JPS59170254A - 無電解めっき方法 - Google Patents
無電解めっき方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気ディスク等の磁気記録体において基体と
磁気記憶媒体（磁性膜）の間の中間層として用いらｎる
非磁性ニッケル合金めっき膜を作製するための無電解め
っき浴に関するものである。
磁気記憶媒体（磁性膜）の間の中間層として用いらｎる
非磁性ニッケル合金めっき膜を作製するための無電解め
っき浴に関するものである。
近年、コンビーータ・システムにおける外部記憶装置と
しての重要性が増大し、磁気ディスクの記録密度は年々
著しい向↓がはかられつつある。
しての重要性が増大し、磁気ディスクの記録密度は年々
著しい向↓がはかられつつある。
従来、磁気記録媒体としては、酸化鉄微粒子とバインダ
ーの混合物を基板上に塗布したいわゆるコーティングデ
ィスクが広く用いられてきたが、今後さらに高密度化を
達成するためには媒体の薄膜化が必要となる。しかし、
コーティングディスクにおいて媒体厚を０．５μｍ程度
以下とし、しかも均一な記録再生特性を実現することは
困難である。
ーの混合物を基板上に塗布したいわゆるコーティングデ
ィスクが広く用いられてきたが、今後さらに高密度化を
達成するためには媒体の薄膜化が必要となる。しかし、
コーティングディスクにおいて媒体厚を０．５μｍ程度
以下とし、しかも均一な記録再生特性を実現することは
困難である。
そこで、コーティングディスクに代る高密度磁気ディス
クとして、薄膜化／’Ｊｉｇ易な連続薄膜媒体を用いた
磁気ディスクが注目されている。連続薄膜媒体として金
属めっき膜を用いためっき磁気ディスク、酸化物磁性薄
膜を用いたスパッタディスク等が開発され、記録密度を
大幅に増加しつるものと期待されている。
クとして、薄膜化／’Ｊｉｇ易な連続薄膜媒体を用いた
磁気ディスクが注目されている。連続薄膜媒体として金
属めっき膜を用いためっき磁気ディスク、酸化物磁性薄
膜を用いたスパッタディスク等が開発され、記録密度を
大幅に増加しつるものと期待されている。
この様な連続薄膜媒体を用いた磁気ディスクの製造は基
板形成工程と媒体形成工程に大別され、基板形成工程に
は以下番こ述べる問題があった。
板形成工程と媒体形成工程に大別され、基板形成工程に
は以下番こ述べる問題があった。
連続薄膜媒体の基板としては、媒体の薄膜化を可能とし
低浮上量における安定したヘッド浮揚状態を確保するた
めの平担性および平滑性が要求され、基板欠陥の著しい
低減が必要とされる。また基板には機械的な強度、加工
性、研磨性、軽量性、低価格性、大量生産性などの諸物
件が必要とされ、史に媒体形成工程におけるあるいはそ
の後の熱処理によって生じる基板の帯磁量が小さいほう
が望ましいとされている。
低浮上量における安定したヘッド浮揚状態を確保するた
めの平担性および平滑性が要求され、基板欠陥の著しい
低減が必要とされる。また基板には機械的な強度、加工
性、研磨性、軽量性、低価格性、大量生産性などの諸物
件が必要とされ、史に媒体形成工程におけるあるいはそ
の後の熱処理によって生じる基板の帯磁量が小さいほう
が望ましいとされている。
この様な基板としては、アルミニウム合金基体上にニッ
ケル・リン合金皮膜をめっきし、このニッケル・リン合
金皮膜表面を研磨した基板（以下ニッケル合金めっき基
板という）が検討されている。ニッケル・リン合金皮膜
を形成するには′電気メツキ法と無電解メッキ法の２つ
の方法があるが、電気メツキ法では欠陥の低減が十分で
なく、均一膜厚で平滑なニッケル・リン合金皮膜を得る
のが困難で生産性に問題があるため殆ど用いられていな
い。一方無電解メツキ法によってニッケル・リン合金皮
膜を形成する場合には、機械的強度、加工性、研磨性お
よび軽量性の点で良好な特性のニッケル合金めっき基板
が得られることに加え、基板欠陥の微小化および極少数
代が可能で、膜厚の均一性と生産性に優れていることな
どの長所を有しているが、熱処理によって磁性を帯びや
すいという欠点をもっている。
ケル・リン合金皮膜をめっきし、このニッケル・リン合
金皮膜表面を研磨した基板（以下ニッケル合金めっき基
板という）が検討されている。ニッケル・リン合金皮膜
を形成するには′電気メツキ法と無電解メッキ法の２つ
の方法があるが、電気メツキ法では欠陥の低減が十分で
なく、均一膜厚で平滑なニッケル・リン合金皮膜を得る
のが困難で生産性に問題があるため殆ど用いられていな
い。一方無電解メツキ法によってニッケル・リン合金皮
膜を形成する場合には、機械的強度、加工性、研磨性お
よび軽量性の点で良好な特性のニッケル合金めっき基板
