JPS61128252A - 光導電部材 - Google Patents
光導電部材Info
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- JPS61128252A JPS61128252A JP59248763A JP24876384A JPS61128252A JP S61128252 A JPS61128252 A JP S61128252A JP 59248763 A JP59248763 A JP 59248763A JP 24876384 A JP24876384 A JP 24876384A JP S61128252 A JPS61128252 A JP S61128252A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は光導電材料として非晶質半導体を用いた光導電
部材（；関する。
部材（；関する。
従来光導電部材として、たとえば電子写真感光体の光導
電材料としてはＳｅ系、 ＣｄＳ系、 ＺｎＯ系。
電材料としてはＳｅ系、 ＣｄＳ系、 ＺｎＯ系。
有機光導電体等が用いられてきたが、８ｅ系、 ＣｄＳ
系は安全性の問題があり、ＺｎＯ系、有機光導電体は耐
湿性が悪く寿命が短かいという問題があった。
系は安全性の問題があり、ＺｎＯ系、有機光導電体は耐
湿性が悪く寿命が短かいという問題があった。
そこで、近年はアモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉ
と記す）が電子写真感光体用の光導電材料として注目さ
れてきた。ａ −３ｉ感光体は前述した従来の感光体と
比べ、白色光照射（二対して半減露光感度が１−ｅｕｘ
−ｓｅｃ以下ときわめて高感度な上、分光感度も８００
ｎｍの波長の光（二まであり、さら（＝は寿命が１０
０万枚コピーと長く、本質的に無公害であるという長所
を有している。
と記す）が電子写真感光体用の光導電材料として注目さ
れてきた。ａ −３ｉ感光体は前述した従来の感光体と
比べ、白色光照射（二対して半減露光感度が１−ｅｕｘ
−ｓｅｃ以下ときわめて高感度な上、分光感度も８００
ｎｍの波長の光（二まであり、さら（＝は寿命が１０
０万枚コピーと長く、本質的に無公害であるという長所
を有している。
ところが、ａ−８ｉ悪感光は、暗所での比抵抗が１０
Ωαと小さいという欠点がある。たとえば、導電性基
板上（二重なる８ｉＨ４，８ｉＨ＠等のガスのグロー放
電によって水素化アモルファスシリコン（以下、！−８
！；Ｈと記す）膜を成膜したサンプには、直流のコロナ
帯電を行なっても充分な狭面電位が得られないという問
題がある。そこで、種々の不純物ガスを８４Ｈ，、８ｉ
ｌ（、等の８１を含むガスと混合し、グロー放電を行な
うことによって上記問題を改善する提案がなされている
。
Ωαと小さいという欠点がある。たとえば、導電性基
板上（二重なる８ｉＨ４，８ｉＨ＠等のガスのグロー放
電によって水素化アモルファスシリコン（以下、！−８
！；Ｈと記す）膜を成膜したサンプには、直流のコロナ
帯電を行なっても充分な狭面電位が得られないという問
題がある。そこで、種々の不純物ガスを８４Ｈ，、８ｉ
ｌ（、等の８１を含むガスと混合し、グロー放電を行な
うことによって上記問題を改善する提案がなされている
。
現在なされている提案は犬きく分けて２種類有り、その
１つは８ｉＨ４等別を含む原料ガス（二歳素（Ｏ８）ガ
スとジボラン（ｎｔＨ＠）ガスとを混合することにより
光感度を減少させずに暗抵抗比を大きくするという方法
がある。他の１つはａ−８ｉ；Ｈ膜−二隣接して基板お
よび表面からａ−８ｉ；Ｈ膜への電荷の注入を阻止する
ための各種のブロッキング膜を形成する方法がある。こ
＼で、ブロッキング膜としては、従来多くの提案がなさ
れてきた。すなわち、Ａノ等の導電性基板上に形成され
る高抵抗又は絶縁体のａ−８ｉＨＣ膜又はａ −Ｓｉ
； ０＠膜、ａ−ｆ９ｉｉＮ膜あるいは十分にポロンを
ドープした２塁のａ ８ｉ ； Ｂ膜等々である。
１つは８ｉＨ４等別を含む原料ガス（二歳素（Ｏ８）ガ
スとジボラン（ｎｔＨ＠）ガスとを混合することにより
