JPS61130110A - 半導体装置搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、例えば半導体装置の耐電圧試験や高周波試験
時にテスト装置の測定用ソケットへ半導体装置を順次搬
送・設置する半導体装置搬送装置に関するものである。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

従来の半導体搬送装置は形状的には本発明の−実例と同
じものである。よって本発明の一実施例を示す第１図お
よび第２図を引用して、従来の半導体搬送装置のシュー
ト部を説明する。

第１図に測定用ソケット１と搬送装置のシュート部３の
斜視国事、第２図には測定用ソケット１に半導体装置２
を挿入設置し念状態を示す断面図をそれぞれ示しである
。

測定用ソケット１の下に搬送された半導体装置る。

、そして耐電圧試験の場合は、半導体装置２に高電圧を
印加すると、この半導体装置２のリード２Ｒとの間でス
パークが生じるためシェード部３’ｉ矢印Ｂで示される
方向へ下降運動させ、このシュート部３を半導体装置２
から離した状態で測定を行なう、そして測定終了後再び
シュート部３を上昇させ半導体装ｅ２と接触させた状態
で半導体装置引抜き部材４を矢印Ｃの方向へ下降させる
と同時にシュート部３も矢印Ｂ方向へ下降させてソケッ
ト１より半導体装置２を引き抜く。

以上のようにして半導体装置２のテストを行なう場合、
次に述べるような問題がある。

１）半導体装置の搬送の際、シーート部が半導体装置に
より摩耗してしまう。この摩耗を減らすため、シュート
部の金属に焼入や表面処理あるいはメッキを施すことに
より、シュート部の硬度を高めているが、それでも１ケ
月乃至１年の使用で摩耗のため交換しなければならない
。

２）耐電圧試験の際、スパーク防止の念めシュート部を
半導体装置から離さなければならず、このような余分な
工程の時間だけ半導体装置の生産効率が低下する。

３）高周波特性試験の際、シュート部が高周波のため静
電誘導され、これが測定に対し、悪影響を及ぼし測定精
度が悪化することがあり、この場合も安定した測定を行
なうためには、シュート部を半導体装置から離さなけれ
ばならず、このような余分な工程の時間だけ半導体装置
の生産効率が低下する。

〔発明の目的〕

本発明は上記従来の問題点ｔ−Ｓ決し耐久性が良、〈、
かつ半導体装置生産効率を向上させることのできる半導
体装置搬送装置を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は上記目的を達成するための、半導体テスト装置
の測定部へ、半導体装ａ　ｔ−績次設置するシュート部
を有し、このシュート部の、前記半導体装置と接触する
部分およびこの半導体装置のリードに近接する部分がフ
ァインセラミックにより形成されていることを特徴とす
る半導体搬送装置である。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例を、第１図およびに２図を用いて説明
する。ＤＩＰ（＋７−ドビンが２直列並行に配置された
半導体装置）の耐電圧試験および高周波特性試験を行な
うための測定用ソケット１の下に搬送された半導体装置
２は、ファインセラミンクで形成されたシーート部３の
矢印Ａ方向への上昇運動によりソケット１へ挿入設置さ
れる。

そして半導体装置２からシュート部３を離すことなく耐
電圧試験および高周波試験の測定を行なう。そして測定
終了後、半導体装置引抜き部材４とシュート部３７＆：
同時に下降させソケット１から半導体装置２を引き抜く
５以上のような実施例によると次に述べるような効果が
ある。

１）シーート部がファインセラミックにより形成されて
いるため耐摩耗性がよく、半導体装置の搬送の際このシ
ーート部が半導体装置との摩擦により削られるといった
ことはほとんど無くなシシュート部の寿命が大幅に向上
する。

２）シュート部は絶縁体であるファインセラミックによ
り形成されているため、耐電圧試験の際半導体装置に高
電圧を印加してもシュート部と半導体装置のリードとの
スパークは無くなる。また高周波特性試験の際、半導体
装置に高周波を印加してもシュート部は静電誘動される
ことは無く、測定精度が悪くなることは無くなる。？：
、のため半導体装置からシュート部を離すこと無く十分
な精度の測定が行なえる。そして測定前後のシュート部
の下降・上昇運動という余分な工程分の時間短縮ができ
生産効率が向上する。また、この測定前後のシーート部
の下降・上昇運動を行なう機構７Ｆｆ：省略できるため
装置が簡略化できる。

本発明は上記一実施例に限定されるものでは無く例えば
、シュート部の形状は第３図に示すようなＳＩＰ用のも
のでもよい、この場合、シュート部３が従来の金属によ
り形成されていると、このシュート部３はその底部で２
つに分割され、それぞれが左右に運動できる機構を持た
なければならな麿。

そしてこのシュート部の場合は左・右に開いた状態で測
定を行なわなければならないが１本発明によるとこのよ
うなシュート部３の開閉運動が不要となり第５図のよう
に半導体２とシュート部３が接触した状態で測定できる
。

なお、このシュート部上部は半導体装置を覆うようＫ　
状に形成してあり、ソケットより半導体装１ｆｔ引き抜
くのはこのシュート部の下降運動のみにより行なうため
第１図のような引き抜き部材は不要となる。

！た。上記実施例においてはシュート部すべてをファイ
ンセラミックにより形成したものを述べたが、第６図に
示すように半導体との近接部分３Ｃ，３Ｄのみ７アイ／
セラミツクの板材を使用し。

その側面３Ｅｆｆｉ金属や合成樹脂くより補強してもよ
い、この場合ファインセラミックが少なくてすみ、装置
の製造コストが安くなる。

〔発明の効果〕

本発明の半導体搬送装置によると、シュート部の半導体
接触部が半導体の搬送の際の耐摩耗性が良いため、この
シュート部の寿命が大幅に向上する。また、このシュー
ト部は絶縁体であるため穫々の電気的テストに対し悪影
響を与えることがない。このためテスト前後にシュート
部を半導体より離す工程が不要となりその工橿分の時間
が短縮でき、生産効率が向上する。そしてこの工程を行
１　　なう機構を省略できるため装置を簡略化すること
ができる、といっ念効来がある。

【図面の簡単な説明】

８Ｊ１図は本発明の一実施例ＤＩＰ用の半導体装置搬送
装置のシュート部を示す斜視図、第２図は測定用ソケッ
トへ半導体装置を挿入し次状態を示す断面図、第３図は
他の実施例（ＳＩＰ用）を示す斜視図、第４図は第３図
に示し比他実施例の測定状態を説明するための断面図、
第５図は本発明の他実施例を示す断面図である５ １・・・測定用ソケット ２・・・半導体装置 ３・・・シュート部 代理人　弁理士　則近憲佑（ほか１名）第１図 第　２　図 第３図 １８４図 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体テスト装置の測定部へ、半導体を順次挿入設置
   するシュート部を有し、このシュート部の、前記半導体
   と接触する部分およびこの半導体のリードに近接する部
   分がファインセラミックにより形成されていることを特
   徴とする半導体装置搬送装置。