JPS6019500B2 - 電子写真法及びその装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は第１の像と第２の隊を同時に形成可能とする電
子写真法及びその装置に関するものである。

電子写真法としてはェレクトロフアツクス方式、ゼロッ
クス方式、、ＰＩＰ方式、およびＮＰ方式（例えば特公
昭４２一２３９１０号等）等が知られている。

そして、ェレクトロフアツクス方式およびゼロックス方
式はいわゆるカールソンプロセスによって静電像を形成
するもので、酸化亜沿（ェレクトロフアツクス）、非晶
質セレニウム（ゼロックス）等の光導電体層を支持体上
に形成した感光板の光導電体面をコロナ放電により一様
に帯電し、次いで原画像を照射し、光照射部分の電荷を
減衰そしめ、原画の明暗のパターンに従った静電像を荷
電着色粒子により現像して可視化した後、定着又は一旦
他の紙等の支持体上に転写した後定着して電子写真像を
得るものであり、またＰＩＰ方式は蟹光物質等のもつ物
理的性質、即ち持続性内部分極および光導電性を利用し
て潜像を形成するものであり、ＮＰ方式は光導電体層と
その上部に用いられた絶縁層の静電容量差および光導電
性を利用して静電像を形成し以下同様に現像・転写・定
着工程を経て電子写真像を得るものである。今日までこ
れらの電子写真法を利用した複写装置が開発されてきて
いるが、異なる複数のオリジナルを感光板上に重ね合わ
せて露光し、合成された潜像を形成しこれを顕画化する
装置の需要が高まってきているが、これを充分に満たす
ものはなく、ごく限られた用途のものであった。

またそのような合成像形成プロセス自体も、光学的に合
成した合成像や、あるいは電気的に合成した信号を利用
して合成像を得るものであって、静電像形成過程を構成
する異なるステップを組み合せて合成像を結果として感
光板上に形成する重ね合せ方法、即ちオーバーレィ法は
極めて限られていた。本発明は、上述の需要に応え、従
来提案されていた方法を改善し、静電像形成過程の第１
、第２ステップを利用してオーバーレィを行う簡便な方
法及びその装置を提供することを目的とするものである
。本発明の特徴とする処は、導電性支持体、光導電性層
および絶縁層を基本構成体とする感光板を用いる電子写
真法において、絶縁層表面に荷電を与えるとほぼ同時に
第１の像形成照射を与え、次に交流除電を行なうとほぼ
同時に第２の像形成照射を与え、さらに絶縁層表面全面
を露光することにより、第１と第２の像の合成像の静電
糟像を形成する電子写真法及びその装置にある。

また他の特徴は、上記第１の像と第２の像を位置的に同
期をとり重ね合わせた静霞潜像を形成する電子写真法及
びその装置にある。

本発明に係る電子写真法の実施態様の概略をまず簡単に
説明すると、導電性支持体、光導電性層および絶縁層を
基本構成体とする感光板を使用する。

この感光板の絶縁層表面を第１の光陵照射とほぼ同時に
正または負に帯電する。次に前記絶縁層表面に第２の光
像照射とほぼ同時に交流除電をした後、前記絶縁層表面
全面を一様に露光し第１の光像の明部でありかつ第２の
光像の暗部である部分とそれ以外の部分に表面電位差を
生ぜしめて第１の光像と第２の光像との合成潜像を形成
する。そして前記静電像を荷電着色粒子を主体とする現
像剤にて現像して可視化した後、紙等の転写材に前記可
視像を内部もしくは外部電界を利用して転写し、次に赤
外線ランプ、熱板等による定着手段により熱線を当て転
写像を定着して電子写真像を得、一方転写が行われた後
、前記絶縁層表面をクリーニングして残存する荷電粒子
を除去し、前記感光板を繰返し使用するものである。次
に本発明の実施態様を、以下図面に従って説明する。

第１図は静電像を形成する感光板の構成説明図にして、
１は導電性支持体、２は導電性支持体１上に例えばスプ
レーによりあるいはコーター、ファーラー等を使用して
塗布された光導電性層で、必要に応じ池層との結着を良
好にするため主として樹脂等の少量のバインダーを加え
ても良い。３は光導電性層２上に一様に密着形成した絶
縁層である。

