JPS61128403A - 非単結晶状シリコン系絶縁材料 - Google Patents
非単結晶状シリコン系絶縁材料Info
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- JPS61128403A JPS61128403A JP59250869A JP25086984A JPS61128403A JP S61128403 A JPS61128403 A JP S61128403A JP 59250869 A JP59250869 A JP 59250869A JP 25086984 A JP25086984 A JP 25086984A JP S61128403 A JPS61128403 A JP S61128403A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明はアルゴン原子を含むシリコン化合物からなる非
単結晶状シリコン系絶縁材料に関する。
単結晶状シリコン系絶縁材料に関する。
［従来の技術］
従来から、たとえば太陽電池の製造には、透光性基板に
透明導電膜を形成したＩＴＯ／ガラスやＳｎｏｗ／ガラ
スなどの基板や、ステンレススチール、鉄、アルミニウ
ム、ニッケル、しんちゅう、銅、亜鉛、その他の合金、
他の金属で表面処理された金属などの金属基板などが多
く使用されている。
透明導電膜を形成したＩＴＯ／ガラスやＳｎｏｗ／ガラ
スなどの基板や、ステンレススチール、鉄、アルミニウ
ム、ニッケル、しんちゅう、銅、亜鉛、その他の合金、
他の金属で表面処理された金属などの金属基板などが多
く使用されている。
太陽電池の基板として金属基板のような導電性基板を用
いるばあい、通常１枚の基板上に複数個のセルがパター
ン状に形成され、かつそれらが直列に接続されるため、
該基板と太陽電池の該基板側電極との間は電気的に絶縁
されていることが必要である。この目的のために該基板
上に絶縁層が形成されている。該絶縁層の形成に使用さ
れる絶縁材料としては、太陽電池を製造する際に基板温
度として２００〜３５０℃程度の工程が必須であるため
、耐熱性が必要とされる。
いるばあい、通常１枚の基板上に複数個のセルがパター
ン状に形成され、かつそれらが直列に接続されるため、
該基板と太陽電池の該基板側電極との間は電気的に絶縁
されていることが必要である。この目的のために該基板
上に絶縁層が形成されている。該絶縁層の形成に使用さ
れる絶縁材料としては、太陽電池を製造する際に基板温
度として２００〜３５０℃程度の工程が必須であるため
、耐熱性が必要とされる。
それゆえ一般に耐熱性の良好な有礪高分子材料であるイ
ミド樹脂などがスピンコード、ディッピングなどの方法
により前記基板上に塗布され、硬化、ガス抜きなどのた
めに熱処理されている。
ミド樹脂などがスピンコード、ディッピングなどの方法
により前記基板上に塗布され、硬化、ガス抜きなどのた
めに熱処理されている。
一般に太陽電池の製膜温度は高い方が高品質の太陽電池
がえられるが、前記のようにしてえられたイミド樹脂な
どからなる絶縁層を有する基板を用いて太陽電池を製造
するばあい、該製膜温度はせいぜい２５０℃が限度であ
り、高品質の太陽電池をつるのに充分とはいいがたい。
がえられるが、前記のようにしてえられたイミド樹脂な
どからなる絶縁層を有する基板を用いて太陽電池を製造
するばあい、該製膜温度はせいぜい２５０℃が限度であ
り、高品質の太陽電池をつるのに充分とはいいがたい。
その上加熱中、絶縁層中において縮合がおこり、Ｈｚ０
を放出したり、不純物の放出がおこったりして太陽電池
としての特性を低下させたりすることがある。非単結晶
状シリコンで絶縁化する方法も提案されているが、この
ばあいには絶縁破壊電圧が２０〜３０ｖ／Ａｌｌ１シか
なく、かなり厚く堆積する必要がある。
を放出したり、不純物の放出がおこったりして太陽電池
としての特性を低下させたりすることがある。非単結晶
状シリコンで絶縁化する方法も提案されているが、この
ばあいには絶縁破壊電圧が２０〜３０ｖ／Ａｌｌ１シか
なく、かなり厚く堆積する必要がある。
［発明が解決しようとする問題点］
たとえば太陽電池の製造に用いる絶縁基板の絶縁材料と
して、耐熱性の良好な有機高分子材料であるイミドａ！
脂などを用いると、絶縁層形成時の熱処理工程のごとき
煩雑で、太陽電池に使用したばあいにその特性を低下さ
