JPS6112876A - 無電解めつき浴 - Google Patents
無電解めつき浴Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、無電解めっき浴に関するものである。詳しく
は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によって記録を行う
、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（磁性膜）を
形成する無電解めっき浴に関するものである。
は、磁気記録媒体の膜厚方向の磁化によって記録を行う
、いわゆる垂直記録に用いる磁気記録媒体（磁性膜）を
形成する無電解めっき浴に関するものである。
磁気記録技術は、記録、再生、消去の操作が容易で、記
録の保持にエネルギーを要しないこさせることとなシ、
垂直磁化が検討されている。
録の保持にエネルギーを要しないこさせることとなシ、
垂直磁化が検討されている。
このため媒体の形も塗布形から垂直磁化に適した薄膜形
に移行しつつある。この垂直記録に適し九磁気記録媒体
の形成方法としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつ０ｏ−Ｏｒをスノ（ツタ法によシ膜に形成する方法
が提案されている。とζろがｏｏ−Ｏｒ膜をスノくツタ
法によシ作製するには、真空系内で行うため製造装置が
複雑化し経済上の問題がある。
に移行しつつある。この垂直記録に適し九磁気記録媒体
の形成方法としては、膜厚に垂直な方向に磁化容易軸を
もつ０ｏ−Ｏｒをスノ（ツタ法によシ膜に形成する方法
が提案されている。とζろがｏｏ−Ｏｒ膜をスノくツタ
法によシ作製するには、真空系内で行うため製造装置が
複雑化し経済上の問題がある。
また、スパッタ法以外の方法としては、無電解めっき法
が提案されておシ、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁気記録媒体ｔ−製造する無電解めっき浴が見い出さ
れている。この無電解めっき浴においては飽和磁化を低
下させるために通常ニッケルを共析しているが、無電解
め。
が提案されておシ、膜面に垂直な方向に磁化容易軸をも
つ磁気記録媒体ｔ−製造する無電解めっき浴が見い出さ
れている。この無電解めっき浴においては飽和磁化を低
下させるために通常ニッケルを共析しているが、無電解
め。
”）！浴にニッケルイオンを添加した場合、めっき浴が
著しく不安定となり浴分解に至るという問題が生起した
。
著しく不安定となり浴分解に至るという問題が生起した
。
本発明の目的は、この問題を改善して飽和磁化の低下が
はかられ、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁
気記録媒体を安定に製造できる無電解めっき浴を提供す
ることにある。
はかられ、かつ膜面に垂直な方向に磁化容易軸をもつ磁
気記録媒体を安定に製造できる無電解めっき浴を提供す
ることにある。
本発明の要旨は、コバルトイオン、ニッケルイオン、こ
れら金属イオンの還元剤、ｐＨ調節剤、並びに添加剤と
してマンガンイオンを含む水溶液に、前記イオンの錯化
剤としてジグリコール酸基又はシトラコン酸基を含有し
てなるととｖｉ−特徴とする無電解めっき浴に存する。
れら金属イオンの還元剤、ｐＨ調節剤、並びに添加剤と
してマンガンイオンを含む水溶液に、前記イオンの錯化
剤としてジグリコール酸基又はシトラコン酸基を含有し
てなるととｖｉ−特徴とする無電解めっき浴に存する。
これによシめつき浴の遊離金属イオンが適切に調節され
、めっき成牛に水酸化ニッケル等の浮遊物が発生して浴
分解するのを防ぎめっき浴の安定化がはかれる。
、めっき成牛に水酸化ニッケル等の浮遊物が発生して浴
分解するのを防ぎめっき浴の安定化がはかれる。
本発明において金属イオンとして用い・られるコバルト
イオン、ニッケルイオン、マンガンイオンとしては、コ
バルト、ニッケルあるいはＶンガンの硫ＷＲ塩、塩化塩
