JPS6113683A - 半導体レ−ザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ及びその製造方法Info
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- JPS6113683A JPS6113683A JP13386884A JP13386884A JPS6113683A JP S6113683 A JPS6113683 A JP S6113683A JP 13386884 A JP13386884 A JP 13386884A JP 13386884 A JP13386884 A JP 13386884A JP S6113683 A JPS6113683 A JP S6113683A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
Landscapes
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は単一波長で発振する半導体レーザ、特にＧａ
１ｎＡｓ／ＩｎＰ半導体レーザ及びその製造方法に関す
る。
１ｎＡｓ／ＩｎＰ半導体レーザ及びその製造方法に関す
る。
（従来の技術）
従来、この種の単一波長で発振する半導体レーザの構造
として、例えば、内部の回折格子を形成しブラッグ反射
を利用したＤＦＢ或いはＤＢＲ構造のものや外部に反射
鏡を設は干渉効果を利用した構造のものや、半導体レー
ザの共振器を二つに分割し各々の発振線の干渉効果を利
用する構造のもの等がある。これらのうち、ＤＦＢ及び
ＤＢＲ構造は精密回折格子の作成が困難であり、又、外
部反射鏡は共振器との精密な位置決めが困難であるとい
う技術上の問題がある。
として、例えば、内部の回折格子を形成しブラッグ反射
を利用したＤＦＢ或いはＤＢＲ構造のものや外部に反射
鏡を設は干渉効果を利用した構造のものや、半導体レー
ザの共振器を二つに分割し各々の発振線の干渉効果を利
用する構造のもの等がある。これらのうち、ＤＦＢ及び
ＤＢＲ構造は精密回折格子の作成が困難であり、又、外
部反射鏡は共振器との精密な位置決めが困難であるとい
う技術上の問題がある。
一方、共振器を二つに分割する方法は製造が容易である
ことが知られている。この方法で製造された半導体レー
ザの一例が文献（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥＲ
９１９，［１３１、（１９８３）ｐ、４８８〜４９０）
に開示されており、その構造の概略を第２図に斜視図で
示す。第２図において、 ２１はヒートシンク、２２は
第一レーザ部、２３はその共振器（活性領域）部分、２
４は第二レーザ部、２５はその共振器（活性領域）部分
をそれぞれ示す。
ことが知られている。この方法で製造された半導体レー
ザの一例が文献（ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳＬＥＴＴＥＲ
９１９，［１３１、（１９８３）ｐ、４８８〜４９０）
に開示されており、その構造の概略を第２図に斜視図で
示す。第２図において、 ２１はヒートシンク、２２は
第一レーザ部、２３はその共振器（活性領域）部分、２
４は第二レーザ部、２５はその共振器（活性領域）部分
をそれぞれ示す。
この半導体レーザのレーザ部２２及び２４は最初は一体
であったものを襞間によって二つに分け、適当な間隔で
対向配置したものである。
であったものを襞間によって二つに分け、適当な間隔で
対向配置したものである。
この構造の半導体レーザにおいて、レーザ部２２及び２
４に電流を注入することにより、共振器２３及び２５で
発振した縦モードの光のみが単一波長の光として外部に
出射するようになっている。
４に電流を注入することにより、共振器２３及び２５で
発振した縦モードの光のみが単一波長の光として外部に
出射するようになっている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、この従来方法により得られた構造では温
度が変化するとヒートシンク２１が熱膨張または熱収縮
するため、第一レーザ部２２及び第二レーザ部２４の対
