JPS61163681A - マイクロビ−ム形成用のレ−ザ−装置 - Google Patents
マイクロビ−ム形成用のレ−ザ−装置Info
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- JPS61163681A JPS61163681A JP60003630A JP363085A JPS61163681A JP S61163681 A JPS61163681 A JP S61163681A JP 60003630 A JP60003630 A JP 60003630A JP 363085 A JP363085 A JP 363085A JP S61163681 A JPS61163681 A JP S61163681A
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- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 6-oxabicyclo[3.2.1]oct-3-en-7-one Chemical compound C1C2C(=O)OC1C=CC2 TVEXGJYMHHTVKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000309464 bull Species 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2383—Parallel arrangements
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
Landscapes
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- Plasma & Fusion (AREA)
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ピンホールを通過したレーザービームを第１
のレンズによって平行ビームに修正した後、それを第２
のレンズによって絞ることを基本として、極小集光スポ
ットを形成するマイクロビームを得ることを可能とする
のみならず、微細加工等に際し・、集光レンズたる第２
のレンズの先端部と試料との距＃ｌ（以下作動距離とい
う）を大きくとりつつもマイクロビームを得ることを可
能として、ＩＣ等の超微細加工の分野や細胞工学等にお
ける＃Ｉ微細処理（切断、穴あけ等）の分野等において
有効に利用することができる、マイクロビーム形成用の
レーザー装置に関する。
のレンズによって平行ビームに修正した後、それを第２
のレンズによって絞ることを基本として、極小集光スポ
ットを形成するマイクロビームを得ることを可能とする
のみならず、微細加工等に際し・、集光レンズたる第２
のレンズの先端部と試料との距＃ｌ（以下作動距離とい
う）を大きくとりつつもマイクロビームを得ることを可
能として、ＩＣ等の超微細加工の分野や細胞工学等にお
ける＃Ｉ微細処理（切断、穴あけ等）の分野等において
有効に利用することができる、マイクロビーム形成用の
レーザー装置に関する。
（発明の青畳及び従来の技術）
レーザーは非常に広範囲な分野において応用されている
が、集光した際の極めて高いエネルギー密度を利用する
分野も広い、その−例として、ｔＣ等の微小加工を行う
こと、細胞の一部を切断したり細Ｗ！！膜に穴をあける
こと、分光分析の際に試料の微小部分を気化させること
、半導体表面等の微小部分に光化学変化をおこさせるこ
と等の分野における応用が挙げられる。しかしながら、
従来におけるレーザーと−ムの集光は、発振器からのし
−ザービームをそのまま集光レンズによって集光する方
式を採用していた。
が、集光した際の極めて高いエネルギー密度を利用する
分野も広い、その−例として、ｔＣ等の微小加工を行う
こと、細胞の一部を切断したり細Ｗ！！膜に穴をあける
こと、分光分析の際に試料の微小部分を気化させること
、半導体表面等の微小部分に光化学変化をおこさせるこ
と等の分野における応用が挙げられる。しかしながら、
従来におけるレーザーと−ムの集光は、発振器からのし
−ザービームをそのまま集光レンズによって集光する方
式を採用していた。
（発明が解決しようとする問題点）
そのため、とりわけパルス発振のレーザーにおいては、
進行方向が僅かに異なる幾つかのモードで発振が起こる
ため、レーザービームはある拡がり角度をもって発振器
から出ることとなり、従って従来の集光方式においては
、集光スポットの最小部の長さが５μ以下というマイク
ロビームを得ることには困難を伴い、とりわけ操作に支
障を来たさない充分大きな作動距離を確保しつつ前記し
たマイクロビームを得ることは事実上不可能であった。
進行方向が僅かに異なる幾つかのモードで発振が起こる
ため、レーザービームはある拡がり角度をもって発振器
