JPS60254643A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS60254643A
JPS60254643A JP59109691A JP10969184A JPS60254643A JP S60254643 A JPS60254643 A JP S60254643A JP 59109691 A JP59109691 A JP 59109691A JP 10969184 A JP10969184 A JP 10969184A JP S60254643 A JPS60254643 A JP S60254643A
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JP
Japan
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case
resin
filler
semiconductor device
gel
Prior art date
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JP59109691A
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English (en)
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JPH0237699B2 (ja
Inventor
Tetsuo Masuda
増田 哲夫
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W76/00Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
    • H10W76/40Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
    • H10W76/42Fillings
    • H10W76/47Solid or gel fillings

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] この発明は樹脂封止型半導体装置に関し、特に外囲器内
から充填剤が漏洩する恐れが少く且つ従来の同種装置よ
りも信頼性が高く、高歩留りで製造することのできる樹
脂封止型半導体装置に関するものである。
[発明の技術的背景] 第3図及び第4図に従来公知の樹脂封止型の電力用半導
体装置の構造を示す。
同図において、1は樹脂製の側壁部分のみから成る無底
箱体状のケースであり、該ケース1の底部には金属製の
放熱板2が嵌着されている。 放熱板2上には絶縁基板
3が半田層4を介して接着され、リード5の下端部5a
が該絶縁基板3上に形成された素子配設基台に半田B6
を介して接着されている。 リード5の中間部分を保持
する樹脂製のリード支持部材7がケース1内の最−L部
位置に挿入され、該リード支持部材7は該ケース1に対
する蓋を構成している。 ケース1内の下部空間には、
ゲル状のシリコーン樹脂等から成るゲル状充填物8が充
填されるとともに該ゲル状充填物8の」ニ方のケース内
空間にはエポキシ樹脂等から成る硬化性の封止用樹脂9
が充填されており、封止用樹脂9はリード支持部材7の
外周面どブース1内周面の間の間隙gにも充填されてい
る。
前記のごとき構造の半導体装置を製作する場合、まずケ
ース1内の絶縁基板3上の素子配設基台に半田層6を介
してリード下端部5aを固定し、これによりリード支持
部材7をケース1内の最上部位置に位置決めする。 つ
いで、リード支持部材7に設けた樹脂注入用切欠部7a
 (第1図参照)の間隙からケース1内にゲル状充填物
8を注入した後、封止用樹脂9を注入し、更に該封止用
樹脂9を硬化させることによって該半導体装置を製作し
ている。
[背景技術の問題点] 前記のごとき樹脂封止型半導体装置においては、ゲル状
充填物として使用されているシリコーンゲル及び封止用
樹脂として使用されているエポキシ樹脂等の物性や該半
導体装置の製造方法に関して以下のごとき問題があった
■ ケース1の内周面と封止用樹脂との密着が悪い場合
、ケース1の内周面に沿って微細な空隙が生じやすく、
そのためゲル状充填物8が該空隙を通ってケース1外へ
漏出する事故が生じやすかった。
特に、ゲル状充填物として使用されているシリコーンゲ
ルは大きな熱膨張率を有しているため、該半導体装置に
温度サイクルテスト(−40℃〜+120℃)を施すと
ケース1の内周面に沿って生じている該空隙を通ってシ
リコーンゲルがケース1外に噴き出してしまうことがあ
った。
■ 従来ケース1内へのゲル状充填物の注入量が所定(
イ)以上になるど■の空隙が生じやすく、その結果、前
記の如きゲル状充填物の漏出という事故が起りやすかっ
た。
従って、従来の樹脂封止型半導体装置は信頼性が低く、
また、歩留りも比較的低かった。
[発明の目的] この発明の目的は、ゲル状充填物の漏洩を生じる恐れの
少ない高信頼性の樹脂封止型半導体装置を提供すること
である。
[発明の概要] この発明により改良された樹脂封止型半導体装置は、該
封止用樹脂の接触するケース内周面部に延在する少くと
も一条以上の段部を形成するとともに、ゲル状充填物の
表面位置のわずか上方にも該ケース内周面に沿って延在
する棚状の突部を形成したことを特徴とする。 該段部
を該ケース内周面部に設けたことにより封止樹脂とケー
スどの密着性を改善する一方、該突部を該ケース内周面
に設けたことによりゲル状充填物の這い上りを防止する
ことができる。 また、該突部を設けたことにより該ケ
ース内へのゲル状充填物の注入液位を目視で確認でき、
その結果ゲル状充填物の過剰充填を防止することができ
る。
[発明の実施例] 以下に第1図を参照して本発明の一実施例について説明
する。 なお、第1図において、第3図及び第4図と同
一符号で表示された部分は従来の半導体装置と同じ部分
を示す。
第1図に示す本発明の半導体装置においては、ケース1
0が従来のケース1とは異なった構造を有していること
を特譚とする。 すなわち本発明の半導体装置では、ケ
ース10の上部内周面に周方向に延在する少なくとも一
条以上の段部10a(もしくは突部)が形成されるとと
もに、ゲル状充填物8の表面Sよりわずかに上方位置に
同じく周方向に延在する棚状の突部10bが形成されて
いることを特徴とする。 段部10aは図示の如くリー
ド支持部材7の外周面に対向する位置に設けることが最
も好ましいが、これよりも下の位置であっても封止用樹
脂9に接触する位置であればよい。 該段部10aは封
止用樹脂9とケース10の結合力を高めると同時にケー
ス10の内面に沿う上下方向の沿面距離を増大し1つ、
ケース10の内側に沿って這い上ろうどするゲル状充填
物の這い上りを防止するのに有効である。
一方、該突部10bはゲル状充填物8の這い上りを防止
するために設けられた部分であり、該突部10bが形成
されていることによってゲル状充填物8のケース内面に
沿っての這い上りが防止される。 該突部10bの形成
位置はゲル状充填物8の最終の充填液位Sよりわずかに
上の所が望ましい。
該段部10a及び突部10bの横断面形状は第1図の如
き正方形断面もしくは長方形断面又は台形断面で−あっ
てもよいが、第2図に示すように、先端側の断面が大き
くなっている先太形の断面形状に形成すると、該段部1
0aと封止用樹脂9との結合力は更に大きくなり、同時
にゲル状充填物の這い上り防止効果も更に向上する。
[発明の効果] 第1図の如き本発明の樹脂封止型半導体装置ど第4図の
如き構造の従来の半導体装置とを同数ずつ製作し、両者
に対し前記同一条件で温度サイクルを行い、更に両者に
ついてケースと封止用樹脂との密着性や製造時の作業性
を調査した。
その結果、本発明の半導体装置は従来の半導体装置にく
らべて温度ザイクルテストの故障発生時間が50倍に延
長するほか、密着性すなわち封止性では従来品が半数に
欠陥がみられるに対して100%の合格率を示し、作業
性の面ではゲル状充填物8の注入液を突部10bを基準
どし−C確認できるため従来品にくらべて30%作業時
間が短縮できることがわかった。
以上のように本発明によれば、外囲器内から充填剤が漏
洩する恐れが少く、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置
が捉供される。 本発明により改良された樹脂封止型半
導体装置は従来品よりも高い信頼性を有しているばかり
でなく、従来品よりも作業性よく高能率且つ高歩留りで
製造することができるため、従来品よりも安価なコスト
で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施例の要
部断面図、第2図は本発明の変形実施例の断面図、第3
図は従来の樹脂封止型半導体装置の平面図、第4図は第
3図のIV−rV矢視断面図である。 1.10・・・ケース、 2・・・放熱板、 3・・・
絶縁基板、 4.6・・・半田層、 7・・・リード支
持部材、5・・・リード、 8・・・ゲル状充填物、 
9・・・封止用樹脂。 特許出願人 株式会社 東 芝 代理人 弁理士 諸1)英二 第1図 第20 第4図 手続補正書(方式) 昭和59年9月IQ日 特許庁長官 志賀 学 殿 1、事件の表示 昭和59年特許願第109691号2
、発明の名称 樹脂封止型半導体装置3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 神奈川県用崎市幸区堀用町72番地 (発送日 昭和59年8月28日) 6、補正の対象 願書及び明細書