が得られることに加え、基板欠陥の微小化および極少数
代が可能で、膜厚の均一性と生産性に優れていることな
どの長所を有しているが、熱処理によって磁性を帯びや
すいという欠点をもっている。
酸化膜磁性薄膜を用いたスパッタディスクの媒体形成工
程においては、スパッタζこよりＦｅ３Ｏ４膜を形成後
、２７０℃から３００℃の温度で１時間程度熱処理を行
ってγ−Ｆｅ２Ｏ３からなる磁性薄膜が形成されるが、
熱処理によって生じるニッケル合金めっき基板の帯ｆａ
蛍が大きい程、帯磁しない基板を用いた場合と比較した
再生出力の低下が大きい。
程においては、スパッタζこよりＦｅ３Ｏ４膜を形成後
、２７０℃から３００℃の温度で１時間程度熱処理を行
ってγ−Ｆｅ２Ｏ３からなる磁性薄膜が形成されるが、
熱処理によって生じるニッケル合金めっき基板の帯ｆａ
蛍が大きい程、帯磁しない基板を用いた場合と比較した
再生出力の低下が大きい。
めっき磁気ディスクでは磁性薄膜媒体の上に珪酸上ツマ
−を回転塗布後熱処理を行って保護膜が形成される。こ
の保護膜は熱処理温度が高い程硬度が増加するが、この
場合も再生出力の低下を避けるためニッケル合金めっき
基板の帯磁量が小さいことが望ましい。
−を回転塗布後熱処理を行って保護膜が形成される。こ
の保護膜は熱処理温度が高い程硬度が増加するが、この
場合も再生出力の低下を避けるためニッケル合金めっき
基板の帯磁量が小さいことが望ましい。
従来、無電解ニッケルめっき液においては、めっき浴の
ｐＨを下げることにより析出皮膜中のリン含有量を増加
させ熱処理による帯磁量の低減がはかられていたが、同
時にめっき速度の著しい低下を伴なうため実用上問題が
あった。
ｐＨを下げることにより析出皮膜中のリン含有量を増加
させ熱処理による帯磁量の低減がはかられていたが、同
時にめっき速度の著しい低下を伴なうため実用上問題が
あった。
不発明の目的は上述した従来技術の欠点を改善して、め
っき速度の著しい低下を伴なうことなく、熱処理による
帯磁量の少ないニッケル・リン合金皮膜を作製しつる無
電解めっき浴を提供することにある。
っき速度の著しい低下を伴なうことなく、熱処理による
帯磁量の少ないニッケル・リン合金皮膜を作製しつる無
電解めっき浴を提供することにある。
本発明によれば、ニッケルイオンを主成分とする金属イ
オン、前記金属イオンの還元剤としての次亜リン酸塩、
前記金属イオンの錯化剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨｔＪ節
剤を含む水溶液に第４級アンモニウム塩型カチオン界面
活性剤を添加したことを％徴とする無電解めっき浴が提
供される。
オン、前記金属イオンの還元剤としての次亜リン酸塩、
前記金属イオンの錯化剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨｔＪ節
剤を含む水溶液に第４級アンモニウム塩型カチオン界面
活性剤を添加したことを％徴とする無電解めっき浴が提
供される。
本発明において用いられる金属イオンとしてはニッケル
イオンを主成分とするが、少量の銅イオン、スズイオン
、マンガンイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、レ
ニウムイオン、タングステン酸イオン、モリブデン酸イ
オンなどが含まれることがあり、これらはニッケル、銅
、スズ、マンカン、亜鉛、パラジウム、レニウムの硫酸
塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩またはタングステン
酸、モリブデン酸などの可溶性塩を無電解めっき浴中に
溶解することによって供給される。ニッケルイオンの濃
度は０．００４〜ｌ ｍｏｌ ／ｌの範囲が用いられる
が、好ましくは０．０５〜０．１５’ ｍｏｌＡの範囲
である。銅イオン、スズイオン、マンカンイオン、亜鉛
イオン、パラジウムイオン、レニウムイオン、タングス
テン酸イオン、モリブデン酸イオンなどの濃度は０．０
００１〜０．５ ｍ ｏ１／Ｉｔの範囲が用いられるが
好ましくは０．０００３〜０．０１ ｍｏｌ／ｌ の範
囲である。
イオンを主成分とするが、少量の銅イオン、スズイオン
、マンガンイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、レ
ニウムイオン、タングステン酸イオン、モリブデン酸イ
オンなどが含まれることがあり、これらはニッケル、銅
、スズ、マンカン、亜鉛、パラジウム、レニウムの硫酸
塩、塩化塩、酢酸塩などの可溶性塩またはタングステン
酸、モリブデン酸などの可溶性塩を無電解めっき浴中に
