JPS6113230B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第１の像と第２の像を同時に形成可能
とする電子写真装置に関するものである。

電子写真法としては、エレクトロフアツクス方
式、ゼロツクス方式PIP方式およびNP方式（例え
ば特公昭42−23910号等）等が知られている。そ
して、エレクトロフアツクス方式およびゼロツク
ス方式はいわゆるカールソンプロセスによつて静
電像を形成するもので、酸化亜鉛（エレクトロフ
アツクス）、非品質セレニウム（ゼロツクス）等
の光導電体層を支持体上に形成した感光板の光導
電体面をコロナ放電により一様に帯電し、次いで
原画像を照射し、光照射部分の電荷を減衰せし
め、原画の明暗のパターンに従つた静電像を荷電
着色粒子により現像して可視化した後、定着又は
一担、他の紙等の支持体上に転写した後定着して
電子写真像を得るものであり、またPIP方式は螢
光物質等のもつ物理的性質、即ち持続性内部分極
および光導電性を利用して潜像を形成するもので
あり、NP方式は光導電体層とその上部に用いら
れた絶縁層の静電容量差および光導電性を利用し
て静電像を形成し以下同様に現像、転写、定着工
程を経て電子写真像を得るものである。

今日までこれらの電子写真法を利用した複写装
置が開発されてきているが、異なる複数のオリジ
ナルを感光板上に重ね合わせて露光し、合成され
た潜像を形成しこれを顕画化する装置の需要が高
まつてきているが、これを充分に満たすものはな
く、ごく限られた用途のものであつた。またその
ような合成像形成プロセス自体も、光学的に合成
した合成像やあるいは電気的に合成した信号を利
用して合成像を得るものであつて、静電像形成過
程を構成する異なるステツプを組合せて合成像を
結果として感光板上に形成する重ね合せ方法即ち
オーバーレイ法は極めて限られていた。

本発明は上述の需要に応え、従来提案されてい
た方法を改善し静電像形成過程の第１、第２ステ
ツプを利用してオーバーレイを行う簡便な装置を
提供することを目的とするものである。

次に本発明の実施態様を以下図面に従つて詳細
に説明する。

第１図は本発明に係る静電像を形成する感光板
の構成説明図にして、１は導電性支持体２は導電
性支持体１上に例えばスプレーによりあるいはコ
ーター、フアーラー等を使用して塗布された光導
電性層で、必要に応じ他層との結着を良好にする
ため主として樹脂等の少量のバインダーを加えて
も良い。３は光導電性層２上に一様に密着形成し
た絶縁層である。このように感光板Ａは基本的に
導電性支持体１、光導電性層２および絶縁層３の
三層より形成されているものであるが、電荷の移
動を制限するごとき制御層を導電性支持体と光導
電性層の間に形成し、さらにあるいは単独に光導
電性層表面あるいは表面付近に電荷を捕獲する層
等を付加せしめても良い。又光導電特性は暗所に
おいては出来るだけ高抵抗の方が好ましい。

導電性支持体１は錫、銅、アルミ等の金属導電
体、吸湿性の紙等が使用されるが、紙の上にアル
ミ箔を付着した支持体は安価でありかつドラム等
に巻き付けて使用する場合には好都合のものであ
る。光導電性層の材料は、CdS、CdSe、結晶質
Se、ZnO、ZnS、Se、TiO²、SeTeおよびPbO等
もしくはその混合体等が使用できる。

このような光導電性層としては、暗所における
帯電時、導電性支持体から特定極性の電荷が光導
電性層内に注入する電荷注入特性を有しているも
のがあるが、以下に述べる実施態様では、このよ
うな性質を有するために一次帯電とほぼ同時に行
われる第１の光像照射による電荷分布に好ましく
ない影響を与える場合には、一次帯電極性として
このような暗所での電荷注入を来たさない極性に
て帯電するものとする。電荷注入特性を実質的に
有しないか、あるいは有しても上記の光像照射に
よる電荷分布に与える影響が実質的にない光導電
材料の場合にはいずれの極性にても帯電できる。

絶縁層３を構成する材料は耐摩耗強度の大きい
こと、高抵抗で静電荷を保持できること、透明で
あることの三つの要件を満足するものであればよ
く、弗素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチ
レン樹脂、酢酸セルローズ樹脂、ポリエステル樹
脂等の被膜が使用可能であり、特に弗素樹脂はク
リーニングしやすい性質を有するので、後述する
ごとく現像、転写後クリーニング過程を経て感光
板を繰返し使用するために、本発明の実施態様に
おいて好ましい材料である。