せる工程が必要であり、その上耐熱性が充分でないとい
う問題を有し、また耐熱性が良好な非単結晶状シリコン
を用いると厚さあたりの絶縁破壊電圧が低く、厚く堆積
させる必要があるという問題がある。
して、耐熱性の良好な有機高分子材料であるイミドａ！
脂などを用いると、絶縁層形成時の熱処理工程のごとき
煩雑で、太陽電池に使用したばあいにその特性を低下さ
せる工程が必要であり、その上耐熱性が充分でないとい
う問題を有し、また耐熱性が良好な非単結晶状シリコン
を用いると厚さあたりの絶縁破壊電圧が低く、厚く堆積
させる必要があるという問題がある。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
である。
である。
［問題点を解決するための手段］
本発明者らは、プラズマＣＶＤ ＠などによって非単結
晶状シリコン絶縁材料を製造する際に、反応ガスなどに
アルゴンガスを加えて製膜すると、絶縁性のより優れた
絶縁材料を製造しうることを見出し、本発明を完成する
に至った。
晶状シリコン絶縁材料を製造する際に、反応ガスなどに
アルゴンガスを加えて製膜すると、絶縁性のより優れた
絶縁材料を製造しうることを見出し、本発明を完成する
に至った。
すなわち本発明は、アルゴン原子を含むシリコン化合物
からなる非単結晶状シリコン絶縁材料に関する。
からなる非単結晶状シリコン絶縁材料に関する。
［実施例］
本発明の絶縁材料は通常基板上に形成される。
このような目的に用いる基板としては、たとえばステン
レススチール、鉄、アルミニウム、ニッケル、しんちゅ
う、綱、亜鉛などから形成された厚さ０．０３〜１．ｍ
程度の金属基板のような導電性基板などがあげられるが
、これらに限定されるものではない。
レススチール、鉄、アルミニウム、ニッケル、しんちゅ
う、綱、亜鉛などから形成された厚さ０．０３〜１．ｍ
程度の金属基板のような導電性基板などがあげられるが
、これらに限定されるものではない。
本発明の絶縁材料は前２！基板に、たとえば通常のプラ
ズマＣｖＤ法などの方法により反応ガスなどにアルゴン
ガスを加えて製膜することにより形成される。
ズマＣｖＤ法などの方法により反応ガスなどにアルゴン
ガスを加えて製膜することにより形成される。
前記反応ガスの具体例としては、たとえばＳＬ ＨＡ、
ＳＬ ２Ｈｓ、ＳｉＨ２ＣＪ、５ｉＦａ 、Ｓｉ２
Ｆ＠、ＳｉＨＦ３などのシリコン含有ガス状化合物に、
Ｃ）＋４、ＣｚＨａ、ＣｚＨａ、Ｃ，Ｈ＠などの炭化水
素系ガス状化合物や前記炭化水素系化合物の水素の一部
または全部がハロゲンで置換されたハロゲン誘導体、あ
るいはアンモニア、ＮＦ、、Ｈｚ 、０２、Ｎ、Ｏなど
をシリコン含有ガス状化合物に対して２０〜９０モル％
程度混合した混合ガスがあげられる。
ＳＬ ２Ｈｓ、ＳｉＨ２ＣＪ、５ｉＦａ 、Ｓｉ２
Ｆ＠、ＳｉＨＦ３などのシリコン含有ガス状化合物に、
Ｃ）＋４、ＣｚＨａ、ＣｚＨａ、Ｃ，Ｈ＠などの炭化水
素系ガス状化合物や前記炭化水素系化合物の水素の一部
または全部がハロゲンで置換されたハロゲン誘導体、あ
るいはアンモニア、ＮＦ、、Ｈｚ 、０２、Ｎ、Ｏなど
をシリコン含有ガス状化合物に対して２０〜９０モル％
程度混合した混合ガスがあげられる。
前記反応ガスに対するアルゴンガスの混合割合としては
２０〜９８モル％であることが好ましく、５０〜９０モ
ル％であることがざらに好ましい。アルゴンガスの混合
割合が２０モル％未満になると、形成される非単結晶状
シリコン絶縁材料中にしめるアルゴン原子の割合が０．
０１７トミツク％未渦になり、絶縁性が充分改良されず
、また９８モル％をこえると非単結晶状シリコン系絶縁
材料形成速度が小さくなる。
２０〜９８モル％であることが好ましく、５０〜９０モ
ル％であることがざらに好ましい。アルゴンガスの混合
割合が２０モル％未満になると、形成される非単結晶状
シリコン絶縁材料中にしめるアルゴン原子の割合が０．
０１７トミツク％未渦になり、絶縁性が充分改良されず
、また９８モル％をこえると非単結晶状シリコン系絶縁
材料形成速度が小さくなる。
このようにして製造される本発明の絶縁材料にはアルゴ
ン原子が０．０１〜１０アトミック％含有されているこ
とが好ましく、０．１〜４アトミック％含有されている
ことがざらに好ましい。
ン原子が０．０１〜１０アトミック％含有されているこ
とが好ましく、０．１〜４アトミック％含有されている
ことがざらに好ましい。
