JPS61154151A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61154151A JPS61154151A JP59276263A JP27626384A JPS61154151A JP S61154151 A JPS61154151 A JP S61154151A JP 59276263 A JP59276263 A JP 59276263A JP 27626384 A JP27626384 A JP 27626384A JP S61154151 A JPS61154151 A JP S61154151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- fluorine
- film
- adhesive
- inner leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/456—Materials
- H10W70/458—Materials of insulating layers on leadframes
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は多ピンリードフレームのインナーリードをフ
ッ素系ポリマーを融着剤としたポリイミド系テープで接
着固定して樹脂封止してなる半導体装置に関１３１、そ
の目的は電子機器の薄型化、小や化の対応した半導体装
置自身の薄型化、小型化及び高機能化の要求に充分対応
でき即ちリードフレームのインナーリードのピン数が多
ピンでそのそのリードピン間隔が狭くとも半導体素子と
インナーリードの１ツイヤボンデイングに支障をきたす
ことのない半導体装置の提供にある。
ッ素系ポリマーを融着剤としたポリイミド系テープで接
着固定して樹脂封止してなる半導体装置に関１３１、そ
の目的は電子機器の薄型化、小や化の対応した半導体装
置自身の薄型化、小型化及び高機能化の要求に充分対応
でき即ちリードフレームのインナーリードのピン数が多
ピンでそのそのリードピン間隔が狭くとも半導体素子と
インナーリードの１ツイヤボンデイングに支障をきたす
ことのない半導体装置の提供にある。
（発明のｆｆ景）
近年、半導体装置の高集積化に伴いリードフレームのイ
ンナーリードのピン数が多ビン化の方向にあ吟、従って
そのリードピン間隔も従来の１．７８−ピッ千から０．
６５＋＋ｕ＋＋ピツ千へと短くなってきている。
ンナーリードのピン数が多ビン化の方向にあ吟、従って
そのリードピン間隔も従来の１．７８−ピッ千から０．
６５＋＋ｕ＋＋ピツ千へと短くなってきている。
さらに、電子機器が薄型化、小型化の傾向に有るため、
半導体装置自身の厚みも従来のデュアルインラインパッ
ケージの２．５ｍｓからフラットパッケージの１．５１
１ＩＩｌとの様に薄型化の方向にある。
半導体装置自身の厚みも従来のデュアルインラインパッ
ケージの２．５ｍｓからフラットパッケージの１．５１
１ＩＩｌとの様に薄型化の方向にある。
そのため、インナーリード間のわずかの変形で半導体素
子とインナーリードのワイヤボンディングに支障をきた
す嫌いがあり、この様にインナーリード間が変形して製
造された半導体装置は半導体装置としての信頼性に欠け
るという欠点があった。
子とインナーリードのワイヤボンディングに支障をきた
す嫌いがあり、この様にインナーリード間が変形して製
造された半導体装置は半導体装置としての信頼性に欠け
るという欠点があった。
（従来の欠点）
そこで従来の欠点を解消せんとして、多ピンリードフレ
ームのインナーリードを接着フィルムで接着固定した後
樹脂封止して半導体装置を調製することにより、リード
フレームのインナーリードのピン数が多ビンでそのリー
ドピン間隔が短くとも半導体素子とインナーリードのワ
イヤボンディングに支障をきたすことのない半導体装置
を製造しようとする試みがある。
ームのインナーリードを接着フィルムで接着固定した後
樹脂封止して半導体装置を調製することにより、リード
フレームのインナーリードのピン数が多ビンでそのリー
ドピン間隔が短くとも半導体素子とインナーリードのワ
イヤボンディングに支障をきたすことのない半導体装置
を製造しようとする試みがある。
ところが、この様な多ビンリードフレームのインナーリ
ードを接着する為の固定テープの条件として常温での接
着性のみならず高温下での接着性及び絶縁性が要求され
るものであった。