第２図及び第５図は上記のごとく構成された感
光板に合成潜像を形成するプロセス及び感光板の
荷電模様を例示したものである。

第２図において、先ず感光板Ａの絶縁層３の表
面を暗所にてコロナ放電器４により例えば負
（−）に帯電すると、光導電層２は暗所にて高抵
抗の為、導電性支持体１の光導電層２との界面も
しくは光導電層２の導電性支持体１に近い部分に
正（＋）の電荷３２が誘起される（第２図）。こ
のプロセスによつて絶縁層３の表面電位は帯電時
間とともに負（−）に増大し第６図Vpに示すご
とき特性を示す。もちろん前記帯電はコロナ放電
の代りに電極によつて行なつてもよい。

次に第１の光像をを絶縁層表面３の側から照射
する。この時感光板Ａの明部においては、光導電
層２が光刺激により導電化する為、前帯電により
導電性支持体１の光導電層２との界面もしくは光
電層２の導電性支持体１に近い部分に誘起した正
（＋）の電荷３２は絶縁層３表面に帯電されてい
た負（−）の電荷に引かれ光導電層２と絶縁層３
の界面に移動し、そこで止まる。他方暗部におい
ては光導電層３の抵抗値が高いので電荷状態はほ
ぼそのまま維持される（第３図）。このプロセス
によつて絶縁層３の表面電位は第６図のVL（明
部の絶縁層表面の電位）、Vb（暗部の絶縁層表面
の電位）に示すごとき特性を示す。

次に前記絶縁層３の表面に第２の光像照射とほ
ぼ同時に交流コロナ放電器８による交流コロナ放
電を与える（第４図）。

なお、前記コロナ放電器４と交流コロナ放電器
８は光像照射とほぼ同時に放電を行なう為、その
上部が透明又はシールド板なしの光学的に開放さ
れた構造である事が好ましい。

第１の光像照射の際に暗部であつた部分、
の絶縁層３表面に帯電していた負（−）の電荷３
１は何の拘束力もない為全部又は大部分が放電さ
れる。

又、第１の光像照射の際に明部かつ第２の光像
で明部の部分においても光導電性層２が光刺激
により導電化された光導電性層２と絶縁層３の界
面に止まつていた正（＋）の電荷３３は、導電性
支持体１へ放出されやすい状態になる為、絶縁層
３表面に帯電していた負（−）の電荷３１は拘束
力がなくなり止まつていた正（＋）の電荷３３と
ともに全部又は大部分が放電される。これらの放
電量は交流コロナ放電時間および強さに依存する
ものである。

一方、第１光像照射時に明部で且つ第２光像照
射時に暗部であつた部分では光導電性３の抵抗
値が高く前記界面付近に止まつている正（＋）電
荷３３の導電性支持体１への放出がないので、こ
の正（＋）電荷３３により絶縁層３の表面の負
（−）電荷３１が拘束され絶縁層３の表面の負
（−）電荷３１が交流コロナによる放電される度
合いは、第１光像照射時の暗部もしくは第２光
像照射時の明部，より少ない。

この様に第１光像の明部であつてかつ第２光像
が暗部においては絶縁層３の表面に残存する負
（−）の電荷量は多いが、同時に光導電性層２に
正（＋）の電荷３３が多量に捕獲されたままの状
態にあるので絶縁層３の表面電荷によるフイール
ドは光導電性層２に止まつている正（＋）の電荷
３３の方向に相当強く作用し、表面電荷による外
部フイールドは極めて小さくなる。

次に絶縁層３の表面側から（あるいは導電性支
持体が透光性の場合にはこの側からでも可）全面
を露光する（第５図）。

前記第１光像の暗部もしくは第２光像の明部
，，においては、光導電性層２の内の電荷
の分布状態に変化が実質的に生じないので絶縁層
３の表面の電位も第３図と変わらずほぼ０電位で
ある。しかし、第１光像の明部であり且つ第２光
像の暗部においては第２光像露光時に光照射が
なかつたため光導電性層２は高抵抗を示していた
が、全面露光時に露光されるため抵抗値は急激に
低下し導電性となる。そのため、それまでその内
部に捕獲されていた正（＋）電荷３３は絶縁層３
の表面の帯電負電荷３１と等価の電荷の量のみを
残して他は全部導電性支持体１へ放出されて消滅
する。その結果その絶縁層表面の帯電負電荷３１
には外部フイールドが急激に増大して表面電位が
高まる。（第５図） これらのプロセスによる絶縁層３の表面電位の
変化は第５図に示すごとき特性を示す。すなわち
第１光像照射の際明部で、且つ第２光像照射で暗
部であつた部分のみの電位がＶ_LDと負に大きく
それ以外の部分，，ではＶ_DD，Ｖ_DL，Ｖ_LL
と略零電位となる。