溶解することによって供給される。ニッケルイオンの濃
度は０．００４〜ｌ ｍｏｌ ／ｌの範囲が用いられる
が、好ましくは０．０５〜０．１５’ ｍｏｌＡの範囲
である。銅イオン、スズイオン、マンカンイオン、亜鉛
イオン、パラジウムイオン、レニウムイオン、タングス
テン酸イオン、モリブデン酸イオンなどの濃度は０．０
００１〜０．５ ｍ ｏ１／Ｉｔの範囲が用いられるが
好ましくは０．０００３〜０．０１ ｍｏｌ／ｌ の範
囲である。
逮元剤としては次亜リン酸塩が用いられ、０．０２〜Ｑ
８ｍｏ１７’ｌの範囲が適するが好ましくは０．１〜０
．３ｍｏｌ／７ の範囲である。ｐＨ緩衝剤としては
アンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用され、０
．０１〜］、、５ ｍｏｌ／Ｉｔの範囲の濃度が用いら
れる。ｐＨ調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア
、水酸化すｌ−ＩＪウムなどのアルカリが用いられ、ｐ
Ｈの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤
としては、リンゴ酸塩またはリンゴ酸の可溶性塩、コハ
ク酸またはコハク酸の可溶性塩、酢酸または酢酸の可溶
性塩、クエン酸またはクエン酸の可溶性塩、酒石酸また
は酒石酸の可溶性塩などが使用され、０．００５〜１．
５ ｍｏｌ／Ａ’の濃度範囲で用いられる。更に無電解
ニッケルめっき液においてはピンホール防止、平滑・光
沢化の目的でマロン酸メチル、アクリル酸メチル、プロ
ピオン酸、乳酸、チオ尿素、鉛、タリウムなどが少量添
加されることがある。第４級アンモニウム塩型カチオン
界面活性剤としては、アルキル第４級アンモニウム塩、
アルキル・ペンシル第４級アンモニウム塩、望索環を有
する第４級アンモニウム塩、炭素以外の元素を含有する
アルキル第４級アンモニウム塩などが便用されるが、ア
ルキル第４級アンモニウム塩が好ましい。アルキル第４
級アンモニウム塩としては具体的にはアルキル・トリメ
チル・アンモニウム・クロライド、アルキル・トリメチ
ル・アンモニウム中ブロマイド、セチル・トリメチル・
アンモニウムクロライド、セチル・トリメチル・アンモ
ニウム・ブロマイド、ステアリル・トリメチル・アンモ
ニウム・クロライド、アルキル・ジメチル・エチル・ア
ンモニウム・クロライド、アルキル−ジメチル・エチル
・アンモニウム・ブロマイド、セチル・ジメチル帝エチ
ル・アンモニウム中ブロマイド、オクタデシル・ジメチ
ル・エチル中アンモニウム・フロマイト、オクタデシル
・ジメチル−エチル・アンモニウム−フロマイト、メチ
ルＯドデシルｅベンジル・トリメチル・アンモニウム・
クロライド等のものが使用できる。第４級アンモニウム
塩型カチオン界面活・法則の濃度としては０．００１〆
〜５０ ｇ／ＩＪの範囲が用いられるが、好ましくは０
．００１ ｇ７１３〜５ ｇ／ｌの濃度範囲が用いられ
る。
８ｍｏ１７’ｌの範囲が適するが好ましくは０．１〜０
．３ｍｏｌ／７ の範囲である。ｐＨ緩衝剤としては
アンモニウム塩、炭酸塩、有機酸塩などが使用され、０
．０１〜］、、５ ｍｏｌ／Ｉｔの範囲の濃度が用いら
れる。ｐＨ調節剤としては、ｐＨの上昇にはアンモニア
、水酸化すｌ−ＩＪウムなどのアルカリが用いられ、ｐ
Ｈの降下には硫酸、塩酸などの酸が用いられる。錯化剤
としては、リンゴ酸塩またはリンゴ酸の可溶性塩、コハ
ク酸またはコハク酸の可溶性塩、酢酸または酢酸の可溶
性塩、クエン酸またはクエン酸の可溶性塩、酒石酸また
は酒石酸の可溶性塩などが使用され、０．００５〜１．
５ ｍｏｌ／Ａ’の濃度範囲で用いられる。更に無電解
ニッケルめっき液においてはピンホール防止、平滑・光
沢化の目的でマロン酸メチル、アクリル酸メチル、プロ
ピオン酸、乳酸、チオ尿素、鉛、タリウムなどが少量添
加されることがある。第４級アンモニウム塩型カチオン
界面活性剤としては、アルキル第４級アンモニウム塩、
アルキル・ペンシル第４級アンモニウム塩、望索環を有
する第４級アンモニウム塩、炭素以外の元素を含有する
アルキル第４級アンモニウム塩などが便用されるが、ア
ルキル第４級アンモニウム塩が好ましい。アルキル第４
級アンモニウム塩としては具体的にはアルキル・トリメ
チル・アンモニウム・クロライド、アルキル・トリメチ
ル・アンモニウム中ブロマイド、セチル・トリメチル・
アンモニウムクロライド、セチル・トリメチル・アンモ
ニウム・ブロマイド、ステアリル・トリメチル・アンモ
ニウム・クロライド、アルキル・ジメチル・エチル・ア
ンモニウム・クロライド、アルキル−ジメチル・エチル
・アンモニウム・ブロマイド、セチル・ジメチル帝エチ