から出ることとなり、従って従来の集光方式においては
、集光スポットの最小部の長さが５μ以下というマイク
ロビームを得ることには困難を伴い、とりわけ操作に支
障を来たさない充分大きな作動距離を確保しつつ前記し
たマイクロビームを得ることは事実上不可能であった。
ちなみに、従来１μ近くの集光スポットを得るためには
、焦点距離の短い１００倍程度の集光レンズを用いなけ
ればならず、そのための作動距離は０．２軸以下という
極めて小さいものであった。
、焦点距離の短い１００倍程度の集光レンズを用いなけ
ればならず、そのための作動距離は０．２軸以下という
極めて小さいものであった。
本発明は、かかる問題点に鑑み、パルス発振のレーザー
においても種牛集光スポットを十分な作動距離を確保し
つつ得ることを主たる目的として開発されたものである
。
においても種牛集光スポットを十分な作動距離を確保し
つつ得ることを主たる目的として開発されたものである
。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るマイクロビーム形成用のレーザー装置（以
下装置という） １は、発振器２の前方に、該発振器２
から出たレーザービームを通過させうるピンホール１２
が穿設された遮蔽板４を配置し、該遮蔽板４の前方には
ピンホール１２を出たレーザービームを平行ビームに修
正する第１のレンズ５を配置し、該第１のレンズ５の前
方には前記平行光を集光する第２のレンズ７を配置し、
第１のレンズ５の焦点路＃ｆ１及び第２のレンズ７の焦
点路１１［ｆ２は、最小部の長さが５μ以下である集光
スポット９が得られるよう、ｆｌ＞ｆ２の関係を満足す
るように設定したことを特徴とする。
下装置という） １は、発振器２の前方に、該発振器２
から出たレーザービームを通過させうるピンホール１２
が穿設された遮蔽板４を配置し、該遮蔽板４の前方には
ピンホール１２を出たレーザービームを平行ビームに修
正する第１のレンズ５を配置し、該第１のレンズ５の前
方には前記平行光を集光する第２のレンズ７を配置し、
第１のレンズ５の焦点路＃ｆ１及び第２のレンズ７の焦
点路１１［ｆ２は、最小部の長さが５μ以下である集光
スポット９が得られるよう、ｆｌ＞ｆ２の関係を満足す
るように設定したことを特徴とする。
なお前記ピンホール１２は、円形状、矩形状等として形
成され、該ピンホール１２の像がｆ２／ｒ１だけ縮小さ
れて集光スポット９となる。ここに集光スポット９の最
小部の長さとは、例えばそれが円形状（楕円形状を含む
）であるばあいにはその最小径を、又それが矩形（正方
形を含む）状であるばあいには短辺長さを措す、なお、
ピンホール１２によって出力が低下した結果、装置１の
ｆＩＩ用目的に応し、集光スポット９部において所要の
エネルギー密度が得られないばあいには、第１のレンズ
５と第２のレンズ７との間に、一台あるいは複数台の増
幅器６が配設される。
成され、該ピンホール１２の像がｆ２／ｒ１だけ縮小さ
れて集光スポット９となる。ここに集光スポット９の最
小部の長さとは、例えばそれが円形状（楕円形状を含む
）であるばあいにはその最小径を、又それが矩形（正方
形を含む）状であるばあいには短辺長さを措す、なお、
ピンホール１２によって出力が低下した結果、装置１の
ｆＩＩ用目的に応し、集光スポット９部において所要の
エネルギー密度が得られないばあいには、第１のレンズ
５と第２のレンズ７との間に、一台あるいは複数台の増
幅器６が配設される。
なお、ピンホール１２によって出力が低下した結果、装
置ＩのＩＩＩ用目的に応し、集光スポット９部において
所要のエネルギー密度が得られないばあいには、第１の
レンズ５と第２のレンズ７との間に、一台あるいは複数
台の増幅器６が配設される。
置ＩのＩＩＩ用目的に応し、集光スポット９部において
所要のエネルギー密度が得られないばあいには、第１の
レンズ５と第２のレンズ７との間に、一台あるいは複数
台の増幅器６が配設される。
（作用）
然して、発振器２から出たレーザービームのうちピンオ
ール１２を遭遇したもののみが第１のレンズ５によって
平行ビームに修正され、該平行ビームが第２のレンズ７
によって集光され、ピンホール１２の像がｒ２＃１だけ
縮小され、集光スポット９の最小部の長さが５μ以下で
あるマイクロビームｌＯが形成されることとなる。しか
も第１のレンズ５の焦点距離を大きくすることによって
、十分な作動距離を確保しつつマイクロビームｌＯを形
成することが可能となる。
ール１２を遭遇したもののみが第１のレンズ５によって
平行ビームに修正され、該平行ビームが第２のレンズ７
によって集光され、ピンホール１２の像がｒ２＃１だけ
縮小され、集光スポット９の最小部の長さが５μ以下で
あるマイクロビームｌＯが形成されることとなる。しか
も第１のレンズ５の焦点距離を大きくすることによって
、十分な作動距離を確保しつつマイクロビームｌＯを形
成することが可能となる。