ードを接着する為の固定テープの条件として常温での接
着性のみならず高温下での接着性及び絶縁性が要求され
るものであった。
その理由は、半導体素子とインナーリードのワイヤボン
ディングの塩度が１５０乃至２８０℃であるからであり
、そのため接着固定用テープに（室温における接着性の
みならず）高温における接着性についても高信頼性であ
ることが必要とされるのである。
ディングの塩度が１５０乃至２８０℃であるからであり
、そのため接着固定用テープに（室温における接着性の
みならず）高温における接着性についても高信頼性であ
ることが必要とされるのである。
従って、耐熱性の優れたポリイミド系に耐熱性の優れた
接着剤組成物を均一に塗にして所定１１＠ら１切断した
、いわゆる耐熱性接着剤付きポリイミド系テープ、つま
りポリイミド系絶縁テープがその条件を充たすものとさ
れていた。
接着剤組成物を均一に塗にして所定１１＠ら１切断した
、いわゆる耐熱性接着剤付きポリイミド系テープ、つま
りポリイミド系絶縁テープがその条件を充たすものとさ
れていた。
この様なポリイミド系絶縁テープに均一に塗布できる接
着剤としては、従来シリコン系接着剤やエポキシ系、フ
ェノール系、アクリロニトリル−ブタジェンゴム系、ブ
チラール樹脂系、アクリルゴム系などの接着剤組成物が
知られていた。
着剤としては、従来シリコン系接着剤やエポキシ系、フ
ェノール系、アクリロニトリル−ブタジェンゴム系、ブ
チラール樹脂系、アクリルゴム系などの接着剤組成物が
知られていた。
しかしながら、上記の種接着剤組成物を用いて作製した
ポリイミド系絶縁テープでは高温雰囲気下において接着
力が弱く、そのため製造された半導体装置の信頼性が低
く特に使用時に剥離が生じたりするという不都合があっ
た。
ポリイミド系絶縁テープでは高温雰囲気下において接着
力が弱く、そのため製造された半導体装置の信頼性が低
く特に使用時に剥離が生じたりするという不都合があっ
た。
また、特にアクリルゴム系の接着剤組成物では、接着性
を大きくしてかつ架橋剤と反応させる目的でアクリル酸
、メタクリル酸、イタコン酸などの酸性成分からなるカ
ルボキシル基含有モノエチレン性＠量体を使用し、これ
とアクリル酸エステルとの共ホ合体を主成分としたもの
であるため、接着剤組成物が化学的に中性ではなく、長
期の使用においてリードフレームを腐食し延いては半導
体装置の信頼性を低下させるという新たな欠点があった
。
を大きくしてかつ架橋剤と反応させる目的でアクリル酸
、メタクリル酸、イタコン酸などの酸性成分からなるカ
ルボキシル基含有モノエチレン性＠量体を使用し、これ
とアクリル酸エステルとの共ホ合体を主成分としたもの
であるため、接着剤組成物が化学的に中性ではなく、長
期の使用においてリードフレームを腐食し延いては半導
体装置の信頼性を低下させるという新たな欠点があった
。
（解決手段）
そこでこの発明者らは、上記従来の欠点を解消１°る為
に鋭意検討した結果、多ピンリードフレームのインナー
リードを融点が２００〜３２０℃のフッ素系ポリマーを
融着剤としたポリイミド系接着フィルムで接着固定して
樹脂封止してなることを特徴とする半導体装置を提供す
ることによって、上記従来の欠点即ち高温特性を改善し
又使用時の接着剤の剥離現象や長期間の使用において接
着剤組成物がリードフレームを腐食し延いては半導体装
置の信頼性を低下させるという欠点を悉く解消した半導
体装置を完成しこの発明に至ったものである。
に鋭意検討した結果、多ピンリードフレームのインナー
リードを融点が２００〜３２０℃のフッ素系ポリマーを
融着剤としたポリイミド系接着フィルムで接着固定して
樹脂封止してなることを特徴とする半導体装置を提供す
ることによって、上記従来の欠点即ち高温特性を改善し
又使用時の接着剤の剥離現象や長期間の使用において接
着剤組成物がリードフレームを腐食し延いては半導体装
置の信頼性を低下させるという欠点を悉く解消した半導
体装置を完成しこの発明に至ったものである。
（発明の構成）
この発明に係る半導体装置の一実施例を固自を参考に説
明する。
明する。
第１図はこの発明に係る半導体装置で使用するリードフ
レーム固定用接着フィルムの断面図を示したものである
。
レーム固定用接着フィルムの断面図を示したものである
。
この接着フィルム（１）は、ポリイミド系フィルムク２
）と、このフィルム（２）の片面に溶液塗］［、ないし
溶融塗工により塗工されたフッ素系ポリマーからなる融
着剤（３）とから構成されている。
