JPS61163688A - 半導体レ−ザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザおよびその製造方法Info
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- JPS61163688A JPS61163688A JP388485A JP388485A JPS61163688A JP S61163688 A JPS61163688 A JP S61163688A JP 388485 A JP388485 A JP 388485A JP 388485 A JP388485 A JP 388485A JP S61163688 A JPS61163688 A JP S61163688A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、２回のＭＢＥ成長工程を必要とするＡｌＧ
ａＡｓ系ダブルへテロ接合構造の半導体レーザおよびそ
の製造方法に関する６ （ロ）従来技術 ２回のＭＢＥ成長工程を必要とする構造の半導体レーザ
を製造する方法を以下説明すると共にその問題点を指摘
する。
ａＡｓ系ダブルへテロ接合構造の半導体レーザおよびそ
の製造方法に関する６ （ロ）従来技術 ２回のＭＢＥ成長工程を必要とする構造の半導体レーザ
を製造する方法を以下説明すると共にその問題点を指摘
する。
まず、１回目のＭＢＥ成長工程で第１成長層を基板の表
面に積層した後、ＭＢＥ装置から基板を取り出し、エツ
チング工程にて第１上部クラッド層まで達するストライ
プ溝を形成する。このエツチング工程を行ったことに伴
い、前記エツチングした部分に酸化物等の不純物が直接
付着するから、この不純物を所定の方法にて蒸発させる
。しかる後、２回目のＭＢＥ成長工程で第２成長層を積
層させる。
面に積層した後、ＭＢＥ装置から基板を取り出し、エツ
チング工程にて第１上部クラッド層まで達するストライ
プ溝を形成する。このエツチング工程を行ったことに伴
い、前記エツチングした部分に酸化物等の不純物が直接
付着するから、この不純物を所定の方法にて蒸発させる
。しかる後、２回目のＭＢＥ成長工程で第２成長層を積
層させる。
しかして、前記不純物を蒸発させる工程において、第１
上部クラッド層のＡ１組成が０．４以上の場合、前記不
純物は蒸発されにくくなる。そのため第２成長層の積層
状態が劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問
題を生じる。−力筒１上部クラッド層のＡ１組成を０．
４以下にすれば、第２成長層の積層状態は良好となる反
面、光閉じ込め効率が低下するという問題を生じる。
上部クラッド層のＡ１組成が０．４以上の場合、前記不
純物は蒸発されにくくなる。そのため第２成長層の積層
状態が劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問
題を生じる。−力筒１上部クラッド層のＡ１組成を０．
４以下にすれば、第２成長層の積層状態は良好となる反
面、光閉じ込め効率が低下するという問題を生じる。
（ハ）目的
第１の発明は、電気的性質および光学的性質を向上せし
める半導体レーザを提供することを目的としている。
める半導体レーザを提供することを目的としている。
第２の発明は、上記の如く特性を有する半導体レーザの
形状を一再現性良くしかも容易に製造せしめると共に、
製造歩留りを向上しうる半導体レーザの製造方法を提供
することを目的としている。
形状を一再現性良くしかも容易に製造せしめると共に、
製造歩留りを向上しうる半導体レーザの製造方法を提供
することを目的としている。
（ニ）構成
第１の発明に係る半導体レーザの特徴とする処は、一方
の導電型からなるＧａＡｓ基板の表面に順次積層された
前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓからなる下部クラッ
ド層と、Ａｌ ｘ Ｇａｐ−ｘＡｓからなる活性層と、
前記基板と反対導電型の＾ｌＧａＡｓからなる第１上部
クラッド層と、量子効果により前記活性層と同等又はそ
れ以上のバンドギャップを持っ膜厚に設定され且つ前記
基板と反対導電型のＧａＡｓからなる保護層と、前記基
板と同導電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記基板と同導電型
のＧａＡｓからなる電流制限層とで第１成長層を構成し
、 前記保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向か
って幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝をレーザ
共振器波長に沿って前記第１成長層に形成し、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層の上部に前記
基板と反対導電型の＾ｌＧａＡｓからなる第２上部クラ
ッド層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキ
ャップ層とで構成する第２成長層を積層したことにある
。
の導電型からなるＧａＡｓ基板の表面に順次積層された
前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓからなる下部クラッ
ド層と、Ａｌ ｘ Ｇａｐ−ｘＡｓからなる活性層と、
前記基板と反対導電型の＾ｌＧａＡｓからなる第１上部
クラッド層と、量子効果により前記活性層と同等又はそ
れ以上のバンドギャップを持っ膜厚に設定され且つ前記
基板と反対導電型のＧａＡｓからなる保護層と、前記基
板と同導電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記基板と同導電型
のＧａＡｓからなる電流制限層とで第１成長層を構成し
、 前記保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向か
って幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝をレーザ
共振器波長に沿って前記第１成長層に形成し、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層の上部に前記
基板と反対導電型の＾ｌＧａＡｓからなる第２上部クラ
ッド層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキ
ャップ層とで構成する第２成長層を積層したことにある
。
第２の発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴とする
処は、一方の導電型のＧａＡｓからなる基板の表面に、
前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓ下部クラッド層と、
Ａｌ ｘ Ｇａ１−ｘＡｓからなる活性層と、前記基板
と反対導電型のＡｌＧａＡｓからなる第１上部クラッド
層と、量子効果により前記活性層と同等又はそれ以上の
バンドギャップを持つ膜厚に設定され且つ前記基板と反
対導電型のＧａＡｓからなる保護層と、前記基板と同導
電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記基板と同導電型のＧａＡ
ｓからなる電流制限層とで構成される第１成長層を積層
する第１の成長工程と、・ＧａＡｓ≫ＡｌＧａＡｓなる
エツチングレートを有する溶液でもって前記電流制限層
のみを選択エッチングし、次にＡｌＧａＡｓ＞＞ＧａＡ
ｓなるエツチングレートを有する溶液でもって前記Ａｌ
ＧａＡｓ層のみを選択エツチングすることにより、前記
保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向かって
幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝を形成するエ
ツチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記工・ノ
チング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマ
ルクリーニング工程と、前記サーマルクリーニングされ
た第１成長層の上部に前記基板と反対導電型のＡｌＧａ
Ａｓからなる第２上部クラッド層と、オーミックコンタ
クトを良好にするためのキャップ層とで構成される第２
成長層を積層する第２の成長工程とを具備したことにあ
る。
処は、一方の導電型のＧａＡｓからなる基板の表面に、
前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓ下部クラッド層と、
Ａｌ ｘ Ｇａ１−ｘＡｓからなる活性層と、前記基板
と反対導電型のＡｌＧａＡｓからなる第１上部クラッド
層と、量子効果により前記活性層と同等又はそれ以上の
バンドギャップを持つ膜厚に設定され且つ前記基板と反
対導電型のＧａＡｓからなる保護層と、前記基板と同導
電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記基板と同導電型のＧａＡ
ｓからなる電流制限層とで構成される第１成長層を積層
する第１の成長工程と、・ＧａＡｓ≫ＡｌＧａＡｓなる
エツチングレートを有する溶液でもって前記電流制限層
のみを選択エッチングし、次にＡｌＧａＡｓ＞＞ＧａＡ
ｓなるエツチングレートを有する溶液でもって前記Ａｌ
ＧａＡｓ層のみを選択エツチングすることにより、前記
保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向かって
幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝を形成するエ
ツチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記工・ノ
チング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマ
ルクリーニング工程と、前記サーマルクリーニングされ