従つてこの感光体Ａをトナーで現像すれば第１
光像と第２光像の合成画像が顕像化される。第７
図は前記一次帯電極性と逆極性の、すなわち正の
極性をもつトナーで現像した場合を示すもので、
第１光像照射明部且つ第２光像照射で暗部の部分
にトナーが付着する。第８図は反転現像、すな
わち前記一次帯電極性と同極性の負の極性をもつ
トナーでの現像を示すもので、正現像の場合とは
逆の現像が行なわれ、，，の部分にトナー
が付着する。この場合現像電極を用いればさらに
良好な現像が行なわれるのは周知のとおりであ
る。

第９図〜第１２図は、このような合成像形成の
例を示すものであつて、夫々ａは第１光像オリジ
ナル、ｂは第２光像オリジナル、ｃは正の極性を
もつトナーで現像した場合のａ、ｂの合成顕画像
を示しｄは負の極性をもつトナーで現像した場合
のａ、ｂの合成顕画像を示すものである。これら
合成像から判かるように、第１及び第２光像の明
暗のパターン及びその陰陽に従つて異なる合成顕
画像を得ることができ、目的に応じて選択できる
ものである。

次に、絶縁層面上に形成された可視像は第９図
に示すごとくコロナ放電１０、バイス電圧等の外
部電圧を印加して、あるいは内部電界によつて紙
等の転写材１１上に転写し、最後に赤外線、熱板
等、又は圧力定着等の定着手段により転写像を定
着して電子写真像を得るものである。

一方、感光板は繰返し使用するため、転写が行
われた後、絶縁層面を公知のクリーニング法にて
クリーニングしてその表面に残存する荷電粒子を
除去するものである。この際、主に再帯電によつ
て原画の明部において絶縁層面上に帯電された静
電像形成の電荷を除電してからクリーニングした
方がクリーニング効果が増大する。そのためには
クリーニングする前に絶縁性被膜面に交流コロナ
放電を当て前記静電像形成の電荷を除電し、次に
弾性ブレードあるいはフアーブラシ等でクリーニ
ングすれば良い。その場合、クリーニング手段に
荷電着色粒子と逆極性の電位を持たせクリーニン
グ効果を増進させることもできる。

このクリーニングの効果はまた、絶縁性被膜の
材料の性質等に粘着性に依存するので、前述の樹
脂等はいずれも本発明による静電像形成材として
適切なものであるが、特にその中でも弗素樹脂被
膜は非粘着性に優れ、クリーニングに際し荷電着
色粒子の脱離を助成しクリーニング効果が顕著で
ある点において最も有効なものである。

現像の為に好ましい静電像としては (1) 前記Ｖ_LDとＶ_DD、Ｖ_DL、Ｖ_LLとの表面電位差
が十分とれる事。

(2) 前記Ｖ_DD、Ｖ_DL、Ｖ_LL間に表面電位差の生じ
ない事。

である。これらを満足する為には (1) 光導性物質２ (2) 第１，第２の露光量 (3) 前記初期帯電の極性及び強度 (4) 交流コロナ放電の強度 等を適切に設定する事が必要である。