）と、このフィルム（２）の片面に溶液塗］［、ないし
溶融塗工により塗工されたフッ素系ポリマーからなる融
着剤（３）とから構成されている。
この発明において使用する上記フッ素系ポリマーとして
は、フッ素含有量が通常２０重量％以ト、好ましくは５
０乃至７６重量％のものが用いられる。
は、フッ素含有量が通常２０重量％以ト、好ましくは５
０乃至７６重量％のものが用いられる。
この発明においてはごの゛フッ素系ポリマーとしては、
パーフルすロアルケンないしパーフルオロビニル〕−−
テルのホモポリマーまたはコポリマーが特に好適に使用
でき、その具体例としてはテトラフル第１コエナレンー
ヘキサフル第１コプロピレン共重合体（以下、ＦＥＰと
いう）、構造式；〔−ＣＩＪ −（’、Ｆ −Ｃ）ｉ−
Ｃド（ＯＨｆ）−）ｎ（ただし１、式中Ｒｆは炭素数７
以下、好ましくは１乃至３のフッ化アルキル基を意味す
る）で表されるテトラフル第１」エナレンーパーフル第
１コピニルエーテル共重合体（以下、ＰＦＡという）を
挙げることができる。
パーフルすロアルケンないしパーフルオロビニル〕−−
テルのホモポリマーまたはコポリマーが特に好適に使用
でき、その具体例としてはテトラフル第１コエナレンー
ヘキサフル第１コプロピレン共重合体（以下、ＦＥＰと
いう）、構造式；〔−ＣＩＪ −（’、Ｆ −Ｃ）ｉ−
Ｃド（ＯＨｆ）−）ｎ（ただし１、式中Ｒｆは炭素数７
以下、好ましくは１乃至３のフッ化アルキル基を意味す
る）で表されるテトラフル第１」エナレンーパーフル第
１コピニルエーテル共重合体（以下、ＰＦＡという）を
挙げることができる。
上記ＰＦＡの市販品としてはダイキン工業社製商品名ネ
オソ１コンＰ ＦＡ、デュポン社製商品名テフロンＰＦ
Ａなどがおる。
オソ１コンＰ ＦＡ、デュポン社製商品名テフロンＰＦ
Ａなどがおる。
その他の上記フッ素系ポリマーとして、上記構造式で表
されるＰＦＡのフッ素の一部が水素に置換されたものや
、ポリク１コロトリフルオ！コエナレン、エチレン−テ
トラフルオロエチレン共重合体く以下、Ｅ’、 ’ｒ’
ｌ” Ａという）、エチレンーク１」ルトリフルオロ
エチレン共重合体などもこの発明においては好適に使用
することができる。
されるＰＦＡのフッ素の一部が水素に置換されたものや
、ポリク１コロトリフルオ！コエナレン、エチレン−テ
トラフルオロエチレン共重合体く以下、Ｅ’、 ’ｒ’
ｌ” Ａという）、エチレンーク１」ルトリフルオロ
エチレン共重合体などもこの発明においては好適に使用
することができる。
この発明においては接着フィルム（１）の厚みとして、
一般に７乃至１５０μ、好適には２０乃至１１０μ程度
とするのが望ましく、このうちポリイミド系ノイルム（
２）の厚みを５乃至９０μ、好ましくは１０乃至７０μ
とするのが好ましい。
一般に７乃至１５０μ、好適には２０乃至１１０μ程度
とするのが望ましく、このうちポリイミド系ノイルム（
２）の厚みを５乃至９０μ、好ましくは１０乃至７０μ
とするのが好ましい。
更にこのフィルム（２）の片面に塗工される前記フッ素
系ポリマーからなる融着剤の厚みは、通常１乃至３０μ
、好適には５乃至２０μ程度とするのが望ましい。
系ポリマーからなる融着剤の厚みは、通常１乃至３０μ
、好適には５乃至２０μ程度とするのが望ましい。
１１２図は接着フ、Ｃルム０）を用いてリードフレーム
のインナーリードを接着固定してなる半導体装置の樹脂
封止前の一例の平面図を示したものである。
のインナーリードを接着固定してなる半導体装置の樹脂
封止前の一例の平面図を示したものである。
この図面において、（４）はリードフレームで、半導体
装置のインナーリート（５）を接着フィルム＋１１を用
いて接着固定されている。
装置のインナーリート（５）を接着フィルム＋１１を用
いて接着固定されている。
接着フィルム（」）によるインナーリード（５）の接着
固定手段は、まず接着フィルム（１）を所定の大きさに
切断したのら、この所定長さの接着フィルム（１）をイ
ンナーリード（５）上に接着フィルム（１）の融着剤（
３）が溶融軟化する温度下で加熱固着することにより行
う。
固定手段は、まず接着フィルム（１）を所定の大きさに
切断したのら、この所定長さの接着フィルム（１）をイ
ンナーリード（５）上に接着フィルム（１）の融着剤（
３）が溶融軟化する温度下で加熱固着することにより行
う。
この後常法に準じて、半導体装置に調製すればこの発明
に係る半導体装置を得る゛ことができる６尚、当然のこ
とながら半導体装置の耐湿信頼性面から接着フィルムの
