JPS60247917A - 非晶質シリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン薄膜の製造方法Info
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- JPS60247917A JPS60247917A JP59103826A JP10382684A JPS60247917A JP S60247917 A JPS60247917 A JP S60247917A JP 59103826 A JP59103826 A JP 59103826A JP 10382684 A JP10382684 A JP 10382684A JP S60247917 A JPS60247917 A JP S60247917A
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- silicon
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- gas
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、非晶質シリコン薄膜の製造方法に関するＯ
従来、非晶質シリコン薄膜馨製造するには、モノシラン
ガス（ＳｉＨ４）、あるいは高次シランガス（Ｓｉ、Ｈ
，等）等の水素化シリコンガスを原料とし、直流あるい
は高周波放電電力のエネルギーにより分解して成長させ
る方法が最も良（用いられている。この水素化シリコン
ガスのグロー放電により析出した非晶質シリコン薄膜は
非常に良い光ｔ％性を有し、太陽電池、光センサ−、電
子写真感光材料として応用されつつある。しかしなから
、水素を含む非晶質シリコン膜は、膜中の水素とシリコ
ンの結合か弱（，３５０℃〜４００℃で水素の放出が起
こり、非晶質シリコン膜の経時的な導電特性の劣化や、
強光照射時の導ｔ％性の劣化の要因になると考えられて
いる。また水素化シリコンガスは、高価なガスであるた
め、非晶質シリコン膜を安価に製造する為には、水素化
シリコンガスな原料とすることが障害となっていた。こ
のため水素化シリコンガスを原料とせず四弗化シリコン
（８１Ｆ４）、四塩化シリコン（Ｓ１ｃｔ、）を原料と
する方法もあるか、化孕的に活性な弗素が生成されるた
め取扱いか難しい、あるいは膜の成長速度か遅いという
欠点を有している。
ガス（ＳｉＨ４）、あるいは高次シランガス（Ｓｉ、Ｈ
，等）等の水素化シリコンガスを原料とし、直流あるい
は高周波放電電力のエネルギーにより分解して成長させ
る方法が最も良（用いられている。この水素化シリコン
ガスのグロー放電により析出した非晶質シリコン薄膜は
非常に良い光ｔ％性を有し、太陽電池、光センサ−、電
子写真感光材料として応用されつつある。しかしなから
、水素を含む非晶質シリコン膜は、膜中の水素とシリコ
ンの結合か弱（，３５０℃〜４００℃で水素の放出が起
こり、非晶質シリコン膜の経時的な導電特性の劣化や、
強光照射時の導ｔ％性の劣化の要因になると考えられて
いる。また水素化シリコンガスは、高価なガスであるた
め、非晶質シリコン膜を安価に製造する為には、水素化
シリコンガスな原料とすることが障害となっていた。こ
のため水素化シリコンガスを原料とせず四弗化シリコン
（８１Ｆ４）、四塩化シリコン（Ｓ１ｃｔ、）を原料と
する方法もあるか、化孕的に活性な弗素が生成されるた
め取扱いか難しい、あるいは膜の成長速度か遅いという
欠点を有している。
本発明はかかる状況を鑑みて成されたもので、信頼性の
高い非晶質シリコン膜を安価忙且つ高い成膜速度で提供
する製造方法を与えるものである。
高い非晶質シリコン膜を安価忙且つ高い成膜速度で提供
する製造方法を与えるものである。
以下図面に基づき本発明について具体的に説明する。第
１図には、本発明の非晶質シリコン薄膜の製造装置の全
体を示しである。１１の真空槽に連結した１２の電気炉
中に１４のシリコン単結晶板を設置し、炉中ｖ９００℃
〜１２００℃に加熱する。
１図には、本発明の非晶質シリコン薄膜の製造装置の全
体を示しである。１１の真空槽に連結した１２の電気炉
中に１４のシリコン単結晶板を設置し、炉中ｖ９００℃
〜１２００℃に加熱する。
１３のパルプより原料ガスの四塩化シリコンガスを導入
すると、炉中で四塩化シリコンが化学反応ケ起こし、Ｓ
ｉ、Ｏｔ、、５ｔａｃｔ、、ｓｔ、ｃｚ、、などの高次
塩化シリコンガスか生成する。該生成ガスを真空槽内に
導入し、同時に１９のパルプより排気を行ないなから該
真空槽内を所足の内圧とした後、電極１６に直流又は尚
周波電界を印加し、前記生成ガスをグロー放電分解する
こと忙より基板上に非晶質シリコン膜が形成される。な
おこの一基板１７は２００〜６００℃に加熱しておく。
すると、炉中で四塩化シリコンが化学反応ケ起こし、Ｓ
ｉ、Ｏｔ、、５ｔａｃｔ、、ｓｔ、ｃｚ、、などの高次
塩化シリコンガスか生成する。該生成ガスを真空槽内に
導入し、同時に１９のパルプより排気を行ないなから該
真空槽内を所足の内圧とした後、電極１６に直流又は尚
周波電界を印加し、前記生成ガスをグロー放電分解する
こと忙より基板上に非晶質シリコン膜が形成される。な
おこの一基板１７は２００〜６００℃に加熱しておく。
導電基板上に本発明による製造装置ｉを用い、非晶質シ
リコン薄＃を形成した。このときの作成条件は以下の通
りである。
リコン薄＃を形成した。このときの作成条件は以下の通
りである。
真空槽の内圧 １．０ Ｔｏｒｒ
高周波電力 ２０Ｗ（０，２Ｗ／ｍ）
高周波周波数 １ ＆５６ ＭＨＩＭ
基板＠度 ２０（１
四塩化シリコンガスｔｔ量５０ｓｃｃＭ結晶シリコン加
熱温度 １０００’に のようにして作成した非晶質シリコン薄膜の成長速度は
４０λ／ｐｅａを示し、比抵抗１ｏ−Ω・備、１ ｍＷ
／ｃｍ Ｈθ−Ｎｅレーザ照射時の光導電率は５×１０
（Ω・ｃｍ）−’Ｙ有する非晶質シリコン薄膜が得ら
れた。また該非晶質シリコン薄膜Ｙ４５０’Ｃで５時間
アニールしたところ特性の変化はほとんど見られなかっ
た。
熱温度 １０００’に のようにして作成した非晶質シリコン薄膜の成長速度は
