JPS6114540B2 - - Google Patents
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- JPS6114540B2 JPS6114540B2 JP51074876A JP7487676A JPS6114540B2 JP S6114540 B2 JPS6114540 B2 JP S6114540B2 JP 51074876 A JP51074876 A JP 51074876A JP 7487676 A JP7487676 A JP 7487676A JP S6114540 B2 JPS6114540 B2 JP S6114540B2
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- JP
- Japan
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- module
- elements
- address
- galois field
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、記憶装置冗長方式、特にメモリ・モ
ジユールに一部不良ビツトが含まれていても、良
品モジユールのみをアクセスするようにした冗長
方式に関するものである。
ジユールに一部不良ビツトが含まれていても、良
品モジユールのみをアクセスするようにした冗長
方式に関するものである。
最近の半導体技術では、素子の高密度化を図る
ためにウエハ・メモリの実現が検討されている。
このウエハ・メモリを実現する場合、重要な問題
は製造時の歩留りである。歩留りを向上させるた
めには、プロセス技術的、回路技術的に多くの困
難を克服しなければならないが、あらかじめ冗長
性を持たせた設計を行なつておけば、この困難を
軽減することができる。また、信頼性の観点から
も、冗長性を持たせた設計を行うことは、きわめ
て重要である。
ためにウエハ・メモリの実現が検討されている。
このウエハ・メモリを実現する場合、重要な問題
は製造時の歩留りである。歩留りを向上させるた
めには、プロセス技術的、回路技術的に多くの困
難を克服しなければならないが、あらかじめ冗長
性を持たせた設計を行なつておけば、この困難を
軽減することができる。また、信頼性の観点から
も、冗長性を持たせた設計を行うことは、きわめ
て重要である。
冗長性を持たせる手段としては、ECCに代表
されるソフト・ウエア的手法と、予備モジユール
を用意しておき、不良メモリ・モジユールをこれ
に切換えて使用するような方法に代表されるハー
ド・ウエア的手法とがある。
されるソフト・ウエア的手法と、予備モジユール
を用意しておき、不良メモリ・モジユールをこれ
に切換えて使用するような方法に代表されるハー
ド・ウエア的手法とがある。
このうち、後者の方式においては、例えば、特
開昭47−7060号公報、特開昭48−16536号公報等
に示されるように、予備モジユールの領域あるい
はモジユール内の予備チツプの領域があらかじめ
定められており、不良モジユールあるいは不良チ
ツプがアクセスされたことを識別すると、特定の
予備モジユール、予備チツプに切換えている。
開昭47−7060号公報、特開昭48−16536号公報等
に示されるように、予備モジユールの領域あるい
はモジユール内の予備チツプの領域があらかじめ
定められており、不良モジユールあるいは不良チ
ツプがアクセスされたことを識別すると、特定の
予備モジユール、予備チツプに切換えている。
本発明は、従来の冗長方式のように予備モジユ
ールの領域を限定することなく、モジユール全体
として必要数に少くとも1個の冗長性を持たせ、
不良モジユール以外の任意のモジユールを予備と
して用いることにより、不良モジユールをアクセ
スさせないようにすることを目的とするもので、
良品モジユールのみを接続するために、ガロア体
の要素をアドレス・コードとして割付けることを
特徴としている。
ールの領域を限定することなく、モジユール全体
として必要数に少くとも1個の冗長性を持たせ、
不良モジユール以外の任意のモジユールを予備と
して用いることにより、不良モジユールをアクセ
スさせないようにすることを目的とするもので、
良品モジユールのみを接続するために、ガロア体
の要素をアドレス・コードとして割付けることを
特徴としている。
先ず本発明を説明するにあたり、本発明の原理
を導くために、第1図a〜cを説明する。
を導くために、第1図a〜cを説明する。
第1図aに示すように、通常の3ビツトの情報
で選択される8個のモジユール群を考えてみる。
で選択される8個のモジユール群を考えてみる。
第1図において、ADRSは外部から与えられる
ところの外部アドレス情報を表し、adrsは各モジ