該含有量が０．０１７トミツク％未渦になると絶縁層１
［１ｉ圧が低下する。たとえばＳＬＨ暴 ４０ｓｃｃｍ
。
［１ｉ圧が低下する。たとえばＳＬＨ暴 ４０ｓｃｃｍ
。
Ｃｚ Ｈａ ５０ＳＣＣ１、Ａｒ ２００ＳＣＣ１
なる混合ガスから形成されるａ−ＳｉＣ： ＠ ： Ａ
ｒなる組成を有する絶縁材料は、約５００Ｖ／７ａ以上
の絶縁破壊電圧となり、とくにグロー放電などで製造さ
れる半導体基板として好ましい。
なる混合ガスから形成されるａ−ＳｉＣ： ＠ ： Ａ
ｒなる組成を有する絶縁材料は、約５００Ｖ／７ａ以上
の絶縁破壊電圧となり、とくにグロー放電などで製造さ
れる半導体基板として好ましい。
本発明のアルゴン原子を含むシリコン化合物中には、た
とえば炭素原子、チッ素原子、酸素原子、ホウ素原子、
イオウ原子、ゲルマニウム原子などの少なくとも１種が
含まれていてもよい。
とえば炭素原子、チッ素原子、酸素原子、ホウ素原子、
イオウ原子、ゲルマニウム原子などの少なくとも１種が
含まれていてもよい。
本発明の絶縁材料の厚さにはとくに限定はないが、好ま
しくは０．５〜１００ｍ、ざらに好ましくは１〜１０虜
程度である。該絶縁材料の厚さが０、５〜１００ｍ （
７） Ｉｔ アイＩＣＬｔ、約３００〜５０００Ｖ／ａ
＋以上の絶縁破壊電圧がえられる。該厚さが０．５−未
満になるとピンホールが多くなる傾向にあり、また１０
０ｍをこえると内部応力により剥離しやすくなる傾向に
ある。該厚さが１〜１Ｇ−になると１００〜１０００Ｖ
程度の絶縁破壊電圧がえられるのに加え、ピンホールも
少なく、剥離しにくくなる。
しくは０．５〜１００ｍ、ざらに好ましくは１〜１０虜
程度である。該絶縁材料の厚さが０、５〜１００ｍ （
７） Ｉｔ アイＩＣＬｔ、約３００〜５０００Ｖ／ａ
＋以上の絶縁破壊電圧がえられる。該厚さが０．５−未
満になるとピンホールが多くなる傾向にあり、また１０
０ｍをこえると内部応力により剥離しやすくなる傾向に
ある。該厚さが１〜１Ｇ−になると１００〜１０００Ｖ
程度の絶縁破壊電圧がえられるのに加え、ピンホールも
少なく、剥離しにくくなる。
つぎに本発明の絶縁材料およびその製法を図面にもとづ
き説明する。
き説明する。
第１図は基板（１）上に本発明の絶縁材料のを形成させ
、その上に金属薄膜電極（３）を形成させたものの１例
を示す説明図である。
、その上に金属薄膜電極（３）を形成させたものの１例
を示す説明図である。
第２図は、基板上にプラズマＣＶＤ法により、本発明の
絶縁材料を形成する真空装置の１例を示す概略断面説明
図である。
絶縁材料を形成する真空装置の１例を示す概略断面説明
図である。
第２図に示す装置を用いてプラズマＣＶＤ法により本発
明の絶縁材料を形成させる方法としては、たとえば基板
（１）を電極（６）に設置し、真空容器（４）内の真空
度を一旦１Ｘ１０１〜１０Ｘ １０−’ ＴＯｒｒまで
減圧にする。そののちバルブ（７）を開いてシラン、ア
ルゴンなどの所定のガスを導入し、減圧度を１０−２〜
５ Ｔｏｒｒ程度に維持し、電極（Ｓと電極（６）との
間に直流電圧または１にＨ２〜数＋ＨＨ２の高周波電圧
を印加して、真空容器（４）内をプラズマ状態にする。
明の絶縁材料を形成させる方法としては、たとえば基板
（１）を電極（６）に設置し、真空容器（４）内の真空
度を一旦１Ｘ１０１〜１０Ｘ １０−’ ＴＯｒｒまで
減圧にする。そののちバルブ（７）を開いてシラン、ア
ルゴンなどの所定のガスを導入し、減圧度を１０−２〜
５ Ｔｏｒｒ程度に維持し、電極（Ｓと電極（６）との
間に直流電圧または１にＨ２〜数＋ＨＨ２の高周波電圧
を印加して、真空容器（４）内をプラズマ状態にする。
この状態で数分間〜数時間保持すると、基板（１）上に
膜厚が０．５〜１００ｍ程度でアルゴン原子を含むシリ
コン化合物からなる非単結晶状絶縁材料が形成される。
膜厚が０．５〜１００ｍ程度でアルゴン原子を含むシリ
コン化合物からなる非単結晶状絶縁材料が形成される。
ｔｔｉ記説明においては本発明の絶縁材料をプラズマＣ
ＶＤ法により形成したが、プラズマＣＶＤ法に限定され
るものではなく、たとえば下記のようにアルゴンを用い
たスパッタ蒸着法により本発明の絶縁材料を形成しても
よい。
ＶＤ法により形成したが、プラズマＣＶＤ法に限定され
るものではなく、たとえば下記のようにアルゴンを用い
たスパッタ蒸着法により本発明の絶縁材料を形成しても
よい。