向間隔が変化してしまい、そのため、干渉により強め合
う波長が移行し、単一波長で発振を続けさせることが困
難であった。
度が変化するとヒートシンク２１が熱膨張または熱収縮
するため、第一レーザ部２２及び第二レーザ部２４の対
向間隔が変化してしまい、そのため、干渉により強め合
う波長が移行し、単一波長で発振を続けさせることが困
難であった。
従って、単一波長で発振させるためには、ヒートシンク
の温度を一定にするか、或いは、雰囲気温度を一定しな
ければならないという欠点があった。
の温度を一定にするか、或いは、雰囲気温度を一定しな
ければならないという欠点があった。
この発明の第一の目的は温度特性の優れた半導体レーザ
を提供することにある。
を提供することにある。
この発明の第二の目的は」−記の半導体レーザの製造方
法を提供することにある。
法を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
この目的の達成を図るため、この発明の半導体レーザ素
子においては、 基板のストライプ状の溝に直交する方向でこの溝の両側
にそれぞれ設けられたストライプ構造の第一及び第二半
導体レーザ部を具え、 これら第一及び第二半導体レーザ部はこの溝の外部に設
けられた第一クラッド層と、この第一クラッド層」二に
設けられた活性層と、この溝内及び活性層上に設けられ
この活性層を部分すると共に、内部反射鏡面を形成して
いる第二クラッド層と、この第二クラッド層−ヒに設け
られたオーミック接触層と、このオーミック接触層上で
あってこの溝の外部に設けられた第一電極と、前述の基
板の下面に設けられた第二電極とをそれぞれ有して成る
ことを特徴とする。
子においては、 基板のストライプ状の溝に直交する方向でこの溝の両側
にそれぞれ設けられたストライプ構造の第一及び第二半
導体レーザ部を具え、 これら第一及び第二半導体レーザ部はこの溝の外部に設
けられた第一クラッド層と、この第一クラッド層」二に
設けられた活性層と、この溝内及び活性層上に設けられ
この活性層を部分すると共に、内部反射鏡面を形成して
いる第二クラッド層と、この第二クラッド層−ヒに設け
られたオーミック接触層と、このオーミック接触層上で
あってこの溝の外部に設けられた第一電極と、前述の基
板の下面に設けられた第二電極とをそれぞれ有して成る
ことを特徴とする。
また、この発明の製造方法においては、ストライプ状の
溝付き基板に、低温液相エピタキシャル成長により、第
一クラッド層、活性層、第二クラッド層及びオーミック
接触層を結晶成長の面方位依存性を利用して順次に成長
させる工程と、 このオーミック接触層から第一クラッド層の少なくとも
一部分までエツチングして前述の溝と直交する方向にス
トライプ構造を形成す、る工程と、 このオーミック接触層上の前述の溝外に第一電極を形成
すると共に、前述の基板の下面に第二電極を形成する工
程と を具えることを特徴とする。
溝付き基板に、低温液相エピタキシャル成長により、第
一クラッド層、活性層、第二クラッド層及びオーミック
接触層を結晶成長の面方位依存性を利用して順次に成長
させる工程と、 このオーミック接触層から第一クラッド層の少なくとも
一部分までエツチングして前述の溝と直交する方向にス
トライプ構造を形成す、る工程と、 このオーミック接触層上の前述の溝外に第一電極を形成
すると共に、前述の基板の下面に第二電極を形成する工
程と を具えることを特徴とする。
（作用）
上述した構成の半導体レーザによれば、第一及び第二の
二つのレーザ部が同一チップ内に形成されているので、
外部温度変化によってこれらが均一に膨張及び収縮し、
従って、単一波長での発振を維持することが出来る。
二つのレーザ部が同一チップ内に形成されているので、
外部温度変化によってこれらが均一に膨張及び収縮し、
従って、単一波長での発振を維持することが出来る。
また、溝が形成された基板面に結晶成長の面方位依存性
を利用して共振器を構成する各層を低温液相エピタキシ
ャル成長させて、共振器内部に部分的な反射鏡を形成す
ることが出来るので、半導体レーザの機械的な二分割を
行うことなく一つのチップ内に自動的に二分割された二
つの半導体レーザ部を簡単かつ容易に作り込むことが出
来る。
