JPS6115580B2 - - Google Patents

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JPS6115580B2
JPS6115580B2 JP53045754A JP4575478A JPS6115580B2 JP S6115580 B2 JPS6115580 B2 JP S6115580B2 JP 53045754 A JP53045754 A JP 53045754A JP 4575478 A JP4575478 A JP 4575478A JP S6115580 B2 JPS6115580 B2 JP S6115580B2
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JP
Japan
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resin
metal film
film
bonding
bonded
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JP53045754A
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English (en)
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JPS54137971A (en
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Kenji Myajima
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は樹脂フイルムと金属フイルムとの積層
体を半導体素子の支持基板として用いた樹脂封止
形半導体装置の改良に関する。
半導体装置は、薄くて小型のものが種々の用途
に望まれているが、そのような要請に応えるもの
として、半導体素子の支持基板を、厚みが薄くか
つ微細加工の可能な樹脂フイルムと金属フイルム
との積層体により構成したものがある。
この種の半導体装置は支持基板が薄くかつ柔軟
性に富み、そして支持基板の主体を構成する樹脂
フイルムは他の絶縁材料に比較して安価であるた
め、特に発光素子表示装置や時計用大規模集積回
路装置として好ましく用いられる。上記樹脂フイ
ルムの樹脂としては一般にエポキシ、フエノー
ル、ポリアミド等が用いられるが、しかしこれら
の樹脂は耐熱性が低く、例えばエポキシで100
℃、フエノールで80℃、ポリアミドで200℃程度
で著しく軟化することが知られている。このよう
な樹脂フイルムの軟化は半導体装置の製造の一工
程であるワイヤボンデイング時に下記の如き不都
合を生ずる。即ち第１図ａに示すように金属フイ
ルム１、例えば表面が金又は銀メツキされた銅フ
イルムを樹脂フイルム２上に積層して成る支持基
板３を用意し、金属フイルム１にボンデイングワ
イヤ４を接合する場合、基板３をヒーター（図示
せず）上に載置して100℃〜300℃に加熱しながら
矢印で示すように上方からボンデイング工具の先
端であるキヤピラリイ５を下降させる。次の工程
において第１図ｂに示すように樹脂フイルム２は
上記温度において軟化しているため、樹脂フイル
ムはキヤピラリイ５の押圧力によつて大きくへこ
み、その過程において上記押圧力は樹脂フイルム
２でかなり吸収されてしまうため、ボンデイング
ワイヤ４と金属フイルム１との間の接合力が不足
し、ボンデイングミスが発生しやすくなり、これ
を防ぐためにはボンデイング時間を多く必要とす
る。
本発明はボンデイングミスの発生を防止し、確
実なワイヤボンデイングを短時間に実施可能な構
造の樹脂封止形半導体装置の提供を目的とする。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。
第２図において１１は選択的な除去によつて所
定のパターンに形成された厚さ20〜30μのポリア
ミド樹脂フイルムを示し、このフイルム１１上に
は同じく選択的な除去によつて所定のパターンに
形成された金属フイルム１２が圧着されており、
これら両者の積層体は支持基板１３を構成する。
金属フイルム１２は好ましくは金又は銀メツキさ
れた銅フイルムから成り、例えば金又は銀メツキ
の厚さは0.5〜3.0μ、銅フイルムの厚さは20〜30
μｍである。上記基板の形成は、プレスで所定形
状に打抜かれた樹脂フイルム１１を用意し、この
上に銅フイルム１２を圧着した後、この銅フイル
ム１２を所定パターンにエツチング除去し、つい
でこの銅フイルムを金又は銀メツキすることによ
り実施されてもよいし、又は樹脂フイルム１１に
金属フイルム１２を圧着した後に、両者をそれぞ
れ選択的にエツチング除去し、ついで銅フイルム
を金又は銀メツキすることにより実施されてもよ
い。このようにして形成された支持基板１３は半
導体素子の組立工程へ送られて、金属フイルム１
２上に接着剤１４を用いて半導体素子１５がマウ
ントされる。次にワイヤボンデイング工程、即ち
金属フイルム１２の上記選択的除去により形成さ
れた金属配線に相当する被ボンデイング部分１６
と半導体素子１５表面とをボンデイングワイヤ１
７の金線で接続する工程が実施される。この際、
支持基板は300〜340℃に加熱されるが、本発明に
おいては下記の理由により上述のような従来の欠
点は発生しない。即ち、図面に示すように金属フ
イルム１２の被ボンデイング部分１６の下側に