（実施例）
以下本発明に係る装置の実施例を、該装置が微細加工装
置あるいは細胞メスとして応用されたばあいを例にとり
、図面に基づいて説明する。
置あるいは細胞メスとして応用されたばあいを例にとり
、図面に基づいて説明する。
第１図において本発明の装置１は、発振器２の前方に集
光レンズ３、遮蔽板４、第１のレンズ５、増幅器６、第
２のレンズ７を順に配置し、最小部の長さが５μ以下で
ある集光スポット９を形成するマイクロビーム１０を得
るとともに、該集光スポット９部のエネルギー密度がＩ
Ｊ／−以上となるようにしたものであり、これを具体的
に説明すれば次のごとくである。即ち本発明の装置ｌは
、例えばパルスレーザ−発振器として構成された発振器
２の前方に、レーザービームを集光させるための集光レ
ンズ３、及び該集光部分１１を通過させうるピンホール
１２が穿設された遮蔽板４を具える。なお該ピンホール
１２は、直径約１０μの円形ピンホールとして形成され
ている。又ピンホール１２部分におけるレーザービーム
の強度は、ピンホールの破頃を防止するため、ｌ Ｏ’
Ｗ／ｃｄを越えないようにする。
光レンズ３、遮蔽板４、第１のレンズ５、増幅器６、第
２のレンズ７を順に配置し、最小部の長さが５μ以下で
ある集光スポット９を形成するマイクロビーム１０を得
るとともに、該集光スポット９部のエネルギー密度がＩ
Ｊ／−以上となるようにしたものであり、これを具体的
に説明すれば次のごとくである。即ち本発明の装置ｌは
、例えばパルスレーザ−発振器として構成された発振器
２の前方に、レーザービームを集光させるための集光レ
ンズ３、及び該集光部分１１を通過させうるピンホール
１２が穿設された遮蔽板４を具える。なお該ピンホール
１２は、直径約１０μの円形ピンホールとして形成され
ている。又ピンホール１２部分におけるレーザービーム
の強度は、ピンホールの破頃を防止するため、ｌ Ｏ’
Ｗ／ｃｄを越えないようにする。
又前記遮蔽板４の前方には、ピンホール１２を通過した
レーザービームを平行光に修正する第１のレンズ５が、
又その前方には増幅器６が、さらにその前方には前記平
行光を集光する第２のレンズ７が配置されており、該第
１のレンズ５の焦点距離は２００鰭に、第２のレンズの
焦点距離は２０ｆｌに夫々設定されている。
レーザービームを平行光に修正する第１のレンズ５が、
又その前方には増幅器６が、さらにその前方には前記平
行光を集光する第２のレンズ７が配置されており、該第
１のレンズ５の焦点距離は２００鰭に、第２のレンズの
焦点距離は２０ｆｌに夫々設定されている。
然して、発振器２から出たレーザー−ムのうちピンホー
ル１２を遭遇したもののみが第１のレンズ５によって平
行光に修正され、該平行光が第２のレンズ７により集光
されてマイクロビーム１０が形成されることとなる。そ
して形成される集光スポット９の径は、ピンホール１２
の径をｄｌ、集光スポット９の径をｄ２とすれば、ｄ２
＝ｄｌ・ｆ２／４１の関係式が成立することから、これ
にｄｌ−１０ｕ、ｆ １＝２００ｗ、ｆ２−２０ｍを代
入すると、集光スポット９の径ｄ２は１μとなり、その
ときの作動距離は約１０ｓ＋ｍというかなり大きなもの
である。又集光スポット９部分のエネルギー密度は、ピ
ンホール１２を出たレーザービームの出力が増幅器６に
よって増幅され、微細加工等に支障を生じない程度（Ｉ
Ｊ／ｃｊ以上）のものとなっている。
ル１２を遭遇したもののみが第１のレンズ５によって平
行光に修正され、該平行光が第２のレンズ７により集光
されてマイクロビーム１０が形成されることとなる。そ
して形成される集光スポット９の径は、ピンホール１２
の径をｄｌ、集光スポット９の径をｄ２とすれば、ｄ２
＝ｄｌ・ｆ２／４１の関係式が成立することから、これ
にｄｌ−１０ｕ、ｆ １＝２００ｗ、ｆ２−２０ｍを代
入すると、集光スポット９の径ｄ２は１μとなり、その
ときの作動距離は約１０ｓ＋ｍというかなり大きなもの
である。又集光スポット９部分のエネルギー密度は、ピ
ンホール１２を出たレーザービームの出力が増幅器６に
よって増幅され、微細加工等に支障を生じない程度（Ｉ
Ｊ／ｃｊ以上）のものとなっている。
第２〜３図は本発明の装置を応用して構成された微細加
工装置、あるいはレーザーメスの加工部（処理部）及び
観察部の一例を示す説明図であり、第２図は、第２のレ
ンズ７と観察用レンズ１３とを別個独立体として構成し
たばあいを示し、第３図は、第２のレンズ７と観察用レ
ンズ１３とを兼用したばあいを示す、なお第２〜３図に
おいて１５は試料である。
工装置、あるいはレーザーメスの加工部（処理部）及び
観察部の一例を示す説明図であり、第２図は、第２のレ
ンズ７と観察用レンズ１３とを別個独立体として構成し
たばあいを示し、第３図は、第２のレンズ７と観察用レ
ンズ１３とを兼用したばあいを示す、なお第２〜３図に
おいて１５は試料である。
なお第２〜３図に示すばあい、あるいはそれに１１位し