ル・アンモニウム中ブロマイド、オクタデシル・ジメチ
ル・エチル中アンモニウム・フロマイト、オクタデシル
・ジメチル−エチル・アンモニウム−フロマイト、メチ
ルＯドデシルｅベンジル・トリメチル・アンモニウム・
クロライド等のものが使用できる。第４級アンモニウム
塩型カチオン界面活・法則の濃度としては０．００１〆
〜５０ ｇ／ＩＪの範囲が用いられるが、好ましくは０
．００１ ｇ７１３〜５ ｇ／ｌの濃度範囲が用いられ
る。
以下、不発明による無電解めっき浴の特長を比較例石よ
び実施例−こより説明する。
び実施例−こより説明する。
比較例
アルミ合金基板上に酸洗浄、亜鉛置換などからなる一様
な無電解ニッケル合金めっきを行うに適した前処理を施
した後、下記のめりき浴を用いて膜厚２０μｍのニッケ
ル・リンめっき膜を形成した。
な無電解ニッケル合金めっきを行うに適した前処理を施
した後、下記のめりき浴を用いて膜厚２０μｍのニッケ
ル・リンめっき膜を形成した。
無電解ニッケル・リンめっき浴
めっき液組成
硫酸ニッケル ０．１ｍｏｌ／′１次亜リン
酸ナトリウム ０．２３ ｍｏｌ／ｌｌ硫酸アンモニ
ウム ０．１ ｍｏｌ／７３コハク酸ナトリウム
０．０５５ ｍｏｌ／１めっき条件 めっき液のｐＨ３，９〜５．１ 液温 ９０℃ 各ｐＨ条件におけるめっき速度と得られた無電解ニッケ
ル・リンめっき膜の３００℃１時間の熱処理後の飽和磁
束密度ＣＢＳ）を第１表に示す。
酸ナトリウム ０．２３ ｍｏｌ／ｌｌ硫酸アンモニ
ウム ０．１ ｍｏｌ／７３コハク酸ナトリウム
０．０５５ ｍｏｌ／１めっき条件 めっき液のｐＨ３，９〜５．１ 液温 ９０℃ 各ｐＨ条件におけるめっき速度と得られた無電解ニッケ
ル・リンめっき膜の３００℃１時間の熱処理後の飽和磁
束密度ＣＢＳ）を第１表に示す。
表に示される様にめっき液のｐ）Ｉを低下することによ
って熱処理後の帯磁量の低減をはかることができるが、
同時にめっき速度の著しい減少も伴うため実用上問題が
ある。
って熱処理後の帯磁量の低減をはかることができるが、
同時にめっき速度の著しい減少も伴うため実用上問題が
ある。
実施例１゜
比較例と同様の手順でアルミ合金基板上に無電解ニッケ
ル合金めっきを行ったが、本実施例では下記のめっき浴
を用いて膜厚２０μｍのニッケル・リンめっき膜を形成
した。
ル合金めっきを行ったが、本実施例では下記のめっき浴
を用いて膜厚２０μｍのニッケル・リンめっき膜を形成
した。
無電解ニッケル・リンめっき浴
めっき液組成
硫酸ニッケル ０．１ｍｏｌ／１次亜リン
酸ナトリウム ０．２３ ｍｏｌ／ｌ硫酸７ンモ、
：ｌ−ウＡ ’ ０．０１ ｍｏｌ／ｌｊリン
ゴ酸ナトリウム ０．１６ ｍｏｌＡコハク酸
ナトリウム ０．０５５ ｍｏｌ／ｎＡｒｑｕ
ａｄ Ｃ−５００〜０．９０ ｇ／ｉｔめっき条件 めっき液のｐＨ４，８ 液温 ９０°Ｃ 本実施例では、無電解ニッケル・リンめっき浴に第４級
アンモニウム塩型カチオン界面活性剤としてアルキル第
４級アンモニウム塩でアルキル・トリメチル・アンモニ
ウム・タロライドを主成分とするＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
０（商品名ＬＩＯＮ ＡＫＺＯ社製）を添加した。
酸ナトリウム ０．２３ ｍｏｌ／ｌ硫酸７ンモ、
：ｌ−ウＡ ’ ０．０１ ｍｏｌ／ｌｊリン
ゴ酸ナトリウム ０．１６ ｍｏｌＡコハク酸
ナトリウム ０．０５５ ｍｏｌ／ｎＡｒｑｕ
ａｄ Ｃ−５００〜０．９０ ｇ／ｉｔめっき条件 めっき液のｐＨ４，８ 液温 ９０°Ｃ 本実施例では、無電解ニッケル・リンめっき浴に第４級
アンモニウム塩型カチオン界面活性剤としてアルキル第
４級アンモニウム塩でアルキル・トリメチル・アンモニ
ウム・タロライドを主成分とするＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
０（商品名ＬＩＯＮ ＡＫＺＯ社製）を添加した。
各Ａｒｑｕａｄ Ｃ−５０濃度におけるめっき速度と得
られた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００℃１時間
の熱処理後のＢＳを第２表に示す。
られた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００℃１時間
の熱処理後のＢＳを第２表に示す。
第２表
（Ａｒｑｕａｄ Ｃ−５０濃度とめつき速度、熱処理後
のＢＳの関係）表に示される様にＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
Ｑ 濃度を増加することによってめっき速度の著しい