光感度を減少させずに暗抵抗比を大きくするという方法
がある。他の１つはａ−８ｉ；Ｈ膜−二隣接して基板お
よび表面からａ−８ｉ；Ｈ膜への電荷の注入を阻止する
ための各種のブロッキング膜を形成する方法がある。こ
＼で、ブロッキング膜としては、従来多くの提案がなさ
れてきた。すなわち、Ａノ等の導電性基板上に形成され
る高抵抗又は絶縁体のａ−８ｉＨＣ膜又はａ −Ｓｉ
； ０＠膜、ａ−ｆ９ｉｉＮ膜あるいは十分にポロンを
ドープした２塁のａ ８ｉ ； Ｂ膜等々である。
しかし、これらのブロッキング膜では、直流のコロナ放
電を行なった際、暗中（二で長時間表面電位が保持され
ないという問題があった。これは、直流のコロナ放電Ｃ
二よって正電荷を感光体表面（二付与したとき導電性基
板（二誘起された負電荷が感光体内（二流れ込み、これ
が感光体表面から感光体中へ流れ込んだ正電荷と再び結
合してしまうからである。
電を行なった際、暗中（二で長時間表面電位が保持され
ないという問題があった。これは、直流のコロナ放電Ｃ
二よって正電荷を感光体表面（二付与したとき導電性基
板（二誘起された負電荷が感光体内（二流れ込み、これ
が感光体表面から感光体中へ流れ込んだ正電荷と再び結
合してしまうからである。
このような現象から正極性の表面電位は減衰してしまい
、充分な表面電位を長時間保持できなくなり、したがっ
て良質の電子写真感光体を得ることが困難であった。
、充分な表面電位を長時間保持できなくなり、したがっ
て良質の電子写真感光体を得ることが困難であった。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、暗中に
て長時間表面電位を保持することを主たる特徴とし、さ
ら（＝光を照射したとき、上記表面電位が速やかに減衰
して消去され、かつ電子写真プロセス（二連用し得る光
導電部材を提供することを目的とする。
て長時間表面電位を保持することを主たる特徴とし、さ
ら（＝光を照射したとき、上記表面電位が速やかに減衰
して消去され、かつ電子写真プロセス（二連用し得る光
導電部材を提供することを目的とする。
本発明は上記目的を達成するために導電性基板。
ブロッキング層および光導電性層の層構成（二おいて、
ブロッキング層のうちの少なくとも一層が非晶質炭素（
以下、１−Ｃと記す）であることを特徴とするものであ
る。
ブロッキング層のうちの少なくとも一層が非晶質炭素（
以下、１−Ｃと記す）であることを特徴とするものであ
る。
以下、本発明を第１図（；示す一実施例（二もとづいて
説明する。第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を
示すものである。この感光体は人！等の導電性基板（１
）上（＝ブロッキング層（２）、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ；Ｈ）光導電性層（３）及びアモルフ
ァス炭化ンリコン（ａ−８ｉ；Ｃ）表面帯電層（４）を
形成して構成される。こ＼で、（２−１）は上記導電性
基板（１）上６二種層される非晶質炭素（以下、１−Ｃ
と略記する）層で、このａ−Ｃ層（２−１）は炭素を含
むガス（たとえば、ＣＨ，、・・・など）をグロー放電
分解法（二より分解して得られるものであり、ａ −８
ｒ ； Ｃ４（２−２）は後述するａ−ｓｔ；）ｉ層（
３）を上記ａ−０４（２−１）上に積層した際に一層の
界面（二生じるもので、上記ａ−Ｃ層（２−１）とａ−
３ｉＨＣ層（２−２）の両層がブロッキング層（２）と
して優れた特性を示すものである。こ＼で、上記ａ−８
ｉＨＨ層（３）はＳｉを含むガス（たとえば、８１Ｈ，
、８ｉＨ，など）を同じくグロー放電分解法により分解
して得られる光導電性層で、この光導電性層（３）は上
記ブロッキング層（２）上（；積層して尤 構成されるが成膜に際しての反応圧力、印加圧力。
説明する。第１図は本発明の電子写真感光体の層構成を
示すものである。この感光体は人！等の導電性基板（１
）上（＝ブロッキング層（２）、水素化アモルファスシ
リコン（ａ−８ｉ；Ｈ）光導電性層（３）及びアモルフ