たばあいにおいて、本発明に係る装置！を例えば紫外レ
ーザー等の不可視レーザーを用いて構成するときには、
例えば第１図において一点鎖線で示すごとく、集光スポ
ット９を着色してその位置を明瞭とするためにマーカー
装置１７を併設することが便利である。該マーカー装置
１７は、例えばヘリウムネオンレーザ−等の連続発振で
ありかつ可視のレーザーあるいは白色光源からなる光ａ
ｌ１１９の前方に調整レンズ２０を配置し、光源１９か
らのビームが該調整レンズ２０を透過した後、増幅器６
と第２のレンズ７との間に斜めに配設されている半透ｍ
２１に、第２のレンズ７への入射レーザービームと光軸
が一致するごとく大斜させ、調整レンズ２０を微調整す
ることによって光源１９の集光スポットを前記集光スポ
ット９と一敗させ、集光スポット９を着色してその位置
を明瞭ならしめうるように構成されている。なお、調整
レンズ２０を微調整する必要がある理由は、第２のレン
ズ７の焦点距離が、透過する光の波長によって異なった
ものとなるため、それを補正して、光源１９の集光スポ
ットと集光スポット１９とを一敗させるためである。な
お又本発明の装置において、ピンホール１２は円形状、
矩形状等として形成され、その最小部の長さは、好まし
くは２〜ｌＯＯμの範囲において設定される。ここにピ
ンホール１２の最小部の長さとは、例えばそれが円形状
（楕円形状を含む）であるばあいにはその最小径を、又
それが矩形（正方形を含む）状であるばあいには短辺長
さを指す、該最小部の長さが２μよりも小さいとピンホ
ール１２を出たレーザービームの強度が不足することと
なるからであり、又１００＃よりも大きくする。ことは
、レーザービームをピンホールに通過させてマイクロビ
ームを得んとする本発明の目的に沿わなくなるからであ
る （発明の効果） ■ 本発明に係る装置は、ピンホールを通過したレーザ
ービームを第１のレンズによって平行ビームに修正した
後、それを第２のレンズによって絞ることを基本構成と
する結果、１μ以下の極小集光スポットを形成するマイ
クロビームを得ることを可能とするのみならず、作動距
１１１１（集光レンズたる第２のレンズの先端部と試料
との距離）を大きくとりつつも前記マイクロビームを得
ることを可能とする。そしてこのように形成されたマイ
クロビームは、Ｉｃ等の超微細加工の分野や細胞工学に
おける超微細処理（切断、穴あけ等）の分野、試料の極
微小部分を気化させる分光分析の分野、半導体表面等の
極微小部分に光化学変化を起こさせる電子工学の分野等
、光による超微細処理を必要とする分野等において有効
に利用することができる。
たばあいにおいて、本発明に係る装置！を例えば紫外レ
ーザー等の不可視レーザーを用いて構成するときには、
例えば第１図において一点鎖線で示すごとく、集光スポ
ット９を着色してその位置を明瞭とするためにマーカー
装置１７を併設することが便利である。該マーカー装置
１７は、例えばヘリウムネオンレーザ−等の連続発振で
ありかつ可視のレーザーあるいは白色光源からなる光ａ
ｌ１１９の前方に調整レンズ２０を配置し、光源１９か
らのビームが該調整レンズ２０を透過した後、増幅器６
と第２のレンズ７との間に斜めに配設されている半透ｍ
２１に、第２のレンズ７への入射レーザービームと光軸
が一致するごとく大斜させ、調整レンズ２０を微調整す
ることによって光源１９の集光スポットを前記集光スポ
ット９と一敗させ、集光スポット９を着色してその位置
を明瞭ならしめうるように構成されている。なお、調整
レンズ２０を微調整する必要がある理由は、第２のレン
ズ７の焦点距離が、透過する光の波長によって異なった
ものとなるため、それを補正して、光源１９の集光スポ
ットと集光スポット１９とを一敗させるためである。な
お又本発明の装置において、ピンホール１２は円形状、
矩形状等として形成され、その最小部の長さは、好まし
くは２〜ｌＯＯμの範囲において設定される。ここにピ
ンホール１２の最小部の長さとは、例えばそれが円形状
（楕円形状を含む）であるばあいにはその最小径を、又
それが矩形（正方形を含む）状であるばあいには短辺長
さを指す、該最小部の長さが２μよりも小さいとピンホ
ール１２を出たレーザービームの強度が不足することと
なるからであり、又１００＃よりも大きくする。ことは
、レーザービームをピンホールに通過させてマイクロビ
ームを得んとする本発明の目的に沿わなくなるからであ
る （発明の効果） ■ 本発明に係る装置は、ピンホールを通過したレーザ
ービームを第１のレンズによって平行ビームに修正した
後、それを第２のレンズによって絞ることを基本構成と
する結果、１μ以下の極小集光スポットを形成するマイ
クロビームを得ることを可能とするのみならず、作動距
１１１１（集光レンズたる第２のレンズの先端部と試料
との距離）を大きくとりつつも前記マイクロビームを得
ることを可能とする。そしてこのように形成されたマイ