ユールに割付られた内部アドレスを表す。
ところの外部アドレス情報を表し、adrsは各モジ
ユールに割付られた内部アドレスを表す。
いま、外部より与えられるアドレス情報ADRS
が(000)(011)までの7通りであり、(111)の
アドレスは与えられないものと仮定する。即ち実
際に必要なモジユールの数は7個で、他の1個は
予備である。
が(000)(011)までの7通りであり、(111)の
アドレスは与えられないものと仮定する。即ち実
際に必要なモジユールの数は7個で、他の1個は
予備である。
第1図aの表に示した1、0のコードは先に述
べた各モジユールに割付られた内部コードであ
り、いいかえると第1図aにおいて加算器ADD
が使用されないときは外部からのアドレス・コー
ドは即内部アドレス情報となり、これに対応する
いずれかのモジユールが選択されるようになつて
いる。
べた各モジユールに割付られた内部コードであ
り、いいかえると第1図aにおいて加算器ADD
が使用されないときは外部からのアドレス・コー
ドは即内部アドレス情報となり、これに対応する
いずれかのモジユールが選択されるようになつて
いる。
第1図aで明らかなように、あるモジユールに
着目すると、その前後のモジユールに割付られた
アドレス・コードは、常に着目したモジユールに
割付けられたアドレス・コードより、1を減じた
もの、及び1を加えたものに等しい。従つて、当
然、各モジユールにアドレス・コードとして割付
けられている3ビツトの組合せは、3ビツトのカ
ウンタによつて順次発生される周期8の数列の各
要素に等しくなつている。
着目すると、その前後のモジユールに割付られた
アドレス・コードは、常に着目したモジユールに
割付けられたアドレス・コードより、1を減じた
もの、及び1を加えたものに等しい。従つて、当
然、各モジユールにアドレス・コードとして割付
けられている3ビツトの組合せは、3ビツトのカ
ウンタによつて順次発生される周期8の数列の各
要素に等しくなつている。
さて、第1図aのモジユール群において、アド
レス・コード(010)が割付けられたモジユール
(×印)が不良であつたとする。
レス・コード(010)が割付けられたモジユール
(×印)が不良であつたとする。
そこで、外部より与えられるアドレス情報
ADRSを第1図aに示すように加算器ADDに入力
し、(110)を加算して、この結果を内部アドレス
情報として使用することを考えてみる。
ADRSを第1図aに示すように加算器ADDに入力
し、(110)を加算して、この結果を内部アドレス
情報として使用することを考えてみる。
ここで、第1図aの表のコードは前述のように
各モジユールに割付けられた内部アドレスを示す
のに対し、第1図bの表に示したコードは外部ア
ドレスADRSを0、1で示しているものである。
例えば、第1図bにおいて、101は外部アドレ
ス101を意味し、その外部アドレスに(110)
が加算器ADDで加算されて、内部アドレス
(000)に変換され、これに対応するアドレスが割
付けられた第1図aの一番上のモジユールがアク
セスされる事を意味する。
各モジユールに割付けられた内部アドレスを示す
のに対し、第1図bの表に示したコードは外部ア
ドレスADRSを0、1で示しているものである。
例えば、第1図bにおいて、101は外部アドレ
ス101を意味し、その外部アドレスに(110)
が加算器ADDで加算されて、内部アドレス
(000)に変換され、これに対応するアドレスが割
付けられた第1図aの一番上のモジユールがアク
セスされる事を意味する。
以上のようにすると、先に、外部から与えられ
ないことにしたアクセス(111)は、内部では
(010)に相当するようになり、このことは結果的
に該(010)が割付けられた不良モジユール(×
印)がアクセスされなくなつたことを意味する。
ないことにしたアクセス(111)は、内部では
(010)に相当するようになり、このことは結果的
に該(010)が割付けられた不良モジユール(×
印)がアクセスされなくなつたことを意味する。
他の7個のモジユールに対する外部アドレス情
報ADRSも、それぞれ第1図cに示すようにアド
レス変換されて内部アドレスadrsとなる。従つ
て、このモジユール群は、見掛け上第1図bに示
すように、不良モジユールの次のモジユールから
順にアドレス・コードが割付けられたことにな
る。
報ADRSも、それぞれ第1図cに示すようにアド
レス変換されて内部アドレスadrsとなる。従つ
て、このモジユール群は、見掛け上第1図bに示
すように、不良モジユールの次のモジユールから
順にアドレス・コードが割付けられたことにな
る。
第10図に以上のことを図式化して表してい
る。
る。
さて、前述の例は、説明のために通常の3ビツ
トのバイナリ情報を使用し、(111)がアクセスさ