を利用して共振器を構成する各層を低温液相エピタキシ
ャル成長させて、共振器内部に部分的な反射鏡を形成す
ることが出来るので、半導体レーザの機械的な二分割を
行うことなく一つのチップ内に自動的に二分割された二
つの半導体レーザ部を簡単かつ容易に作り込むことが出
来る。
（実施例の説明）
以下、図面を参照してこの発明の半導体レーザの製造方
法及びその構造を説明する。
法及びその構造を説明する。
第１図（Ａ）〜（Ｃ）はこの半導体レーザの製造法法及
びこの方法により得られた半導体レーザの構造を説明す
るための製造工程図である。
びこの方法により得られた半導体レーザの構造を説明す
るための製造工程図である。
第１図（＾）の斜視図に示すように、ｎ −１ｎＰ基板
１ ｔ７） （１００）面１ａ上に（０１１）方向に溝
、例えば、化学エツチングによりＶ溝２を形成する。こ
の溝２の幅を一例として２ｐ、ｍ程度としかつ深さをｌ
＃ＬＬ１程度とする。
１ ｔ７） （１００）面１ａ上に（０１１）方向に溝
、例えば、化学エツチングによりＶ溝２を形成する。こ
の溝２の幅を一例として２ｐ、ｍ程度としかつ深さをｌ
＃ＬＬ１程度とする。
このエツチングに際し、エツチング液として、例えば、
臭素−メタノールを使用すると溝２の傾斜面は（１１１
）Ａ面が露出し、塩酸系のエチング液を使用すると（２
１１）Ａ面が露出する。これら（１１１）Ａ面及び（２
１＋）Ａ面には、低温エピタキシャル成長（成長温度６
２０°Ｃ以下）では、 ＩｎＰの成長が困難であること
は良く知られている。一方、Ｇａ１ｎＡｓＰはこの■溝
２上に困難無く成長することも知られている。さらに、
Ｇａ１ｎＡｓＰ Ｊ二にはＩｎＰ及びＧａ１ｎＡｓＰ
ｃ７）両材料が容易に成長可能である。
臭素−メタノールを使用すると溝２の傾斜面は（１１１
）Ａ面が露出し、塩酸系のエチング液を使用すると（２
１１）Ａ面が露出する。これら（１１１）Ａ面及び（２
１＋）Ａ面には、低温エピタキシャル成長（成長温度６
２０°Ｃ以下）では、 ＩｎＰの成長が困難であること
は良く知られている。一方、Ｇａ１ｎＡｓＰはこの■溝
２上に困難無く成長することも知られている。さらに、
Ｇａ１ｎＡｓＰ Ｊ二にはＩｎＰ及びＧａ１ｎＡｓＰ
ｃ７）両材料が容易に成長可能である。
そこで、ｉｆ図（Ｂ）に示すように、この溝２が加工さ
れた基板１上に、低温液相エピタキシャル成長（成長温
度６２０℃以下）で、ｎ −１ｎＰ第一クラッド層３、
Ｇａ ＩｎＡｓＰ活性層４、ｐ −ＩｎＰ第二クラりド
層５、ｐ” −ＧａＩｎＡｓＰオーミック接触層６を順
次に多層成長させる。この図は、（ＯＩＴ）方向から見
たウェハ構造な路線的に示す図で、この図からも理解１
１１来るように、この低温液相エピタキシャル成長の結
果、第一クラッド層３は溝２の外部の基板１の（１００
）Ａ面ｌａ上にのみ成長し、活性層４は溝２内及び第一
クラッド層３」二の全面に成長し、引き続く第二クラッ
ド層５及びオーミック接触層６も全面に成長する。
れた基板１上に、低温液相エピタキシャル成長（成長温
度６２０℃以下）で、ｎ −１ｎＰ第一クラッド層３、
Ｇａ ＩｎＡｓＰ活性層４、ｐ −ＩｎＰ第二クラりド
層５、ｐ” −ＧａＩｎＡｓＰオーミック接触層６を順
次に多層成長させる。この図は、（ＯＩＴ）方向から見
たウェハ構造な路線的に示す図で、この図からも理解１
１１来るように、この低温液相エピタキシャル成長の結
果、第一クラッド層３は溝２の外部の基板１の（１００
）Ａ面ｌａ上にのみ成長し、活性層４は溝２内及び第一
クラッド層３」二の全面に成長し、引き続く第二クラッ
ド層５及びオーミック接触層６も全面に成長する。
この場合、第二クラッド層５は」二面が平担面となるよ
うに成長させ、また、各層の、平担部での厚みを第一ク
ラッド層３はｌルｍ程度、活性層４は０．１５＃Ｌｍ程
度、第二クラッド層５は３１１．ｆｆ１程度及びオーミ
ック接触層６は０．５ ｐ、ｒａｍ程度するのが適当で
ある。
うに成長させ、また、各層の、平担部での厚みを第一ク
ラッド層３はｌルｍ程度、活性層４は０．１５＃Ｌｍ程
度、第二クラッド層５は３１１．ｆｆ１程度及びオーミ
ック接触層６は０．５ ｐ、ｒａｍ程度するのが適当で
ある。
次に、このようにして得られたウェハにストライプ方向
