JPS6112683Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6112683Y2
JPS6112683Y2 JP1869480U JP1869480U JPS6112683Y2 JP S6112683 Y2 JPS6112683 Y2 JP S6112683Y2 JP 1869480 U JP1869480 U JP 1869480U JP 1869480 U JP1869480 U JP 1869480U JP S6112683 Y2 JPS6112683 Y2 JP S6112683Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin material
metal case
resin
electronic component
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1869480U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS56121292U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1869480U priority Critical patent/JPS6112683Y2/ja
Publication of JPS56121292U publication Critical patent/JPS56121292U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6112683Y2 publication Critical patent/JPS6112683Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本案は電子部品の封止構体の改良に関するもの
である。
一般にこの種封止構体は例えば第1図〜第2図
に示すように、セラミツク板などのプリント基板
Aに半導体素子B、抵抗、コンデンサなどを適宜
に固定すると共に、半導体素子Bの電極とプリン
ト基板Aのパツド部とを金属細線Cにて接続して
なる電子部品の金属ケースDに収納固定し、この
金属ケースDに、金属ケースDに対する密着性に
乏しいものの緩衝性に優れた第1の樹脂材例えば
シリコン樹脂Eを、電子部品が埋没されるように
注入すると共に、シリコン樹脂E上に、金属ケー
スDに対する密着性に優れた第2の樹脂材例えば
エポキシ樹脂Fを注入して構成されている。
ところで、この封止構体は電子部品がシリコン
樹脂Eにて被覆されている上、金属ケースDの開
口部がエポキシ樹脂Fにて封止されている関係
で、電子部品を振動、湿気などから充分に保護す
ることができるものである。
しかし乍ら、この封止構体は通常、80℃程度以
下の雰囲気下で使用されることが多いのである
が、時には150℃程度にまで温度上昇することが
ある。
ところがシリコン樹脂Eの線膨脹係数は約30×
105/℃、エポキシ樹脂Fの線膨脹係数は金属ケ
ースDのそれに合せる必要があるために約2×
10-5/℃であり、シリコン樹脂Eはエポキシ樹脂
Fに比べて1桁以上も線膨脹係数が大きくなつて
いるために、使用温度がそれぞれの樹脂E,Fの
熱硬化のために処理温度程度(例えば80℃程度)
であれば何らトラブルは生じないのであるが、例
えば温度が150℃程度にまで上昇した場合には問
題が生ずる。
即ち、例えばシリコン樹脂Eの厚みを5mmと仮
定すれば、シリコン樹脂Eの伸び量はほぼ0.1mm
に達するものの、シリコン樹脂Eはその全周面が
金属ケースD、エポキシ樹脂Fにて強固に包囲さ
れている関係で、シリコン樹脂Eの膨脹分を吸収
することは全くできない。
このために、シリコン樹脂Eにて被覆された電
子部品には過大な圧縮応力が、電子部品の形態に
よつてシリコン樹脂Eの被覆厚さが均一化できな
いことにも関連して、不均一に作用する結果、半
導体素子Bが破損したり、或いは第3図に示すよ
うに金属細線Cが図示点線(正常な状態)より実
線のようにくしやくしやに変形し、ついには断線
したりするという欠点がある。
本案はこのような点に鑑み、使用温度が異常に
上昇しても電子部品に対する影響を効果的に軽減
しうる電子部品の封止構体を提供するもので、以
下実施例について説明する。
第4図〜第6図において、1は例えばアルミニ
ウムなどのように熱伝導性良好なる金属部材にて
構成された金属ケースであつて、例えば上方に開
口部を有する角筒状のケース本体2と、ケース本
体2の開口縁に一体的に形成された取付耳片3と
から構成されている。そして、ケース本体2の取
付耳片3に対向する壁面の上方部分には角形の切
欠き部4が、内壁面の全周に亘つて段部5がそれ
ぞれ形成されている。6は金属ケース1の底部に