れないという条件をつけたが、実際はこのような
条件が成立する場合は殆んどなく、この例は実用
的ではない。
トのバイナリ情報を使用し、(111)がアクセスさ
れないという条件をつけたが、実際はこのような
条件が成立する場合は殆んどなく、この例は実用
的ではない。
そこで、次にバイナリ情報を使用せず、別の数
列群の要素をアドレス・コードとして各モジユー
ルに割付けることを考える。
列群の要素をアドレス・コードとして各モジユー
ルに割付けることを考える。
すなわち、2n+1個のモジユール群から2n個
のモジユールのみを選択できるようなアドレス・
コードの割付け方法を考えてみる。
のモジユールのみを選択できるようなアドレス・
コードの割付け方法を考えてみる。
さて、代数学の教示するところによれば、ガロ
ア体GF(2n)は、1、0をその要素とするガロ
ア体GF(2)の上のn次の既約多項式を法とする多
項式環の剰余類からなつている。したがつて、い
ま既約多項式F(x)の根をαとすると、GF
(2n)の諸要素は、1、α、α2、……αn-1の
線形結合で下記のように表わすことができる。
ア体GF(2n)は、1、0をその要素とするガロ
ア体GF(2)の上のn次の既約多項式を法とする多
項式環の剰余類からなつている。したがつて、い
ま既約多項式F(x)の根をαとすると、GF
(2n)の諸要素は、1、α、α2、……αn-1の
線形結合で下記のように表わすことができる。
a0+a1α+a2α2+……ao-1αn-1
また、別の表わし方として、係数a0、a1、a2…
…ao-1だけをとつたベクトルでも表わせる。
…ao-1だけをとつたベクトルでも表わせる。
(a0、a1、a2……ao-1)
さらに、またGF(2n)から零の要素を除いた
残りの要素は巡回群をなし、一般にGF(2n)の
各要素はαの羃乗で表わせる。
残りの要素は巡回群をなし、一般にGF(2n)の
各要素はαの羃乗で表わせる。
いま、一例としてGF(2)上の3次の既約多項式
F(x)=x3+x+1を法とする多項式環である
ガロア体GF(23)を考えてみると、GF(23)のそ
れぞれの要素は第2図のように表わすことができ
る。
F(x)=x3+x+1を法とする多項式環である
ガロア体GF(23)を考えてみると、GF(23)のそ
れぞれの要素は第2図のように表わすことができ
る。
すなわち、F(x)=x3+x+1により、x3+
x+1=0の根は1、a、α3の線形結合で表わ
されるから、正負の符号を考慮せずに、1+α+
α3=0のα3の項を右辺に移項すれば、1+α
=α3となつて、1+αはα3で羃乗表示され
る。同じようにして、1+α=α3の両辺にαを
乗算すれば、α+α2=α3・αとなるから、α
+α2はα4で表わされ、1+α=α3の両辺に
α2を加えれば、1+α+α2=α3+α2=α
2(α+1)=α5であるから、1+α+α2は
α5で表わされる。
x+1=0の根は1、a、α3の線形結合で表わ
されるから、正負の符号を考慮せずに、1+α+
α3=0のα3の項を右辺に移項すれば、1+α
=α3となつて、1+αはα3で羃乗表示され
る。同じようにして、1+α=α3の両辺にαを
乗算すれば、α+α2=α3・αとなるから、α
+α2はα4で表わされ、1+α=α3の両辺に
α2を加えれば、1+α+α2=α3+α2=α
2(α+1)=α5であるから、1+α+α2は
α5で表わされる。
つまり、このGF(23)上の各要素は周期23−1
の巡回数列であり、ある要素に着目した場合、そ
の前後の要素はその着目した要素をαで除したも
の、およびαを乗じたものに等しい。
の巡回数列であり、ある要素に着目した場合、そ
の前後の要素はその着目した要素をαで除したも
の、およびαを乗じたものに等しい。
したがつて、GF(2n)の中で、その要素の位
数が2m+1となるものを見出して、そのガロア
体の法多項式を使用し、かつモジユールの各アド
レス・コードとしてこのガロア体の要素を割付
け、演算処理としては、第1図aの加算回路のか
わりにα乗算回路を使用すれば、最初の例(第1
図a,b,c)の非実用性は改善される。
数が2m+1となるものを見出して、そのガロア
体の法多項式を使用し、かつモジユールの各アド
レス・コードとしてこのガロア体の要素を割付
け、演算処理としては、第1図aの加算回路のか
わりにα乗算回路を使用すれば、最初の例(第1
図a,b,c)の非実用性は改善される。
以下、実施例について説明する。
いま、その要素の位数が23+1であるガロア体
を探すと、GF(26)の中にあり、この法多項式は
F(x)=1+x3+x6である。また、このガロア
体の各要素は第3図に示すとおりである。
を探すと、GF(26)の中にあり、この法多項式は
F(x)=1+x3+x6である。また、このガロア
体の各要素は第3図に示すとおりである。