、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解する
ことによって供給される。コバルトイオンの濃度は％０
，６０．２〜／ ｍｏ：Ｌ ／ Ｌの範囲が用いられる
が、好ましくはθ、θ／〜θ−／ ｊ ｍｏｌ ／ Ｌ
の範囲である。ニッケルイオンの濃度は０−０．ｊ ｍ
ｏｌ ／ Ｌの範囲が用いられるが好ましくはθ、θＯ
λ〜０．Ｏｒ ｍｏｌ ／ Ｌの範囲である。マンガン
イオンの濃度は０．００ｊ〜θ、！ｍｏ１／ｚの範囲が
用いられるが好ましくは０．０２〜０．−２ｍｏ’ｌ
／ ｔの範囲である。還元剤としては次亜リンＭ塩が普
通に用いられるが、ヒドラジン塩頑、ホウ水素比物など
も用することができる。
イオン、ニッケルイオン、マンガンイオンとしては、コ
バルト、ニッケルあるいはＶンガンの硫ＷＲ塩、塩化塩
、酢酸塩などの可溶性塩を無電解めっき浴中に溶解する
ことによって供給される。コバルトイオンの濃度は％０
，６０．２〜／ ｍｏ：Ｌ ／ Ｌの範囲が用いられる
が、好ましくはθ、θ／〜θ−／ ｊ ｍｏｌ ／ Ｌ
の範囲である。ニッケルイオンの濃度は０−０．ｊ ｍ
ｏｌ ／ Ｌの範囲が用いられるが好ましくはθ、θＯ
λ〜０．Ｏｒ ｍｏｌ ／ Ｌの範囲である。マンガン
イオンの濃度は０．００ｊ〜θ、！ｍｏ１／ｚの範囲が
用いられるが好ましくは０．０２〜０．−２ｍｏ’ｌ
／ ｔの範囲である。還元剤としては次亜リンＭ塩が普
通に用いられるが、ヒドラジン塩頑、ホウ水素比物など
も用することができる。
ｐＨ緩衝剤としてはアンモニウム塩、炭ｔｌＲ塩、ｐＨ
調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸化ナ
トリウムなどのアルカリが用いられ、ｐＨの降下には硫
酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤としてのジグリ
コール酸基又はシトラコン酸基は、ジグリコール酸また
はジグリコール酸の可溶性塩または、シトラコン酸もし
くはシトラコン酸の可溶性塩によって供給され％ Ｏ・
／〜−，ｊｍｏｌ ／ Ｌの範囲の濃度が用いられる〇 以下、本発明による無′１解めっき浴の特長を実施例に
より説明する。
調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア、水酸化ナ
トリウムなどのアルカリが用いられ、ｐＨの降下には硫
酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤としてのジグリ
コール酸基又はシトラコン酸基は、ジグリコール酸また
はジグリコール酸の可溶性塩または、シトラコン酸もし
くはシトラコン酸の可溶性塩によって供給され％ Ｏ・
／〜−，ｊｍｏｌ ／ Ｌの範囲の濃度が用いられる〇 以下、本発明による無′１解めっき浴の特長を実施例に
より説明する。
実施例／
東し＠製アディティブ用ポリイミドフィルム基板に下記
のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ −ｊｊｌ −
Ｍｒ −Ｐ Ｊｉｇ （膜厚へｊμｍ）ｔ−形成した。
のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ −ｊｊｌ −
Ｍｒ −Ｐ Ｊｉｇ （膜厚へｊμｍ）ｔ−形成した。
めっき浴組成
（ｊ！＃：ｆバルト ： ０−０６ ｍｏｌ ／ Ｌ
硫酸ニッケル ”、ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリクム 二 〇−コＯ 硫酸アンモニウム：０．ｊＯ 硫酸マンガン ：０．０３ ジグリコール酸 ： ０．ｊθ めっき条件 めっき浴のｐＨ： ｒ、０−ＪＪ（Ｍ温にてＢ４０Ｈで
ｐＨ調節）めっき浴の温度：／θ℃ めっき時間 ：ｊ〜／θ分（第１表に示す）めっき浴
のｐＨｔ−♂、θ〜り・！まで変（ヒさせて得ｃ、、
レタＣｏ −Ｎｉ−Ｍｎ −Ｐ ｍ（ＤＨ晶構造の変化
