JPS6113663A - イメ−ジセンサの製造方法 - Google Patents
イメ−ジセンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS6113663A JPS6113663A JP59134917A JP13491784A JPS6113663A JP S6113663 A JPS6113663 A JP S6113663A JP 59134917 A JP59134917 A JP 59134917A JP 13491784 A JP13491784 A JP 13491784A JP S6113663 A JPS6113663 A JP S6113663A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cdse
- film
- image sensor
- shaping
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイメージセンサの製造方法であり、特に密着型
のイメージセンサのクロスオーバー部の形成に関するも
のである。
のイメージセンサのクロスオーバー部の形成に関するも
のである。
最近広範囲に使用されているファクシミリ用の読み取り
装置には、イメージセンサ−としてチャージカップルド
デバイス（ＣＯＤ）や、ＭＯＳ型のイメージセンサ−が
使用されているが、ファクシミリ送信部の小型化や、低
コストを目的とした密着型イメージセンサ−が実用化さ
れるようになった。
装置には、イメージセンサ−としてチャージカップルド
デバイス（ＣＯＤ）や、ＭＯＳ型のイメージセンサ−が
使用されているが、ファクシミリ送信部の小型化や、低
コストを目的とした密着型イメージセンサ−が実用化さ
れるようになった。
この密着型イメージセンサ−は、原稿と同寸法（長さ）
のイメージセンサ−であるため、従来のイメージセンサ
−の際に使用する原稿縮小用の高性能レンズ系を必要と
しない利点があるが、反面密着型イメージセンサ−では
、大型になるために、従来のＣＣＤや、ＭＯ３型イメー
ジセンサ−を使用することが不可能で、現状で最も好ま
しい密着用イメージセンサ−の素子材料として、カドミ
ューム、セレナイド（ＣｄＳｅ）等を使用して多数の素
子を形成し、その素子からの電極引出し線は互いに電気
的に接触しないように、引出し線間を絶縁するクロスオ
ーバ構造にする必要がある。
のイメージセンサ−であるため、従来のイメージセンサ
−の際に使用する原稿縮小用の高性能レンズ系を必要と
しない利点があるが、反面密着型イメージセンサ−では
、大型になるために、従来のＣＣＤや、ＭＯ３型イメー
ジセンサ−を使用することが不可能で、現状で最も好ま
しい密着用イメージセンサ−の素子材料として、カドミ
ューム、セレナイド（ＣｄＳｅ）等を使用して多数の素
子を形成し、その素子からの電極引出し線は互いに電気
的に接触しないように、引出し線間を絶縁するクロスオ
ーバ構造にする必要がある。
従来のクロスオーバーを形成する工程は、多数のＣｄＳ
ｅの素子をアルミナ（Ａｌ１０３）基板に形成した後に
、取り出し線をクロスオーバー構造で外部に取り出すも
のであって、その構造は、多数のＣｄＳｅの素子に接続
されたそれぞれの配線を平行に形成し、次ぎにそれらの
配線上に絶縁性の４８４脂膜で被覆した後、それぞれの
配線に対応した導通パスを有する絶縁性の樹脂膜を形成
し、樹脂膜上に形成された銀（Ａｇ）の引出し配線と、
樹脂膜下のクロムと金（Ｃｒ−Ａｕ）膜の配線とが導通
されるようになっている。
ｅの素子をアルミナ（Ａｌ１０３）基板に形成した後に
、取り出し線をクロスオーバー構造で外部に取り出すも
のであって、その構造は、多数のＣｄＳｅの素子に接続
されたそれぞれの配線を平行に形成し、次ぎにそれらの
配線上に絶縁性の４８４脂膜で被覆した後、それぞれの
配線に対応した導通パスを有する絶縁性の樹脂膜を形成
し、樹脂膜上に形成された銀（Ａｇ）の引出し配線と、
樹脂膜下のクロムと金（Ｃｒ−Ａｕ）膜の配線とが導通
されるようになっている。
このような製造工程では、ＣｄＳｅが蒸着され熱処理さ
れて素子が完成した後で、銀ペーストの被着と１８０℃
２時間の熱処理が行われるために、この温度でセレンが
再蒸発して素子特性を劣化させるという問題がある。
れて素子が完成した後で、銀ペーストの被着と１８０℃
２時間の熱処理が行われるために、この温度でセレンが
再蒸発して素子特性を劣化させるという問題がある。
第２図ｔａ＋〜第２図（ｈｌは従来の密着性イメージセ
ンサ−の製造工程を説明する断面図及び平面図であるが
、第２図（ａｌはアルミナ製の絶縁性基板１の表面にＣ
ｄＳｅ ２を帯状にマスク蒸着して６５０℃で９０分の
熱処理を行って形成し、次に第２図（ｂｌでリフトオフ
用しジスｌ−ＨｆＪ ３を被着してＣｄＳｅ ２に受光
開口部を形成するパターニングを行う。
ンサ−の製造工程を説明する断面図及び平面図であるが