減少を伴うことなく、熱処理による帯磁量の少ないニッ
ケル・リンめっき膜を作製することができた。
のＢＳの関係）表に示される様にＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
Ｑ 濃度を増加することによってめっき速度の著しい
減少を伴うことなく、熱処理による帯磁量の少ないニッ
ケル・リンめっき膜を作製することができた。
実施例２゜
比較例と同様の手順でアルミ合金基板上に膜厚２０μｍ
のニッケル・リンめっき膜を形成したが、本実施例では
下記のめっき浴を使用した。
のニッケル・リンめっき膜を形成したが、本実施例では
下記のめっき浴を使用した。
無電解ニッケル・リンめっき浴
めっき液組成
硫酸ニッケル ０．１ｍｏｌ／１次亜リン
酸ナトリウム ０．１５ｍｏｌ／１硫酸アンモニウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／７１クエン酸ナトリウ
ム ０．１０ｍｏｌβＪｉｒｑｕａｄ Ｃ−５０
０〜１．２ ｇ／ＩＪめっき条件 めっき液のｐＨ８，０ 液温 ９０’Ｃ 各Ａｒｑｕａｄ Ｃ−５０濃度におけるめっき速度と得
らｎた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００℃１時間
の熱処理後のＢＳを第３表に示す。
酸ナトリウム ０．１５ｍｏｌ／１硫酸アンモニウ
ム ０．５０ ｍｏｌ／７１クエン酸ナトリウ
ム ０．１０ｍｏｌβＪｉｒｑｕａｄ Ｃ−５０
０〜１．２ ｇ／ＩＪめっき条件 めっき液のｐＨ８，０ 液温 ９０’Ｃ 各Ａｒｑｕａｄ Ｃ−５０濃度におけるめっき速度と得
らｎた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００℃１時間
の熱処理後のＢＳを第３表に示す。
第３表
（Ａｒｑｕａｄ Ｃ−５０濃度とめっき速度、熱処理後
の氏の関係）表シこ示される様にＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
０渓度を増加すること（こよってめっき速度を殆ど減少
させることなく、熱処理による帯磁量の少ないニッケル
・リンめっき膜を得ることができた。
の氏の関係）表シこ示される様にＡｒｑｕａｄ Ｃ−５
０渓度を増加すること（こよってめっき速度を殆ど減少
させることなく、熱処理による帯磁量の少ないニッケル
・リンめっき膜を得ることができた。
実施例３
実施例２と同様の手順でアルミ合金基板上に無電解ニッ
ケル合金めっきを行ったが、本実施例では実施例２で用
いためっき浴において第４級アンモニウム塩型カチオン
界面活性剤としてＡｒｑｕａｄＣ−５０のかわりに同じ
くアルキル第４級アンモニウム塩でアルキル・トリメチ
ル・アンモニウム・タロライドを主成分と７−るＡｒｑ
ｕａｄ Ｔ−８００（ＬＩＯＮＡＫＺＯ社製）を下記の
濃度範囲で添加した浴を用いた。
ケル合金めっきを行ったが、本実施例では実施例２で用
いためっき浴において第４級アンモニウム塩型カチオン
界面活性剤としてＡｒｑｕａｄＣ−５０のかわりに同じ
くアルキル第４級アンモニウム塩でアルキル・トリメチ
ル・アンモニウム・タロライドを主成分と７−るＡｒｑ
ｕａｄ Ｔ−８００（ＬＩＯＮＡＫＺＯ社製）を下記の
濃度範囲で添加した浴を用いた。
Ａｒｑｕａｄ Ｔ −８０００〜２．０ ｇ／ｌ各Ａｒ
ｑｕａｄ Ｔ−８００濃度におけるめっき速度と得らイ
また無電解ニッケルめっき膜の３００℃１時間の熱処理
後のＢＳを第４表に示す。
ｑｕａｄ Ｔ−８００濃度におけるめっき速度と得らイ
また無電解ニッケルめっき膜の３００℃１時間の熱処理
後のＢＳを第４表に示す。
第・１表
（Ａｒｑｕａｄ ’ｆ’−８００濃度とめっき速度、熱
処理後のＢＳの関係）表に示される様にＡｒｑｕａｄ
Ｔ −８００濃度を増加することによってめっき速度の
著しい減少を伴うことなく、熱処理による帯ｍＨの少な
いニッケル・リンめっき膜を作製することができた。
処理後のＢＳの関係）表に示される様にＡｒｑｕａｄ
Ｔ −８００濃度を増加することによってめっき速度の
著しい減少を伴うことなく、熱処理による帯ｍＨの少な
いニッケル・リンめっき膜を作製することができた。
実施例４
比較例と同様の手順でアルミ合金基板上に膜厚２０μＷ
のニッケル・リンめっき膜を形成したが本実施例では実
施例１で用いためっき浴において第４級アンモニウム塩
型カチオン界面活性剤としてＡｒｑｕａｄ Ｃ−５０の
かわりにアルキル第４級アンモニウム塩でアルキル・ジ
メチル−エチル豐アンモニウム・フロマイトを主成分と
するＵｎｙｘｉｄｅ （商品名０ｎｙｘ Ｏｉｌ ａｎ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａ１社製）を下記の濃用：範囲で添加