次に本発明に係る電子写真法の１実施例につき
定量的説明をすると次のごとくである。

銅により活性化された硫化カドミウム100gに
10gの塩化ビニルを加え、さらに少量のシンナー
を加え混合して得た感光物質を表面に研摩したア
ルミニウムシリンダー上に約50μの厚みに塗布す
る。次にこの光導電性被膜面に厚さ35μの絶縁層
を層合して感光板を得る。次に上記感光板の絶縁
層表面に＋7KVのコロナ放電を当て正（＋）電荷
を一様に帯電させる。次に第１の光像（明部は約
12ルツクス0.3秒の光量）を照射し、その後
AC7.5KVの交流コロナ放電とほぼ同時に前記第
１の光像と同光量の第２の光像を照射する。さら
に前記表面全面を約12ルツクスにて約0.8秒間一
様に露光して絶縁層表面にコントラストの高い静
電像を形成する。この静電像形成過程の表面電位
を表面電位計にて測定してみると第６図のＶ_D相
当部は＋1700V、Ｖ_L相当部は1400V、Ｖ_LD相当部
とＶ_LL、Ｖ_DD、Ｖ_DL相当部との表面電位差は約
400Vのものが得られた。

次に本発明の１実施例としてレーザービーム記
録装置に固定フオーマツト等のオーバーレイ機能
を付加した装置を図面に従つて詳細に説明する。
第１４図は本実施例の斜視図であり、第１５図は
同実施例の横断面図である。

第１４図および第１５図において、定型フオー
マツト等の原稿１１は、後述するようにレーザー
光と同期して移動可能な原稿台１０の上にあり原
稿露光ランプ１２に照射され、その原稿画像は反
射鏡１３によつて原稿画像結像レンズ１４に向け
て曲げられ、感光ドラム２０上に後述する第１露
光として露光される。

又、感光ドラム４０上へは後述する第２露光が
定型フオーマツト等の原稿画像露光と同期をとつ
たレーザービームにて行なわれる。このレーザー
ビーム第２露光について下記に説明する。

レーザー発振器２１より発振されたレーザビー
ムは反射ミラー２２を介して偏向・変調器２３の
入力開口に導かれる。反射鏡２２は装置のスペー
スを小さくすべく光路を屈曲させるために挿入さ
れるもので必要なければ、除去されるものであ
る。偏向・変調器２３には、公知の音響光学効果
を利用した音響光学偏向・変調素子又は電気光学
効果を利用した電子光学素子が用いられる。偏
向・変調器２３において、レーザ・ビームは偏
向・変調器２３への入力信号に従つて強弱の変調
を受けるとともに偏向をうける。

また、レーザ発振器が半導体レーザの場合ある
いは、ガスレーザ等においても電流変調が可能な
型あるいは変調素子を発振光路中に組み込んだ型
の内部変調型のレーザを使用する場合は変調器２
３は不要である。これらの光源からの光は各々適
当な光学系を通つた後ビームエキスパンダー２４
に到る。

変調器２３からのレーザービームはビームエキ
スパンダーにより平行光のままビーム径が拡大さ
れる。さらに、ビーム径が拡大されたレーザービ
ームは鏡面を１個ないし複数個有する多面体回転
鏡２５に入射される。多面体回転鏡２５は高精度
の軸受（例えば空気軸受）に支えられた軸に取り
付けられ、定速回転（例えばヒステリシスシンク
ロナスモータ、DCサーボモータ）のモータ２６
により駆動される多面体回転鏡２５により水平に
走査される。この走査はガルバノ・ミラーを用い
て行なつてもよい。

多面体回転鏡２５により水平に走査されたレー
ザ・ビームはｆ―θ特性を有する結像レンズ２７
により感光ドラム４０上にスポツトとして結像さ
れる。

一般の結像レンズでは、光線の入射角θの時、
像面上での結像する位置ｒについて、 ｒ＝ｆ・tanθ―(1)（ｆ：結像レンズの焦点距
離）なる関係があり、本実施例のように一定回転
の多面体回転鏡２５により、反射されるレーザビ
ーム２８は結像レンズ２７への入射角が時間と共
に一次関数的に変化する。従つて像面たる感光ド
ラム４０上での結像されたスポツト位置の移動速
度は非直線的に変化し一定ではない。すなわち、
入射角が大きくなる点で移動速度が増加する。従
つて一定時間間隔でレーザビームをオンしてスポ
ツト列を感光ドラム４０上に描くと、それらの間
隔は両端が中央部に比較して広くなる。この現象
を避けるため、結像レンズ２７は、 ｒ＝ｆ・θ……(2) なる特性を有するべく設計される。