第4図に表す実施例は、1、0を要素とするガ
ロア体GF(2)の上のn次(n=6)の既約多項式
を法とし、該多項式の根αの羃乗を要素とするガ
ロア体GF(26)のうち、要素の位数が2m+i
(m=3、i=1)であるガロア体を使用し、m
=3ビツトのアドレス情報により決定される23個
のアドレスのそれぞれにガロア体の23+1個の要
素のうちの23個の要素を対応づけ、一方、チツプ
上には23+1個のモジユールを用意し、該モジユ
ールのそれぞれにガロア体の23+1個の要素をア
ドレス・コードとして割付け、該23個のアドレス
と23個のガロア体の要素との対応づけを、23個の
アドレスに既約多項式の根αの羃乗(αk)(k=
3)の掛算を行なうことにより変えて、23+1個
のモジユール中にi=1個の不良モジユールの存
在を許容するものであり、第4図はその構成例を
示すものである。
ロア体GF(2)の上のn次(n=6)の既約多項式
を法とし、該多項式の根αの羃乗を要素とするガ
ロア体GF(26)のうち、要素の位数が2m+i
(m=3、i=1)であるガロア体を使用し、m
=3ビツトのアドレス情報により決定される23個
のアドレスのそれぞれにガロア体の23+1個の要
素のうちの23個の要素を対応づけ、一方、チツプ
上には23+1個のモジユールを用意し、該モジユ
ールのそれぞれにガロア体の23+1個の要素をア
ドレス・コードとして割付け、該23個のアドレス
と23個のガロア体の要素との対応づけを、23個の
アドレスに既約多項式の根αの羃乗(αk)(k=
3)の掛算を行なうことにより変えて、23+1個
のモジユール中にi=1個の不良モジユールの存
在を許容するものであり、第4図はその構成例を
示すものである。
すなわち、この実施例は1+α3+α6を既約
多項式としており、1+α3+α6が基本の方程
式になつている。ここで“+”はEORを表す。
“+”がEORであることから、この式の左辺、右
辺間の移項に際して、符号は無視できる。すなわ
ち、α6=1+α3となる。
多項式としており、1+α3+α6が基本の方程
式になつている。ここで“+”はEORを表す。
“+”がEORであることから、この式の左辺、右
辺間の移項に際して、符号は無視できる。すなわ
ち、α6=1+α3となる。
前述のように、ガロア体GF(2n)の諸要素は
a0+a1α+a2α2+……ao-1αn-1で表される
が、この実施例ではn=6であるからa0+a1α+
a2α2+……a5α5で諸要素が表される。
a0+a1α+a2α2+……ao-1αn-1で表される
が、この実施例ではn=6であるからa0+a1α+
a2α2+……a5α5で諸要素が表される。
この係数a0、a1、a2……a5に注目し、諸要素を
(a0、a1、a2……a5)と表すと(a0、a1、a2……a5)
は次のようになる。
(a0、a1、a2……a5)と表すと(a0、a1、a2……a5)
は次のようになる。
α0 ……(100000)
α1 ……(010000)
α2 ……(001000)
α3 ……(000100)
α4 ……(000010)
α5 ……(000001)
α6=1+α3 ……(100100)
α7=α・(1+α3)
=α+α4 ……(010010)
α8=α・(α+α4)
=α2+α5 ……(001001)
α5=α・(α2+α5)=α3+α6
=1+α3+α3=1 ……(100000)
ここで、α3=α0と元に戻る。すなわち、×
αの乗算をするとこの既約多項式にしたがえば、
9組の(a0、a1、a2……a5)しか取り得ない。本発
明のこの実施例ではこの9組に対して、8組を有
効に使い、残る1組は外部からアクセスされない
ようなアドレス変換を与える。第4図において、
各モジユールは4KW×1bitで構成され、このモジ
ユールが9×22のマトリクスに配置されて、全体
として32KW22bitのSEC−DEDメモリ・システ
ムを構成している。なお、図中、4KW選択用ア
ドレス12ビツトおよびECC関連回路は、本発明
に直接関係がないため省略してある。
αの乗算をするとこの既約多項式にしたがえば、
9組の(a0、a1、a2……a5)しか取り得ない。本発
明のこの実施例ではこの9組に対して、8組を有
効に使い、残る1組は外部からアクセスされない
ようなアドレス変換を与える。第4図において、
各モジユールは4KW×1bitで構成され、このモジ
ユールが9×22のマトリクスに配置されて、全体
として32KW22bitのSEC−DEDメモリ・システ
ムを構成している。なお、図中、4KW選択用ア
ドレス12ビツトおよびECC関連回路は、本発明
に直接関係がないため省略してある。
各モジユール選択用コードとして、上記GF
(26)の各要素が割付けられ、例えば、(100000)
の割付けられたモジユールは、アドレス信号の6