ァス炭化ンリコン（ａ−８ｉ；Ｃ）表面帯電層（４）を
形成して構成される。こ＼で、（２−１）は上記導電性
基板（１）上６二種層される非晶質炭素（以下、１−Ｃ
と略記する）層で、このａ−Ｃ層（２−１）は炭素を含
むガス（たとえば、ＣＨ，、・・・など）をグロー放電
分解法（二より分解して得られるものであり、ａ −８
ｒ ； Ｃ４（２−２）は後述するａ−ｓｔ；）ｉ層（
３）を上記ａ−０４（２−１）上に積層した際に一層の
界面（二生じるもので、上記ａ−Ｃ層（２−１）とａ−
３ｉＨＣ層（２−２）の両層がブロッキング層（２）と
して優れた特性を示すものである。こ＼で、上記ａ−８
ｉＨＨ層（３）はＳｉを含むガス（たとえば、８１Ｈ，
、８ｉＨ，など）を同じくグロー放電分解法により分解
して得られる光導電性層で、この光導電性層（３）は上
記ブロッキング層（２）上（；積層して尤 構成されるが成膜に際しての反応圧力、印加圧力。
基板温度等の条件は前記ブロッキング層（２−１）の場
合と同様の範囲でよい。なお、上記ａ−８ｉ；Ｈ光導電
性層（３）の膜厚は５μｍｎ〜５０μｍが適当であるが
、さら≦二型ましぐは１５μｍ〜８０μｍ程度とするの
がよい。
合と同様の範囲でよい。なお、上記ａ−８ｉ；Ｈ光導電
性層（３）の膜厚は５μｍｎ〜５０μｍが適当であるが
、さら≦二型ましぐは１５μｍ〜８０μｍ程度とするの
がよい。
また、ａ−８ｉＨＣ層（４）は表面帯電層である。この
ａ−８ｉ；０４面帯電層（４）は上記ａ−８ｉ；Ｈ光導
電性層（３）上に成膜された高抵抗（１０”０画以上）
の膜で、感光体表面Ｃニコロナ帯電を行なったとき≦；
表表面位を保持するための層である。このａ−８ｉ；Ｃ
ヌ面帯電層（４）の成膜は前述のＳｉを含むガス（たと
えば、８ｉＨい８ ｉ 、Ｈ＠など）とＣを含むガス（
たとえば、ＣＨ４ｅ ＣＩＨ，、Ｃ，Ｈ，など）とを反
応答器内で混合した後、グロー放電分解法により分解す
ればよく、また成膜の際の反応圧力、印加圧力、基板温
度等は前述のブロッキング層（２）及びａ−８ｉ；Ｈ光
導電性層（３）の場合と同様の範囲で差支えない。
ａ−８ｉ；０４面帯電層（４）は上記ａ−８ｉ；Ｈ光導
電性層（３）上に成膜された高抵抗（１０”０画以上）
の膜で、感光体表面Ｃニコロナ帯電を行なったとき≦；
表表面位を保持するための層である。このａ−８ｉ；Ｃ
ヌ面帯電層（４）の成膜は前述のＳｉを含むガス（たと
えば、８ｉＨい８ ｉ 、Ｈ＠など）とＣを含むガス（
たとえば、ＣＨ４ｅ ＣＩＨ，、Ｃ，Ｈ，など）とを反
応答器内で混合した後、グロー放電分解法により分解す
ればよく、また成膜の際の反応圧力、印加圧力、基板温
度等は前述のブロッキング層（２）及びａ−８ｉ；Ｈ光
導電性層（３）の場合と同様の範囲で差支えない。
すなわち、反応圧力としては０．１〜３ ｔｏｒ、が適
当であり、さら（二〇、４〜１ ｔａｒ、の範囲とする
ことが望ま叱 しい。また、グロー放電分解のための印加圧力としては
５０Ｗ〜１０ｖが適当であり、さらＣ１００〜５００Ｗ
の範囲とすることが望ましい。さらに、反応に際しての
基板温度としては１５０°〜４００Ｃが適当であり、さ
ら（二２００°〜ｇｏｏ ｔ：’の範囲とすることが望
ましい。
当であり、さら（二〇、４〜１ ｔａｒ、の範囲とする
ことが望ま叱 しい。また、グロー放電分解のための印加圧力としては
５０Ｗ〜１０ｖが適当であり、さらＣ１００〜５００Ｗ
の範囲とすることが望ましい。さらに、反応に際しての
基板温度としては１５０°〜４００Ｃが適当であり、さ
ら（二２００°〜ｇｏｏ ｔ：’の範囲とすることが望
ましい。
また、上記構成により感光体を形成した場合、ａ−Ｃ層
（２−１）の膜厚はその時性Ｃ：及ぼす影響が大きく、
その適当な膜厚は１０００λ〜１μｍであり、さらに３
０００〜５０００λが望ましい。この膜厚の範囲を外れ
た場合には良好なブロッキング層（２）を形成すること
ができない。すなわち、１ｏｏｏ ｉ以下の膜厚になる
と感光体ｆｉ［Ｉ（二重性が付与されたとき（二基板側
から感光体内へ電荷が注入し阻止できなくなるという理
由（二もとづくものである。また、１０００＾以下の薄
い膜では膜厚を均一（ニすることが困難となり、所望の