この様な結像レンズ２７をｆ−θレンズと称す
る。さらに、平行光を結像レンズでスポツト状に
結像させる場合、そのスポツト最小径dminは、 dmin＝ｆλ／Ａ……(3) 但し ｆ；結像レンズの焦点距離 λ；用いられる光の波長 Ａ；結像レンズの入射開口 で与えられ、ｆ，λが一定の場合Ａを大きくすれ
ばより小さいスポツト径dminが得られる。先に
述べたビームエキスパンダー２４はこの効果を与
えるために用いられる。従つて必要なdminがレ
ーザ発振器のビーム径によつて得られる場合には
ビームエキスパンダー２４は省略される。

ビーム検出器２９は、小さな入射スリツトと応
答時間の速い光電変換素子（例えばpINダイオー
ド）から成る。ビーム検出器２９は掃引されるレ
ーザビーム２８の位置を検出しこの検出信号をも
つて感光ドラム上に所望の光情報を与えるための
変調器２３への水平走査の入力信号のスタートの
タイミングを決定する。これにより、多面体回転
鏡２５の各反射面の分割精度の誤差および回転ム
ラによる水平方向の信号の同期ずれを大巾に軽減
でき質の良い画像が得られると共に、多面体回転
鏡２５及び駆動モーター２６に要求される精度の
許容範囲が大きくなり、より安価に製作できるも
のである。

以上のようにして、外部信号により変調された
レーザ・ビーム２８は感光ドラム４０上に後述す
る第２露光として露光される。

次に第１４図及び第１５図の印刷部について述
べる。まず導電性支持体・光導電性層、絶縁層を
基本構成とする感光板４０の絶縁層表面を初期帯
電用コロナ放電器４１により絶縁層表面を負
（−）に一様に帯電する。次に負に一様に帯電さ
れた絶縁層表面に定型フオーマツト等の原稿画像
である第１露光を行なう。矢印の方向に回動して
いる感光板４０上の上記第１露光のなされた部分
がACコロナ放電器４２の位置に来ると、あらか
じめ第１露光により同期をとつた第２露光である
レーザービーム露光が絶縁層表面に行なわれ、そ
れとほぼ同時にACコロナ放電器４２により絶縁
層表面を除電する。次にランプ４３により絶縁層
表面全面を露光する。以上のプロセスにより感光
板の第１露光である原稿画像の明部（白地）であ
り、且つ第２露光であるレーザービームの当らな
い部分とそれ以外の部分に表面電位差を生ぜしめ
て合成静電像を形成する。この場合第１露光の明
部であり、且つ第２露光の暗部である部分の絶縁
層表面は負（−）の電荷が残り、その他の絶縁層
表面はほぼ零電位となる。次に前記合成静電像を
例えば反転現像するために負（−）極性の荷電着
色粒子を主体とする現像剤にて現像手段４４によ
り現像して可視化した後、紙等の転写材４５に前
記可視像を内部もしくは外部電界４６を利用して
転写し、次に赤外線ランプ熱板、圧力定着手段等
の定着手段４７によつて転写像を定着して、電子
写真プリント像４８を得る。一方、転写が行なわ
れた後、前記感光板４０は前記絶縁層表面をクリ
ーニング手段４９によりクリーニングして残存す
る荷電粒子を除去し、繰り返し使用する。

以上の様にこの実施例では反転現像した場合、
第１露光の暗部の部分と、第１露光が明部であ
り、且つ第２露光の明部とに荷電着色粒子が付着
する（第８図参照）為、第１露光としてのフオー
マツト等の原稿は作成が容易であるポジオリジナ
ルを使え、又第２露光のレーザービームの信号制
御はすでに近年開発されているレーザービーム記
録装置の制御方式等をそのまま使用できるもので
ある。

又、本実施例はレーザービーム記録装置に固定
フオーマツト等のオーバーレイ機能を付加した装
置をとり上げて説明したが、本発明により電子写
真複写機に固定フオーム等のオーバーレイ機能を
付加した装置で例えばCRTをレーザーの代りに
用いた装置や電子写真複写機とマイクロフイルム
拡大プリント機とを組合せた装置等にも同様に有
効である。

次に第１の光像と第２の光像とを位置的に同期
をとる方法についての例を述べる。もちろん第１
の光像と第２の光像の同期をとる必要のない場合
もある。例えば第１の光像、又は第２の光像をプ
リント地の模様、スカシ模様等に使用してくり返
す時等である。この場合の説明は省く。