接着剤などによつて固定された電子部品であつ
て、例えばセラミツク板などのプリント基板7に
半導体素子8、抵抗、コンデンサなどを接続、固
定すると共に、半導体素子8の電極とプリント基
板7のプリント導体とを金属細線9にて接続して
構成されている。10は緩衝性を有する第1の樹
脂材であつて、金属ケース1に電子部品6が完全
に埋没するように注入されている。尚、この第1
の樹脂材10としてはシリコン樹脂が好適し、熱
硬化状態において若干の柔軟性を有する。11は
可撓性を有する部材にて構成された板材であつ
て、金属ケース1の段部5に、壁面に対して水密
的なるように配置されている。12は第1の樹脂
材10の上面と板材11の下面との間に形成され
た空間部であつて、それの厚みは第1の樹脂材1
0の熱膨脹分を充分に吸収しうる程度に設定され
ている。13はゴムブツシングであつて、例えば
ブツシング本体と、ブツシング本体の中心に形成
されたリード線挿通孔14と、ブツシング本体の
両側に形成された溝部15,15とから構成され
ている。そして、このゴムブツシング13は金属
ケース1の切欠き部4に、溝部15,15が切欠
き部4の周縁壁面に嵌合されるように装着されて
いる。16は外部リード線であつて、それの内端
はゴムブツシング13のリード線挿通孔14、板
材11を介して電子部品6の端子部(図示せず)
に半田付けされている。17は金属ケース1に対
する密着性に優れた第2の樹脂材であつて、板材
11上に金属ケース1の上方開口部が閉塞される
ように注入されている。尚、この第2の樹脂材1
7としてはエポキシ樹脂が好適し、熱硬化状態に
おいて充分の機械的強度を有する。
このように第1の樹脂材10と第2の樹脂材1
7との間には空間部12が形成されているので、
仮に使用時の温度が150℃程度にまで上昇して
も、第1の樹脂材10の熱膨脹分を空間部12の
体積変化によつて吸収できる。このために、電子
部品6に対する第1の樹脂材10による圧縮応力
は殆んど作用せず、半導体素子8の破損、金属細
線9の変形ないし断線を皆無にできる。
又、金属ケース1の段部5には可撓性を有する
板材11が金属ケース1の壁面に対して水密的に
配設されているので、板材11上に金属ケース1
の上方開口部が封塞されるように液状(未硬化状
態)の第2の樹脂材17を注入しても、それの空
間部12への流出をほぼ完全に防止できる。この
ために、空間部12の容積縮少は完全に防止で
き、上述の圧縮応力に伴うトラブルを皆無にでき
る。
又、第1の樹脂材10と第2の樹脂材17との
間に配設された板材11は可撓性を有するので、
第2の樹脂材17の熱硬化時に空間部12の空気
の熱膨脹を板材11の彎曲によつて吸収できる
上、空気の第2の樹脂材17への混入を防止でき
る。このために、第1の樹脂材10と第2の樹脂
材(板材)との間に所定の空間部12を確保でき
る上、第2の樹脂材17の金属ケース1の壁面に
対する充分の密着性を得ることができる。
次に具体的実施例について説明する。
実施例 1 32×15×0.635tmmのセラミツク板よりなるプリ
ント基板に半導体素子、抵抗、コンデンサなどを
適宜にマウントすると共に、半導体素子の電極と
プリント基板とを金属細線にて接続してなる電子
部品(自動車用イグナイタ本体)を肉厚が1.5mm
で内寸法が35×18×15mmのアルミニウムケースに
収納固定する。次に液状のシリコン樹脂をアルミ
ニウムケースに、電子部品上の厚みが2mmとなる
ように注入し、熱硬化処理する。次にアルミニウ
ムケースの段部に35.2×18.2×1tmmのネオプレー
ンゴムを載置すると共に、その上に液状のエポキ
シ樹脂を注入し、熱硬化処理する。尚、シリコン
樹脂の上面とネオプレーンゴムの下面との間の空
間部の厚みは2mmである。
このように製作された封止構体を80℃→150℃
→80℃の温度サイクル試験し、半導体素子、金属
細線に対する影響を調査した処、半導体素子の破
損、金属細線の変形及び断線は全く認められなか
つた。しかし乍ら、従来構造のものはほぼ全数に
金属細線の変形が見られ、半導体素子の破損も5
%に達している。
実施例 2 実施例1において、エポキシ樹脂をウレタン樹
脂(ハードタイプ)に変更した処、実施例と同様
の結果が得られた。
尚、本案において、第1の樹脂材はシリコン樹
脂、第2の樹脂材はエポキシ樹脂、ウレタン樹脂
にのみ制約されることなく、他の樹脂材を用いる
こともできる。又、電子部品より外部に導出され
るリード線は第7図に示すように可撓性を有する
板材に付設した端子18に中継接続した上で導出
させることもできる。
以上のように本案によれば、金属ケースの温度
が異常に上昇しても電子部品に対する影響を効果
的に回避でき、長時間に亘つて高品位に保つこと
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の側断面図、第2図は第1図の