スパッタ法により本発明の基板絶縁材料を形成させる方
法としては、たとえば第２図に示す装置の′Ｉｉ極（６
）に基板（１）を設置し、真空容器４）内の真空度を一
旦１ Ｘ １０’ 〜ＩＯＸ １０’ Ｔｏｒｒまで減
圧にする。そののちバルブ（７）からアルゴンを含むヘ
リウムなどの不活性ガスと水素、炭化水素、シリコン含
有ガス状化合物などとの混合気体を真空容器４）内に送
り込み、減圧度を５Ｘ１０’〜１０−Ｌ Ｔｏｒｒ程度
に維持し、たとえばＳｉＣ、グラファイト、シリコンな
どのターゲットを有する電極（５１と基板（１）を設置
した電極（６）との間に直流電圧または１にＨｚ〜数＋
）ＩＨｚの高周波電圧を印加し、真空容器（４）内をプ
ラズマ状態にする。この状態で数分〜数時間保持すると
、基板（１）上に膜厚が０．５〜１００虜の本発明の絶
縁材料（２］を形成することができる。前記プラズマ状
態を生ぜしめるための印加電圧は約１〜ＳｋＶ ＳＩ流
は１００〜３６０１Ａ 、電力は１００〜３００１４程
度が好ましい。
法としては、たとえば第２図に示す装置の′Ｉｉ極（６
）に基板（１）を設置し、真空容器４）内の真空度を一
旦１ Ｘ １０’ 〜ＩＯＸ １０’ Ｔｏｒｒまで減
圧にする。そののちバルブ（７）からアルゴンを含むヘ
リウムなどの不活性ガスと水素、炭化水素、シリコン含
有ガス状化合物などとの混合気体を真空容器４）内に送
り込み、減圧度を５Ｘ１０’〜１０−Ｌ Ｔｏｒｒ程度
に維持し、たとえばＳｉＣ、グラファイト、シリコンな
どのターゲットを有する電極（５１と基板（１）を設置
した電極（６）との間に直流電圧または１にＨｚ〜数＋
）ＩＨｚの高周波電圧を印加し、真空容器（４）内をプ
ラズマ状態にする。この状態で数分〜数時間保持すると
、基板（１）上に膜厚が０．５〜１００虜の本発明の絶
縁材料（２］を形成することができる。前記プラズマ状
態を生ぜしめるための印加電圧は約１〜ＳｋＶ ＳＩ流
は１００〜３６０１Ａ 、電力は１００〜３００１４程
度が好ましい。
基板（１）上に形成された絶縁材料（２）上に、たとえ
ば蒸着法またはスパッタ法などによりアルミニウム、モ
リブデン、ステンレス鋼、アンチモン、クロム、ニクロ
ムなどのような適切な電気伝導度を有する金属を約５０
０人〜１−の厚さに形成すると、第１図に示すような金
属電極（３）および絶縁材料（２を有する基板（１）が
えられる。
ば蒸着法またはスパッタ法などによりアルミニウム、モ
リブデン、ステンレス鋼、アンチモン、クロム、ニクロ
ムなどのような適切な電気伝導度を有する金属を約５０
０人〜１−の厚さに形成すると、第１図に示すような金
属電極（３）および絶縁材料（２を有する基板（１）が
えられる。
前記のようにしてえられた本発明の絶縁材料は、製造時
にイミド１ｌＷｉなどを使用するばあいのように熱処理
工程を行なう必要がなく、その耐熱性はイミド樹脂より
良好であり、太陽電池 ”製造時の加熱による脱ガスの
影響がないため、製膜を高温ですることができ、えられ
る太陽電池の性能を向上させることができる。またイミ
ド樹脂をスピンコードやディッピングで形成する方法に
くらべ、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法により絶縁材料
を形成させると、膜を均一に形成させることができるた
め歩留りが向上する。
にイミド１ｌＷｉなどを使用するばあいのように熱処理
工程を行なう必要がなく、その耐熱性はイミド樹脂より
良好であり、太陽電池 ”製造時の加熱による脱ガスの
影響がないため、製膜を高温ですることができ、えられ
る太陽電池の性能を向上させることができる。またイミ
ド樹脂をスピンコードやディッピングで形成する方法に
くらべ、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法により絶縁材料
を形成させると、膜を均一に形成させることができるた
め歩留りが向上する。
本発明の絶縁材料はＳＯＶ／ｍ以上の絶縁破壊電圧、好
ましくは１００Ｖ／−以上の絶縁破壊電圧を有するもの
である。
ましくは１００Ｖ／−以上の絶縁破壊電圧を有するもの
である。
つぎに本発明の絶縁材料を実施例にもとづき説明するが
、本発明はこれらに限定されるものではない。
、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例１
本実施例は第２図と同様の装置を用いてプラズマＣｖＤ