を明らかにするためＸ線回折を行なった結果を第１表に
示す。表中の数字位同−試料における最大強度の回折線
の強さを１００とした相対強度’に′ｉ′ｆｏ
ｙｌ、 、 ＆めっき浴のｐＨを、？、０から？、ｊま
で増加しても（１００）及び（１０／）の相対強度がθ
（θ０−２）の相対強度が１００となルα−Ｃ〇六方晶
０軸が基板に対して垂直方向に十分配向した状Ｍ４を保
持していた。
硫酸ニッケル ”、ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリクム 二 〇−コＯ 硫酸アンモニウム：０．ｊＯ 硫酸マンガン ：０．０３ ジグリコール酸 ： ０．ｊθ めっき条件 めっき浴のｐＨ： ｒ、０−ＪＪ（Ｍ温にてＢ４０Ｈで
ｐＨ調節）めっき浴の温度：／θ℃ めっき時間 ：ｊ〜／θ分（第１表に示す）めっき浴
のｐＨｔ−♂、θ〜り・！まで変（ヒさせて得ｃ、、
レタＣｏ −Ｎｉ−Ｍｎ −Ｐ ｍ（ＤＨ晶構造の変化
を明らかにするためＸ線回折を行なった結果を第１表に
示す。表中の数字位同−試料における最大強度の回折線
の強さを１００とした相対強度’に′ｉ′ｆｏ
ｙｌ、 、 ＆めっき浴のｐＨを、？、０から？、ｊま
で増加しても（１００）及び（１０／）の相対強度がθ
（θ０−２）の相対強度が１００となルα−Ｃ〇六方晶
０軸が基板に対して垂直方向に十分配向した状Ｍ４を保
持していた。
めっき浴のｐＨをｒ、ｏから？、夕まで変化させた時の
飽和磁化Ｍｓ Ｏ変化を第１図に示す。
飽和磁化Ｍｓ Ｏ変化を第１図に示す。
ｐＨｒ、θでのＭｅは！θｏ ｅｍｕ／ｃｃであった。
第１図に示すようにｐＨの上昇と共にＭｅはゆるやかに
増加しｐＨり、夕でのＭｅはＪ″００ｅ ｍｕ／ｃ Ｃ
！であった。
増加しｐＨり、夕でのＭｅはＪ″００ｅ ｍｕ／ｃ Ｃ
！であった。
めっき浴の安定性は浮遊物の宛先、沈殿生成もなく極め
て良好であった。
て良好であった。
実施例一
実施例／と同様にしてＣｏ −Ｎｉ −Ｍｎ−Ｐ膜（膜
厚〜／μｍ ）のめつきを行なったが、めっき浴として
下記の組成を用いた〇 めっき浴組成 硫酸コバルト ： ０．０６ ｍｏｌ ／ Ａ硫酸ニ
ッケル 二〇、θダ 次亜リン酸ナトリウム ：０，２０ （ｌｉｌｃＥ＆ア７ モニ９ Ａ ： ０．ｊ Ｏ硫酸
マンガン ’、ｏ、ｏ３〜０．２０ジグリコール酸
：ｏ、ｔ。
厚〜／μｍ ）のめつきを行なったが、めっき浴として
下記の組成を用いた〇 めっき浴組成 硫酸コバルト ： ０．０６ ｍｏｌ ／ Ａ硫酸ニ
ッケル 二〇、θダ 次亜リン酸ナトリウム ：０，２０ （ｌｉｌｃＥ＆ア７ モニ９ Ａ ： ０．ｊ Ｏ硫酸
マンガン ’、ｏ、ｏ３〜０．２０ジグリコール酸
：ｏ、ｔ。
硫酸マンガンの濃度をＱ、θ３から０゜２０ ｍｏ１／
Ｌまで変化させて得られたＣｏ −Ｎｉ −Ｍｎ−ア膜
のＸ線回折結果を第、２表に示す。
Ｌまで変化させて得られたＣｏ −Ｎｉ −Ｍｎ−ア膜
のＸ線回折結果を第、２表に示す。
硫酸マンガン濃度＠ｏ、ｏｓから００．２０ ｍｏｂ
／ｌまで増加しても（１００）及び（１０／）の相対強
度が０、（０θ２）の相対強度がｉｏｏとな１）ｃｂ−
Ｏ。
／ｌまで増加しても（１００）及び（１０／）の相対強
度が０、（０θ２）の相対強度がｉｏｏとな１）ｃｂ−
Ｏ。
六方晶のＣ軸が基板に対して喬直方向に十分配向した状
ａｔ保持していた。
ａｔ保持していた。
硫酸マンガン濃度を０．０３から０．Ｊ Ｏｍｏｂ ／
ｚｔで変化させた時の飽和磁化Ｍｓの変化を第２図に蚕
す。硫酸マンガン０．ＯＪ ｍｏｂ ／ ｌ−でのＭｅ
はり００ ｅｍｕ／ｃｃであった。第一図に示すように
硫酸マンガン濃度ｔ−０，Ｊ Ｏｍｏｌ ／ Ｌまで変
化させたところＭｅは硫酸マンガン濃度Ｏ６／！ｍｏｌ
／ ｔテ／ ０００ ｅｍｕ、／ｃａとなシ、Ｏ１２，
。１７ｔｏ時ｒ ００ ｅｍｕ／ａｃであった。
ｚｔで変化させた時の飽和磁化Ｍｓの変化を第２図に蚕
す。硫酸マンガン０．ＯＪ ｍｏｂ ／ ｌ−でのＭｅ
はり００ ｅｍｕ／ｃｃであった。第一図に示すように