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 側壁部分のみから成る樹脂製の無底箱体状のケース
    と、該ケースの底部を閉塞するように固着された放熱板
    と、該ケース内の最上部位置に挿入配置された蓋状のリ
    ード支持部材とから成る外囲器構造を有し、該ケー・ス
    内の下部空間にはゲル状充填物が充填され、該ゲル状充
    填物より−L方のケース内空間には封止用樹脂が充填さ
    れている樹脂封止型半導体装置において、該封止用樹脂
    に接触する該ケース内の内周面部分には周方向に延在す
    る少くとも一条以上の段部を形成する一方、該ゲル状充
    填物の表面位置のわずか上方に該ケースの内周面に沿っ
    て突出する棚状の突部を形成したことを特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
JP59109691A 1984-05-31 1984-05-31 樹脂封止型半導体装置 Granted JPS60254643A (ja)

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JP59109691A JPS60254643A (ja) 1984-05-31 1984-05-31 樹脂封止型半導体装置

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JP59109691A JPS60254643A (ja) 1984-05-31 1984-05-31 樹脂封止型半導体装置

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JPS60254643A true JPS60254643A (ja) 1985-12-16
JPH0237699B2 JPH0237699B2 (ja) 1990-08-27

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ID=14516746

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JP59109691A Granted JPS60254643A (ja) 1984-05-31 1984-05-31 樹脂封止型半導体装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01125836A (ja) * 1987-09-30 1989-05-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
EP0608051A3 (en) * 1993-01-13 1994-09-21 Fuji Electric Co Ltd Resin-sealed semiconductor device.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4632550Y1 (ja) * 1968-08-08 1971-11-10
JPS53122650U (ja) * 1977-03-08 1978-09-29
JPS56121292U (ja) * 1980-02-15 1981-09-16

Patent Citations (3)

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JPH0237699B2 (ja) 1990-08-27

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