JPS61161712A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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Publication number
JPS61161712A
JPS61161712A JP60002928A JP292885A JPS61161712A JP S61161712 A JPS61161712 A JP S61161712A JP 60002928 A JP60002928 A JP 60002928A JP 292885 A JP292885 A JP 292885A JP S61161712 A JPS61161712 A JP S61161712A
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JP
Japan
Prior art keywords
heating furnace
reaction tube
reaction pipe
semiconductor manufacturing
rotated
Prior art date
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Granted
Application number
JP60002928A
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English (en)
Other versions
JPH0311088B2 (ja
Inventor
Isao Hishikari
功 菱刈
Yasushi Sakaino
境野 靖
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chino Corp
Original Assignee
Chino Works Ltd
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Publication date
Application filed by Chino Works Ltd filed Critical Chino Works Ltd
Priority to JP60002928A priority Critical patent/JPS61161712A/ja
Publication of JPS61161712A publication Critical patent/JPS61161712A/ja
Publication of JPH0311088B2 publication Critical patent/JPH0311088B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P32/00Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野J この発明は、半導体を製造する装置の改良に関するもの
である。
し従来の技術] 半導体製造装置として、たとえば、縦形炉に材料を入れ
た反応管を吊り下げ、回転させつつ反応管内に半導体を
合成製造するものがある。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、反応管を炉内に挿入する際、炉芯管にあ
たったり、取り付けの際、吊り下げワイヤから炉芯管が
落下したりする事故が生じやすい問題点があった。
この発明の目的は、以上の点に鑑み、操作の容易化、安
全性の向上等を図った半導体製造i置を提供することで
ある。
E問題点を解決するための手段] この発明は、半導体を製造するための加熱炉と、この加
熱炉に反応管を挿入する前に反応管の振れ状態を確認す
るため反応管を案内保持する保¥1装置とを備えるよう
にした半導体製造装置である。
[実施例] 第1図は、この発明の一実施例を示す正面説明図、第2
図は、一部所面側面説明図である。
図において、1は、加熱炉、2は、昇降装置である。加
熱炉1は、適当な箱体11内に、炉芯管12を上下方向
に設け、その周囲に加熱ヒータ13、底部に断熱材14
を設け、また、炉芯管12の上方の開口15から反応管
3が吊り下げ挿入され、炉芯管12内は図示しない制御
手段により所定の温度とされる。昇降装置2は、反応管
3を吊り下げるワイヤ等よりなる吊り下げ具4を支持装
置21に支持させ、駆動軸210を自動または手動ハン
ドル211で駆動して支持装置21を上下に昇降させる
とともに、適当な回転手段により吊り下げ具4を介して
反応管3を回転させる構成となっている。
また、昇降装置2には、上下方向に2本の指示軸51.
52、この指示軸51.52を上下にスライドするスラ
イド板53.54、下部に反応管3の落下防止板55等
よりなる保持装置が設けられている。
スライド板53.54は、第3図で示すように、反応!
!3が上下に十分挿通できる開口530,540、吊り
下げ具4のワイヤ等が水平方向に挿通できるスリット5
31.532が形成されている。
なお、第4図で示すように、ガイド板53.54の代わ
りに、指示軸50を中心に水平方向に回転可能な保持ア
ーム56の把持部560に反応管3を挟持して炉芯管1
2の開口15上に位置させるようにしてもよい。この把
持部560は、固定アーム561、回動アーム562を
有し、回動アーム562は軸563を中心にクリック5
64により、開、閉、および図示のように保持管3の確
定位置に一時保持される。なお、底部には、軸563を
中心に回動する底板565が設けられ、落下防止を図っ
ている。また、2個の固定アーム561の中間に1個の
回動アーム562を設けるようにしてもよい。
また、落下防止板55は、たとえば、第5図で示すよう
に、反応管3が上下に挿通できる開口を有する下板55
1と、水平方向にスライドする反応管3の底部を位置決
めする穴を有する上板552よりなるものである。なお
、第6図で示すように、上板として左右に開く開閉板5
53.554を用てもよい。
第7図は、反応管3と吊り下げ具4との接続構成を示し
、反応管3のアーム30に、1本のワイヤ40を2つ折
りにした折り曲げ部をかけ、円悠上の第1のガイド板4
1の中心孔410に挿通する。この第1のガイド板41
の中央円柱部411には、反応管3の内径部と接する比
較的やわらかい材質の第2のガイド板42が挿通され、
止具43により扱は止めされている。円柱部411とガ
イド板42、止具43と接する部分はネジ山とするとよ
い。このように、反応管3の心出しを行い反応管3の回
転振れを少くしている。
さらにワイヤ40は、案内管44に案内され、第8図で
示すように、その上部は、案内W44の上部のネジ部4
41の上下方向に2箇所形成された切溝に引き込まれ、
その外部を固定具45でネジ込んでワイヤ+0は固定さ
れる。固定具45は、さらに、ストップボール46、バ
ネ47、リング48を含むチャック部49により支持さ
れるようになっている。
つまり、反応管3を、加熱炉1に挿入する前に、吊り下
げ具4により、第7図、第8図で示すような状態に吊り
下げ、落下防止板55上にその底部をのせ、第3図で示
すガイド板53.54の開口530.540に通す。次
いで、反応管3を少しもち上げ、回転させ、振れ状態を
確認する。そして、落下防止板55の第5図、第6図の
上板552.553.554、をスライド、回転させて
開口をつくり、反応管3を加熱炉1の炉芯管12の所定
位置に降下させる。この反応管3の加熱炉1内の設置位
置として最適位置があり、この位置決めは、スケール2
2および支持装置21、スライド板53.54のインデ
ックス23.24.25により確認することができる。
そして、反応管3を回転させつつ加熱炉1内で徐々に下
降させ、半導体を合成製造し、製造終了後は、反応管3
を上昇させ、取り出すことができる。
[発明の効果1 以上述べたように、この発明は、加熱炉内に反応管を挿
入する前に保持装置にセットして反応管の撮れ状態を確
認して炉内に挿入することができるので、装置の操作の
容易化、安全性の向上が図れ、精度も向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3図、第4図は、第5図、第6図、
第7図、第8図は、この発明の一実施例を示す構成説明
図である。 1・・・加熱炉、 2・・・昇降装置、 3・・・反応
管、4・・・吊り下げ具、 51〜55・・・保持装置
特許出願人  株式会社 千野製作所 キ30 章50 j/     タl f3/     還 を40 517・■    5Z、℃ 竿b0