した浴を用いた。
のニッケル・リンめっき膜を形成したが本実施例では実
施例１で用いためっき浴において第４級アンモニウム塩
型カチオン界面活性剤としてＡｒｑｕａｄ Ｃ−５０の
かわりにアルキル第４級アンモニウム塩でアルキル・ジ
メチル−エチル豐アンモニウム・フロマイトを主成分と
するＵｎｙｘｉｄｅ （商品名０ｎｙｘ Ｏｉｌ ａｎ
ｄ Ｃｈｅｍｉｃａ１社製）を下記の濃用：範囲で添加
した浴を用いた。
０ｎｙｘｉｄｅ Ｏ〜０．６ ｇ／ｌ各０
ｎｙｘｉｄｅ濃度におけるめっき速度と得られた無電解
ニッケル・リンめっき膜の３００’ＣＩ時間の熱処理後
のＢＳを第５表に示す。
ｎｙｘｉｄｅ濃度におけるめっき速度と得られた無電解
ニッケル・リンめっき膜の３００’ＣＩ時間の熱処理後
のＢＳを第５表に示す。
第５表
表ｔこ示される様に０ｎｙｘｉｄｅ濃度を増加すること
によってめっき速度を殆ど減少させることなく、熱処理
後の計磁童が少ないニッケル・リンめっき胆を１Ｇるこ
とができた。
によってめっき速度を殆ど減少させることなく、熱処理
後の計磁童が少ないニッケル・リンめっき胆を１Ｇるこ
とができた。
実施例５゜
比較例と同様の手順でアルミ合金基板上に膜厚２０μｍ
の二、ケル・リンめっキ膜を形成したが、本実施例では
下記のめっき浴を使用した。
の二、ケル・リンめっキ膜を形成したが、本実施例では
下記のめっき浴を使用した。
無電解ニッケル・リンめっき給
めっき液組成
硫酸ニッケル ０．１ｍｏｌ／１１次亜リ
ン酸すトリウム Ｑ、２８ｍ ｏ ｌＡ硫酸アンモ
ニウム ０．０１ ｍｏｌＡリンコ酸ナトリウ
ム ０．１８ｍｏｌ／１コハク酸ナトリウム
Ｑ、Ｑ４ ｒ″Ｐｏ１／ｌ酒石酸ナトリウム
０．２ｍｏｌ／ｌプロピオン酸 ０
．０１ ｍｏｌＡ酢酸 ０．００００７ｍｏｌ
Ａマロン酸メチル ０．０００９ ｍｏｌ／
／ｌアクリル酸メチル ０．０００５ ｍｏｌ
ＡＡｍｅｒｄｅｘ Ｏ−０，２０ｇ
／ｌめっき条件 めっき液のｐＨ４，８ 液温 ９Ｇ℃ 本実施例では、無電解ニッケル・リンめっき浴に第４級
アンモニウム塩型カチオン界面活性剤としてアルキル第
４級アンモニウム塩でメチル書ドデシルーベンジル・ト
リメチル自アンモニウム争クロライドを主成分とするＡ
ｍｅｒｄｅ）ｃ （商品名Ｆｌｅｅｔｗｏｏｄ Ｐｒｏ
ｄｕｃｔｓ Ｃｏ製）を添加した。
ン酸すトリウム Ｑ、２８ｍ ｏ ｌＡ硫酸アンモ
ニウム ０．０１ ｍｏｌＡリンコ酸ナトリウ
ム ０．１８ｍｏｌ／１コハク酸ナトリウム
Ｑ、Ｑ４ ｒ″Ｐｏ１／ｌ酒石酸ナトリウム
０．２ｍｏｌ／ｌプロピオン酸 ０
．０１ ｍｏｌＡ酢酸 ０．００００７ｍｏｌ
Ａマロン酸メチル ０．０００９ ｍｏｌ／
／ｌアクリル酸メチル ０．０００５ ｍｏｌ
ＡＡｍｅｒｄｅｘ Ｏ−０，２０ｇ
／ｌめっき条件 めっき液のｐＨ４，８ 液温 ９Ｇ℃ 本実施例では、無電解ニッケル・リンめっき浴に第４級
アンモニウム塩型カチオン界面活性剤としてアルキル第
４級アンモニウム塩でメチル書ドデシルーベンジル・ト
リメチル自アンモニウム争クロライドを主成分とするＡ
ｍｅｒｄｅ）ｃ （商品名Ｆｌｅｅｔｗｏｏｄ Ｐｒｏ
ｄｕｃｔｓ Ｃｏ製）を添加した。
各Ａｍ ｅ ｒｄｅｘ 濃度におけるめっき速度と得
られた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００’Ｃ１時
間の熱処理後のＢｓを第６表に示す。
られた無電解ニッケル・リンめっき膜の３００’Ｃ１時
間の熱処理後のＢｓを第６表に示す。
第６表
表に示される様にＡｍｅｒｄｅｘ 濃度を増加するこ
とによってめっき速度を殆ど減少させることなく、熱処
理による帯磁量の少ないニッケル・リンめっき膜を得る
ことができた。なお本実施例ではめっき膜の表面状態改
善の目的でめっき液組成に少量のプロピオン酸、酢酸、
マロン酸メチル、アクリル酸メチルを添加しており、こ
れによりピンホールが少なく平滑なめっき膜が得られた
。
とによってめっき速度を殆ど減少させることなく、熱処
理による帯磁量の少ないニッケル・リンめっき膜を得る
ことができた。なお本実施例ではめっき膜の表面状態改
善の目的でめっき液組成に少量のプロピオン酸、酢酸、
マロン酸メチル、アクリル酸メチルを添加しており、こ
れによりピンホールが少なく平滑なめっき膜が得られた
。
実施例６゜
比較例と同様の手順でアルミ合金基板上に無電解ニッケ
ル合金めっきを行ったが、本実施例では下記のめっき浴
を用いて膜厚２０μｍのニッケル・銅・リン−めっき膜
を形成した。
ル合金めっきを行ったが、本実施例では下記のめっき浴
を用いて膜厚２０μｍのニッケル・銅・リン−めっき膜
