JPS61161785A - 半導体レ−ザアレイ装置 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ装置Info
- Publication number
- JPS61161785A JPS61161785A JP60003472A JP347285A JPS61161785A JP S61161785 A JPS61161785 A JP S61161785A JP 60003472 A JP60003472 A JP 60003472A JP 347285 A JP347285 A JP 347285A JP S61161785 A JPS61161785 A JP S61161785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- heat sink
- array
- laser array
- semiconductor
- Prior art date
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- Pending
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報処理応用機器に用いることができる半
導体レーザアレイ装置に関するものである。
導体レーザアレイ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザアレイ装置は、マルチビームによる
高速記録の点でプリンターの光源として、また光ディス
クのピックアップに用いれば、記録・再生・消去の各々
に適したビーム特性を持たせることができる等の利点を
有するため、これら光情報処理応用ＩＮ器の光源として
のニーズは益々増大している。
高速記録の点でプリンターの光源として、また光ディス
クのピックアップに用いれば、記録・再生・消去の各々
に適したビーム特性を持たせることができる等の利点を
有するため、これら光情報処理応用ＩＮ器の光源として
のニーズは益々増大している。
発明が解決しようとする問題点
これらの応用に際しては、集積化したレーザアレイの個
々のレーザの光出力のモニタを行なわなければならない
。甲−のレーザ素子に対しては、従来から行なわれてい
るように、レーザ素子の後方端面からの出射光をホトダ
イオードで受光すればよい。ところが、レーザアレイに
対しては、隣り合うレーザ素子の光を受光しないように
して、受光素子を配置させる工夫が必要となる。しかし
ながら従来は、個々の半導体レーザ素子の光出力を正確
にモニタし、その素子の駆動電流を制御することのでき
る半導体レーザアレイ装置は存在しなかった。
々のレーザの光出力のモニタを行なわなければならない
。甲−のレーザ素子に対しては、従来から行なわれてい
るように、レーザ素子の後方端面からの出射光をホトダ
イオードで受光すればよい。ところが、レーザアレイに
対しては、隣り合うレーザ素子の光を受光しないように
して、受光素子を配置させる工夫が必要となる。しかし
ながら従来は、個々の半導体レーザ素子の光出力を正確
にモニタし、その素子の駆動電流を制御することのでき
る半導体レーザアレイ装置は存在しなかった。
本発明は上記問題点を解消した半導体レーザアレイ装置
を提供することを目的とする。
を提供することを目的とする。
問題を解決するための手段
り記問題を解決するため、本発明の半導体レーザアレイ
Ｂ″Ｆｉは、−導電望の半導体からなるヒートシンクと
、モノリシックに集積された複数の半導体レーザ素子か
ら成り前記ヒートシンク上にマウントされた半導体レー
ザアレイと、前記ヒートシンク上に前記各半導体レーザ
素子の直後に位置するように形成された複数のショット
キーバリア光検出素子とを備えた構成としてものである
。
Ｂ″Ｆｉは、−導電望の半導体からなるヒートシンクと
、モノリシックに集積された複数の半導体レーザ素子か
ら成り前記ヒートシンク上にマウントされた半導体レー
ザアレイと、前記ヒートシンク上に前記各半導体レーザ
素子の直後に位置するように形成された複数のショット
キーバリア光検出素子とを備えた構成としてものである
。
実施例
以下本発明の一実施例を第１図〜第２図に基づいて説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザアレイ装
置のマウント構造を示すものである。第１図において、
１は２個の半導体レーザ素子を横方向に集積したアレイ
である。ｎ型Ｑａ Ａｓヒートシンク２上には、Ｃｒ
／ＩＩ電極３によるショットキーバリアを形成し、エツ
チングで島状の素子とした光検出素子４を、半導体レー
ザ素子の後方端面の直後に作製しである。半導体レーザ
素子は、個々に駆動することができるように、マウント
する部分を分離し、Ｃｒ／ＡＩＪ電極５に金［１１ｗｊ
Ａ６より駆動電流を印加している。Ｏｒ ／ＡＵ電極５
とｎ ’ｊｌＧａ Ａｓヒートシンク２との間は、シミ
ツトキーバリアによる高インピーダンスのため、電気的
に分離される。、７は底面のＡｌｌ ／Ｓｎオーミック
電極８はエツチングで残した領域である。
置のマウント構造を示すものである。第１図において、
１は２個の半導体レーザ素子を横方向に集積したアレイ
である。ｎ型Ｑａ Ａｓヒートシンク２上には、Ｃｒ
／ＩＩ電極３によるショットキーバリアを形成し、エツ
チングで島状の素子とした光検出素子４を、半導体レー
ザ素子の後方端面の直後に作製しである。半導体レーザ
素子は、個々に駆動することができるように、マウント
する部分を分離し、Ｃｒ／ＡＩＪ電極５に金［１１ｗｊ
Ａ６より駆動電流を印加している。Ｏｒ ／ＡＵ電極５
とｎ ’ｊｌＧａ Ａｓヒートシンク２との間は、シミ
ツトキーバリアによる高インピーダンスのため、電気的
に分離される。、７は底面のＡｌｌ ／Ｓｎオーミック
電極８はエツチングで残した領域である。
なおヒートシンク２は、ＧａＡｓあるいはそれを含む結
晶、ＩｎＰあるいはそれを含む結晶などを用いることが
できる。
晶、ＩｎＰあるいはそれを含む結晶などを用いることが
できる。
以上のように構成された半導体レーザアレイ装置につい