、第２図（ａｌはアルミナ製の絶縁性基板１の表面にＣ
ｄＳｅ ２を帯状にマスク蒸着して６５０℃で９０分の
熱処理を行って形成し、次に第２図（ｂｌでリフトオフ
用しジスｌ−ＨｆＪ ３を被着してＣｄＳｅ ２に受光
開口部を形成するパターニングを行う。
第２図ｆｃｌは表面をクロム（Ｃｒ）と金（Ａｕ）で蒸
着層４を形成したものであり、第２図（ｄｌはリフトオ
フにより受光開口部５が形成される。
着層４を形成したものであり、第２図（ｄｌはリフトオ
フにより受光開口部５が形成される。
第２図（ｅｌは、ＣｄＳｅ ２上でクロムと金の蒸着層
４のバターニングを行い、グループ電極（共通電極）６
、セレクト電極（個別電極）７及びクロスオーバ部の下
部導体８を形成したものであるが、この状態ではＣｄＳ
ｅが帯状につながっていてビット間の分離がされていな
い。
４のバターニングを行い、グループ電極（共通電極）６
、セレクト電極（個別電極）７及びクロスオーバ部の下
部導体８を形成したものであるが、この状態ではＣｄＳ
ｅが帯状につながっていてビット間の分離がされていな
い。
第２図（ｆｌは帯状のＣｄＳｅ膜をビットに分離するた
めに、クロム、銅をマスクとしてＣｄＳｅ膜をエツチン
グしてＣｄＳｅのビット９を形成する。
めに、クロム、銅をマスクとしてＣｄＳｅ膜をエツチン
グしてＣｄＳｅのビット９を形成する。
第２図（川は、クロスオーバ領域の平面図であって、セ
レクト電極上に絶縁体ペースト１０を印刷して焼成した
ものであるが、この際に上部導体との接続をするために
、絶縁体ペースト面に下部導体部との接続溝１１を形成
しておく。
レクト電極上に絶縁体ペースト１０を印刷して焼成した
ものであるが、この際に上部導体との接続をするために
、絶縁体ペースト面に下部導体部との接続溝１１を形成
しておく。
第２図（ｈｌはクロスオーバ領域に下部導体１２として
銀ペーストを印刷して焼成し、これによってイメージセ
ンザー素子が完成する。
銀ペーストを印刷して焼成し、これによってイメージセ
ンザー素子が完成する。
上記のような製造工程では、ＣｄＳｅ素子が形成された
後に、−に部導体である銀ペーストの印刷と焼成がある
ために、この焼成温度によって先に形成されたＣｄＳｅ
素子の特にセレンが劣化するという欠点がある。
後に、−に部導体である銀ペーストの印刷と焼成がある
ために、この焼成温度によって先に形成されたＣｄＳｅ
素子の特にセレンが劣化するという欠点がある。
上記の構成において、イメージセンサ−の製造工程の最
初の工程でＣｄＳｅの成膜が行われ、後工程で配線用の
上部導体である銀の印刷焼成が行われるためにセレンが
蒸発するのが問題点であるから、この製造工程の順序を
変更して、最初に銀の印刷、焼成をして上部導体を形成
した後に、ＣｄＳｅ素子を生成する製造方法を確立する
ことにある。
初の工程でＣｄＳｅの成膜が行われ、後工程で配線用の
上部導体である銀の印刷焼成が行われるためにセレンが
蒸発するのが問題点であるから、この製造工程の順序を
変更して、最初に銀の印刷、焼成をして上部導体を形成
した後に、ＣｄＳｅ素子を生成する製造方法を確立する
ことにある。
本発明は上記問題点を解消した製造工程を提供するもの
で、その手段は絶縁性基板上に、順次導体ペースト、ガ
ラスペーストを積層してクロスオーバー部を形成した後
、Ｕ−ＩＶ型化合物半導体薄膜を蒸着して熱処理を行な
った後、金属電極を形成してなるイメージセンサの製造
方法によって達成できる。
で、その手段は絶縁性基板上に、順次導体ペースト、ガ
ラスペーストを積層してクロスオーバー部を形成した後
、Ｕ−ＩＶ型化合物半導体薄膜を蒸着して熱処理を行な
った後、金属電極を形成してなるイメージセンサの製造
方法によって達成できる。
即ち、本発明は蒸気圧の高いセレンの蒸発を防止するた
めに、高温焼成するクロスオーバの形成工程を製造工程
の最初に行って、しかる後にＣｄＳｅ素子であるＣｄＳ
ｅの成膜と素子形成を行うように考慮したものである。
めに、高温焼成するクロスオーバの形成工程を製造工程
の最初に行って、しかる後にＣｄＳｅ素子であるＣｄＳ
ｅの成膜と素子形成を行うように考慮したものである。
第１図（ａ）〜第１図（ｆｌは本発明の製造工程を示す
実施例であるが、第１図＋ａ）はアルミナである絶縁性
基板２１の表面に金ペーストを印刷して焼成することに
より、下部導体２２を形成する。
実施例であるが、第１図＋ａ）はアルミナである絶縁性
基板２１の表面に金ペーストを印刷して焼成することに
より、下部導体２２を形成する。
第１図（ｂｌは、その表面上の所定領域に絶縁体のガラ
スペースト２３を印刷して焼成することによりクロスオ
ーバー部を形成する。
スペースト２３を印刷して焼成することによりクロスオ
ーバー部を形成する。
第１図（Ｃ１は所定の領域にＣｄＳｅを蒸着した後に、
熱焼成してＣｄＳｅ膜２４膜形４したものである。
熱焼成してＣｄＳｅ膜２４膜形４したものである。
第１図（ｄ）は、リフトオフ用レジスト２５をＣｄＳｅ
膜２４膜形４に被着して、パターンを形成する。