塩素やナトリウム等の不純物イオンは少ない方が良く、
その量の具体例として塩ｉｔ及びナトリウム量は各々１
ｏＯｐｐｓ以下好蜜しくは５０ｐｐ−以下とする。
に係る半導体装置を得る゛ことができる６尚、当然のこ
とながら半導体装置の耐湿信頼性面から接着フィルムの
塩素やナトリウム等の不純物イオンは少ない方が良く、
その量の具体例として塩ｉｔ及びナトリウム量は各々１
ｏＯｐｐｓ以下好蜜しくは５０ｐｐ−以下とする。
（発明の効果）
以上詳述した如く、この発明にかかる半導体装置は多ピ
ンリードフレームのインナーリードを融点が２００〜３
２０℃のフッ素系ポリマーを融着剤としたポリイミド系
接着フィルムで接着固定して樹脂対ｌヒしてなることを
特徴とする半導体装置であるから、この接着フィルムで
インナーリードを接着固定することよってインナーリー
ド相互の間隔が寸法安定性よ（固定された半導体装置が
得られ従って半導体装置の信頼性を極めて高くすること
ができ、しかもこの接着フィルムは融点が２００乃至３
２０℃のフッ素系ポリマーを融着剤に使用してなるとと
もにポリイミド系フィルムが基材であるからから１５０
乃至２８０℃と高温である半導体素子とインナーリード
のワイヤボンディングの作業温度下であってもその絶縁
性と接着性についても高信頼性が確保できしかも室温に
おける接着性も良好であるという効果今持つ。
ンリードフレームのインナーリードを融点が２００〜３
２０℃のフッ素系ポリマーを融着剤としたポリイミド系
接着フィルムで接着固定して樹脂対ｌヒしてなることを
特徴とする半導体装置であるから、この接着フィルムで
インナーリードを接着固定することよってインナーリー
ド相互の間隔が寸法安定性よ（固定された半導体装置が
得られ従って半導体装置の信頼性を極めて高くすること
ができ、しかもこの接着フィルムは融点が２００乃至３
２０℃のフッ素系ポリマーを融着剤に使用してなるとと
もにポリイミド系フィルムが基材であるからから１５０
乃至２８０℃と高温である半導体素子とインナーリード
のワイヤボンディングの作業温度下であってもその絶縁
性と接着性についても高信頼性が確保できしかも室温に
おける接着性も良好であるという効果今持つ。
以下この発明の実施例を記載することにより、上記この
発明の効果をより風体的に説明する。
発明の効果をより風体的に説明する。
（実施例１）
厚さ２０μのカプトンフィルム（ポリイミドフィルム）
の片面にＦ＆、Ｐ（前出） （融点２７０℃）を片面に
１０μ厚に溶融塗工してこの発明に係るインナーリード
固定用接着フィルムを得た。
の片面にＦ＆、Ｐ（前出） （融点２７０℃）を片面に
１０μ厚に溶融塗工してこの発明に係るインナーリード
固定用接着フィルムを得た。
このフィルムを用いてリードフレーム材質である４２７
０イ板トに３５０℃、５−／ｉ、５秒の条件でインナー
リードを加熱固着して、その接着力を調べた。
０イ板トに３５０℃、５−／ｉ、５秒の条件でインナー
リードを加熱固着して、その接着力を調べた。
また貼り合わせ後４０℃、９０％Ｒ１の雰囲気下に１６
８時間放置したときの接着保持率を調べて接着状態の良
否を調べた。
８時間放置したときの接着保持率を調べて接着状態の良
否を調べた。
この結果を、後記価の結果とともに下記第１表にまとめ
て併記する。
て併記する。
（実施例２）
ＦＦ！、Ｐ（７）代わりにＰＦＡ （融点３０５℃）用
いた以外は実施例１と同様にしてこの発明の接着フィル
ノ、を得た。
いた以外は実施例１と同様にしてこの発明の接着フィル
ノ、を得た。
実施例１と同様に試験した。
この結果を、後記他の結果とともに下記第１表にまとめ
て併記する。
て併記する。
（実施例３）
厚さ２５μのカプトンフィルム（ポリイミドフィルム）
の片面にＥＴＦ已（融点２６０℃）を１２．５／Ｊ厚に
溶融塗工した以外は実施例１と同様にしてこの発明の接
着フィルムを得た。
の片面にＥＴＦ已（融点２６０℃）を１２．５／Ｊ厚に
溶融塗工した以外は実施例１と同様にしてこの発明の接
着フィルムを得た。
このフィルムを用いて実施例１と同様に試験した。
この結果を、後記他の結果とともに下記第１表にまとめ
て併記する。
て併記する。
（比較例１乃至２）
アクリル酸ｎ−ブチルエステル７０部、アクリロニトリ
ル３０部、アクリル酸２−ヒドロキシエチルエステル５
ｊ４Ｂ、トルエン１００部および過酸化ベンゾイル０．
２部からなる混合物を、窒素気流中攪拌しなから６０乃
至６５℃で７時間加熱して粘稠な溶液となし、さらに重