て、以下その動作を説明する。まず個々の半導体レーザ
素子の後方端面から出射されるレーザ光は、ショットキ
ーバリア光検出素子４に入射し、モニタ光Ｔｉ流を発生
する。隣り合った半導体レーザ素子からのレーザ光は、
エツチングで残した領域８により阻止される。第２図に
、半導体レーず素子の前方光の先出カー駆０電流特性を
実線へで、また後方光のモニタ電流−駆動電流特性を実
線Ｂで示す。前方光出力に対応したモニタ電流出力が得
られているのがわかる。また、隣りの光検出素子４の出
力を実線Ｃで示した。光の漏洩は無視し冑ることがわか
る。
て、以下その動作を説明する。まず個々の半導体レーザ
素子の後方端面から出射されるレーザ光は、ショットキ
ーバリア光検出素子４に入射し、モニタ光Ｔｉ流を発生
する。隣り合った半導体レーザ素子からのレーザ光は、
エツチングで残した領域８により阻止される。第２図に
、半導体レーず素子の前方光の先出カー駆０電流特性を
実線へで、また後方光のモニタ電流−駆動電流特性を実
線Ｂで示す。前方光出力に対応したモニタ電流出力が得
られているのがわかる。また、隣りの光検出素子４の出
力を実線Ｃで示した。光の漏洩は無視し冑ることがわか
る。
以上のように本実施例によれば、アレイ１をマウントす
るロ！ｆｆ１ｌＧａＡＳヒートシンク２上に、個々の半
導体レーザ素子の直後に光検出素子を設けることにより
、アレイ１を構成する個々の半導体レーザ素子の出力を
正確にモニタすることができる。さらに、アレイ１を構
成しているＧａＡＳと同じ材料のヒートシンク２を用い
ているため、熱膨張係数の違いによるボンディング時の
歪の問題がない。
るロ！ｆｆ１ｌＧａＡＳヒートシンク２上に、個々の半
導体レーザ素子の直後に光検出素子を設けることにより
、アレイ１を構成する個々の半導体レーザ素子の出力を
正確にモニタすることができる。さらに、アレイ１を構
成しているＧａＡＳと同じ材料のヒートシンク２を用い
ているため、熱膨張係数の違いによるボンディング時の
歪の問題がない。
発明の効果
以上述べたごとく本発明によれば、半導体レーザアレイ
をマウントするヒートシンク上にショットキーバリア光
検出素子を設けることにより、半導体レーザアレイの個
々の半導体レーザ素子の出力を正確にモニタすることが
できる。
をマウントするヒートシンク上にショットキーバリア光
検出素子を設けることにより、半導体レーザアレイの個
々の半導体レーザ素子の出力を正確にモニタすることが
できる。
第１図は本発明の実施例における半導体レーザアレイ装
置の斜視図、第２図は同半導体レーザアレイ装置のレー
ザ駆動電流と光出力及びモニタ電流出力との関係の説明
図である。 １・・・アレイ、２・・・ｎ型Ｑａ ＡＳヒートシンク
、４・・・光検出素子 代理人 森 本 義 弘 ｌ−−アＬイ 第２図− トリへ、％Ｉ−ｆをカ電チ飯−
置の斜視図、第２図は同半導体レーザアレイ装置のレー
ザ駆動電流と光出力及びモニタ電流出力との関係の説明
図である。 １・・・アレイ、２・・・ｎ型Ｑａ ＡＳヒートシンク
、４・・・光検出素子 代理人 森 本 義 弘 ｌ−−アＬイ 第２図− トリへ、％Ｉ−ｆをカ電チ飯−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、一導電型の半導体からなるヒートシンクと、モノリ
シックに集積された複数の半導体レーザ素子から成り前
記ヒートシンク上にマウントされた半導体レーザアレイ
と、前記ヒートシンク上に前記各半導体レーザ素子の直
後に位置するように形成された複数のショットキーバリ
ア光検出素子とを備えた半導体レーザアレイ装置。 ２、ヒートシンクを構成する一導電型の半導体としてＧ
ａＡｓを用いた特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザアレイ装置。 ３、ヒートシンクを構成する一導電型の半導体としてＧ
ａＡｓを含む結晶を用いた特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザアレイ装置。 ４、ヒートシンクを構成する一導電型の半導体としてＩ
ｎＰを用いた特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
アレイ装置。 ５、ヒートシンクを構成する一導電型の半導体としてＩ
ｎＰを含む結晶を用いた特許請求の範囲第１項記載の半
導体レーザアレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003472A JPS61161785A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003472A JPS61161785A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61161785A true JPS61161785A (ja) | 1986-07-22 |
Family
ID=11558271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003472A Pending JPS61161785A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61161785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016253A (en) * | 1989-04-12 | 1991-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003472A patent/JPS61161785A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5016253A (en) * | 1989-04-12 | 1991-05-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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