JPS6042277A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
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- JPS6042277A JPS6042277A JP58146926A JP14692683A JPS6042277A JP S6042277 A JPS6042277 A JP S6042277A JP 58146926 A JP58146926 A JP 58146926A JP 14692683 A JP14692683 A JP 14692683A JP S6042277 A JPS6042277 A JP S6042277A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木兄8Aは、磁器組成物、特に1000℃以下の低温で
焼結でき、誘電率ガ高く、室温および高温における絶縁
抵抗が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関す
るものである。
焼結でき、誘電率ガ高く、室温および高温における絶縁
抵抗が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関す
るものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおシである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTi0g)を主成分とするものは、焼結
温度が通常1300〜1400℃の高温である。このた
め、これを積層形コンデンサに利用する場合には、内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなEの高価な貴金属を使用しなければならず
製造コストが高くつくという欠点がおる。積層形コンデ
ンサを安く作るた)には、銀、=、ケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、出来る
だけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
aTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおシである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTi0g)を主成分とするものは、焼結
温度が通常1300〜1400℃の高温である。このた
め、これを積層形コンデンサに利用する場合には、内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パラジウムなEの高価な貴金属を使用しなければならず
製造コストが高くつくという欠点がおる。積層形コンデ
ンサを安く作るた)には、銀、=、ケルなどを主成分と
する安価な金属が内部電極に使用できるような、出来る
だけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要
である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高<、
u’を損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要
求される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考える
と、一般、に絶縁抵抗の値が小さいと寿命が短くなる傾
向わマわり、またこのような磁器組成物は、温度が高く
なると絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとる
ことが必要である。
u’を損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要
求される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考える
と、一般、に絶縁抵抗の値が小さいと寿命が短くなる傾
向わマわり、またこのような磁器組成物は、温度が高く
なると絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとる
ことが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が脂等を外装したディップコン
デンサの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサに
クラックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほどクラッ
クが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる
。しだがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことでらる0 ところで、Pb(Mg、LM〜)O,−PbTiO,系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ9クライニクとエ
イQアイーアグラノフスカヤ(フィジコートペルドゴ中
テラVo1..2.fth 1. pp70〜1960
) N、 N、 KrainikandA、I。Ag
ranovskaya (Fiziko Tvorad
ogo Te1a、 Vol。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が脂等を外装したディップコン
デンサの場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサに
クラックが発生する場合がある。いずれの場合もコンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほどクラッ
クが入りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる
。しだがって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させ
ることは実用上極めて重要なことでらる0 ところで、Pb(Mg、LM〜)O,−PbTiO,系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ9クライニクとエ
イQアイーアグラノフスカヤ(フィジコートペルドゴ中
テラVo1..2.fth 1. pp70〜1960
) N、 N、 KrainikandA、I。Ag
ranovskaya (Fiziko Tvorad
ogo Te1a、 Vol。
2、隘1. pp70〜72 、 Janoara 1
960 )よシ提案があシまた、(Sr pb Tie
s) (pbMgo、Wo、o、凡〔ただ$ 1−x
@ しx=0〜0.10 、 aは0.35〜0.5 、
bは0.5〜0.65であり、そしてa+b=1)につ
いても、モノリシックコンデンサおよびその製造方法と
して特開昭52−21.662号公報に開示され、また