このように感光板Ａは基本的に導電性支持体１、光導電
性層２および絶縁層３の三層より形成されているもので
あるが、電荷の移動を制限するごとき制御層を導電性支
持体と光導電性層の間に形成し、さらにあるいは単独に
光導電性層表面るし、は表面付近に電荷を捕獲する層等
を付加せしめても良い。又光導電特性は膳所においては
出来るだけ高抵抗の方が好ましい。導電性支持体１は錫
、銅、アルミ等の金属導電体、吸湿性の紙等が使用され
るが、紙の上にアルミ箔を付着した支持体は安価であり
、かつドラム等に巻き付けて使用する場合には好都合の
ものである。

光導電性層の材料はＣｄＳ、ＣｄＳｅ、結晶質Ｓｅ、Ｚ
ｎ０、ＺｎＳ、Ｓｅ、Ｔｉ０２、ＳｅＴｅおよびＰの等
もしくはその混合体等が使用できるものである。このよ
うな光導電性層としては、階所における帯電時、導電性
支持体から特定極性の電荷が光導電性層内に注入する電
荷注入特性を有しているものがあるが、以下に述べる実
施態様では、このような性質を有するために一次帯電と
ほぼ同時に行われる第１の光像照射による電荷分布に好
ましい影響を与える場合には、一次帯電極性として、こ
のような階所での電荷注入を来たさない極性にて帯電す
るものとする。電荷注入特性を実質的に有しないか、あ
るいは、有しても上記の光像照射による電荷分布に与え
る影響が実質的にない光導電材料の場合にはいずれの極
性にても帯電できる。絶縁層３を構成する材料は耐摩耗
強度の大きいこと、高抵抗で静電荷を保持できること、
透明であることの三つの要件を満足するものであればよ
く、弗素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹
脂、酢酸セルロース樹脂、ポリエステル樹脂等の被膜が
使用可能であり、特に弗素樹脂はクリーニングしやすい
性質を有するので、後述する如く現象、転写後クリーニ
ング過程を経て感光板を繰返し使用するために、本発明
の実施態様において好ましい材料である。第２図〜第４
図は上記のごとく構成された感光板に合成潜像を形成す
るプロセス及び感光板の荷電模様を例示したものである
。

第２図に於いて先ず感光板Ａの絶縁層３の表面をコロナ
放電器４により例えば負（一）に帯電するとほぼ同時に
第１の光像照射を行なう。

この時暗部においては光導電性層２は高抵抗な為、導電
性支持体１の光導電性層２との界面もしくは光導電性層
２の導電性支持体１に近い部分に正（十）の電荷３２が
譲起される。又明部においては光導電性層２は光刺激に
より導電化する為、導電性支持体１より正（十）の電荷
が注入され絶縁層の表面電荷（一）に吸引されて光導電
性層２と絶縁層３の界面に止まる（第２図）。このプロ
セスによって絶縁層３の表面電位は帯電時間とともに負
（一）に増大し、第５図ＶＰに示すごとき特性を示す。
次に前記絶縁層３の表面に第２の光像照射と同時に交流
コロナ放電器８による交流コロナ放電を施す（第３図）
。

なお前記コロナ放電器４と交流コロナ放電器８は光像照
射とほぼ同時に放電を行なう為、その上部が透明又はシ
ールド板なしの光学的に開放された構造である事が好ま
しい。

第１の光像照射の際に暗部であった部分１、０の絶縁層
３の表面に帯電していた負（一）の電荷３１は何の拘束
力もない為全部又は大部分が放電される。

又第１の光像照射の際に明部、かつ第２の光像照射で明
部の部分Ｗにおいても、光導電性層２が光刺激により導
電化され、光導電性層２と絶縁層３の界面に止まってい
た正（十）の電荷３３は、導電性支持体１へ放出されや
すい状態になる為、絶縁層３表面に帯電していた負（一
）の電荷３１は拘束力がなくなり、止まっていた正（十
）の電荷３３とともに全部又は大部分が放電される。