を形成した。
無電解ニッケル・銅・リンめっき浴
めっき液組成
硫酸−”７ケル０．１２５ ｍｏｌ／ｌ塩化銅
３刈０″ｍｏｌ／７次亜リン酸ナトリウ
ム ０．０８ ｍｏｌ／１リンゴ酸ナトリウム
０．２ ｍｏｌ／ｌ酢酸 ０．０７ｍｏ
１７７３ クエン酸 ０．０２ ｍｏｌ／ｌ乳
酸 ｌＸｌ０ ｍｏｌＡ マロン酸メチル ５×１０ｍ０１／ｌアクリ
ル酸メチ／Ｌ／ ０．０１３ ｍｏｌ／１Ａ
ｒｑｕａｒｄ Ｔ −８０００〜３．０ ｇ／ｌめっき
条件 めっき液のｐＨ５，３ 液温 ９０°Ｃ 各Ａｒｑｕａｒｄ Ｔ −８００濃度におけるめっき速
度（得られた無電解ニッケル・銅・リンめっき膜の３０
０℃１時間の熱処理後のＢｓを第７表に示す。
３刈０″ｍｏｌ／７次亜リン酸ナトリウ
ム ０．０８ ｍｏｌ／１リンゴ酸ナトリウム
０．２ ｍｏｌ／ｌ酢酸 ０．０７ｍｏ
１７７３ クエン酸 ０．０２ ｍｏｌ／ｌ乳
酸 ｌＸｌ０ ｍｏｌＡ マロン酸メチル ５×１０ｍ０１／ｌアクリ
ル酸メチ／Ｌ／ ０．０１３ ｍｏｌ／１Ａ
ｒｑｕａｒｄ Ｔ −８０００〜３．０ ｇ／ｌめっき
条件 めっき液のｐＨ５，３ 液温 ９０°Ｃ 各Ａｒｑｕａｒｄ Ｔ −８００濃度におけるめっき速
度（得られた無電解ニッケル・銅・リンめっき膜の３０
０℃１時間の熱処理後のＢｓを第７表に示す。
第７表
表に示される様にＡｒｑｕａｒｄ Ｔ −８００濃度を
増加することによってめっき速度を殆ど減少させること
なく、熱処理後の帯磁量が少ないニッケル・銅・リンめ
っき膜を得ることができた。
増加することによってめっき速度を殆ど減少させること
なく、熱処理後の帯磁量が少ないニッケル・銅・リンめ
っき膜を得ることができた。
以上の実施例においては、アルキル第４級アンモニウム
塩ｌごついてのみその添加効果を示したか、アルキル−
ベンジル第４級アンモニウム塩、窒素環を有する第４級
アンモニウム塩、炭素以外の元素を含有するアルキル第
４級アンモニウム塩などの繁４級アンモニウム塩型カチ
オン界面活性剤についても効果のあることが認められた
。
塩ｌごついてのみその添加効果を示したか、アルキル−
ベンジル第４級アンモニウム塩、窒素環を有する第４級
アンモニウム塩、炭素以外の元素を含有するアルキル第
４級アンモニウム塩などの繁４級アンモニウム塩型カチ
オン界面活性剤についても効果のあることが認められた
。
以上、比較例および実施例で示された様に本発明によれ
ば、ニッケルイオンを主成分とする金属イオン、前記金
属イオンの還元剤としての次亜リン酸塩、前記金属イオ
ンの錯化剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨ調節剤を含む水溶液
に第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤を添加す
ることにより、めっき速度の著しい低下を伴なうことす
く、熱処理による帯磁量の少ないニッケル合金皮膜が得
られる。
ば、ニッケルイオンを主成分とする金属イオン、前記金
属イオンの還元剤としての次亜リン酸塩、前記金属イオ
ンの錯化剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨ調節剤を含む水溶液
に第４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤を添加す
ることにより、めっき速度の著しい低下を伴なうことす
く、熱処理による帯磁量の少ないニッケル合金皮膜が得
られる。
代理人弁理士 内服 習
Claims (1)
- ニッケルイオンを主成分とする金属イオン、前記金属イ
オンの還元剤としての次亜リン酸塩、前記金属イオンの
錯化剤、ｐＨ緩衝剤およびｐＨ調節剤を含む水溶液に第
４級アンモニウム塩型カチオン界面活性剤を添加したこ
とを特徴とする無電解めっき浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4473983A JPS59170254A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 無電解めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4473983A JPS59170254A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 無電解めっき方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59170254A true JPS59170254A (ja) | 1984-09-26 |