誘電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報
に開示されている。
960 )よシ提案があシまた、(Sr pb Tie
s) (pbMgo、Wo、o、凡〔ただ$ 1−x
@ しx=0〜0.10 、 aは0.35〜0.5 、
bは0.5〜0.65であり、そしてa+b=1)につ
いても、モノリシックコンデンサおよびその製造方法と
して特開昭52−21.662号公報に開示され、また
誘電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報
に開示されている。
しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は全くなさ
れておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでな
かった。また、本発明者達は既に910〜950℃の温
度で焼結でき、Pb (Mg、Q、)03とPbTi0
.系二成分からなシ、これを(Pb(Mgψ鴇)0.〕
工CPbT kOs 〕i−xと表わしたときにXが0
.65<x≦1.00の範囲にある組成物を提案してい
る。仁の組成物は、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電損
失の小さい優れた電気的特性を有している。しかしなが
ら上記組成物はいずれも機械的強度が低いため、その用
途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
れておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでな
かった。また、本発明者達は既に910〜950℃の温
度で焼結でき、Pb (Mg、Q、)03とPbTi0
.系二成分からなシ、これを(Pb(Mgψ鴇)0.〕
工CPbT kOs 〕i−xと表わしたときにXが0
.65<x≦1.00の範囲にある組成物を提案してい
る。仁の組成物は、誘電率と比抵抗の積が高く、誘電損
失の小さい優れた電気的特性を有している。しかしなが
ら上記組成物はいずれも機械的強度が低いため、その用
途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
また、pb(Mg、W、)os−pbTio、系を含む
三成分系については特開11+455−111011号
においてPb (M蛎、)Ox−PbT10a−Pb(
Mg、Nb、)O,系が、特開昭55−117809
K オいて、Pb(Mg>%)Os−PbTi03 P
b(’g34Ta300s系がそれぞれ開示されている
。しか17ながら、いずれも比抵抗に関する開示は全く
されておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかで
なく、またPb(Mg%〜)03 PbT10s Pb
(MgイT〜預3系(特開昭55=117809号)の
焼結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニッケル等を主成分とする安価な金属を内部電極と
して使用するのは困難であった。
三成分系については特開11+455−111011号
においてPb (M蛎、)Ox−PbT10a−Pb(
Mg、Nb、)O,系が、特開昭55−117809
K オいて、Pb(Mg>%)Os−PbTi03 P
b(’g34Ta300s系がそれぞれ開示されている
。しか17ながら、いずれも比抵抗に関する開示は全く
されておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかで
なく、またPb(Mg%〜)03 PbT10s Pb
(MgイT〜預3系(特開昭55=117809号)の
焼結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニッケル等を主成分とする安価な金属を内部電極と
して使用するのは困難であった。
さらに、特開昭56−48004においてPbZrO3
−Pb(Mg3ANb%)05−Pb (Mg3y%)
0.系が開示されているが、焼結温度が1000〜11
50℃の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分とす
る安価な金属を内部電極として使用するのは困難であっ
た。
−Pb(Mg3ANb%)05−Pb (Mg3y%)
0.系が開示されているが、焼結温度が1000〜11
50℃の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分とす
る安価な金属を内部電極として使用するのは困難であっ
た。
−また、本発明者達は、既にPb (Mgめ6)03
PbT1(%−PbZrO,三成分組成物を既に提案し
ている(特願昭56−157319 )。この組成物は
、900〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が
高く、誘電率の温度変化がlトさく誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有している。し
かしながら、この組成物は機械的強度が低いためその用
途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。
PbT1(%−PbZrO,三成分組成物を既に提案し
ている(特願昭56−157319 )。この組成物は
、900〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が
高く、誘電率の温度変化がlトさく誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有している。し
かしながら、この組成物は機械的強度が低いためその用
途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。
本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の低
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛(pb(Mg才〜)ow)、チタン
酸鉛(PbT10s )およびジルコン酸鉛(PbZr
03 )なる三成分組成物を(Pb(Mg、Aoog
〕、1:PbTiOs :]、CPbZr0.J。
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛(pb(Mg才〜)ow)、チタン
酸鉛(PbT10s )およびジルコン酸鉛(PbZr
03 )なる三成分組成物を(Pb(Mg、Aoog
〕、1:PbTiOs :]、CPbZr0.J。
と表わした時に(ただし、X 十y+ z = 1.
OO)この三成分組成図において、 (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20 )
(x=0.792 、y=0.198 、z=o、ol
)(x=0.396 、y=0.594 、z=o、
ol )(x=0.15 .7=0.35 、z=0.
50 )(x=0.27 、y=0.03 、z=0.