これらの放電量は交流コロナ放電時間および強さに依存
するものである。一方、第１光陵照射時に明部で且つ第
２光像照射時に暗部であった部分ｍでは光導電性層３の
抵抗値が高く前記界面付近に止まっている正（十）電荷
３３の導電性支持体１への放出がないので、この正（十
）電荷３３により絶縁層３の表面の負（一）電荷３１が
拘束され、絶縁層３の表面の負（一）電荷３１が交流コ
ロナにより放電される度合いは、前記第１光像照射時の
暗部もしくは、第２光像照射時の明部０、Ｗより少ない
。

この様に第１光像の明部であってかつ第２光像の明部ｍ
においては、絶縁層３の表面に残存する負（一）の電荷
量は多いが、同時に光導電性層２に正（十）の電荷３３
が多量に止まったままの状態であるので絶縁層３の表面
電荷によるフィールドは光導電性層２に止まっている正
（十）の電荷３３の方向に相当強く作用し、表面電荷に
よる外部フィールドは極めて小さくなる（第３図）。次
に絶縁層３の表面側から（あるいは導電性支持体が透光
性の場合にはこの側からでも可）全面を露光する（第４
図）。

前記第１光像の暗部、もしくは第２光像の明部、１、ロ
、Ｗにおいては、光導電性層２内の露荷の分布状態に変
化が実質的に生じないので、絶縁層３の表面の電位も第
３図と変わらずほぼ０電位である。

しかし第１光像の明部でありかつ第２光像の暗部皿こお
いては、第２光像露光時に光照射がなかったため光導電
性層２は高抵抗を示していたが、全面論露光時に露光さ
れるため抵抗値は急激に低下し導電性となる。そのため
それまでその内部に捕獲されていた正（十）電荷３３は
絶縁層３の表面の帯電負荷３１と等価の電荷の量のみを
残して他は全部導電性支持体１へ放出されて消滅する。
その結果その絶縁層表面の帯電負荷３１には外部フィー
ルドが急激に増大して表面電位が高まる。これらのプロ
セスによる絶縁層３の表面電位の変化は、第５図に示す
如き特性を示す。

すなわち第１光像照射の際明部で、かつ第２光像照射で
暗部であった部分町のみの軍圏がＶＬ。を大きくそれ以
外の部分１、ロ、ＷではＶｏｏ、ＶｏＬ、ＶＬＬと略零
電位となる。従ってこの感光体Ａをトナーで現像すれば
、第１光像と第２光像の合成画像が顕画化される。

第６図は前記一次帯電極性と逆樋性の、すなわち正の極
性をもつトナ−で現像した場合を示すもので、第１光像
照射で明部かつ第２光像照射で暗部の部分ｍにトナ−が
付着する。第７図は反転現像、すなわち前記一次帯電磁
性と同極性の負の樋性をもつトナーでの現像を示すもの
で、正現像の場合とは逆の現像が行なわれ１、ロ、Ｗの
部分にトナーが付着する。

この場合現像電極を用いればさらに良好な現像が行なわ
れるのは周知のとおりである。第９図〜第１２図は、こ
のような合成像形成の例を示すものであって、夫々ａは
第１光像オリジナル、ｂは第２光像オリジナル、ｃは正
の極性をもつトナーで現像した場合のａ，ｂの合成顕画
像を示し、ｄは負の極性をもつトナーで現像した場合ａ
，ｂの合成頭画像を示すものである。

これら合成像から判るように、第１及び第２光像の明暗
のパターン及びその陰陽に従って、異なる合成顕画像を
得ることができ、目的に応じて選択できるものである。
次に、絶縁層面上に形成された可視像は第８図に示すご
とくコロナ放電１０、バイアス電圧等の外部電圧を印加
して、あるいは内部電界によって紙等の転写材１１上に
転写し、最後に赤外線、熱板等、又は圧力定着手段によ
り、転写像を定着して電子写真像を得るものである。