| JPH0429739B2 JPH0429739B2 (ja) | 1992-05-19 |
Family
ID=12699810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4473983A Granted JPS59170254A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 無電解めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59170254A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280080A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Takara Co Ltd | 装飾装置 |
| US6273943B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-08-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless composite Plating Solution and Electroless composite plating method |
| JP2011099161A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Tosoh Corp | ニッケルメッキ液 |
| CN103469055A (zh) * | 2013-08-01 | 2013-12-25 | 西安建筑科技大学 | 一种笔头用含铅易切削不锈钢冶炼中的加铅工艺 |
| JP2015137394A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社クオルテック | 無電解Ｎｉ−Ｐめっき液及び無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526252A (en) * | 1975-07-01 | 1977-01-18 | Kazuo Fujita | Collapsible-type stage device. |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4473983A patent/JPS59170254A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS526252A (en) * | 1975-07-01 | 1977-01-18 | Kazuo Fujita | Collapsible-type stage device. |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0280080A (ja) * | 1988-09-16 | 1990-03-20 | Takara Co Ltd | 装飾装置 |
| US6273943B1 (en) * | 1999-01-12 | 2001-08-14 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless composite Plating Solution and Electroless composite plating method |
| JP2011099161A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-05-19 | Tosoh Corp | ニッケルメッキ液 |
| CN103469055A (zh) * | 2013-08-01 | 2013-12-25 | 西安建筑科技大学 | 一种笔头用含铅易切削不锈钢冶炼中的加铅工艺 |
| CN103469055B (zh) * | 2013-08-01 | 2015-07-01 | 西安建筑科技大学 | 一种笔头用含铅易切削不锈钢冶炼中的加铅工艺 |
| JP2015137394A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社クオルテック | 無電解Ｎｉ−Ｐめっき液及び無電解Ｎｉ−Ｐめっき方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0429739B2 (ja) | 1992-05-19 |
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