４０λ／ｐｅａを示し、比抵抗１ｏ−Ω・備、１ ｍＷ
／ｃｍ Ｈθ−Ｎｅレーザ照射時の光導電率は５×１０
（Ω・ｃｍ）−’Ｙ有する非晶質シリコン薄膜が得ら
れた。また該非晶質シリコン薄膜Ｙ４５０’Ｃで５時間
アニールしたところ特性の変化はほとんど見られなかっ
た。
以上のように本発明によれば、非晶質シリ；ン薄膜を、
安価に且つ高い成膜速度で得ることができる。また得ら
れた非晶質シリコン薄膜の電気特性は従来の水素化シリ
コンカスな原料として得られるものと変りがなく、耐熱
性において優れたものとなっている。
安価に且つ高い成膜速度で得ることができる。また得ら
れた非晶質シリコン薄膜の電気特性は従来の水素化シリ
コンカスな原料として得られるものと変りがなく、耐熱
性において優れたものとなっている。
本発明は、太陽電池、電子写真感光体のように、信頼性
の高い非晶質シリコン薄膜を大量に且つ安価に製造しな
ければならない機能材料の製造に特に有効となる。
の高い非晶質シリコン薄膜を大量に且つ安価に製造しな
ければならない機能材料の製造に特に有効となる。
第１図は本発明にもとづ（非晶質シリコン薄膜の製造装
置を示す。 １１・・・真空槽、１２・・・電気炉、１５・・・ガス
導入弁１４・・・結晶シリコン、１５・・・高周波電源
１６・・・高周波電極、１７・・・基板１８・・・基板
加熱ヒータ、１９山排気弁。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人弁理士 最 上 務 第１図
置を示す。 １１・・・真空槽、１２・・・電気炉、１５・・・ガス
導入弁１４・・・結晶シリコン、１５・・・高周波電源
１６・・・高周波電極、１７・・・基板１８・・・基板
加熱ヒータ、１９山排気弁。 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人弁理士 最 上 務 第１図
Claims (3)
- （１）塩素ケ含有したシリコン薄膜の製造方法において
、高次の塩素化シリコンガスを原料として成長させるこ
とを％徴とする非晶質シリコン薄膜の製造方法。 - （２） 四塩化シリコンガスを加熱したシリコン結晶板
上に通過せしめ該シリコン結晶板にて反応生成する高次
塩素化シリコンガスを原料として成長させる特許請求の
範囲第１項記載の非晶質シリコン薄膜の製造方法。 - （３）前記シリコン結晶板の加熱温度か９００℃乃至１
２００℃であること馨特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の非晶質シリコン薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103826A JPS60247917A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59103826A JPS60247917A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60247917A true JPS60247917A (ja) | 1985-12-07 |
Family
ID=14364215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59103826A Pending JPS60247917A (ja) | 1984-05-23 | 1984-05-23 | 非晶質シリコン薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60247917A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103205727A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-07-17 | 西南技术物理研究所 | 非晶硅光学薄膜折射率调节方法 |
| WO2014173574A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von octachlortrisilan |
| JP2016516665A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-06-09 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ | ポリクロロシランの製造方法および製造装置 |
-
1984
- 1984-05-23 JP JP59103826A patent/JPS60247917A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103205727A (zh) * | 2012-12-24 | 2013-07-17 | 西南技术物理研究所 | 非晶硅光学薄膜折射率调节方法 |
| WO2014173574A1 (de) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von octachlortrisilan |
| JP2016516665A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-06-09 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ | ポリクロロシランの製造方法および製造装置 |
| JP2016522141A (ja) * | 2013-04-24 | 2016-07-28 | エボニック デグサ ゲーエムベーハーＥｖｏｎｉｋ Ｄｅｇｕｓｓａ ＧｍｂＨ | オクタクロロトリシランの製造方法および製造装置 |
| US9845248B2 (en) | 2013-04-24 | 2017-12-19 | Evonik Degussa Gmbh | Process and apparatus for preparation of octachlorotrisilane |
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