が（０１１）方向となる、適当な幅のストライプ状エツ
チングマスクを用いて、オーミック接触層６から少なく
とも第一クラッド層３に達するまでメサエッチングを行
い、ストライプ構造７を得る。その結果得られたウェハ
構造を（０１１）方向から見た状態を第１図（Ｃ）に示
す。この場合、活性層４の幅を２ｗ層以下に抑え、基本
横モード発振するようにする。
が（０１１）方向となる、適当な幅のストライプ状エツ
チングマスクを用いて、オーミック接触層６から少なく
とも第一クラッド層３に達するまでメサエッチングを行
い、ストライプ構造７を得る。その結果得られたウェハ
構造を（０１１）方向から見た状態を第１図（Ｃ）に示
す。この場合、活性層４の幅を２ｗ層以下に抑え、基本
横モード発振するようにする。
然る後、第１図（Ｄ）の斜視図に破線で示すように、こ
のストライプ構造７の両側の第一クラッド層３上に電流
阻止領域８を成長させる。この電流阻止領域８を、例え
ば、ｐ −１ｎＰとｎ −ＩｎＰとを連続成長させて逆
バイアスとなるように構成しても良いし、絶縁性のＩｎ
Ｐを成長させても良いし、或いは、活性層４よりも屈折
率が小さくかつエネルギーギャップの大きなＭｘＧａｔ
−ｘＡｓを有機金属気相成長法（Ｎｏ−ＣＶＤ法）を用
いて成長させても良い０次に、第１図（Ｄ）に破線で示
すように、少なくとも、ストライプ構造７の上側の、溝
２の部分を除いた部分に第一電極９ａ及び９ｂを又基板
ｌの下面に第二電極ｌＯを被着形成し、（０１１）面が
鏡面となるように襞間を行ってファブリペロ−型半導体
レーザを完成する。
のストライプ構造７の両側の第一クラッド層３上に電流
阻止領域８を成長させる。この電流阻止領域８を、例え
ば、ｐ −１ｎＰとｎ −ＩｎＰとを連続成長させて逆
バイアスとなるように構成しても良いし、絶縁性のＩｎ
Ｐを成長させても良いし、或いは、活性層４よりも屈折
率が小さくかつエネルギーギャップの大きなＭｘＧａｔ
−ｘＡｓを有機金属気相成長法（Ｎｏ−ＣＶＤ法）を用
いて成長させても良い０次に、第１図（Ｄ）に破線で示
すように、少なくとも、ストライプ構造７の上側の、溝
２の部分を除いた部分に第一電極９ａ及び９ｂを又基板
ｌの下面に第二電極ｌＯを被着形成し、（０１１）面が
鏡面となるように襞間を行ってファブリペロ−型半導体
レーザを完成する。
このようにして形成された半導体レーザは、第１図（Ｄ
）に示す構造からも理解出来るように、ストライプ構造
７の活性層４は溝２内に形成されている第二クラッド層
部分５ａによって完全に部分されて、部分的共振器を持
った第一及び第二半導体レーザ部１１ａ及びｌｌｂに区
分され、この溝２内の第二クラッド層部分５ａが両レー
ザ部＋１ａ及びｌｌｂの内部反射鏡面１３及び１４とし
て作用する。
）に示す構造からも理解出来るように、ストライプ構造
７の活性層４は溝２内に形成されている第二クラッド層
部分５ａによって完全に部分されて、部分的共振器を持
った第一及び第二半導体レーザ部１１ａ及びｌｌｂに区
分され、この溝２内の第二クラッド層部分５ａが両レー
ザ部＋１ａ及びｌｌｂの内部反射鏡面１３及び１４とし
て作用する。
従って、このレーザに電流を流すと、第一レーザ部１１
ａの活性領域で発光した光は襞間端面１２と内部反射鏡
面１３との間で共振して発振する。又第二レーザ部ｌｌ
ｂの活性領域で発光した光は襞間端面１４と内部反則鏡
面１５との間で共振して発振する。この場合、活性層４
と第二クラッド層５との屈折率差があまり大きくないの
で、それぞれのレーザ光は内部反射鏡面１３及び１４を
経由して他方の部分的共振器に入り込み、互いに干渉し
、り開端面１２及び１５より出射される。従ってこの出
射されるレーザ光は第一及び第二レーザ部１１ａ及びｌ
ｌｂの部分的共振器での光波の干渉で強め合った縦モー
ドの光のみとなり、よって単一波長の光となる。
ａの活性領域で発光した光は襞間端面１２と内部反射鏡
面１３との間で共振して発振する。又第二レーザ部ｌｌ
ｂの活性領域で発光した光は襞間端面１４と内部反則鏡
面１５との間で共振して発振する。この場合、活性層４
と第二クラッド層５との屈折率差があまり大きくないの
で、それぞれのレーザ光は内部反射鏡面１３及び１４を
経由して他方の部分的共振器に入り込み、互いに干渉し