電荷のブロッキングが行なえず、良好な電子写真特性が
得られない。
（２−１）の膜厚はその時性Ｃ：及ぼす影響が大きく、
その適当な膜厚は１０００λ〜１μｍであり、さらに３
０００〜５０００λが望ましい。この膜厚の範囲を外れ
た場合には良好なブロッキング層（２）を形成すること
ができない。すなわち、１ｏｏｏ ｉ以下の膜厚になる
と感光体ｆｉ［Ｉ（二重性が付与されたとき（二基板側
から感光体内へ電荷が注入し阻止できなくなるという理
由（二もとづくものである。また、１０００＾以下の薄
い膜では膜厚を均一（ニすることが困難となり、所望の
電荷のブロッキングが行なえず、良好な電子写真特性が
得られない。
一方、ａ−ｓｉＨｃ層（２−２）は前記したよう（；１
−Ｃ層（２−１）の上（二ａ−ｓｔ；Ｈ光導電性層（３
）を成膜した際Ｃ二、この両層の界面Ｃ二生成されるも
のであって、この膜の特性は上記ａ−８ｉ；Ｈ光導電性
層（３）と、’−８ｔｉＣ層（２−２）との成膜条件に
支配される。そこで、効果的な一例を示すと界面層とし
てｐｍのブロッキング層（２）を設けるようｃ スレハ
よい。つまり、ブツキング機能をもつ界面層、すＡ：
ｂ チａ−ａｔ ； Ｃ／Ｉ （２−２）をポロンをド
ープすること（二よりＰ型とすると、本発明の感光体の
ブツキング機能は向上し、特性の安定を図ることが可能
となる。
−Ｃ層（２−１）の上（二ａ−ｓｔ；Ｈ光導電性層（３
）を成膜した際Ｃ二、この両層の界面Ｃ二生成されるも
のであって、この膜の特性は上記ａ−８ｉ；Ｈ光導電性
層（３）と、’−８ｔｉＣ層（２−２）との成膜条件に
支配される。そこで、効果的な一例を示すと界面層とし
てｐｍのブロッキング層（２）を設けるようｃ スレハ
よい。つまり、ブツキング機能をもつ界面層、すＡ：
ｂ チａ−ａｔ ； Ｃ／Ｉ （２−２）をポロンをド
ープすること（二よりＰ型とすると、本発明の感光体の
ブツキング機能は向上し、特性の安定を図ることが可能
となる。
実施例１
衣＝１は第１図（ニした構成の電子写真感光体の成膜条
件の一例を示すものである。
件の一例を示すものである。
この電子写真感光体は減圧された反応室内に導電性基板
（１）として、アルミニウム製ドラムを載置し、このド
ラムに対向した電極とドラムとの間（二高周波電力を印
加し、反応室内にガスを導入すること（二上って非晶質
膜を成膜する高周波グロー放電ＣＶＤ法Ｃ二よって成膜
される。
（１）として、アルミニウム製ドラムを載置し、このド
ラムに対向した電極とドラムとの間（二高周波電力を印
加し、反応室内にガスを導入すること（二上って非晶質
膜を成膜する高周波グロー放電ＣＶＤ法Ｃ二よって成膜
される。
まず、ブロッキング層（２）の成膜は、次のよう：ニし
て行なう。反応室内の圧力を１．５ ｔ ｏ ｒ ｒ、
ｌ二保ち、反応室内にＣＨ，ガスを導入する。このＣ
Ｈ，ガスの流量は１１００８ＣＣである。同時（；、ド
ラムを２８０Ｃに加熱しておき、対向電極とドラムとの
間に４００Ｗの高周波電力を印加する。この状態を維持
することによって厚さ０．５μｍのブロッキング層が成
膜される。
て行なう。反応室内の圧力を１．５ ｔ ｏ ｒ ｒ、
ｌ二保ち、反応室内にＣＨ，ガスを導入する。このＣ
Ｈ，ガスの流量は１１００８ＣＣである。同時（；、ド
ラムを２８０Ｃに加熱しておき、対向電極とドラムとの
間に４００Ｗの高周波電力を印加する。この状態を維持
することによって厚さ０．５μｍのブロッキング層が成
膜される。
次いで、高周波電力の印加を中断し、反応室内Ｃ二残存
するガスを排気した後、光導電性層（３）の成膜を行な
う。この場合、原料ガスとして８ｉＨ４ガスを反応室内
（二５００８ＣＣＭの流量で導入し、印加する高周波電
力を８００Ｗとし、反応室内の圧力を１、Ｏｔｏｒｒ＊
として前述と同様鴫；成膜を行なう。光導電性層（３）
は厚さ２５μｍ成膜される。同様にして、原料ガスとし
て８ ｉＨ，ガスおよびＣＩ（、ガスの混合ガスを用い
、印加する高周波電力を２００Ｗ、反応室内の圧力を１
．０１ｏｒｒ、として表面帯電層（４）の成膜を行なう
。表面帯電層（４）は０．５μｍ成膜される。この場合