ビツトが(100000)となつたときにイネーブルさ
れる。
(26)の各要素が割付けられ、例えば、(100000)
の割付けられたモジユールは、アドレス信号の6
ビツトが(100000)となつたときにイネーブルさ
れる。
外部より入力される8個のモジユールを選択す
るためのアドレス信号ADRS3ビツトは、先ず、
読出専用メモリ(以下ROM)に入力され、6ビ
ツトのGF(26)の要素(αn)に変換される。こ
のROMの内容を第5図に示す。また同時に、こ
のアドレス信号ADRSは、各列ごとに設けられた
不良モジユール・アドレス・レジスタREGに入
力される。そして、もしECC回路でエラーの検
出が行われ、このモジユールに関するエラー履歴
よりCRUによつてモジユール切換の必要がある
と判断されると、SET信号とシンドローム(ポ
ジシヨン情報POS)が第4図のデコーダ回路
DECに入力される。これにより、指定されたビ
ツト位置(列)の不良モジユール・アドレス・レ
ジスタREGにSET信号が入力され、このときの
アドレスがラツチされる。このとき、同時に
SET信号もラツチされて、この列で切換えが行
われたことも記憶する。
るためのアドレス信号ADRS3ビツトは、先ず、
読出専用メモリ(以下ROM)に入力され、6ビ
ツトのGF(26)の要素(αn)に変換される。こ
のROMの内容を第5図に示す。また同時に、こ
のアドレス信号ADRSは、各列ごとに設けられた
不良モジユール・アドレス・レジスタREGに入
力される。そして、もしECC回路でエラーの検
出が行われ、このモジユールに関するエラー履歴
よりCRUによつてモジユール切換の必要がある
と判断されると、SET信号とシンドローム(ポ
ジシヨン情報POS)が第4図のデコーダ回路
DECに入力される。これにより、指定されたビ
ツト位置(列)の不良モジユール・アドレス・レ
ジスタREGにSET信号が入力され、このときの
アドレスがラツチされる。このとき、同時に
SET信号もラツチされて、この列で切換えが行
われたことも記憶する。
3ビツトのバイナリ情報から6ビツトのGF
(26)の要素に変換されたアドレス情報は、各モジ
ユール列ごとに設けられたα乗算回路(×αk)
に入力される。kの値は、アドレス・レジスタ
REGにラツチされた情報によつて制御される。
この真理値表を第6図に示す。
(26)の要素に変換されたアドレス情報は、各モジ
ユール列ごとに設けられたα乗算回路(×αk)
に入力される。kの値は、アドレス・レジスタ
REGにラツチされた情報によつて制御される。
この真理値表を第6図に示す。
第7図は、第4図におけるα乗算回路の詳細接
続図である。なお、第6図における「選択入力」
は、第7図中のマルチプレクサMPXのいずれの
入力端子の情報が出力されるかを示している。
続図である。なお、第6図における「選択入力」
は、第7図中のマルチプレクサMPXのいずれの
入力端子の情報が出力されるかを示している。
α乗算回路(×α1)は、次の方法で設計され
る。いま、GF(23)中の任意のエレメントを
(a0a1a2a3a4a5)とし、これを多項式の形で表わす
と、次式が成立する。
る。いま、GF(23)中の任意のエレメントを
(a0a1a2a3a4a5)とし、これを多項式の形で表わす
と、次式が成立する。
α×(a0+a1x+a2x2+a3x3+a4x4+a5x5)=b0+b1x
+b2x2+b3x3 +b4x4+b5x5 mod1 x6+x3+1 これを解いて、a0……a5とb0……b5の関係を求
めると以下のようになる。
+b2x2+b3x3 +b4x4+b5x5 mod1 x6+x3+1 これを解いて、a0……a5とb0……b5の関係を求
めると以下のようになる。
b0=a5、b1=a0、b2=a1、
b3=a2+a5、b4=a3、b5=a4
同じようにして、α2、α3……を算出する
と、第8図に示すようになる。第4図は、第8図
に基づいて論理を構成したものである。
と、第8図に示すようになる。第4図は、第8図
に基づいて論理を構成したものである。
第4図において、例えば最初の列の3番目のモ
ジユール(001000)が不良であつた場合、GF
(26)の要素(001000)に対応する外部アドレス情
報ADRSは第5図に示すように(010)であるの
で、この列のアドレス・レジスタREGには、第
6図のように(1010)がセツトされる。この結
果、α乗算回路(×αk)のkの値は3になる。
そして、この列に対して分配されるアドレス信号
は第9図に示すようになる。第9図より明らかな
ように、不良モジユール(001000)の次のモジユ
ールから順に、変換後のアドレス・コードが割付
けられるため、不良モジユールの前のモジユール
までで23個が選択される。したがつて、不良モジ