膜２４膜形４に被着して、パターンを形成する。
第１図（８１は、基板全面に（：ｒＡｕ２６を蒸着した
ものであり、第１図（ｆｌは、リフトオフによって、Ｃ
ｄＳｅの受光部２７を開口した状態であって、その後の
製造工程については、第２図で説明した通常の製造方法
により、ＣｒＡｕの蒸着膜をパターニングして電極を形
成した後に、ＣｄＳｅの素子の分離を行なうために、Ｃ
ｄＳｅ膜をパタニングして素子の分離を行えばよい。
ものであり、第１図（ｆｌは、リフトオフによって、Ｃ
ｄＳｅの受光部２７を開口した状態であって、その後の
製造工程については、第２図で説明した通常の製造方法
により、ＣｒＡｕの蒸着膜をパターニングして電極を形
成した後に、ＣｄＳｅの素子の分離を行なうために、Ｃ
ｄＳｅ膜をパタニングして素子の分離を行えばよい。
第３図（ａ）は本発明である製造工程のフロチャートと
であり、第３図山）は従来の製造工程のフローチャート
を比較して示しているが、このようにＣｄＳｅ素子を形
成する以前に、配線系の形成を行うことにより、ＣｄＳ
ｅの素子が後工程の熱処理で、セレンの蒸発による素子
の劣化を防止することができる。
であり、第３図山）は従来の製造工程のフローチャート
を比較して示しているが、このようにＣｄＳｅ素子を形
成する以前に、配線系の形成を行うことにより、ＣｄＳ
ｅの素子が後工程の熱処理で、セレンの蒸発による素子
の劣化を防止することができる。
以」二詳細に説明したように本発明の製造方法を採用す
ることにより、高信頼性の密着型イメージセンサ−の素
子を得ることができ効果大なるものがある。
ることにより、高信頼性の密着型イメージセンサ−の素
子を得ることができ効果大なるものがある。
第１図ｉａｌ乃至（ｆｌは本発明の製造方法を説明する
ための断面図及び平面図、 第２図（ａｌ乃至（ｈ）は従来の製造方法を説明するた
めの断面図、 第３図ｆａｌ及び山）は製造工程のフローチャート図で
ある。 図において、２１は絶縁性基板、２２は下部゛導体、２
３は絶縁体のガラスペースト、２４はＣｄＳｅ膜、２５
はリフトオフ用レジスト、２６はＣｒＡｕの蒸着膜、２
７はＣｄＳｅの受光する開口部である。 ＣＮ ＣＮ Ｎ
ＮＩＩＩ 城 城
城区 只 （Ｎ Ｎ味
鯨
ための断面図及び平面図、 第２図（ａｌ乃至（ｈ）は従来の製造方法を説明するた
めの断面図、 第３図ｆａｌ及び山）は製造工程のフローチャート図で
ある。 図において、２１は絶縁性基板、２２は下部゛導体、２
３は絶縁体のガラスペースト、２４はＣｄＳｅ膜、２５
はリフトオフ用レジスト、２６はＣｒＡｕの蒸着膜、２
７はＣｄＳｅの受光する開口部である。 ＣＮ ＣＮ Ｎ
ＮＩＩＩ 城 城
城区 只 （Ｎ Ｎ味
鯨
Claims (1)
- 絶縁性基板上に、順次導体ペースト、ガラスペーストを
積層してクロスオーバー部を形成した後、II−IV型化合
物半導体薄膜を蒸着して熱処理を行なって、金属電極を
形成してなることを特徴とするイメージセンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134917A JPS6113663A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59134917A JPS6113663A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113663A true JPS6113663A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15139552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59134917A Pending JPS6113663A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イメ−ジセンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113663A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007296762A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Osamu Fukuda | 額体 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59134917A patent/JPS6113663A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007296762A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Osamu Fukuda | 額体 |
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