、原料ガスの流量は、８ｉＨ４ガスを１１００８ＣＣ％
ＣＨ４ガスを５００ＳＣＣＭとし、混合比Ｃ）（／８ｉ
Ｈ，は５００ ＊である。
するガスを排気した後、光導電性層（３）の成膜を行な
う。この場合、原料ガスとして８ｉＨ４ガスを反応室内
（二５００８ＣＣＭの流量で導入し、印加する高周波電
力を８００Ｗとし、反応室内の圧力を１、Ｏｔｏｒｒ＊
として前述と同様鴫；成膜を行なう。光導電性層（３）
は厚さ２５μｍ成膜される。同様にして、原料ガスとし
て８ ｉＨ，ガスおよびＣＩ（、ガスの混合ガスを用い
、印加する高周波電力を２００Ｗ、反応室内の圧力を１
．０１ｏｒｒ、として表面帯電層（４）の成膜を行なう
。表面帯電層（４）は０．５μｍ成膜される。この場合
、原料ガスの流量は、８ｉＨ４ガスを１１００８ＣＣ％
ＣＨ４ガスを５００ＳＣＣＭとし、混合比Ｃ）（／８ｉ
Ｈ，は５００ ＊である。
なお、ドラムは三層の成膜を通じて２８０Ｃに維持され
る。このため、ドラムの中空内部にはヒータが配設され
、ドラム弐面を加熱するようＣ二なっている。
る。このため、ドラムの中空内部にはヒータが配設され
、ドラム弐面を加熱するようＣ二なっている。
以上説明した成膜条件をまとめて表：１に示す。
この表：ＩＣ：示された成膜条件に従って成膜された電
子写真感光体を試料１とする。
子写真感光体を試料１とする。
職：１
つぎに、第２図は本発明の他の実施例を示す電子写真感
光体の層構成である。この感光体は前記と同じＡノ等の
導電性基板（１）上にブロッキング層（５）、ホロンが
ドープされた水素化アモルファスシリコン（ａ−ｓｚＨ
＠））光導電性層（６）及びａ−８ＬＨＣ表面帯電層（
４）を形成して構成される。こ＼で、（５−１）は上記
導電性基板（１）上（二種層されたボロンがドープされ
た非晶質炭素（ａ−ＣＨＢ）層で、このａ−ＣＨ８層（
５−１）はＣを含むガス（たとえば、ＣＨ，、ｃ、Ｈ４
，Ｃ，Ｈ，など）とＢを含むガス（たとえば、ＢｔＨｌ
ｌなど）とを反応容器内で混合した後、グロー放電分解
法（二より分解して得られるものであり、ａ−８１ＣＨ
Ｂ層（５−２）は後述するａ−８ｉＨＨ中）層（６）を
上記ａ−ＣＨＢ層（５−１）上に種層した際に両層の界
面ｆ；生じるもので、上記ａ−ＣＨＢ層（５−１’）ト
ホロンをドープしたアモルファス炭化シリコン（ａ−３
ｉ Ｃ＝ Ｂ ）層（５−２）の両肩がブロッキング層
（５）としてより優れた特性を示すものである。こ＼で
、上記ａ−ｓＩ；Ｈ（８）層（６）は別を含むガスをグ
ロー放電分解法Ｃ二より分解して得られる光導電性層で
、この光導電性層（６）は上記ブロッキング層（５）の
上に積層されたものである。
光体の層構成である。この感光体は前記と同じＡノ等の
導電性基板（１）上にブロッキング層（５）、ホロンが
ドープされた水素化アモルファスシリコン（ａ−ｓｚＨ
＠））光導電性層（６）及びａ−８ＬＨＣ表面帯電層（
４）を形成して構成される。こ＼で、（５−１）は上記
導電性基板（１）上（二種層されたボロンがドープされ
た非晶質炭素（ａ−ＣＨＢ）層で、このａ−ＣＨ８層（
５−１）はＣを含むガス（たとえば、ＣＨ，、ｃ、Ｈ４
，Ｃ，Ｈ，など）とＢを含むガス（たとえば、ＢｔＨｌ
ｌなど）とを反応容器内で混合した後、グロー放電分解
法（二より分解して得られるものであり、ａ−８１ＣＨ
Ｂ層（５−２）は後述するａ−８ｉＨＨ中）層（６）を
上記ａ−ＣＨＢ層（５−１）上に種層した際に両層の界
面ｆ；生じるもので、上記ａ−ＣＨＢ層（５−１’）ト
ホロンをドープしたアモルファス炭化シリコン（ａ−３
ｉ Ｃ＝ Ｂ ）層（５−２）の両肩がブロッキング層
（５）としてより優れた特性を示すものである。こ＼で
、上記ａ−ｓＩ；Ｈ（８）層（６）は別を含むガスをグ
ロー放電分解法Ｃ二より分解して得られる光導電性層で
、この光導電性層（６）は上記ブロッキング層（５）の
上に積層されたものである。
また、ａ−３ｉＨＣ層（４）は表面帯電層で、この１−
Ｂｌ；Ｃｅｋ面帯面層電層）の成膜は前記同様にＳＩを
筋ガスとＣを含むガスとを反応容器内で混合した後、グ
ロー放電分解法により分解して得られるが、この際のＣ
を含むガスの流量ｇ （Ｃ）とＢを含むガスの流量ｇ