ユール(001000)は外部よりアクセスされなくな
り、かつ良品モジユール8個がアクセス可能とな
つて、切換動作が行われたことになる。
ジユール(001000)が不良であつた場合、GF
(26)の要素(001000)に対応する外部アドレス情
報ADRSは第5図に示すように(010)であるの
で、この列のアドレス・レジスタREGには、第
6図のように(1010)がセツトされる。この結
果、α乗算回路(×αk)のkの値は3になる。
そして、この列に対して分配されるアドレス信号
は第9図に示すようになる。第9図より明らかな
ように、不良モジユール(001000)の次のモジユ
ールから順に、変換後のアドレス・コードが割付
けられるため、不良モジユールの前のモジユール
までで23個が選択される。したがつて、不良モジ
ユール(001000)は外部よりアクセスされなくな
り、かつ良品モジユール8個がアクセス可能とな
つて、切換動作が行われたことになる。
第4図の一つのI/Oに関してより詳しく図示
すると第11図のようになる。すなわち、第4図
の×αkの乗算器の出力は、デコードされ、9ビ
ツトのうち、1ビツトを選択する。この例では、
前述のようにk=3の場合を示すものである。外
部アドレスに対するROMの出力アドレスは、第
5図の表から割付けられる。ROMの出力アドレ
スから内部アドレスへの変換は、第9図の「変換
前内部アドレス」をROMの出力と見、「変換後ア
ドレス情報(×α3)」を新しい内部アドレスと
見れば良い。従つて、対応する外部アドレスの無
い部分、すなわち、内部アドレス(001000)に対
するビツトはアクセスされない。
すると第11図のようになる。すなわち、第4図
の×αkの乗算器の出力は、デコードされ、9ビ
ツトのうち、1ビツトを選択する。この例では、
前述のようにk=3の場合を示すものである。外
部アドレスに対するROMの出力アドレスは、第
5図の表から割付けられる。ROMの出力アドレ
スから内部アドレスへの変換は、第9図の「変換
前内部アドレス」をROMの出力と見、「変換後ア
ドレス情報(×α3)」を新しい内部アドレスと
見れば良い。従つて、対応する外部アドレスの無
い部分、すなわち、内部アドレス(001000)に対
するビツトはアクセスされない。
実施例では、必要個数に1個だけ冗長性を持た
せた場合を説明したが、任意の個数だけ予備モジ
ユールを用意することにより、予備モジユールと
同一個数のバースト不良モジユールを許容するこ
とができる。例えば、チツプ上に2m+i個のモ
ジユールを用意し、各々にガロア体GF(2)の2m+
i個の要素をアドレス・コードとして割付けてお
き、連続したi個までの不良モジユールが検出さ
れたときには、アドレスとガロア体の要素との対
応づけを変化させて、不良モジユールの次のモジ
ユールから順に変換後のアドレス・コードを割付
けることにより、良品モジユール2m個のみをア
クセスさせることが可能となる。
せた場合を説明したが、任意の個数だけ予備モジ
ユールを用意することにより、予備モジユールと
同一個数のバースト不良モジユールを許容するこ
とができる。例えば、チツプ上に2m+i個のモ
ジユールを用意し、各々にガロア体GF(2)の2m+
i個の要素をアドレス・コードとして割付けてお
き、連続したi個までの不良モジユールが検出さ
れたときには、アドレスとガロア体の要素との対
応づけを変化させて、不良モジユールの次のモジ
ユールから順に変換後のアドレス・コードを割付
けることにより、良品モジユール2m個のみをア
クセスさせることが可能となる。
このように、本発明によれば、予備モジユール
の位置を特定することなく、不良モジユールを任
意の良品モジユールに切換えて選択させることが
でき、しかも、ガロア体の要素をアドレス・コー
ドとして割付けることにより、外部より与えられ
るアドレス情報に何ら制限を設けないでよいか
ら、きわめて実用的であり、かつ簡単な構成によ
り、製造時の歩留りを向上させることができる。
の位置を特定することなく、不良モジユールを任
意の良品モジユールに切換えて選択させることが
でき、しかも、ガロア体の要素をアドレス・コー
ドとして割付けることにより、外部より与えられ
るアドレス情報に何ら制限を設けないでよいか
ら、きわめて実用的であり、かつ簡単な構成によ
り、製造時の歩留りを向上させることができる。
第1図は本発明の原理を導くために用いる説明
図、第2図はガロア体GF(2)上の3次の既約多項
式F(x)=x3+x+1を法とするGF(23)の要
素の表示方法説明図、第3図は6次の既約多項式
F(x)=x6+x3+1を法とするGF(26)の要素
の説明図、第4図は本発明の一実施例を示す記憶
装置のブロツク構成図、第5図は第4図における
読取専用メモリROMの記憶内容説明図、第6図
はα乗算回路の情報説明図、第7図は第4図にお