合率を上げるために１０時間反応を続けて重合率９０重
量％の共重合体溶液を得た。
ル３０部、アクリル酸２−ヒドロキシエチルエステル５
ｊ４Ｂ、トルエン１００部および過酸化ベンゾイル０．
２部からなる混合物を、窒素気流中攪拌しなから６０乃
至６５℃で７時間加熱して粘稠な溶液となし、さらに重
合率を上げるために１０時間反応を続けて重合率９０重
量％の共重合体溶液を得た。
この共重合体溶液に、共重合体１００部に対し、（ａ）
成分および偽）成分からなる架橋剤をそれぞれ後記の表
にボされる配合部数で配合１．て比較例１乃至２の接着
剤組成物を調整した。
成分および偽）成分からなる架橋剤をそれぞれ後記の表
にボされる配合部数で配合１．て比較例１乃至２の接着
剤組成物を調整した。
この接着剤組成物をカプトンフィルムＮ（ポリイミドフ
ィルム）上に、均一に塗布したのち、】０００１：で３
分間乾燥機中にて放置して接着剤の１〒、みが２５μの
接着フィルムを得た。
ィルム）上に、均一に塗布したのち、】０００１：で３
分間乾燥機中にて放置して接着剤の１〒、みが２５μの
接着フィルムを得た。
゛）ぎに、このフィルムを用いて、実施例１と同様にし
て試験を行った結果は後記の第１表に示す通りであった
。
て試験を行った結果は後記の第１表に示す通りであった
。
（比較例３）
アクリル酸ｎ−ブチルエステル７０部、アクリロニトリ
ル３０部、アクリルＦｌ１２−ヒドロキシエナルエステ
ル５０部、トルエン１２０部および過酸化ベンゾイル０
．２部からなる混合物を用いて、比較例１に記載される
方法に準じて重合率９０重量％の共重合体溶液を得た。
ル３０部、アクリルＦｌ１２−ヒドロキシエナルエステ
ル５０部、トルエン１２０部および過酸化ベンゾイル０
．２部からなる混合物を用いて、比較例１に記載される
方法に準じて重合率９０重量％の共重合体溶液を得た。
この共重合体溶液に、共重合体１００部に対し、（ａ）
成分および伽）成分を後記の表に示される配合部数で添
加して接着剤組成物を得た。
成分および伽）成分を後記の表に示される配合部数で添
加して接着剤組成物を得た。
つぎに、この組成物を用いて比較例１と同様にして接着
フィルムを得た。
フィルムを得た。
つぎに、このフィルムを用いて、実施例１と同様にして
試験を行った結果は後記の第１表に示す通りであった。
試験を行った結果は後記の第１表に示す通りであった。
（以下余白）
＠１表
声・−−−−−（ａ成分ニジメタクリル酸エチレングリ
コールジエステル中桐斗村１２に鵬も１名ＮＫエステル
ＩＧ）（ｂ成分：Ｗ！Ｍヒベンゾイル ＊＊−・−友η℃ ＊＊＊−・−栃℃美％囲の雰囲気下に１６８關卯勧幻婬
したときＣ利関昭剰串部なお、ト記第１表の試験では被
着体として４２７０イを用いたが、全実施例及び比較例
について銅相トしテ＋Ｊ ンｆｆｍ１（ＪＩｓ ｃ５１
９１） 、ＣＤ Ａ１９４（＃−リン社ＷＩＪ）に換え
た他の試験をおこなったが、ト記結果と同様の結果が得
られた。
コールジエステル中桐斗村１２に鵬も１名ＮＫエステル
ＩＧ）（ｂ成分：Ｗ！Ｍヒベンゾイル ＊＊−・−友η℃ ＊＊＊−・−栃℃美％囲の雰囲気下に１６８關卯勧幻婬
したときＣ利関昭剰串部なお、ト記第１表の試験では被
着体として４２７０イを用いたが、全実施例及び比較例
について銅相トしテ＋Ｊ ンｆｆｍ１（ＪＩｓ ｃ５１
９１） 、ＣＤ Ａ１９４（＃−リン社ＷＩＪ）に換え
た他の試験をおこなったが、ト記結果と同様の結果が得
られた。
第１図はこの発明の一実施例に係る半導体装置で使用す
るリードフレーム固定用接着フィルムの断面図、第２図
は接着フィルムを用いてリードフレームのインナーリー
ドを接着固定してなる半導体装置の樹脂制止前の一実施
例の平面説明図である。 （１）−・・−接着フィルム （２）−・・−ポリイミ
ド系フィルム（３）−・−融着剤 （ｆｉｌ−イ
ンナーリード第１図 第２図 ム
るリードフレーム固定用接着フィルムの断面図、第２図
は接着フィルムを用いてリードフレームのインナーリー
ドを接着固定してなる半導体装置の樹脂制止前の一実施
例の平面説明図である。 （１）−・・−接着フィルム （２）−・・−ポリイミ
ド系フィルム（３）−・−融着剤 （ｆｉｌ−イ
ンナーリード第１図 第２図 ム
Claims (3)
- （１）多ピンリードフレームのインナーリードを融点が
２００〜３２０℃のフッ素系ポリマーを融着剤としたポ
リイミド系接着フィルムで接着固定して樹脂封止してな
ることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記フッ素系ポリマーがパーフルオロアルケンの