一方、感光板は繰返し使用するため、転写が行なわれた
後、絶縁層面を公知のクリーニング法にてクリーニング
してその表面に残存する荷電粒子を除去するものである
。

この際、主に再帯電によって原画の明部において絶縁層
面上に帯電された静電像形成の電荷を除去してからクリ
ーニングした方がクリーニング効果が増大する。そのた
めにはクリーニングする前に絶縁性被膜面に交流コロナ
放電を当て前記静電像形成の電荷を除去し、次に弾性ブ
レードあるいはファーブラシ等でクリーニングすれば良
い。その場合クリーニング手段に荷電着色粒子と逆極性
の露囲を持たせクリーニング効果を増進させることもで
きる。このクリーニングの効果はまた、絶縁性被膜の材
料の性質等に粘着性に依存するので、前述の樹脂等はい
ずれも静電像形成材として適切なものであるが特にその
中でも弗素樹脂被膜は非粘着性に殴れ、クリーニングに
際し荷電着色粒子の脱離を助成し、クリーニング効果が
顕著である点において最も有効なものである。

現像の為に好ましい静電像としては ‘１）前記ＶＬｏとＶ皿Ｖ。

ＬＶＬＬとの表面電位差が十分とれる事‘２｝ 前記Ｖ
ｏＤＶＬｏＶＬＬ間に表面電位差の生じない事である。

これを満足する為には ｛１｝ 光導電性物質２ ‘２） 第１、第２の露光量 ｛３’前記初期帯電の極性及び強度 ｛４｝ 交流コロナ放電の強度 等を適切に設定する事が必要である。

次に本発明に係る静露潜像形成方法の１実施例につき定
量的説明をすると次のごとくである。

銅により活性化された硫化カドミウム１００のこ１０夕
の塩化ビニルを加え、さらに少量のシンナーを加え混合
して得た感光物質を表面研摩したアルミニウム・シリン
ダー上に約５０仏の厚みに塗布する。次にこの光導電性
被膜面に厚さ３５仏の絶縁層を層合して感光板を得る。
次に上記感光板の絶縁層表面に十６．郎Ｖのコロナ放電
を当てるとほぼ同に第１の光像（明部は約１２ルックス
０．３秒の光量）を照射する。その後ＡＣ７．弧Ｖの交
流コロナ放電とほぼ同時に前記第１の光像と同光量の第
２の光像を照射する。さらに前記表面全面を約１２ルッ
クスにて約０．親段、間一様に露光して、絶縁層表面に
コントラストの高い静電像を形成する。この静電像形成
過程の表面電位を表面電位計にて測定してみると第５図
のＶＰ相当部は−１４００Ｖ、ＶＬＤ相当部とＶＬＬ、
Ｖ。。、Ｖ。Ｌ相当部との表面電位差は約４００Ｖのも
のが得られた。次に本発明の１実施例としてレーザービ
ーム記録装置に固定フオーマツト等のオーバーレイ機能
を付加した装置を適用した例を図面に従って説明する。

第１３図はこの実施例の斜視図であり、第１４図は同実
施例の横断面図である。第１３図および第１４図におい
て、定型フオ−マット等の原稿１１‘よ、後述するよう
にレーザー露光と同期して移動可能な原稿台１０の上に
あり原稿台露光ランプ１２に照明され、その原稿画像は
反視鏡１３によって原稿画像レンズ１４に向けて曲げら
れ、感光ドラム２０上に後述する第１露光として露光さ
れる。

又、レーザー露光の第２露光は定型フオーマット等の第
１露光の原稿画像と同期をとってレーザービームにて行
なわれる。

このレーザービーム第２露光について以下説明する。レ
ーザー発振器２１より発振されたレーザービームは反射
ミラー２２を介して偏向・変調器２３の入力関口に導か
れる。反射鏡２２は、装置のスペースを小さくすべく光
路を屈曲させるために挿入されるもので、必要なければ
除去されるものである。偏向・変調器２３には、公知の
音響効果を利用した音響光学偏向・変調素子又は、電気
光学効果を利用した電子光学素子が用いられる。偏向・
変調器２３において、レーザービームは、偏向・変調器
２３への入力信号に従って、強弱の変調を受けるととも
に偏向をうける。また、レーザ発振器が半導体レーザの
場合、あるいはガスレーザ等においても、電流変調が可
能な型あるいは変調素子を発振光路中に組み込んだ型の
内部変調極のレーザを使用する場合は、変調器２３は不
要である。