けるα乗算回路(×αk)の詳細接続図、第8図
は第4図のα乗算回路を設計するためのエレメン
トの関係図、第9図は第4図における変換アドレ
スの一例を示す説明図第10図は第1図のa〜c
を補足する図式説明図、第11図は本発明の第4
図の実施例の一つのI/Oに関する詳細構成図で
ある。 ADRS:外部よりのモジユール選択アドレス、
ADD:加算器、ROM:読取専用メモリ、SET:
セツト情報、DEC:デコーダ回路、POS:ポジ
シヨン情報、REG:不良モジユール・アドレ
ス・レジスタ、×αk:α乗算回路、I/OBUF:
入出力バツフア、SELSIG:モジユール選択信
号、EOR:エツクス・クルーシブ・オア回路、
SW:切換情報、MPX:マルチプレクサ。
図、第2図はガロア体GF(2)上の3次の既約多項
式F(x)=x3+x+1を法とするGF(23)の要
素の表示方法説明図、第3図は6次の既約多項式
F(x)=x6+x3+1を法とするGF(26)の要素
の説明図、第4図は本発明の一実施例を示す記憶
装置のブロツク構成図、第5図は第4図における
読取専用メモリROMの記憶内容説明図、第6図
はα乗算回路の情報説明図、第7図は第4図にお
けるα乗算回路(×αk)の詳細接続図、第8図
は第4図のα乗算回路を設計するためのエレメン
トの関係図、第9図は第4図における変換アドレ
スの一例を示す説明図第10図は第1図のa〜c
を補足する図式説明図、第11図は本発明の第4
図の実施例の一つのI/Oに関する詳細構成図で
ある。 ADRS:外部よりのモジユール選択アドレス、
ADD:加算器、ROM:読取専用メモリ、SET:
セツト情報、DEC:デコーダ回路、POS:ポジ
シヨン情報、REG:不良モジユール・アドレ
ス・レジスタ、×αk:α乗算回路、I/OBUF:
入出力バツフア、SELSIG:モジユール選択信
号、EOR:エツクス・クルーシブ・オア回路、
SW:切換情報、MPX:マルチプレクサ。
Claims (1)
- 1 1、0を要素とするガロア体GF(2)の上のn
次の既約多項式を法とし、該多項式の根の羃乗を
要素とするガロア体GF(2n)のうち、要素の位
数が2m+iであるガロア体を使用し、mビツト
のアドレス情報により決定される2m個のアドレ
スのそれぞれにガロア体の2m+i個の要素のう
ち2m個の要素を対応づけ、一方、チツプ上には
2m+i個のモジユールを用意し、該モジユール
のそれぞれにガロア体の2m+i個の要素をアド
レス・コードとして割付け、該2m個のアドレス
と2m個のガロア体の要素との対応づけを、2m個
のアドレスに既約多項式の根(α)の羃乗(α
k)の乗算を行なうことにより変えて、2m+i個
のモジユール中にi個までのバースト不良モジユ
ールの存在を許容することを特徴とする記憶装置
冗長方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7487676A JPS5332A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Memory redundance system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7487676A JPS5332A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Memory redundance system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5332A JPS5332A (en) | 1978-01-05 |
| JPS6114540B2 true JPS6114540B2 (ja) | 1986-04-19 |
Family
ID=13559972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7487676A Granted JPS5332A (en) | 1976-06-23 | 1976-06-23 | Memory redundance system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5332A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0466829U (ja) * | 1990-10-18 | 1992-06-12 | ||
| JP2003500786A (ja) * | 1999-05-12 | 2003-01-07 | ギーゼッケ ウント デフリエント ゲーエムベーハー | アドレスのスクランブリング機能付きメモリアレー |