（Ｂ）との比率ｇ （Ｂ）／ ｇ （Ｃ）は使用される
ガス（＝よって異なり０．１Ｓ〜１０ ％の範囲とする
のがよい。
Ｂｌ；Ｃｅｋ面帯面層電層）の成膜は前記同様にＳＩを
筋ガスとＣを含むガスとを反応容器内で混合した後、グ
ロー放電分解法により分解して得られるが、この際のＣ
を含むガスの流量ｇ （Ｃ）とＢを含むガスの流量ｇ
（Ｂ）との比率ｇ （Ｂ）／ ｇ （Ｃ）は使用される
ガス（＝よって異なり０．１Ｓ〜１０ ％の範囲とする
のがよい。
また、上記ａ−ＣＨＢ層（５−１）の膜厚は前記同様に
１０００ Ａ〜１μｍが適当であり、さらＣ二ａｏｏ。
１０００ Ａ〜１μｍが適当であり、さらＣ二ａｏｏ。
〜５０００人とするのが望ましい。
一方、Ｂ−８ｉＣｇＢ層（５−２）は前記したように１
−ＣＡＢ層（５−１）の上（二ａ−ｓｚＨ（Ｂ）光導電
性層（６）を成膜した際Ｃ二、この両層の界面１；生成
されるものであって、導電性基板（１）上の１−Ｃ；・
Ｂ層（５−１＞中のＢがこの界面層に拡散することによ
り、この層はＰ型のブロッキング層（５）となっている
。すなわち、この例では第１のブロッキング層としてａ
−ｃａｎ層（５−１） 、第２のブロッキング層として
Ｐ型のａ−８ｉＣＨＢ層（５−２）の二層を有し、良好
なブロッキング特性が得られるものである。
−ＣＡＢ層（５−１）の上（二ａ−ｓｚＨ（Ｂ）光導電
性層（６）を成膜した際Ｃ二、この両層の界面１；生成
されるものであって、導電性基板（１）上の１−Ｃ；・
Ｂ層（５−１＞中のＢがこの界面層に拡散することによ
り、この層はＰ型のブロッキング層（５）となっている
。すなわち、この例では第１のブロッキング層としてａ
−ｃａｎ層（５−１） 、第２のブロッキング層として
Ｐ型のａ−８ｉＣＨＢ層（５−２）の二層を有し、良好
なブロッキング特性が得られるものである。
このブロッキング層（５）は一実施例で示すブロッキン
グ層（２）、すなわち第１のブロッキング層としてのａ
−ＣＩｆｉ（２−１）および第２のブロッキング層とし
てのａ−８Ｌ；０層（２−２）の二層をもった感光体と
比べて帯電能（−優れているという利点がある。
グ層（２）、すなわち第１のブロッキング層としてのａ
−ＣＩｆｉ（２−１）および第２のブロッキング層とし
てのａ−８Ｌ；０層（２−２）の二層をもった感光体と
比べて帯電能（−優れているという利点がある。
つぎ（二、上記ａ−８ｉＨＨ（Ｂ）層（６）は光導電性
層で、この光導電性層（６）は前述したようにＳｉを含
むガスをグロー放電分解法により分解して得られるが、
この際成膜直後はａ−８ｉ；Ｈ層であるが時間の経過と
ともに第２のブロッキング層Ｃ；含まれているＢが拡散
するため、Ｂをドープした。−８１；Ｈ（Ｂ）７４ （
６）となるのである。このａ−８ｉ；Ｈ（Ｂ）光導″磁
性層（６）はＢのドープ（二より膜の剥離やクラック等
が発生しないという長所を有している。
層で、この光導電性層（６）は前述したようにＳｉを含
むガスをグロー放電分解法により分解して得られるが、
この際成膜直後はａ−８ｉ；Ｈ層であるが時間の経過と
ともに第２のブロッキング層Ｃ；含まれているＢが拡散
するため、Ｂをドープした。−８１；Ｈ（Ｂ）７４ （
６）となるのである。このａ−８ｉ；Ｈ（Ｂ）光導″磁
性層（６）はＢのドープ（二より膜の剥離やクラック等
が発生しないという長所を有している。
さらに、ａ−８ｉ；ＣＩｆｉ（４）は前記同線の表面帯
電層で、使用するガス、膜厚、特性等は一実施例と同様
である。また、Ｂの拡散に対しては上記１−８ｉ；Ｃ表
面帯電層（４）（二まで届くことはない。
電層で、使用するガス、膜厚、特性等は一実施例と同様
である。また、Ｂの拡散に対しては上記１−８ｉ；Ｃ表
面帯電層（４）（二まで届くことはない。
実凡例２
表＝２は第２図Ｃ二示した構成の電子写真感光体の成膜
条件の一例を示すものである。表＝１に示した成膜例と
同様（二、高周波グロー放′峨ＣＶＤ法（二上り成膜を
行なう。成膜手順は、表：１の例と同様であるので詳述
しない。この表＝２の成膜条件Ｃ二層って成膜した電子
写真感光体を試料２とする。
条件の一例を示すものである。表＝１に示した成膜例と