、り開端面１２及び１５より出射される。従ってこの出
射されるレーザ光は第一及び第二レーザ部１１ａ及びｌ
ｌｂの部分的共振器での光波の干渉で強め合った縦モー
ドの光のみとなり、よって単一波長の光となる。
この発明は」二連した実施例にのみ限定されるものでは
ない。例えば、使用した各材料の導電型を実施例の場合
とは反対導電型の材料を使用しても良い。
ない。例えば、使用した各材料の導電型を実施例の場合
とは反対導電型の材料を使用しても良い。
さらに、基板の溝の断面形状はＶ字状以外の任意の形状
のものであっても良い。
のものであっても良い。
さらに、ストライプ構造の形成に際するエツチングは第
一クラッド層を越えて基板面に達しても良い。
一クラッド層を越えて基板面に達しても良い。
（発明の効果）
上述した説明からも明らかなように、この発明による半
導体レーザによれば、同一のチップ内に一つの共振器を
二分して形成された二つの半導体レーザ部を有し、これ
ら二つのレーザ部で干渉効果を起すように構成している
ので、外部温度の変化に起因する各構成部分の膨張及び
収縮が均一となり、従って、発振波長が変動することな
く、単一の発振波長を確保することが１１１来る。
導体レーザによれば、同一のチップ内に一つの共振器を
二分して形成された二つの半導体レーザ部を有し、これ
ら二つのレーザ部で干渉効果を起すように構成している
ので、外部温度の変化に起因する各構成部分の膨張及び
収縮が均一となり、従って、発振波長が変動することな
く、単一の発振波長を確保することが１１１来る。
また、この発明による半導体レーザの製造方法によれば
、溝付き基板上に、低温液相エピタキシャル成長法で結
晶成長に面方位依存性を利用して活性領域を成長させる
ので、−個のチップ内に一つの共振器を二分して形成さ
れたそれぞれ専用の部分的共振器を有する二つの半導体
レーザ部を簡単かつ容易に作り込むことが出来る。そし
て、これら部分的共振器の内部反射鏡面間の距離を例え
ば１ｇｒｎ程度にまで狭く形成することが出来るので、
干渉効果を強めることが出来る。
、溝付き基板上に、低温液相エピタキシャル成長法で結
晶成長に面方位依存性を利用して活性領域を成長させる
ので、−個のチップ内に一つの共振器を二分して形成さ
れたそれぞれ専用の部分的共振器を有する二つの半導体
レーザ部を簡単かつ容易に作り込むことが出来る。そし
て、これら部分的共振器の内部反射鏡面間の距離を例え
ば１ｇｒｎ程度にまで狭く形成することが出来るので、
干渉効果を強めることが出来る。
第１図（Ａ）〜（Ｄ）はこの発明の半導体レーザの製造
方法及びその構造を説明するための製造工程図、 第２図は従来の半導体レーザの製造方法及び構造を説明
するための線図である。 １・・・基板、 １ａ・・・（基板の） （
１００）面２・・・溝、 ３・・・第一ク
ラッド層４・・・活性層、 ５・・・第二クラ
ッド層５ａ・・・第二クラッド層部分 ６・・・オーミック接触層 ７・・・ストライプ構造、８・・・電流阻止層９ａ 、
９ｂ・・・第一電極、 ｌＯ・・・第二電極１１ａ・
・・第一半導体レーザ部 １１ｂ・・・第二半導体レーザ部 １２．１５・・・襞間端面、 １３．１４・・・内部反
射鏡面。 特許出願人 沖電気工業株式会社Ｃ 大 十 ＼りＮ）１ 一忙 Ｖ ：ｉ荏ｆ す怖 鳶埴ト
方法及びその構造を説明するための製造工程図、 第２図は従来の半導体レーザの製造方法及び構造を説明
するための線図である。 １・・・基板、 １ａ・・・（基板の） （
１００）面２・・・溝、 ３・・・第一ク
ラッド層４・・・活性層、 ５・・・第二クラ
ッド層５ａ・・・第二クラッド層部分 ６・・・オーミック接触層 ７・・・ストライプ構造、８・・・電流阻止層９ａ 、
９ｂ・・・第一電極、 ｌＯ・・・第二電極１１ａ・
・・第一半導体レーザ部 １１ｂ・・・第二半導体レーザ部 １２．１５・・・襞間端面、 １３．１４・・・内部反
射鏡面。 特許出願人 沖電気工業株式会社Ｃ 大 十 ＼りＮ）１ 一忙 Ｖ ：ｉ荏ｆ す怖 鳶埴ト
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板のストライプ状の溝に直交する方向で該溝の両
側にそれぞれ設けられたストライプ構造の第一及び第二