これらの光源からの光は各々適当な光学系を通った後ビ
ームエキスパンダー２４に到る。変調器２３からのレー
ザビームはビームエキスパンダーにより平行光のままビ
ーム径が拡大される。

さらに、ビーム径が拡大されたレーザビームは鏡面を１
個ないし複数個有する多面体回転鏡２５に入射される。
多面体回転鏡２５は高積度の軸受（例えば、空気軸受）
に支えられた軸に取り付けられ、定速（例えばヒステリ
シスシンクロナスモータ、ＤＣサーボモータ）のモータ
２６により駆動される多面体回転鏡２５により水平に走
査ご０れる。この走査はガルバノ・ミラーを用いて行な
ってもよい。多面体回転鏡２５により水平に走査された
レーザビームはｆーリ特性を有する結像レンズ２７によ
り感光ドラム４０上にスポットとして結像され夕る。

一般の結像レンズでは、光線の入射角８の時、像面上で
の結像する位置ｒについて、ｒニｆ・ねｎ８
・・・・・・【１）（ｆ：結像レンズの篤実
点距離）０なる関係があり、本実施例のように、一定回
転の多面回転鏡２５により反射されるレーザビーム２８
は結像レンズ２７への入射角が、時間と共に一次関数的
に変化する。

従って、塚面たる感光ドラム４０上での結像されたスポ
ット位置の移動速度夕は、非直線的に変化し一定ではな
い。すなわち、入射角が大きくなる点で移動速度が増加
する。従って、一定時間間隔でレーザビームをオンして
、スポット列を感光ドラム４０上に描くと、それらの間
隔は両端が、中央部に比較して広くなる。こ０の現象を
避けるため、結像レンズ２７は、ｒ＝ｆ・〇
‐‐‐‐‐‐【２１なる特性を有するべく設計
される。この様な結像レンズ２７をｆ−０レンズと称す
る。さらに、平行光を結像レンズでスポット状に結像さ
せる場タ合、そのスポット最小径ｄｍｉｎは、ｄｍｉｎ
＝ｆ会 ‐‐‐‐‐‐｛３’但しｆ：結像レン
ズの焦点距離＾：用いられる光の波長 Ｏ Ａ；結像レンズの入射開○ で与えられ、ｆ、＾が一定の場合Ａを大きくすればより
４・さし、スポット径ｄｍｉｎが得られる。

先に述べたビームエキスパンダー２４は、この効果を与
えるために用いられる。従って、必要なｄｍｉｎがレー
ザー発振器のビ−ム径によって得られる場合にはビーム
エキスパンダー２４は省略される。ビーム検出器２９は
、４・さな入射スリットと、応答時間の速い光電変換素
子（例えばＰＩＮダイオード）から成る。ビーム検出器
２９は、掃引されるレーザビーム２８の位置を検出し、
この検出信号をもって、感光ドラム上に所望の光情報を
与えるための変調器２３への水平走査の入力信号のスタ
ートのタイミングを決定する。これにより、多面体回転
鏡２５の各反射面の分割精度の誤差および、回転ムラに
よる、水平方向の信号の同期ずれを、大中に軽減でき、
質の良い画像が得られると共に、多面体回転鏡２５及び
駆動モーター２６に要求される精度の許容範囲が大きく
なり、より安価に製作できるものである。以上のように
して、外部信号により変調されたレーザビーム２８は感
光ドラム４０上に、後述する第２露光として露光される
。