ホモポリマーまたはコポリマーからなる特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 - （３）前記フッ素系ポリマーがパーフルオロビニルエス
テルのホモポリマーまたはコポリマーからなる特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276263A JPS61154151A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59276263A JPS61154151A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61154151A true JPS61154151A (ja) | 1986-07-12 |
Family
ID=17566994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59276263A Pending JPS61154151A (ja) | 1984-12-27 | 1984-12-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61154151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5117272A (en) * | 1989-04-19 | 1992-05-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Having a protective film of a polymer having a fluorine-containing aliphatic cyclic structure |
| US5176366A (en) * | 1989-10-20 | 1993-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Resin-encapsulated semiconductor device package with nonconductive tape embedded between outer lead portions |
| US5969412A (en) * | 1997-04-09 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Tape-fixed leadframe |
| JP2002110884A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
| US6531760B1 (en) * | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
-
1984
- 1984-12-27 JP JP59276263A patent/JPS61154151A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531760B1 (en) * | 1988-09-20 | 2003-03-11 | Gen Murakami | Semiconductor device |
| US6720208B2 (en) | 1988-09-20 | 2004-04-13 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device |
| US6919622B2 (en) | 1988-09-20 | 2005-07-19 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| US5117272A (en) * | 1989-04-19 | 1992-05-26 | Asahi Glass Company Ltd. | Having a protective film of a polymer having a fluorine-containing aliphatic cyclic structure |
| US5176366A (en) * | 1989-10-20 | 1993-01-05 | Texas Instruments Incorporated | Resin-encapsulated semiconductor device package with nonconductive tape embedded between outer lead portions |
