56二駆動回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、傾き方向が2種類の複数個の細条状位置合せマーク
    を、その傾きが検出すべきマークの傾き方向と合致する
    ように切換えられるスリット状の光で走査することによ
    り検出する位置合せ信号検出装置において、上記スリッ
    ト状の光を発生する手段が、偏光発生手段と、該偏光発
    生手段から出力される偏光の偏光面を電気光学的に回転
    させる第1の偏光面回転素子と、該偏光面回転素子に与
    える電気量を制御して偏光方向の異なる2種類の偏光を
    切換え出力させる制御手段と、該偏光面回転素子から出
    力される偏光の一方を透過し他方を反射して各偏光を別
    々の光路に導く第1の偏光ビームスプリッタと、各光路
    に導入された偏光をそれぞれ上記2種類の傾き方向のそ
    れぞれに相当する傾きのスリット状に集光する集光手段
    と、各集光手段から出力されるスリット状の光を偏光方
    向に応じて一方を透過し他方を反射することにより同一
    方向に出力する第2の偏光ビームスプリッタと、上記第
    1の偏光面回転素子と連動して第2の偏光ビームスプリ
    ッタから出射される2種類の偏光の偏光方向を一致させ
    る第2の偏光面回転素子とを具備することを特徴とする
    位置合せ信号検出装置。 2、前記偏光面回転素子が、印加される電圧に応じて前
    記偏光発生手段から入力される偏光の偏光面を回転させ
    る電気光学セラミックスである特許請求の範囲第1項記
    載の位置合せ信号検出装置。
JP59243515A 1984-11-16 1984-11-20 位置合せ信号検出装置 Pending JPS61123138A (ja)

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JP59243515A JPS61123138A (ja) 1984-11-20 1984-11-20 位置合せ信号検出装置
US07/319,820 US4937459A (en) 1984-11-16 1989-03-06 Alignment signal detecting device

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