次に第１３図及び第１４図の印刷部について述べる。

導電性支持体・光導電性層・絶縁層を基本構成とする感
光板４０の絶縁層表面に、初旗帯電用コロナ放電器４１
を通して定型フオーマツト等の原稿画像である第１露光
を行なうとほぼ同時にコロナ放電器４１により絶縁層表
面を負（一）に帯電する。矢印の方向に回転している感
光板４０上の上記第１露光のなされた部分力ミＡＣコロ
ナ放電器４２に位置に来ると、予め第１露光により位置
的に同期をとった第２露光であるレーザービーム露光が
絶縁層表面に行われ、それとほぼ同時にＡＣコロナ放電
器４２により絶縁層表面を除電する。次にランプ４３に
より絶縁層表面全面を露光する。以上のプロセスにより
感光板の第１露光である原稿画像明部（白地）でありか
つ第２露光であるレーザビームの当らない部分とそれ以
外の部分に表面電位を生ぜしめて合成静電像を形成する
。この場合第１露光の明部でありかつ第２露光部の暗部
である部分の絶縁層表面は負（一）の電荷が残り、その
他の絶縁層表面はほぼ零電位となる。次に前記合成静電
像を例えば反転現像するために負（一）極性の荷電着色
粒子を主体とする現像剤にて現像剤手段４４により現像
して可視化した後、紙等の転写材４５に前記可視像を内
部もしくは外部電界４６を利用して転写し、次に赤外線
ランプ、熱板、圧力定着手段等の定着手段４７によって
転写像を定着して、電子写真プリント像４８を得る。一
方転写が行なわれた後、前記感光板４川ま前記絶縁層表
面をクリーニング手段４９によりクリーニングして残存
する荷電粒子を除去し、繰り返し使用する。以上の様に
この実施例では反転現像した場合第１露光の暗部の部分
と、第１露光部が明部であり且つ第２露光の明部とに荷
電着色粒子が付着する（第７図参照）為、第１露光とし
てのフオーマット等の原稿は作成が容易であるポジオリ
ジナルを使え、又第２露光のレーザービームの信号制御
はすでに近年開発されているレーザービーム記録装置の
制御方式等をそのまま使用できるものである。

又本実施例はしーザービーム記録装置に固定フオーマッ
ト等のオーバーレィ機能を付加した装置を付加した装置
をとり上げて説明したが、本発明により電子写真複写機
に固定フオーム等のオーバーレィ機能を付加した装置で
例えばＣＲＴをし−ザーの代りに用いた装置や、電子写
真複写機とマイクロフィルム拡大プリント機とを組合せ
た装置等も同様に有効である。

次に第１の光像と第２の光像とを位置的に同期をとる方
法についての例を述べる。

勿論第１の光像と第２の光像の同期をとる必要のない場
合もある。例えば第１の光像又は第２の光像をプリント
地の模様、スカシ模様等に使用して繰返す時等である。
この場合の説明は省く。同期をとるべき第１の光像、第
２の光像の組合せとして次の様な種類がある。

（１｝ 第１の光像に原稿反射光、第２の光像にし−ザ
−光■ 第１の光像に原稿反射光、第２の光像に原稿反
射光■ 第１の光像にレーザー光、第２の光像にレーザ
ー光‘４’第１の光像にし−ザー光、第２の光像に原稿
反射光原稿反射光のかわりにフィルム状の原稿透過光、
マイクロフィルム拡大透過光などを、又レーザー光はビ
−ム光のスポット露光でよく、他にＣＲＴ等によるスポ
ット光を使ってもよい。

以下に前記１〜４の場合について同期のとり方の１実施
例を順を追って説明する。まず０ーの場合は前述の装置
実施例の場合である。

第１３図、１４図にいて定速移動する原稿台１０が所定
位置へ移動すると例えばマイクロスイッチ等（図示せず
）に検出され、第１５図のタイタム・チャートに示すよ
うにレディ信号を発生する。

その後一定時間Ｔ，後に、原稿のトップ部の露光が開始
される。その後調整時間後データが入力されレーザービ
ーム露光が開始される。原稿のトップ部の露光開始とし
ーザービーム霧Ｚ光の開始との時間差ＬはＴ２＝Ｅ２−
Ｅ， Ｖｐ ただし、 Ｅ２−Ｅ，；第１の光像露光部と第２の光像露出部Ｊと
の距離ｖｐ：感光ドラムの周速度 である。