同様（二、高周波グロー放′峨ＣＶＤ法（二上り成膜を
行なう。成膜手順は、表：１の例と同様であるので詳述
しない。この表＝２の成膜条件Ｃ二層って成膜した電子
写真感光体を試料２とする。
（以下余白）
表： ２
実施例３
戎：８は比較例として、従来のブロッキング層トシてア
モルファス炭化シリコン膜を用いたＸ子写真感光体の成
膜条件の一例を示すものである。
モルファス炭化シリコン膜を用いたＸ子写真感光体の成
膜条件の一例を示すものである。
この電子写真感光体はアルミニウム襄ドクムの表面にア
モルファス炭化シリコン膜であるブロッキング４ 、水
素化アモルファスシリコン膜である光導電性ノーおよび
アモルファス炭化シリコン膜である表面帯電層を順次成
膜したものである。この成膜もｆｉ：１ｉ二示した試料
１と同様（二、高周波グロー放’４ｃｖｏ法により成膜
する。この成膜された電子写真感光体を試料８とする。
モルファス炭化シリコン膜であるブロッキング４ 、水
素化アモルファスシリコン膜である光導電性ノーおよび
アモルファス炭化シリコン膜である表面帯電層を順次成
膜したものである。この成膜もｆｉ：１ｉ二示した試料
１と同様（二、高周波グロー放’４ｃｖｏ法により成膜
する。この成膜された電子写真感光体を試料８とする。
貴＝８
そこで、このよう（二成膜された試料１．２および３
Ｃついて電子写真特性の評価を行なったところ、狭：４
および表：５に示す結果が得られた。
Ｃついて電子写真特性の評価を行なったところ、狭：４
および表：５に示す結果が得られた。
或： ４
表： ５
上記表：４から明らかなようＣ二、本発明による試料ｌ
および試料２は、従来の試料３と比較して初期の次面電
位（二優れ、さら（：１５秒後の電位保持率も良好であ
る。また、感度すなわち表面電位５００ Ｖ時の半減露
光量についても本発明（二よる試料１および試料２は優
れており、十分実用≦二供し得るものである。
および試料２は、従来の試料３と比較して初期の次面電
位（二優れ、さら（：１５秒後の電位保持率も良好であ
る。また、感度すなわち表面電位５００ Ｖ時の半減露
光量についても本発明（二よる試料１および試料２は優
れており、十分実用≦二供し得るものである。
また、戎：５から明らかなように、本発明（二よる試料
１および試料２は電子写真プロセス（二よる繰返し使用
に対しても、表面電位の低下が非常に少なく、さらに同
様の繰返し試験を感度（二ついて行なった場合でも良好
な結果が得られている。
１および試料２は電子写真プロセス（二よる繰返し使用
に対しても、表面電位の低下が非常に少なく、さらに同
様の繰返し試験を感度（二ついて行なった場合でも良好
な結果が得られている。
また、機には示していないが低温１０ Ｃ〜高温（資）
Ｃおよび低湿ＲＨ２０％〜高温ＲＨ９０％の範囲で上述
の電子写真特性には殆んど変化が見られなかった。さら
６二、本発明による試料１および試料２を電子写真複写
機およびレーザプリンタに装填して画像形成を行なった
結果、非常（二良好な画像が得られ、また温度や湿度の
救化に対しても画像の鮮明さＣ二変化が見られなかった
。
Ｃおよび低湿ＲＨ２０％〜高温ＲＨ９０％の範囲で上述
の電子写真特性には殆んど変化が見られなかった。さら
６二、本発明による試料１および試料２を電子写真複写
機およびレーザプリンタに装填して画像形成を行なった
結果、非常（二良好な画像が得られ、また温度や湿度の
救化に対しても画像の鮮明さＣ二変化が見られなかった
。
以上説明したように本発明（：よれば導電性基板。
ブロッキング層および光導電性層の層構成≦：おいて、
ブロッキング層のうちの少なくとも一層が非晶質炭素で
成膜したことＣ二より、電子写真感光体として使用した
場合に良好な画像を形成することができるという優れた
効果を奏するものである。
ブロッキング層のうちの少なくとも一層が非晶質炭素で
成膜したことＣ二より、電子写真感光体として使用した
場合に良好な画像を形成することができるという優れた
効果を奏するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す光導電部材の模式的構
