JPS61136953A - 磁器組成物 - Google Patents

磁器組成物

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JPS61136953A
JPS61136953A JP59256111A JP25611184A JPS61136953A JP S61136953 A JPS61136953 A JP S61136953A JP 59256111 A JP59256111 A JP 59256111A JP 25611184 A JP25611184 A JP 25611184A JP S61136953 A JPS61136953 A JP S61136953A
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JP
Japan
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composition
lead
ceramic composition
dielectric constant
present
Prior art date
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JP59256111A
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JPH0566332B2 (ja
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米沢 正智
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Original Assignee
NEC Corp
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温における絶縁抵抗が高い磁
器組成物に関するものである。
(従来技術) 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiOs )t−主成分とする磁器が広く実用化され
ていることは周知のとおシである0しかしながら;チタ
ン酸バリウム(BaTiOs )t”主成分とするもの
は、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温である
。このためこれを積層形コンデンサに利用する場合には
内部電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白
金、パラジウムなどの高価な貴金属を使用しなければな
らず、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形
コンデンサを安く作るためKは、銀、ニッケルなどを主
成分とする安価な金属が内部電極に使用できるような、
できるだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁器
が必要である。
また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる◎ この要求に答える丸めに本発明者等は特開昭58−16
1972号公−でPb(Ni”/3Nb”/3)01−
Pb(Mg窄3A) Os −PbT iolからなる
三成分磁器組成物を提案した。この特開昭58−161
972号公報では誘電率が3060〜13400.誘電
損失が0.1〜3.8チ、20℃における比抵抗が2.
0X1012〜1.2X10  という優れた特性を示
す組成物が開示されている0しかしながら他の特性管保
持しながら更に誘電率を高めることが望まれていた。
(発明の目的) 本発明の目的は1050℃以下の低温で焼結でき、誘電
率が高<、S電損失の小さいかつ比抵抗の高い積層コン
デンサ用磁器組成物を提供することにある〇 (発明の構成) 本発明は、マグネシウム・タングステン酸鉛(Pb(M
g号w3A) Os ) ) 、チタン酸鉛1:PbT
i0s)およびニッケル・ニオブ酸鉛(Pb(N已’3
 Nb2/3) Os )からなる3次分組成物を、C
Pb(Mg34W%)Os )X(PbTiOm〕yC
Pb(Ni/aNb2/3)Os〕zと表わしたときK
(ただし、”+Y+z=1.00)この3次分組成図に
おいて、以下の組成点 (X”0.693.F=0.297.、i=0.01 
 )(*=0.495.y=0.495.z=o、ol
、)(x=0.195.y=0.455.z=9.35
  )(x =O,lO、y=0.40  、  z 
=0.50  )(x =0.06  、  y=0.
24  、  x=0.70  )を結ぶ線上およびこ
の5点にI21fiまれる組成範dにある主成分組成物
に副成分としてぽ化ニッケル(NiO)t−0,02重
量ないし1.0重量−添加含有せしめることを特徴とす
る0 (実施例) 以下本発明を実施例により詳細に説明するO出発原料と
して純度99.9%以上の識化鉛(pbo)。
酸化マグネシウム(MgO)* 酸化タングステン(W
Os)、酸化チタン(TiOt)w 酸化ニッケル(N
iO)および酸化ニオブ(Nbt ol )を使用し、
表に示した配合比となるように各々秤量する0次に秤量
各材料をボールミル中で湿式混合した後750〜800
℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、ロ
別、乾燥後、有機バインダーを入れ整粒後プレスし、直
径16nvm、厚さ約2−の円板4枚を作成した。次に
本発明の組成範囲の試料は空気中900〜1050℃の
温度で1時間焼結した。焼結した円板4枚の上下面に銀
電極t600℃で焼付ケ、デジタルLCR,メーターで
周波数1kHz電圧1vr−m−3,温度20℃で容量
と誘電損失を・測定し、i11!電車を算出した。次に
超絶縁抵抗計で50vの電圧を1分間印加して、絶縁抵
抗を温度20℃で測定し、比抵抗を算出した。各組成に
対応する特性は試料4点の平均値よ抄求めた。このよう
にして得られた磁器の配合比と誘電率、誘電損失、20
℃における比抵抗の関係を次表に示す。
表に示した結果から明らかなようにPb(Mg3AW3
A) Os −PbTiO3−Pb(Ni ”/3Nb
2/3) Os三成分組成物に副成分であるNiOt−
主成分に対して0,02重量−ないし1.0重量%添加
含有せしめた本発明は誘電損失や比抵抗を良好かつ実用
的々水準に保持しながら誘電率を高めておシ、積層コン
デンサ用磁器組成物として優れ麺材料を提供するもので
ある。
なお本発明の主成分組成範囲外では焼結温度が高くなっ
たシ、誘電率が低下するため前述の様に限定される。ま
た副成分が0.02重量%未満および1゜0重量qbt
越えるものは誘電率の改善効果が小さくなる◇ 本発明では副成分として酸化ニッケル(Nip)を使用
しているが、高温で容易に分解し酸化物を形成するニッ
ケルの炭酸塩や水酸化物などを使用してもよい。
(発明の効果) 本発明の磁器組成物はPb(Mg3AW3A)o、 −
PbT飯03− Pb(N口/3Nb 2/3) 03
からなる主成分に、副成分としてNiOf:0.02重
量%ないし1.0重量−添加することによシ、誘電率を
高めることができる。
代理人う′:ニ士内原  碧H゛、゛、\、。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 マグネシウム、タングステン酸鉛〔Pb(Mg1/2W
    1/2)O_3〕、チタン酸鉛〔PbTiO_3〕およ
    びニッケル・ニオブ酸鉛〔Pb(Ni1/3Nb2/3
    )O_3〕からなる3成分組成物を〔Pb(Mg1/2
    W1/2)O_3〕x〔PbTiO_3〕y〔PbNi
    1/3Nb2/3)O_3〕zと表わしたときに(ただ
    しx+y+z=1.00)この3成分組成図において、
    以下の組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01)(
    x=0.495、y=0.495、z=0.01)(x
    =0.195、y=0.455、z=0.35)(x=
    0.10、y=0.40、z=0.50)(x=0.0
    6、y=0.24、z=0.70)を結ぶ線上およびこ
    の5点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に副成分
    として酸化ニッケルを0.02重量%ないし1.0重量
    %添加含有せしめることを特徴とする磁器組成物。
JP59256111A 1984-12-04 1984-12-04 磁器組成物 Granted JPS61136953A (ja)

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JPS61136953A true JPS61136953A (ja) 1986-06-24
JPH0566332B2 JPH0566332B2 (ja) 1993-09-21

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0292857A (ja) * 1988-09-30 1990-04-03 Nec Corp 磁器組成物の製造方法
JP2007282675A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Osmac Kk すのこマット

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JPH0292857A (ja) * 1988-09-30 1990-04-03 Nec Corp 磁器組成物の製造方法
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