この時のタイムチャートを第ｍ５図に示す。

ここでＴ，は機械的にすなわち原稿台のレディ信号発生
スイッチ取付位置と原稿のトップ位置の関係で決まり、
Ｔ２は電気的に公知の計数手段により設定されるもので
ある。次に■の第１の光像に原稿反射光、第２の光像に
も原稿反射光を行う場合について同期のとり方の１例を
示す。

第１７図に示す説明図を用いて説明する。第１及び第２
の原稿１１−，，１１‐２のトップ位置と第１及び第２
の感光ドラム面上への露光部Ｅ，，Ｅ２の位置を次に示
す関係に設定すれば、第１及び第２の原稿の同期はとれ
る。１２−１１−Ｅ２一Ｅ４ Ｖｆ Ｖｐ だだし、 Ｌ；原稿台の定速移動に立上がるまでの移動距離または
これより大なる距離１２−１，；第１及び第２の原稿ト
ップのズレ量ｖｒ；原稿台１０の速度ｖｐ；感光ドラム
２０の周速度 Ｅ２−Ｅ，；第１の光像露光部と第２の光像露光部との
距離このような移動の同期を具体的にとる手段は周知の
手段でよい。

次に｛３｝の場合の１例を示す。

第１の光像にレーザー光、第２の光像にレーザー光を使
い、それらを同期させるのは第１のレーザー光露光開始
のＬ後に第２のレーザー光露光を開始するようにし、Ｔ
２の時間は次の関係に満足する時間に電気的に設定すれ
ば良い。Ｔ２＝Ｅ２−Ｅ， ただし、 Ｅ２−Ｅ，；第１の光像露光部と第２の光像露光部との
距離ｖｐ；感光ドラムの周速度 次に｛４ーの第１の光像にレーザー光、第２の光像に原
稿反射光を使った時の１例を示す。

説明図を第１８図に示す。

定速移動する原稿台１０１ま所定位置へくると第１６図
に示すようにレディ信号を発する。それから調整時間後
データは入力されレーザピームの露光２８が開始される
。感光ドラムのレーザビーム露光開始部分が回転して原
稿反射光露光位置つまり第２の光像露光位置０に来た時
に原稿１１のトップが露光される様に時間調整をする。
レーザビーム露光用データ入力開始と原稿１ １のトッ
プ露光開始との時間差Ｔ２はＴ２＝Ｅ２−Ｅ，Ｖｐ 夕ただし、 Ｅ２一Ｅ，；レーザピーム露光位置つまり第１の光像露
光位置と、原稿トップ光露光位置つまり第２の光像露光
位置との距離ｖｐ；感光ドラムの周速度 ０であり、レディ信号発生後、原稿１１のトップ露光開
始までの時間Ｔ，はＴ，＝号 ただし、 タｌｒ−ｆ；レディ信号発生スイッチ取付け位置と原稿
トップ位置との距離（図示せず）ｖｆ；原稿台１０の移
動速度 である。

レディ信号の発生は原稿台の移動によってオン０する様
マイクロスイッチ等を取り付ける事により可能とされる
。

第１６図に示したタイムチャートから判るようにレディ
信号を受けてからしーザービームによるデータ入力・露
光開始、又、原稿のトップ露光開始までの時間すなわち
Ｔ，〜Ｌを調整することで、データ入力時期を調整し、
原稿のトップを同期せしめている。

以上第１の光像、第２の光像の同期方法を簡単に示した
。

本発明は以上詳述したように、 【１｝ 導電性支持体、光導電性層および絶縁層を基本
構成体とする感光板を用いる電子写真法において、絶縁
層表面に荷電させるとほぼ同時に第１の嫁形成用照射を
与え、次に交流除電を行うとほぼ同時に第２の像形成用
照射を与え、さらに絶縁層表面全面を露光することによ
り第１と第２の像の合成隊の静蚕潜像を形成することを
特徴とする電子写真法及びその装置を提供するものであ
る。

またこの方法において、‘２｝ 第１の像と第２の像を
位置的に同期をとり重ね合せた静露潜像を形成すること
を特徴とするオーバーレィ方式及びその装置を提供する
ものであるから、第１の像と第２の像の組合せによって
種々の合成潜像を潜像形成の第１、第２ステップを利用
して形成できる効果がある。