法により行なった。
法により行なった。
基板（１）として厚さ０．２ｇｍのステンレス３０４を
電極（６）上に設置した。電極（Ｓおよび電極（６）の
間隔は２０Ｍであり、基板の表面温度が２５０℃になる
ように加熱した。真空容器４）内を１×１０′４Ｔｏｒ
ｒまで減圧にしたのち、バルブ（７′）よりシラン４０
ｓｃｃｍ、水素４０ｓｃｃ菖およびアルゴン１００ＳＣ
Ｃ−をあらかじめ混合したガスを導入し、真空度を１．
５Ｔｏｒｒに保持した。この状態で電極（５１，電極（
６）ノ間に出力３０Ｗ 、 １３．５６ＨＨ２の高周波
電圧を印加し、真空容器内をプラズマ状態にして１時間
保持し、絶縁材料（２）を形成した。
電極（６）上に設置した。電極（Ｓおよび電極（６）の
間隔は２０Ｍであり、基板の表面温度が２５０℃になる
ように加熱した。真空容器４）内を１×１０′４Ｔｏｒ
ｒまで減圧にしたのち、バルブ（７′）よりシラン４０
ｓｃｃｍ、水素４０ｓｃｃ菖およびアルゴン１００ＳＣ
Ｃ−をあらかじめ混合したガスを導入し、真空度を１．
５Ｔｏｒｒに保持した。この状態で電極（５１，電極（
６）ノ間に出力３０Ｗ 、 １３．５６ＨＨ２の高周波
電圧を印加し、真空容器内をプラズマ状態にして１時間
保持し、絶縁材料（２）を形成した。
えられた絶縁材料は膜厚２虜、光学的禁止帯幅ＥＯ（Ｏ
ｐｔ） １．７ｅＶであった。オージェ電子分光法に
より測定した絶縁材料中のアルゴン含量は１アトミック
％であった。
ｐｔ） １．７ｅＶであった。オージェ電子分光法に
より測定した絶縁材料中のアルゴン含量は１アトミック
％であった。
そののち絶縁材料（２！Ｊの表面に金属電極３）として
クロムを厚さ１０００人になるように電子ビーム蒸着法
で形成した。
クロムを厚さ１０００人になるように電子ビーム蒸着法
で形成した。
そののち基板（１）と金属電極（３）との間に電圧を印
加し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定したところ
、１Ｏ−１０（ＯＣＩ）−１および約４０Ｖ／、であっ
た。
加し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定したところ
、１Ｏ−１０（ＯＣＩ）−１および約４０Ｖ／、であっ
た。
比較例１
アルゴンガスを用いない以外は実施例１と同様にして絶
縁材料を形成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定
したところ、１Ｏ−９（Ωε■）−１および２０Ｖ／虜
であった。なおえられたａ−８ｉ：ＨのＥｇ（ｏｐｔ）
ハ１．７ ｅＶ ’Ｔニア”：ｒｔ＝。
縁材料を形成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定
したところ、１Ｏ−９（Ωε■）−１および２０Ｖ／虜
であった。なおえられたａ−８ｉ：ＨのＥｇ（ｏｐｔ）
ハ１．７ ｅＶ ’Ｔニア”：ｒｔ＝。
実施例２
実施例１で用いた原料ガスを５ＬＨｔ ４０ＳＣＣ１。
Ｃｚ Ｈ２Ｓ ０ Ｓ ＣＣｌおよびアルゴン２００ｓ
ｃｃ肩にした以外は実施例１と同様にして絶縁材料を形
成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定したところ
、１０−’ （ＯＣＩ ）−” オヨヒ５００Ｖ／ｍｉ
’アッた。なおえられたａ−３ｉＣ：Ｈ：ＡｒのＥｇ（
ｏｐｔ）は２．６ｅＶであり、アルゴン含有率は１アト
ミック％、炭素含有率は５０アトミック％であった。
ｃｃ肩にした以外は実施例１と同様にして絶縁材料を形
成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定したところ
、１０−’ （ＯＣＩ ）−” オヨヒ５００Ｖ／ｍｉ
’アッた。なおえられたａ−３ｉＣ：Ｈ：ＡｒのＥｇ（
ｏｐｔ）は２．６ｅＶであり、アルゴン含有率は１アト
ミック％、炭素含有率は５０アトミック％であった。
比較例２
アルゴンガスを用いない以外は実施例１と同様にして絶
縁材料を形成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定
したところ、１Ｏ−９（ＯＣＩ）′″１および３００Ｖ
／Ｊｌａであった。なおえられたａ−３ｉＣ：ＨのＥｇ
（ａｐｔ）は２．６ ｅ Ｖ １’ アクタ＠絶縁破！
ｌ！電圧（Ｅ、）と光学的禁止帯幅（Ｅｇ（ｏｐｔ））