| US5969412A (en) * | 1997-04-09 | 1999-10-19 | Nec Corporation | Tape-fixed leadframe |
| JP2002110884A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Nitto Denko Corp | リードフレーム積層物 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6838170B2 (en) | Adhesive, adhesive member, interconnecting substrate for semiconductor mounting having adhesive member, and semiconductor device containing the same | |
| JP2025031845A (ja) | 電気剥離型粘着シート、接合体、および接合体の分離方法 | |
| US11964462B2 (en) | Electrical debonding adhesive sheet, joined body, and joining and separation method for adherend | |
| JP7556933B2 (ja) | 電気剥離型粘着シート、接合体及び接合体の剥離方法 | |
| JP3617417B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| KR0184612B1 (ko) | 전자 부품용 접착 테이프 | |
| JPH04502341A (ja) | 熱可塑性フルオロポリマー接着剤組成物 | |
| EP2287262A1 (en) | Connecting material | |
| JPS61154151A (ja) | 半導体装置 | |
| CN115667448A (zh) | 电剥离性粘合片及电剥离性粘合片的剥离方法 | |
| KR100418313B1 (ko) | 아민가교성열용융접착제조성물및접착성필름 | |
| JP2000154356A (ja) | 接着部材、接着部材を設けた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000154361A (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JPH11209724A (ja) | 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| US7846547B2 (en) | Insulation-coated conductive particle | |
| JP4556472B2 (ja) | 接着剤、接着部材、接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2000001652A (ja) | 接着テープ | |
| JPH11209723A (ja) | 難燃化接着剤、難燃化接着部材、難燃化接着部材を備えた半導体搭載用配線基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| CN102295895B (zh) | 具有优异的粘合性能和耐热性的热固性双面粘合膜 | |
| JP2003147323A (ja) | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体支持部材、半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09115335A (ja) | 異方性導電接着フィルム | |
| JPH02288019A (ja) | 異方性導電フィルム | |
| JP2002121525A (ja) | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置 | |
| JP4994653B2 (ja) | 異方導電性接着シート | |
| JPH01249876A (ja) | ポリイミド絶縁テープ |