70 )の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組
成範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガン(
Mn)を主成分に対して0.01〜2原子チ添加含有せ
しめてなることを特徴とするものである。
OO)この三成分組成図において、 (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20 )
(x=0.792 、y=0.198 、z=o、ol
)(x=0.396 、y=0.594 、z=o、
ol )(x=0.15 .7=0.35 、z=0.
50 )(x=0.27 、y=0.03 、z=0.
70 )の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組
成範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガン(
Mn)を主成分に対して0.01〜2原子チ添加含有せ
しめてなることを特徴とするものである。
以下本発明を実施例によシ詳細に説明する。
出発原料として純度999チ以上の酸化鉛(PbO)酸
化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(WO
,)酸化チタン(TiO7)、酸化ジルコニウム(Zr
O2)および炭酸マンガン(Mn COs )を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、750
〜800℃で予焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕
し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレ
スし、直径16關、厚さ約2amの円板4枚と、直径1
6mm、厚さ1(Jtrrmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結
した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼外付け、
デジタルLCRメーターで周波数I KHz 、電圧I
VrAs温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率
を算出した。次に、超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分
間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し比
抵抗を箕田した。機緘的性質を抗折強度で評価するだめ
、焼結した円柱から厚さ0.5 mm 、幅2闘長さ1
3鉗の矩形板を10枚切り出した。支点間距離を9日に
よシ、三点法で破壊荷重Pm(K9)を測定し Pml τ±2 ;t2 (KP/i〕なる式に従い、抗折強度
τ(Kp / cJ−:)をめた。ただし、lは支点間
距離tは試料の厚み、wFi試料の幅である。電気的特
性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試料10
点の平均値よりめた。このようにして得られた磁器の主
成分(Pb(MgA)Os ’:’ x CPbT i
Os ] y (PbzrOs ) zの配合比! +
)’ * zおよび副成分添加量と防電率誘電損失、
20℃および125℃における比抵抗および抗折強度の
関係を次表に示す。
化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(WO
,)酸化チタン(TiO7)、酸化ジルコニウム(Zr
O2)および炭酸マンガン(Mn COs )を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、750
〜800℃で予焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕
し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレ
スし、直径16關、厚さ約2amの円板4枚と、直径1
6mm、厚さ1(Jtrrmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結
した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼外付け、
デジタルLCRメーターで周波数I KHz 、電圧I
VrAs温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率
を算出した。次に、超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分
間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し比
抵抗を箕田した。機緘的性質を抗折強度で評価するだめ
、焼結した円柱から厚さ0.5 mm 、幅2闘長さ1
3鉗の矩形板を10枚切り出した。支点間距離を9日に
よシ、三点法で破壊荷重Pm(K9)を測定し Pml τ±2 ;t2 (KP/i〕なる式に従い、抗折強度
τ(Kp / cJ−:)をめた。ただし、lは支点間
距離tは試料の厚み、wFi試料の幅である。電気的特
性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試料10
点の平均値よりめた。このようにして得られた磁器の主
成分(Pb(MgA)Os ’:’ x CPbT i
Os ] y (PbzrOs ) zの配合比! +
)’ * zおよび副成分添加量と防電率誘電損失、
20℃および125℃における比抵抗および抗折強度の
関係を次表に示す。
表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg?g)
Os−PbTiO,−PbZrO3三成分組成物に副成
分として、M nを添加含有せしめた本発明の範囲内の
ものけ誘電率が1130〜3850と高く、誘電損失が
0.2〜46チと小さく、比抵抗が20℃において3.
0X10〜5.4X1013Ω・aノl と高く、しか
も125℃においても5.3X10”〜1.9 ’X
1013Ω・cmという高い値を示し、さらに、抗折強
度も1010〜1430 K9/alと実用上十分高い
値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組成物で
あることがわかる。こうした優れた特性を示す本発明の
磁器は焼結温度が1000℃以下の低温であるため、積
層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できると共に
、省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて優れ
た効果も生じる。
Os−PbTiO,−PbZrO3三成分組成物に副成
分として、M nを添加含有せしめた本発明の範囲内の
ものけ誘電率が1130〜3850と高く、誘電損失が
0.2〜46チと小さく、比抵抗が20℃において3.
