JPS5986298A - 半導体装置シユ−トレ−ル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、完成された半導体装置のＡＣ及びｔｉｃの
各特性試験を行なうハンドラー装置の半導体装１６挿入
口に、半導体供給装置から送り出される半導体装置を順
次−個づつレール上を滑べらせてシュートする半導体装
置シュートレールに関する。

〔発明の技術的背景〕

完成された半導体装置は、最終工程としてノ・ンドシー
装凶°を用いてＡＣ及びＤＣの各特性試験を行なう。こ
のノ・ンドラー装置は、その半導体装置挿入口に扱測定
半導体装置の細石や太き畑に対応するツユ−トレールを
取り付けるように（７ている。そして上流の半導体供給
装置から送り出される半導体装置が、ペンエアシリンダ
によシー個づり上記シー−トレールに配置され、エアブ
ロ〜による空気圧でシュートレール上な通って、上記ハ
ンドラー装置の挿入ｕ′＼シュートされるようになって
いる。

従来、デュアル・イン・・（ッケージ（ＤＩＰ　）型の
半導体装１Ｍに対しては、Ｍ１図に示すようなシュート
レールが用いられている。このシュートレールｔｊ：、
下部レール１ノと上部レール１２とで構成烙れるもので
、下部レール１ノは上面１４を上記ＤＩＰ型半導体装置
１３の外囲器幅りに相等する幅の平坦な面とする細長い
形状のレールで構成する。すなわち半導体装置ノ３は、
その外部リード１５を下向きにして上記下部レール１ノ
上に配置され、外部！Ｊ　−ト”　１５によってレール
１ノにガイドされながらシュートされる。また、」二部
レール１２は、下部レール１１の上１７ｉｊ　１４に平
行な面を有する細長い形状をしたレールであシ、下部レ
ール１１に配置された半導体装置１３の外囲器表面上方
に充分近接する位置に設置して、半導体装置１３がシュ
ートされる際に生じる飛散を防止するものである。

〔従来技術の問題点Ｊ しかし、現在の１．）Ｉ　Ｐ型半導体装置の外囲器幅は
、通常規格として外部リード数の少ないものを３００ミ
ル、外部リード数の多いものを６００ミルと定めている
ので、上記のようなシー−トレールでは、少なくとも３
００ミル用と６００ミル用の２抽類の規格の異なるレー
ルが必要である。しだがって、被測定半導体装置の外囲
器幅に応じて／ニートレールを選択しなければならず、
またシー−トレールはハンドラー装置に固定挿着される
ため、その都度シュートレールを交換するか、或いは３
００ミル用と６００ミル用別々にハンドラー装置を用意
しなけれはならない。

〔発明の目的〕

この発明゛は上記欠点を改善し、２机類の、例えば３０
０ミル及び６００ミルの通常規格の外囲器幅を有するＤ
ＩＰ型半導体装詔それぞれに対して兼用可能とする半導
体装置シュートレールを提供することを目的とする。

〔発明の概☆〕

すなわちこの発明による半導体装置シュートレールは、
下部レールに底…ｌ１ｌｖｖを大型半導体装置の外囲器
幅とする凹欠溝を形成し、上部レールの幅を小型半導体
装置の外囲器幅と等しく形成して構成するもので、シュ
ートされる半導体装置が大型外囲器幅である場合には下
部レールでガイドし、小型外囲器幅である場合には上部
レールでガイドするようにしブζものである。

〔発明の実施例〕

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。

第２図および第３図はその構成を示すもので、下部レー
ル１６および上部レール１７とで構成される。下部レー
ル１６は」二面に底面を平坦にした溝部１８を形成した
凹形状の細長いレールであり、この溝部１８の底面幅を
第２図で示すような大型の外囲器で形成されている半導
体装置１９の最大外囲器幅ＤＩ、例えば６００ミルに対
応する幅としている。そして、この溝部１８の深さは上
記半導体装置１９の外囲器表面から外部リード２ｏの突
出部までの高さより小さいものとし、半導体装置１９を
配置したときに安だ性良く配Ｉ冷されるようにしている
。この下部レール１６ｆよ、ハンドラー装置６の半２．
ｑ体挿入口の６００ミル用の位ｉｈ′にＪｌｖり伺けら
れる。

また、上部レール１７は上記−ト部レール１６の上面に
平行した面を有するレールであり、このレール幅を第３
図に示すような小型の外囲器で形成ネれる半導体装置２
ノの最／ＪＳ外囲器幅】〕２、例えば３００ミルに対応
する幅としている。そして、下部レールノロの溝部１８
に外部リード２２を上向きにした半導体装置２１を配置
したときに、外部リード２２間の外囲器裏面上方ノに充
分近接する位置に設定し、その左右位置を取り付ザられ
るハンドラー装置の半導体挿入口の３００ミル用部分に
対応して設定する。

すなわち、最大外囲器幅６００ミルの半導体装置１９は
第２図に示すようＫその外部リード２０を上向きにして
下部レール１６の溝部１８に配置され、溝部１８の１Ｆ
１１壁にガイドされて背面シュートされる。このとき、
外囲器ｌＡ面上方に近接している上部レール１７によっ
て飛散を防止されている。

また、最小外囲器３００ミルの半導体装＃２１は第３図
に示すように外部リード２２を上向きにして下部レール
１６の溝部１８上に、上部レール１７を外部リード２２
ではさむようにして配置され、上部レール１７にガイド
されながら、背＋ｆｉゾーートされる。

したがって、２種類の外囲器の半導体装置それそれに対
して、同じシー−トレールを兼用することができるよう
になる。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、大型外囲器幅および小
型外囲器幅のＤＩＰ型半導体装置に対して、１つのンユ
ートレールを兼用することができるので、シー−トレー
ルを交換したり、判別にハンドラー装面′を設けたりす
る必要がなくなる。したがって、７．、　　トレール交
換による時間ロスがなくなって作業能率が向上するよう
になる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の半々Ｖ体装１ｉ？＜７ユートレールの構
成を説明する図、第２図及び第３図に１この発明の一実
施例に係る半導体７　、”＋　−１−レールの構成を示
すもので、第２図は大型外囲器で形成されるＤＩＰ型半
導体装隋をシュートするときの使用例を説明する図、第
３図は小型外囲器で形成されるＩＪＩＰ型半導体装置を
シュートするときの１史用例を説明する図である。 １１．１６・・・下部レール、１２．１７・・・上部レ
ール、１３，１９．２ノ・・・ＤＩＰ型半導体装置、１
８・・・溝部、２０．ｐ２・・・外部リード。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦第１！ 第２ 第３

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 上面ＶＣ大型のＤＩＰ型半導体装置の外囲器幅に対応す
   る幅の溝部を形成した下部レールと、この下部レールに
   平行した面を有し小型のＤＩＰ型牛型体導体装置囲器幅
   に対応するレール幅で形成した上部レールとを其備し、
   上記大型の半導体装１６を−ｊ二部レールの溝部でガイ
   ドし、小型の半導体装置を上部レールでガ゛イドするよ
   うにしたことを特徴とする半導体装置シュートレール。