硫酸マンガン濃度ｔ−０，Ｊ Ｏｍｏｌ ／ Ｌまで変
化させたところＭｅは硫酸マンガン濃度Ｏ６／！ｍｏｌ
／ ｔテ／ ０００ ｅｍｕ、／ｃａとなシ、Ｏ１２，
。１７ｔｏ時ｒ ００ ｅｍｕ／ａｃであった。
めっき浴の安定性は浮遊物の発注沈殿生成もなく極めて
良好であった。
良好であった。
実施例３
東し■製アディティブ用ポリイミドフィルム基板に下記
のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ−Ｎｉ −Ｍｎ
−Ｐ膜（膜厚〜ｏ、ｚｐｍ）を形成した。
のめつき浴組成及びめっき条件にてＣｏ−Ｎｉ −Ｍｎ
−Ｐ膜（膜厚〜ｏ、ｚｐｍ）を形成した。
めっき浴組成
硫酸コバルト ＝０．０≦ｍｏｌ ／ｌ−硫酸ニッケ
ル ：ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリウム ：０．２０ 硫酸アンモニウム二〇、！０ 硫酸マンガン ’、０．０３ シトラコン酸 ：０．ｊｏ めっき条件 ｉｔ＞ りＩ 浴ｏ ＰＨ： ｒ、ｔ〜ｔ、ｙｘＷＪＭ
ｃて即−Ｈ６ＨＩＩ節）めっき浴の温度：２０℃ めっき時間 ：！〜７０分（第１表に示す。）めっ
き浴のｐＨｔ−ｒ、ｊ〜り、７！まで変化させて得られ
たＯｏ −Ｎｉ −Ｍｎ −Ｐ膜の結晶構造の変化を明
らかにするためＸ線回折を行なった結果を第３表に示す
。表中の数字は同一試料における最大強度の回折の強さ
を／ＱＯとした相対強度を示す。
ル ：ｏ、ｏ４を 次亜リン酸ナトリウム ：０．２０ 硫酸アンモニウム二〇、！０ 硫酸マンガン ’、０．０３ シトラコン酸 ：０．ｊｏ めっき条件 ｉｔ＞ りＩ 浴ｏ ＰＨ： ｒ、ｔ〜ｔ、ｙｘＷＪＭ
ｃて即−Ｈ６ＨＩＩ節）めっき浴の温度：２０℃ めっき時間 ：！〜７０分（第１表に示す。）めっ
き浴のｐＨｔ−ｒ、ｊ〜り、７！まで変化させて得られ
たＯｏ −Ｎｉ −Ｍｎ −Ｐ膜の結晶構造の変化を明
らかにするためＸ線回折を行なった結果を第３表に示す
。表中の数字は同一試料における最大強度の回折の強さ
を／ＱＯとした相対強度を示す。
めっき浴のｐＨＹ！：／、ｔから９．７ｊまで増加して
も（ｉｏｏ）及び（／θ／）の相対強度が０１（ＣＯ２
）の相対強度が１０θとなルα−Ｃ〇六万晶ｃ軸が基板
に対して垂直方向に十分配向した状態を保持していた。
も（ｉｏｏ）及び（／θ／）の相対強度が０１（ＣＯ２
）の相対強度が１０θとなルα−Ｃ〇六万晶ｃ軸が基板
に対して垂直方向に十分配向した状態を保持していた。
め−）き浴のｐＨ會♂、！から９．７ｊまで変化させた
時の飽和磁化Ｍｔ３の変化を第３図に示す。
時の飽和磁化Ｍｔ３の変化を第３図に示す。
ｐＨｒ、！でのＭ、はｒ ００ ｅｍｕｌｏｃであった
。
。
り
第１図に示すようにｐｎの上昇と共にＭｓはや＼増カロ
した。
した。
めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿生成もなく極め
て良好であった。
て良好であった。
笑施例ダ
実施例３と同様にしてＣＯ−Ｎｊ −Ｍｕ −Ｐ膜（膜
厚〜／μｍ）のめっきを行なったが、めっき浴として下
記の組成を用いた。
厚〜／μｍ）のめっきを行なったが、めっき浴として下
記の組成を用いた。
めっき浴組成
硫酸コバルト ： ０．０６ ｍｏ１／を硫酸ニッケ
ル ： ｏ、ｏグ 次亜リン酸ナトリウム ： ０．２０ 硫酸アンモニウムＨｏ、、ｔ。
ル ： ｏ、ｏグ 次亜リン酸ナトリウム ： ０．２０ 硫酸アンモニウムＨｏ、、ｔ。
硫酸マンガン 二〇、０ ／、０．０７シトラコン酸
：Ｏ，ｊθ 硫酸マンガンの良度ｔ−０，０／から０．ＯＪ ｍｏｉ
／Ｌまで変化させて得られたＯｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｐ膜Ｑ
Ｘ線回折結果を第７表に示す。
：Ｏ，ｊθ 硫酸マンガンの良度ｔ−０，０／から０．ＯＪ ｍｏｉ
／Ｌまで変化させて得られたＯｏ−Ｎｉ−Ｍｎ−Ｐ膜Ｑ
Ｘ線回折結果を第７表に示す。
第 ４ｔ 衣
硫酸マンガン磯度を０．０ ／からθ、Ｏｊ ｍＯｌ