同期をとるべき第１の光像、第２の光像の組合
せとして次の様な種類がある。

(1) 第１の光像に原稿反射光，第２の光像にレー
ザー光 (2) 第１の光像に原稿反射光，第２の光像に原稿
反射光 (3) 第１の光像にレーザー光，第２の光像にレー
ザー光 (4) 第１の光像にレーザー光，第２の光像に原稿
反射光 原稿反射光のかわりにフイルム状の原稿透過
光、マイクロフイルムの拡大透過光などを、又レ
ーザー光はビーム光のスポツト露光でよく、他に
CRT等によるスポツト光を使つてもよい。

以下に前記１〜４の場合について同期のとり方
の１実施例を順を追つて説明する。

まず(1)の場合は前述の装置実施例の場合であ
る。第１４図、第１５図において定速移動する原
稿台１０が所定位置へ移動すると、例えばマイク
ロスイツチ等（図示せず）に検出され、第１６図
のタイム、チヤートに示すようにレデイ信号を発
生する。その後一定時間T₁後に原稿のトツプ部
の露光が開始される。又その後調整時間後データ
が入力され、レーザービーム露光が開始される。

原稿のトツプ部の露光開始とレーザービーム露光
の開始との時間差T₂は T₂＝Ｅ_２−Ｅ_１／ＶＰ， 但しE₂−E₁；第１の光像露光部と第２の光像
露光部との距離 VP；感光ドラムの周速度 である。

この時のタイムチヤートを第１６図に示す。こ
こでT₁は機械的にすなわち原稿台のレデイ信号
発生スイツチ取付位置と原稿のトツプ位置の関係
で決まり、T₂は電気的に公知の計数手段等によ
り設定されるものである。

次に(2)の第１の光像に原稿反射光、第２の光像
にも原稿反射光を行う場合について同期のとり方
の１例を示す。

第１８図に示す説明図を用いて説明する。第１
及び第２の原稿（11―１，11―２）のトツプ位置
と第１及び第２の感光ドラム面上への露光部
（E₁，E₂）の位置を次に示す関係に設定すれば第
１及び第２の原稿の同期はとれる。

ｌ_２−ｌ_１／Ｖｆ＝Ｅ_２−Ｅ_１／Ｖｐ 但し、l₁；原稿台の定速移動に立上がるまでの
移動距離又はこれより大なる距離 l₂−l₁；第１及び第２の原稿トツプのズレ量 Vf；原稿台１０の速度 Vp；感光ドラム２０の周速度 E₂−E₁；第１の光像露光部と第２の光像露
光部との距離 このような移動の同期を具体的にとる手段は周
知の手段でよい。

次に(3)の場合の１例を示す。第１の光像にレー
ザー光、第２の光像にレーザー光を使いそれらを
同期させるのは第１のレーザー光露光開始のT₂
後に第２のレーザー光露光を開始するようにし、
T₂の時間は次の関係に満足する時間に電気的に
設定すれば良い。

T₂＝Ｅ_２−Ｅ_１／Ｖｐ 但し、E₂−E₁；第１の光像露光部と第２の光
像露光部との距離 Vp；感光ドラムの周速度 次に(4)の第１の光像にレーザー光、第２の光像
に原稿反射光を使つた時の１例を示す。説明図を
第１９図に示す。定速移動する原稿台１０は所定
位置へくると第１７図に示すようにレデイ信号を
発する。それから調整時間後データは入力されレ
ーザービームの露光２８が開始される。感光ドラ
ムのレーザービーム露光開始部分が回転して原稿
反射光露光位置つまり第２の光像露光位置に来た
時に原稿１１のトツプが露光される様に時間調整
をする。レーザービーム露光用データ入力開始と
原稿１１のトツプ露光開始との時間差T₂は T₂＝Ｅ_２−Ｅ_１／Ｖｐ 但しE₂−E₁；レザービーム露光位置つまり第
１の光像露光位置と原稿トツプ
光露光位置つまり第２の光像露
光位置の距離 Vp；感光ドラムの周速度 であり、レデイ信号発生後、原稿１１のトツプ露
光開始までの時間T₁は T₁＝ｌｒ−ｆ／Ｖｆ 但し lr−ｆ；レデイ信号発生スイツチ取付位置
と原稿トツプ位置の距離（図示
せず） Vf；原稿台１０の移動速度 である。

レデイ信号の発生は原稿台の移動によつてオン
する様マイクロスイツチ等を取り付ける事により
可能とされる。

第１７図に示したタイムチヤートから判るよう
にレデイ信号を受けてからレーザービームによる
データ入力・露光開始、又、原稿のトツプ露光開
始までの時間、すなわち（T₁〜T₂）を調整するこ
とで、データ入力時期を調整し原稿のトツプを同
期せしめている。