半導体レーザ部を具え、 該第一及び第二半導体レーザ部は前記溝の外部に設けら
れた第一クラッド層と、該第一クラッド層上に設けられ
た活性層と、前記溝内及び該活性層上に設けられ前記活
性層を二分すると共に、内部反射鏡面を形成している第
二クラッド層と、該第二クラッド層上に設けられたオー
ミック接触層と、該オーミック接触層上であって前記溝
の外部に設けられた第一電極と、前記基板の下面に設け
られた第二電極とをそれぞれ有して成ることを特徴とす
る半導体レーザ。 ２、ストライプ状の溝付き基板に、低温液相エピタキシ
ャル成長により、第一クラッド層、活性層、第二クラッ
ド層及びオーミック接触層を結晶成長の面方位依存性を
利用して順次に成長させる工程と、 該オーミック接触層から前記第一クラッド層の少なくと
も一部分までエッチングして前記溝と直交する方向にス
トライプ構造を形成する工程と、 前記オーミック接触層上の前記溝外に第一電極を形成す
ると共に、前記基板の下面に第二電極を形成する工程と を具えることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386884A JPS6113683A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13386884A JPS6113683A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113683A true JPS6113683A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15114931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13386884A Pending JPS6113683A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113683A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219590A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Nec Corp | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
| US5234691A (en) * | 1989-10-27 | 1993-08-10 | Sumitomo Pharmaceuticals Co., Ltd. | Sustained-release prepararation of basic medical agent hydrochloride |
| JP2016515612A (ja) * | 2013-04-03 | 2016-05-30 | ドン クック ファーマシューティカル カンパニー リミテッド | ドネペジルを含む非経口投与用の医薬組成物 |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP13386884A patent/JPS6113683A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219590A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Nec Corp | 光半導体集積素子及びその製造方法 |
| US5234691A (en) * | 1989-10-27 | 1993-08-10 | Sumitomo Pharmaceuticals Co., Ltd. | Sustained-release prepararation of basic medical agent hydrochloride |
| JP2016515612A (ja) * | 2013-04-03 | 2016-05-30 | ドン クック ファーマシューティカル カンパニー リミテッド | ドネペジルを含む非経口投与用の医薬組成物 |
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