0X10〜5.4X1013Ω・aノl と高く、しか
も125℃においても5.3X10”〜1.9 ’X
1013Ω・cmという高い値を示し、さらに、抗折強
度も1010〜1430 K9/alと実用上十分高い
値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組成物で
あることがわかる。こうした優れた特性を示す本発明の
磁器は焼結温度が1000℃以下の低温であるため、積
層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できると共に
、省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて優れ
た効果も生じる。
なお、本発明の主成分組成物を(pb(λ’gsfs)
Os :]工(PbTiO,) [PbZr0.] と
表わしたときに(ただしx’+y+z−1,00)その
組成は、三成分組成図において隘3,6,16 、18
.5で表示される。
Os :]工(PbTiO,) [PbZr0.] と
表わしたときに(ただしx’+y+z−1,00)その
組成は、三成分組成図において隘3,6,16 、18
.5で表示される。
3:(x=0.72 、y =0.08 、z=0.2
0 )6:(x=0.792.y=0.198.z=o
、ol)16: (x=0.396. y=0.594
. z=o、ol )18: (X=0.15 、y=
0.35 、z=0.50 )5 : (x=0.27
、y=0.03 、z=0.70 )の各点を結ぶ線
上、およびこの5点に囲まれる組成範囲に限定され、副
成分の添加含有量は、主成分に対して0.01〜2原子
チに限定される。主成分組成範囲を表わす三成分組成図
において、点6.3゜5、18 、16を結ぶ線の外側
では誘電率が小さくなり実用的でない。点6.16を結
ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さくなり実用
的でない。
0 )6:(x=0.792.y=0.198.z=o
、ol)16: (x=0.396. y=0.594
. z=o、ol )18: (X=0.15 、y=
0.35 、z=0.50 )5 : (x=0.27
、y=0.03 、z=0.70 )の各点を結ぶ線
上、およびこの5点に囲まれる組成範囲に限定され、副
成分の添加含有量は、主成分に対して0.01〜2原子
チに限定される。主成分組成範囲を表わす三成分組成図
において、点6.3゜5、18 、16を結ぶ線の外側
では誘電率が小さくなり実用的でない。点6.16を結
ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さくなり実用
的でない。
また、副成分であるM nの添加量が0.01原子チ未
満では抗折強度の改善効果が小さく、2原子チを超える
と逆に抗折強度が小さくなるため実用的でない。
満では抗折強度の改善効果が小さく、2原子チを超える
と逆に抗折強度が小さくなるため実用的でない。
なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図に示した
番号は、表に示した主成分配合比の番号に対応する。
番号は、表に示した主成分配合比の番号に対応する。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点
を示す図である。
を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 100)この3成分組成図において、 (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20 )
(x=0.792 、 y=0.198 、z=0.0
1 )(x=0.396 、y=0.594 、z=(
1,01)(X=0.15 、y=o、35 ’、z
=0.50 )(x=0.27 、y=0.03 、z
=0.70 )の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲ま
れる組成範囲にある主成分組成物に副成分としてマンガ
ン(Mn)を主成分に対して001〜2原子チ添加含有
せしめてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146926A JPS6042277A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58146926A JPS6042277A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6042277A true JPS6042277A (ja) | 1985-03-06 |
| JPS6227029B2 JPS6227029B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=15418694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58146926A Granted JPS6042277A (ja) | 1983-08-11 | 1983-08-11 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6042277A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380340U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-27 | ||
| US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991011408A1 (fr) * | 1990-01-30 | 1991-08-08 | Nippon Soda Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique |
-
1983
- 1983-08-11 JP JP58146926A patent/JPS6042277A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380340U (ja) * | 1986-11-14 | 1988-05-27 | ||
| US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6227029B2 (ja) | 1987-06-11 |