との間にはＥｂＣＣｅＸＤ（６ｇ（ｏａｔ））の関係が
ある。実施例１〜２Ｉ３よび比較例１〜２でえられた絶
縁材料についてＥｂとｅｘｐ（６ｇ（ｏａｔ））との関
係を第３図に示す。
縁材料を形成し、電気伝導率および絶縁破壊電圧を測定
したところ、１Ｏ−９（ＯＣＩ）′″１および３００Ｖ
／Ｊｌａであった。なおえられたａ−３ｉＣ：ＨのＥｇ
（ａｐｔ）は２．６ ｅ Ｖ １’ アクタ＠絶縁破！
ｌ！電圧（Ｅ、）と光学的禁止帯幅（Ｅｇ（ｏｐｔ））
との間にはＥｂＣＣｅＸＤ（６ｇ（ｏａｔ））の関係が
ある。実施例１〜２Ｉ３よび比較例１〜２でえられた絶
縁材料についてＥｂとｅｘｐ（６ｇ（ｏａｔ））との関
係を第３図に示す。
第３図から、アルゴンガスを含んだガスを用いて製膜し
た絶縁材料は、アルゴンガスを含まないものよりもより
大きな絶縁破壊電圧がえられることがわかる。
た絶縁材料は、アルゴンガスを含まないものよりもより
大きな絶縁破壊電圧がえられることがわかる。
［発明の効果］
本発明の非単結晶状シリコン系絶縁材料は単位厚さ当り
の絶縁破壊電圧が大きく、かつ耐熱性が良好であるため
、必要とする絶縁破壊電圧をうるだめの絶縁材料の厚さ
を薄くすることができる。また、たとえば太陽電池を製
造するばめいの製ｌＩ温度を高くすることができるので
、太陽電池性能の良好な太陽電池がえられる。
の絶縁破壊電圧が大きく、かつ耐熱性が良好であるため
、必要とする絶縁破壊電圧をうるだめの絶縁材料の厚さ
を薄くすることができる。また、たとえば太陽電池を製
造するばめいの製ｌＩ温度を高くすることができるので
、太陽電池性能の良好な太陽電池がえられる。
第１図は本発明の絶縁材料を説明するための説明図、第
２図は本発明に用いる製造装置の一実施態様の概略断面
説明図、第３図は実施例１〜２および比較例１〜２でえ
られた絶縁材料の絶縁破壊電圧（Ｅ ）とｅｘａ（Ｅ
ｇ（ｏａｔ））との関係す を示すグラフである。 （図面の主要符号） （ｚ：絶縁材料 ２３図 −（Ｏｐｔ）（ｅＶ）
２図は本発明に用いる製造装置の一実施態様の概略断面
説明図、第３図は実施例１〜２および比較例１〜２でえ
られた絶縁材料の絶縁破壊電圧（Ｅ ）とｅｘａ（Ｅ
ｇ（ｏａｔ））との関係す を示すグラフである。 （図面の主要符号） （ｚ：絶縁材料 ２３図 −（Ｏｐｔ）（ｅＶ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルゴン原子を含むシリコン化合物からなる非単結
晶状シリコン系絶縁材料。 ２ 前記シリコン化合物中に炭素原子、チッ素原子、酸
素原子、ホウ素原子、イオウ原子、ゲルマニウム原子の
少なくとも１種が含まれている特許請求の範囲第１項記
載の絶縁材料。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250869A JPS61128403A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 非単結晶状シリコン系絶縁材料 |
| US06/802,101 US4711807A (en) | 1984-11-28 | 1985-11-25 | Insulating material of non-single crystalline silicon compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250869A JPS61128403A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 非単結晶状シリコン系絶縁材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128403A true JPS61128403A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17214216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250869A Pending JPS61128403A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 非単結晶状シリコン系絶縁材料 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4711807A (ja) |