成図、第２図は他の実施例を示す光導電部材の模式的構
成図である。 １・・・導電性基板 ２．５・・・ブロッキング層８
・・・光導電性層 ４・・・表面帯電層６・・・光導
電性層 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図
成図、第２図は他の実施例を示す光導電部材の模式的構
成図である。 １・・・導電性基板 ２．５・・・ブロッキング層８
・・・光導電性層 ４・・・表面帯電層６・・・光導
電性層 代理人 弁理士 井 上 −男 第 １ 図 第 ２ 図
Claims (5)
- （１）導電性基板と非晶質シリコンからなる光導電性層
との間にブロッキング層が少なくとも一層以上設けられ
た光導電部材において、前記ブロッキング層のうち少な
くとも一層が非晶質炭素であることを特徴とする光導電
部材。 - （２）非晶質炭素からなるブロッキング層にIIａ族元素
を１０ａｔｏｍｉｃｐｐｍ〜１０ａｔｏｍｉｃ％の比率
でドーピングしたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の光導電部材。 - （３）IIａ族元素は硼素であることを特徴とする特許請
求の範囲第２項記載の光導電部材。 - （４）非晶質炭素からなるブロッキング層の膜厚が１，
０００Å〜１μｍであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項または第２項記載の光導電部材。 - （５）非晶質炭素または硼素を含む非晶質炭素からなる
ブロッキング層の上に非晶質シリコンからなる光導電性
層を積層することによりこの両層の界面に非晶質炭化シ
リコン層または硼素を含む非晶質炭化シリコン層または
硼素を含む非晶質炭化シリコン層が生成されることを特
徴とする特許請求の範囲第２項、第３項あるいは第４項
のいずれかに記載の光導電部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248763A JPS61128252A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光導電部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59248763A JPS61128252A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光導電部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128252A true JPS61128252A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17183009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59248763A Pending JPS61128252A (ja) | 1984-11-27 | 1984-11-27 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346467A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
-
1984
- 1984-11-27 JP JP59248763A patent/JPS61128252A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6346467A (ja) * | 1986-08-14 | 1988-02-27 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真用感光体 |
| JPS63197956A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Fujitsu Ltd | 電子写真感光体 |
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