よって画像形成装置を広範囲の用途に適合させることが
でき、各種データや情報の合成記録に極めて有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に適用され得る感光板の構成の該略説明
図Ｌ第２図〜第４図は、第１図に示した感光板に第１、
第２の像形成光の照射を施し、それらの合成潜隊を形成
する過程を示す説明図、第５図は第２図〜第４図に示し
た過程における感光板の表面電位の変化を榛式的に示す
グラフを表わした図、第６図、第７図は潜像の顕画過程
を示す図、第８図は顕画像の転写過程を示す図、第９図
ａ，ｂ，ｃ，ｄ〜第１２図ａ，ｂ，ｃ，ｄは第１、第２
の像のオリジナルのパターンと、合成顕画像を示す説明
図、第１３図は本発明に係る電子写真装置の一実施態様
の斜視図、第１４図はそのタ横断面図、第１５図、第１
６図は、本発明に係る実施態様における第１、第２の像
形成用露光の同期方式のタイムチャートを夫々示す図、
第１７図、第１８図は、その同期方式を示す説明図であ
る。 ０ １・…・・導電性支持体、２・・・・・・光導電
性層、３・・・・・・絶縁層、Ａ，２０・・・・・・感
光板、４，４１・・…・電荷付与手段、８，４２・…・
・交流除軍手段、４３・・・・・・全面露光手段。 発！図 群２図 移る図 弟４図 豹と図 ※５図 柊ワ図 第８図 菊？図 弟ｉｏ図 弟！Ｌ図 弟に図 弟け図 弟 ｌ４図 髪ｌ５図 弟 ｌら函 弟［図 弟略図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体、光導電性層および縁縁層を基本構成
   体とする感光板を用いる電子写真法において、絶縁層表
   面に荷電させるとほぼ同時に第１の像形成用照射を与え
   、次に交流除電を行うとほぼ同時に第２の像形成用照射
   を与え、さらに感光板表面全面を露光することにより、
   第１と第２の像の合成像の静電潜像を形成することを特
   徴とする電子写真法。 ２ 特許請求の範囲の第１項に記載の写子写真法におい
   て、第１の像と第２の像とを位置的に同期をとり重ね合
   せた静電潜像を形成することを特徴とする電子写真法。 ３ 特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載の電子写
   真法において、前記第１の像をオリジナル像の光像照射
   により、また前記第２の像をビーム光のスポツト照射に
   より与えることを特徴とする電子写真法。４ 特許請求
   の範囲の第１項又は第２項に記載の電子写真法において
   、前記第１及び第２の像を夫々オリジナル像の光像照射
   により与えることを特徴とする電子写真法。 ５ 特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載の電子写
   真法において、前記第１の像をビーム光のスポツト照射
   により、また前記第２の像をオリジナル像の光像照射に
   より与えることを特徴とする電子写真法。 ６ 特許請求の範囲の第１項又は第２項に記載の電子写
   真法において、前記第１及び第２の像をビーム光のスポ
   ツト照射により与えることを特徴とする電子写真法。 ７ 導電性支持体、光導電性層及び絶縁層を基本構成体
   とする感光板と、絶縁層表面に荷電させるとほぼ同時に
   該感光板に第１の像形成用の照射を与える手段と、その
   あとで被帯電表面の交流除電を行うとほぼ同時に第２の
   像形成用の照射を与える手段と、その後で感光板表面に
   全面露光を施す手段を設け、第１と第２の像の合成潜像
   を形成することを特徴とする電子写真装置。 ８ 導電性支持体、光導電性層及び絶縁層を基本構成体
   とする感光板と、絶縁層表面に荷電させるとほぼ同時に
   該感光板に第１の像形成用の照射を与える手段と、その
   あとで被帯電表面の交流除電を行うとほぼ同時に第２の
   像形成用の照射を与える手段と、第１の像と第２の像と
   を感光板上で重ね合せるために夫々の像形成用の照射を
   位置的に同期させる手段と、感光板表面に全面露光を施
   す手段を設け、第１と第２の像の合成潜像を形成するこ
   とを特徴とする電子写真装置。