| JP (1) | JPS61128403A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3906405A1 (de) * | 1989-03-01 | 1990-09-06 | Leybold Ag | Verfahren zur herstellung eines schichtwiderstands |
| US7005245B1 (en) * | 1996-06-25 | 2006-02-28 | Kubacki Ronald M | Plasma deposited optical waveguide |
| US6764812B1 (en) * | 1996-06-25 | 2004-07-20 | Ronald M. Kubacki | Plasma deposited selective wetting material |
| JP2000113426A (ja) * | 1998-10-06 | 2000-04-21 | Tdk Corp | 薄膜デバイス、薄膜磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子 |
| US7147900B2 (en) * | 2003-08-14 | 2006-12-12 | Asm Japan K.K. | Method for forming silicon-containing insulation film having low dielectric constant treated with electron beam radiation |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115785A (en) * | 1976-01-22 | 1977-09-28 | Western Electric Co | Process for coating substrate |
| JPS5973413A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜状絶縁材とその製造方法 |
| JPS59135733A (ja) * | 1983-01-03 | 1984-08-04 | エルエフイ−・コ−ポレイシヨン | プラズマグロ−放電において誘電性皮膜を付着するための方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4161743A (en) * | 1977-03-28 | 1979-07-17 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Semiconductor device with silicon carbide-glass-silicon carbide passivating overcoat |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59250869A patent/JPS61128403A/ja active Pending
-
1985
- 1985-11-25 US US06/802,101 patent/US4711807A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52115785A (en) * | 1976-01-22 | 1977-09-28 | Western Electric Co | Process for coating substrate |
| JPS5973413A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜状絶縁材とその製造方法 |
| JPS59135733A (ja) * | 1983-01-03 | 1984-08-04 | エルエフイ−・コ−ポレイシヨン | プラズマグロ−放電において誘電性皮膜を付着するための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4711807A (en) | 1987-12-08 |
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