は、樹脂フイルム１１の上記選択的除去に基づい
て樹脂フイルム１１が存在しないため、キヤピラ
リイによつてボンデイングワイヤ１７と金属フイ
ルム１２に加えられる押圧力は金属フイルムを図
示しないヒーター上に押圧し、押圧力は直ちに最
大値に達し、そのため従来のように加熱により軟
化した樹脂フイルムによつて押圧力が吸収される
ことは全くない。したがつて確実なボンデイング
が短時間で実施可能となる。
次に半導体素子１５およびその周囲を樹脂１８
で封止して、製品の樹脂封止形半導体装置を得
る。上述の実施例においては樹脂フイルム１１は
金属フイルム１２の下側に接合しているが、第３
図に示すように金属フイルム１２の上側に接合し
てもよく、又は第４図に示すように金属フイルム
１２の上下両側に接合してもよい。もちろん第３
図および第４図に示す半導体装置においても、少
なくとも金属フイルム１２の被ボンデイング部分
１６の下側には樹脂フイルム１１が存在しないよ
うに樹脂フイルムが選択的に除去されており、こ
れにより上述した第２図の半導体装置と同じ効果
が得られる。なお第３図および第４図において第
２図と同一部分は同一符号を用いて示される。
本発明は以上説明したように、樹脂フイルムに
金属フイルムを圧着して成る支持基板に半導体素
子をマウントし、ワイヤボンデイングを実施し、
そして樹脂封止して成る樹脂封止形半導体装置に
おいて、少なくとも上記金属フイルムの被ボンデ
イング部分の下側には樹脂フイルムが存在しない
ことを特徴とする。したがつてワイヤボンデイン
グ工程において、ボンデイング工具のキヤピラリ
イからの押圧力はボンデイングワイヤおよび金属
フイルムの被ボンデイング部分に有効に与えら
れ、短時間に確実なボンデイングが可能となり、
ボンデイングミスを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第１図ａおよびｂは従来の樹脂封止形半導体装
置におけるワイヤボンデイング工程を説明する断
面図、第２図は本発明の樹脂封止形半導体装置の
一実施例の断面図、第３図および第４図それぞれ
は本発明の他の実施例装置の断面図である。 １１……樹脂フイルム、１２……金属フイル
ム、１３……支持基板、１５……半導体素子、１
６……金属フイルムの被ボンデイング部分、１７
……ボンデイングワイヤ、１８……封止樹脂。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 金属フイルムとこれを支持する樹脂フイルム
    との積層体から成る支持基板と、この基板に固定
    された半導体素子と、上記金属フイルムの被ボン
    デイング部分と上記半導体素子とを接続するボン
    デイングワイヤと、上記半導体素子およびその周
    囲を封止する樹脂とを包含する樹脂封止形半導体
    装置において、上記支持基板をヒーター上に載置
    して上記金属フイルムの被ボンデイング部と上記
    ボンデイングワイヤーとのボンデイングを行なう
    に際し、上記金属フイルムの被ボンデイング部に
    おいて、上記金属フイルムとボンデイングワイヤ
    ーとが上記ヒーターとボンデイング装置のキヤピ
    ラリーとによつて直接挾圧されるように、少なく
    とも上記金属フイルムの被ボンデイング部分の下
    側には樹脂フイルムが存在しないことを特徴とす
    る樹脂封止形半導体装置。
JP4575478A 1978-04-18 1978-04-18 Resin-sealed type semiconductor device Granted JPS54137971A (en)

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JP4575478A JPS54137971A (en) 1978-04-18 1978-04-18 Resin-sealed type semiconductor device

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JP4575478A JPS54137971A (en) 1978-04-18 1978-04-18 Resin-sealed type semiconductor device

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JPS54137971A JPS54137971A (en) 1979-10-26
JPS6115580B2 true JPS6115580B2 (ja) 1986-04-24

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JPH01110742A (ja) * 1987-10-23 1989-04-27 Ibiden Co Ltd 電子部品搭載用両面フィルムキャリア
JPH01183837A (ja) * 1988-01-18 1989-07-21 Texas Instr Japan Ltd 半導体装置
JP2794212B2 (ja) * 1989-12-11 1998-09-03 イビデン株式会社 電子部品搭載用基板

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JPS54137971A (en) 1979-10-26

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