要部破断平面図、第3図は温度サイクル後におけ
る状態を示す要部拡大断面図、第4図は本案の一
実施例を示す平面図、第5図は第4図の−断
面図、第6図は本案に係る金属ケースの斜視図、
第7図は本案の他の実施例を示す側断面図であ
る。 図中、1は金属ケース、5は段部、6は電子部
品、10は第1の樹脂材、11は板材、12は空
間部、17は第2の樹脂材である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 内周壁に段部を形成し底部に電子部品を収納し
    た金属ケースに緩衝性を有する第1の樹脂材を、
    電子部品が埋没しかつ底部から段部までの中間位
    置まで注入すると共に、段部に可撓性を有する板
    材を配設して密閉し第1の樹脂材と板材との間に
    空間部を形成し、前記板材を底面とする金属ケー
    ス内に金属ケースに対する密着性に優れた第2の
    樹脂材を注入した封止したことを特徴とする電子
    部品の封止構体。
JP1869480U 1980-02-15 1980-02-15 Expired JPS6112683Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1869480U JPS6112683Y2 (ja) 1980-02-15 1980-02-15

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1869480U JPS6112683Y2 (ja) 1980-02-15 1980-02-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS56121292U JPS56121292U (ja) 1981-09-16
JPS6112683Y2 true JPS6112683Y2 (ja) 1986-04-19

Family

ID=29614989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1869480U Expired JPS6112683Y2 (ja) 1980-02-15 1980-02-15

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6112683Y2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60254643A (ja) * 1984-05-31 1985-12-16 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS56121292U (ja) 1981-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7332371B2 (en) Semiconductor device and method of manufacture thereof, circuit board and electronic instrument
US5359494A (en) Mounting structure of piezoelectric element
JPS593557Y2 (ja) チツプ型コンデンサ
JPH0569887U (ja) コネクタおよびコネクタ一体型回路装置ならびにコネクタ一体型回路付き筐体
JP2000138304A (ja) 樹脂封止構造及び樹脂封止製品の応力緩和方法
JPH06334070A (ja) 混成集積回路装置
JPH05110268A (ja) 封止型実装印刷配線板
JPH0142356Y2 (ja)
JP2571795Y2 (ja) 樹脂封止形電子部品
JPH0727166U (ja) 樹脂封止型回路装置
JPH0325411Y2 (ja)
JPH0828442B2 (ja) 半導体装置
JP2581436Y2 (ja) ケース型電子部品
JPH11260963A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPS5837694B2 (ja) 半導体装置
JPS6334277Y2 (ja)
JP2707899B2 (ja) 混成集積回路装置
JPS5926564Y2 (ja) チツプ型サ−ジ吸収素子
JPS5855601Y2 (ja) モ−ルド電子部品
JPH02305013A (ja) 弾性表面波素子の実装構造
JP2549633Y2 (ja) パワーモジュール
JP3907829B2 (ja) 複合半導体装置
JPH0338817A (ja) チップ型固体電解コンデンサ及びその製造方法
JPH0727786A (ja) 半導体式加速度センサ
JPH0636589Y2 (ja) 樹脂封止型電子機器