／１１で増加しても（１００）及び（１０／）の相対強
度が’％（θ０．２）の相対強度が／θθとなシα−Ｃ
〇六方晶のＣ軸が基板に対して垂直方向に十分配向した
状態を保持していた。
／１１で増加しても（１００）及び（１０／）の相対強
度が’％（θ０．２）の相対強度が／θθとなシα−Ｃ
〇六方晶のＣ軸が基板に対して垂直方向に十分配向した
状態を保持していた。
ｍ 酸マフ カフ Ｉ１１度ｔ−０，０／から０−Ｏｊ
ｍｏｂ ／ｚｔで変【ヒさせた時の飽和磁化Ｍｓの変
（ｌｌＳｆ：第り図に示す。硫酸マンガン０．０ ／
ｍｏｘ ／ Ｌでの一Ｍ、は／θ３σｅｍｕ／ｃｃであ
った。第１図に示すように硫酸マンガン濃度ｔθｏ ｊ
ｍｏｌ／ ｔまで変化させてもＭｓの値は殆んど変化
しなかっ九〇 めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿生成もなく極め
て良好であった。
ｍｏｂ ／ｚｔで変【ヒさせた時の飽和磁化Ｍｓの変
（ｌｌＳｆ：第り図に示す。硫酸マンガン０．０ ／
ｍｏｘ ／ Ｌでの一Ｍ、は／θ３σｅｍｕ／ｃｃであ
った。第１図に示すように硫酸マンガン濃度ｔθｏ ｊ
ｍｏｌ／ ｔまで変化させてもＭｓの値は殆んど変化
しなかっ九〇 めっき浴の安定性は浮遊物の発生、沈殿生成もなく極め
て良好であった。
以上のように実施例／〜夕においてジグリコール酸基又
はシトラコｙ＠基を添〃口して安定性を改善しためつき
浴より得られる磁性膜についてもニラクル共析によシ低
下させた飽和磁化の値が保たれ、かつＣ軸が基板に対し
て垂直方向を向いているので、垂直磁気記録の記録媒体
に用いることができる。
はシトラコｙ＠基を添〃口して安定性を改善しためつき
浴より得られる磁性膜についてもニラクル共析によシ低
下させた飽和磁化の値が保たれ、かつＣ軸が基板に対し
て垂直方向を向いているので、垂直磁気記録の記録媒体
に用いることができる。
第１図、第３図は実施例１１実施例３のめつき浴におけ
るｐＨとＭｓの関係を示す図であ夛第２図、第ダ図は実
施例２、実施例りのめつき浴における硫酸マンガン濃度
とＭｓの関係を示す図である。
るｐＨとＭｓの関係を示す図であ夛第２図、第ダ図は実
施例２、実施例りのめつき浴における硫酸マンガン濃度
とＭｓの関係を示す図である。
Claims (1)
- （１）コバルトイオン、ニッケルイオン、これら金属イ
オンの還元剤、ｐＨ緩衝剤、ｐＨ調節剤並びに添加剤と
してマンガンイオンを含む水溶液に、前記金属イオンの
錯化剤としてジグリコール酸基又はシトラコン酸基を含
有してなることを特徴とする無電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13377784A JPS6112876A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 無電解めつき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13377784A JPS6112876A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 無電解めつき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6112876A true JPS6112876A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15112734