以上、第１の光像、第２の光像の同期方法を簡
単に示した。

本発明は以上詳述したように、 導電性支持体、光導電層および絶縁層を基本構
成体とする可動感光板と、この可動感光板の絶縁
層表面を帯電させ、かつこれによつて導電性支持
体と光導電層との界面もしくはこの近傍に上記絶
縁層表面の帯電電荷とは逆極性の電荷を誘起させ
る電荷付与手段と、この電荷付与手段に作用され
た後に上記感光板を除電する交流除電手段と、上
記電荷付与手段の作用位置と交流除電手段の作用
位置との間の位置で上記感光板に第１の像光を露
光する第１像光露光手段と、上記交流除電手段の
作用位置で、上記第１像光が照射された感光板領
域に第２の像光を露光する第２像光露光手段と、
上記交流除電手段に作用された後に上記感光板全
面を一様に露光する全面露光手段と、を備え、第
１光像でも第２光像でも暗部であつた部分の表面
電位、第１光像では暗部、第２光像では明部であ
つた部分の表面電位、第１光像でも第２光像でも
明部であつた部分の表面電位が夫々略零電位であ
る静電潜像を形成し、一種の極性のみに帯電した
トナーでこの静電潜像を現像する電子写真装置で
ある。

従つて、第１の像と第２の像の組合せによつて
種々の合成潜像を、潜像形成の第２、第３ステツ
プを利用して形成できる効果がある。そして、こ
の合成潜像の表面電位はＶ_DD，Ｖ_DL，Ｖ_LLが略零
電位であるので、表面電位Ｖ_LDの部分と、Ｖ_DD，
Ｖ_DL，Ｖ_LLの部分とが鮮明に区別された現像画像
を得る事ができる。よつて画像形成装置を広範囲
の用途に適合させることができ、各種データや情
報の合成記録に極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用され得る感光板の構成の
概略説明図、第２図〜第５図は、第１図に示した
感光板に第１，第２の像形感光の照射を施し、そ
れらの合成潜像を形成する過程を示す説明図、第
６図は第２図〜第５図に示した過程における感光
板の表面電位の変化を模式的に示すグラフを表わ
した図、第７図、第８図は潜像の顕画過程を示す
図、第９図は顕画像の転写過程を示す図、第１０
図ａ，ｂ，ｃ，ｄ〜第１３図ａ，ｂ，ｃ，ｄは第
１、第２の像のオリジナルのパターンと、合成顕
画像を示す説明図、第１４図は本発明に係る電子
写真装置の一実施態様の斜視図、第１５図はその
横断面図、第１６図、第１７図は本発明に係る実
施態様における第１，第２像形成用露光の同期方
式のタイム・チヤートを夫々示す図、第１８図、
第１９図はその同期方式の二例を示す説明図であ
る。 １…導電性支持体、２…光導電層、３…絶縁
層、Ａ，２０…感光板、４，４１…電荷付与手
段、８，４２…交流除電手段、４３…全面露光手
段。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体、光導電層および絶縁層を基本
   構成体とする可動感光板と、 この可動感光板の絶縁層表面を帯電させ、かつ
   これによつて導電性支持体と光導電層との界面も
   しくはこの近傍に上記絶縁層表面の帯電電荷とは
   逆極性の電荷を誘起させる電荷付与手段と、 この電荷付与手段に作用された後に上記感光板
   を除電する交流除電手段と、 上記電荷付与手段の作用位置と交流除電手段の
   作用位置との間の位置で上記感光体に第１の像光
   を露光する第１像光露光手段と、 上記交流除電手段の作用位置で、上記第１像光
   が照射された感光板領域に第２の像光を露光する
   第２像光露光手段と、 上記交流除電手段に作用された後に上記感光板
   全面を一様に露光する全面露光手段と、 を備え、第１光像でも第２光像でも暗部であつ
   た部分の表面電位、第１光像では暗部、第２光像
   では明部であつた部分の表面電位、第１光像でも
   第２光像でも明部であつた部分の表面電位が夫々
   略零電位である静電潜像を形成し、一種の極性の
   みに帯電したトナーでこの静電潜像を現像する電
   子写真装置。