クロビームは、Ｉｃ等の超微細加工の分野や細胞工学に
おける超微細処理（切断、穴あけ等）の分野、試料の極
微小部分を気化させる分光分析の分野、半導体表面等の
極微小部分に光化学変化を起こさせる電子工学の分野等
、光による超微細処理を必要とする分野等において有効
に利用することができる。
なお本発明の装置は連続発振レーザーを用いて構成する
こともできるのであるが、上記構成とした結果、指向性
の悪いパルス発振レーザーにおいてさえ、上述した諸効
果を発揮させうる点に大きな特徴がある。
こともできるのであるが、上記構成とした結果、指向性
の悪いパルス発振レーザーにおいてさえ、上述した諸効
果を発揮させうる点に大きな特徴がある。
■ なお実施例において示したごとく、発振器と第１の
レンズとの間に集光レンズを介在させるばあいには、発
ｉ器から出たレーザービームのうち、出力の大きい部分
のみを効率よくピンホールに入射させることができる。
レンズとの間に集光レンズを介在させるばあいには、発
ｉ器から出たレーザービームのうち、出力の大きい部分
のみを効率よくピンホールに入射させることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２〜３図は
マイクロビームの照射部とその観察部とを示す説明図で
ある。 ｌ・・・装置、２・・・発振器、４・・・遮蔽板、５・
・・第１のレンズ、７・・・第２のレンズ、９・・・集
光スポット、１Ｇ・・・マイクロビーム、１２・・・ピ
ンホール。
マイクロビームの照射部とその観察部とを示す説明図で
ある。 ｌ・・・装置、２・・・発振器、４・・・遮蔽板、５・
・・第１のレンズ、７・・・第２のレンズ、９・・・集
光スポット、１Ｇ・・・マイクロビーム、１２・・・ピ
ンホール。
Claims (1)
- 発振器２の前方に、該発振器２から出たレーザービーム
を通過させうるピンホール１２が穿設された遮蔽板４を
配置し、該遮蔽板４の前方にはピンホール１２を出たレ
ーザービームを平行ビームに修正する第１のレンズ５を
配置し、該第１のレンズ５の前方には前記平行光を集光
する第２のレンズ７を配置し、第１のレンズ５の焦点距
離ｆ１及び第２のレンズ７の焦点距離ｆ２は、最小部の
長さが５μ以下である集光スポット９が得られるよう、
ｆ１＞ｆ２の関係を満足するように設定したことを特徴
とするマイクロビーム形成用のレーザー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003630A JPS61163681A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | マイクロビ−ム形成用のレ−ザ−装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003630A JPS61163681A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | マイクロビ−ム形成用のレ−ザ−装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163681A true JPS61163681A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11562811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003630A Pending JPS61163681A (ja) | 1985-01-12 | 1985-01-12 | マイクロビ−ム形成用のレ−ザ−装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61163681A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62502228A (ja) * | 1985-05-22 | 1987-08-27 | ヒュ−ズ・エアクラフト・カンパニ− | エネルギ−・スケイラブル・レ−ザ増幅器 |
| US4945239A (en) * | 1989-03-29 | 1990-07-31 | Center For Innovative Technology | Early detection of breast cancer using transillumination |
| FR2666939A1 (fr) * | 1990-09-19 | 1992-03-20 | Hitachi Ltd | Oscillateur laser et dispositif pour fabriquer un semiconducteur, utilisant ledit oscillateur. |
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