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体を製造するための加熱炉と、この加熱炉に反
    応管を挿入する前に反応管の振れ状態を確認するため反
    応管を案内保持する保持装置とを備えたことを特徴とす
    る半導体製造装置。 2、前記保持装置として、上下にスライドするスライド
    板または水平方向に移動可能な保持アームを含むものを
    用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半
    導体製造装置。 3、前記保持装置として、反応管の落下防止具を含むも
    のを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項また
    は第2項記載の半導体製造装置。 4、前記保持装置の近くに、反応管の加熱炉内挿入位置
    を知るためのスケールを上下方向に設けたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項から第3項記載の半導体製造
    装置。
JP60002928A 1985-01-11 1985-01-11 半導体製造装置 Granted JPS61161712A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60002928A JPS61161712A (ja) 1985-01-11 1985-01-11 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP60002928A JPS61161712A (ja) 1985-01-11 1985-01-11 半導体製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61161712A true JPS61161712A (ja) 1986-07-22
JPH0311088B2 JPH0311088B2 (ja) 1991-02-15

Family

ID=11543000

Family Applications (1)

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JP60002928A Granted JPS61161712A (ja) 1985-01-11 1985-01-11 半導体製造装置

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JP (1) JPS61161712A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01280312A (ja) * 1987-09-29 1989-11-10 Tel Sagami Ltd 熱処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01280312A (ja) * 1987-09-29 1989-11-10 Tel Sagami Ltd 熱処理装置

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Publication number Publication date
JPH0311088B2 (ja) 1991-02-15

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