| JP2008198355A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2012505491A (ja) * | 2008-10-07 | 2012-03-01 | マイクロン テクノロジー, インク. | スタック型デバイスの再マッピングおよび補修 |
| JP2012074094A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Citizen Holdings Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| WO2012137340A1 (ja) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | 富士通株式会社 | 試験方法および前記試験方法が適用される半導体集積回路 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625300A (en) * | 1979-08-08 | 1981-03-11 | Sharp Corp | Switching controller for memory block |
| US4489403A (en) * | 1982-05-24 | 1984-12-18 | International Business Machines Corporation | Fault alignment control system and circuits |
| US4837091A (en) * | 1983-07-07 | 1989-06-06 | Inland Steel Company | Diffusion alloy steel foil |
| JPS61286948A (ja) * | 1986-03-19 | 1986-12-17 | Sharp Corp | メモリブロツクの切替制御装置 |
| JP3872062B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2007-01-24 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置 |
| JP3905091B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2007-04-18 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置及びブロック冗長救済方法 |
| JP2006309815A (ja) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
-
1976
- 1976-06-23 JP JP7487676A patent/JPS5332A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0466829U (ja) * | 1990-10-18 | 1992-06-12 | ||
| JP2003500786A (ja) * | 1999-05-12 | 2003-01-07 | ギーゼッケ ウント デフリエント ゲーエムベーハー | アドレスのスクランブリング機能付きメモリアレー |
| JP2008198355A (ja) * | 2008-05-19 | 2008-08-28 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
| JP2012505491A (ja) * | 2008-10-07 | 2012-03-01 | マイクロン テクノロジー, インク. | スタック型デバイスの再マッピングおよび補修 |
| US8787101B2 (en) | 2008-10-07 | 2014-07-22 | Micron Technology, Inc. | Stacked device remapping and repair |
| JP2012074094A (ja) * | 2010-09-28 | 2012-04-12 | Citizen Holdings Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| WO2012137340A1 (ja) * | 2011-04-07 | 2012-10-11 | 富士通株式会社 | 試験方法および前記試験方法が適用される半導体集積回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5332A (en) | 1978-01-05 |
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