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13377784A Pending JPS6112876A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 無電解めつき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6112876A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259818A (en) * | 1989-04-14 | 1993-11-09 | Fuji Kiko Company, Limited | Stroke absorbing type intermediate shaft for vehicular steering column and method for assembling the same |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139512A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-21 | Nippon Zeon Co | Novel printing ink |
| JPS534310A (en) * | 1976-07-01 | 1978-01-14 | Nippon Chemical Ind | Soil stabilizer |
| JPS55136258A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-23 | Taoka Chem Co Ltd | Stabilization of alpha-cyanoacrylate |
| JPS57187806A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Hitachi Ltd | Method of simultaneously forming metallic oxide film and electrode |
| JPS5858270A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Corp | 無電解めつき浴 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP13377784A patent/JPS6112876A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52139512A (en) * | 1976-05-17 | 1977-11-21 | Nippon Zeon Co | Novel printing ink |
| JPS534310A (en) * | 1976-07-01 | 1978-01-14 | Nippon Chemical Ind | Soil stabilizer |
| JPS55136258A (en) * | 1979-04-11 | 1980-10-23 | Taoka Chem Co Ltd | Stabilization of alpha-cyanoacrylate |
| JPS57187806A (en) * | 1981-05-13 | 1982-11-18 | Hitachi Ltd | Method of simultaneously forming metallic oxide film and electrode |
| JPS5858270A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-06 | Nec Corp | 無電解めつき浴 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5259818A (en) * | 1989-04-14 | 1993-11-09 | Fuji Kiko Company, Limited | Stroke absorbing type intermediate shaft for vehicular steering column and method for assembling the same |
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