た第１成長層の上部に前記基板と反対導電型のＡｌＧａ
Ａｓからなる第２上部クラッド層と、オーミックコンタ
クトを良好にするためのキャップ層とで構成される第２
成長層を積層する第２の成長工程とを具備したことにあ
る。
（ホ）実施例
箪土至〕貝
第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す斜視図である。同図において、■は半導体レーザであ
り、ｌａ、１ｂはファブリペロ−反射面を示している。
す斜視図である。同図において、■は半導体レーザであ
り、ｌａ、１ｂはファブリペロ−反射面を示している。
１０はＮ型ＧａＡｓからなる基板、２１はＮ型ＡｌｘＧ
ａ１−×へ５（Ａｔ組成ｘ ＝０．５５）からなる下部
クラッド層と、２２はＡｌＧａＡｓダブル（ＡＩ組成Ｘ
＝０．１２）からなる活性層と、２３はＰ型へ１ｘＧａ
＋−ｘＡｓ（Ａ１組成ｘ ＝０．５５）からなる第１上
部クラッド層、２４はＰ型ＧａＡｓからなる保護層、２
５はＮ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ （Ａ １組成Ｘ ＝０
．５５）からなるＡｌＧａＡｓ層、２６はＮ型のＧａＡ
ｓからなる電流制限層、４１はＰ型＾ＩｙＧａｌ−ｖＡ
ｓ （Ａ １組成ｙ ＝０．５５）からなる第２上部ク
ラッド層、４２はＰ生型ＧａＡｓからなるキャップ層、
５０はＰ型電極、５１はＮ電極をそれぞれ示している。
ａ１−×へ５（Ａｔ組成ｘ ＝０．５５）からなる下部
クラッド層と、２２はＡｌＧａＡｓダブル（ＡＩ組成Ｘ
＝０．１２）からなる活性層と、２３はＰ型へ１ｘＧａ
＋−ｘＡｓ（Ａ１組成ｘ ＝０．５５）からなる第１上
部クラッド層、２４はＰ型ＧａＡｓからなる保護層、２
５はＮ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ （Ａ １組成Ｘ ＝０
．５５）からなるＡｌＧａＡｓ層、２６はＮ型のＧａＡ
ｓからなる電流制限層、４１はＰ型＾ＩｙＧａｌ−ｖＡ
ｓ （Ａ １組成ｙ ＝０．５５）からなる第２上部ク
ラッド層、４２はＰ生型ＧａＡｓからなるキャップ層、
５０はＰ型電極、５１はＮ電極をそれぞれ示している。
なお前記保護層２４は、量子効果により活性層２２と同
等又はそれ以上のバンドギャップを持っ膜厚に設定され
ている。
等又はそれ以上のバンドギャップを持っ膜厚に設定され
ている。
詳しくは、前記下部クランド層２１と活性層２２と第１
上部クラッド層２３と保護Ｎ２４と＾ｌＧａＡｓ層２５
と電流制限１ｍ１２６とで第１成長ＪＷ２０が構成され
ている。
上部クラッド層２３と保護Ｎ２４と＾ｌＧａＡｓ層２５
と電流制限１ｍ１２６とで第１成長ＪＷ２０が構成され
ている。
この第１成長層２０には、保護層２４の表面が露出され
る深さで且つ基板１０側に向かって幅狭となるテーパ面
３１を有するストライプ１３０が半導体レーザ１のレー
ザ共振器波長に沿って形成されている。
る深さで且つ基板１０側に向かって幅狭となるテーパ面
３１を有するストライプ１３０が半導体レーザ１のレー
ザ共振器波長に沿って形成されている。
そして前記第２上部クラッド層４１とキャップ層４２と
で第２成長Ｊｉｉ４０が構成されている。この第２成長
Ｎ４０は、前記ストライプ溝３０の形状に対応して陥没
する形状で第１成長層２０の上部に積層されている。
で第２成長Ｊｉｉ４０が構成されている。この第２成長
Ｎ４０は、前記ストライプ溝３０の形状に対応して陥没
する形状で第１成長層２０の上部に積層されている。
しかして、上記の如き半導体レーザＩのストライプ：ａ
３０の中央のバンド構造は第２図のようになる。第２図
においてＡは伝導帯、Ｂは禁止帯、Ｃは価電子帯をそれ
ぞれ示しており、同図によれば、量子効果により保護層
２４のバンドギャップは活性層２２よりも広くなってい
ることがわかる。
３０の中央のバンド構造は第２図のようになる。第２図
においてＡは伝導帯、Ｂは禁止帯、Ｃは価電子帯をそれ
ぞれ示しており、同図によれば、量子効果により保護層
２４のバンドギャップは活性層２２よりも広くなってい
ることがわかる。
策ｌ皇衾肌
第３図は第２の発明に係る半導体レーザの製造方法を説
明するための参考図であり、以下同図を参考に説明する
。
明するための参考図であり、以下同図を参考に説明する
。
（ａｌ 図示しないＭＢＥ装置内に装着した基板１０
を所定の方法にて加熱する。蒸発源にそれぞれ収納され
た原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させる。この原
料等を図示しない質量分析計でモニターし、図示しない
コンピュータで蒸発源の温度やシャッタを制御すること
により、第１成長層２０を積層させる（第１の成長工程
）。なお、保護層２４の膜厚は３０〜４０人程度に、ま
た＾ｌＧａＡｓ層２５は１００人程度に、電流制限層２
６は５００〜５０００人程度にそれぞれ設定されている
ものとする。
を所定の方法にて加熱する。蒸発源にそれぞれ収納され
た原料物質や不純物を分子線の形で蒸発させる。この原
料等を図示しない質量分析計でモニターし、図示しない
コンピュータで蒸発源の温度やシャッタを制御すること
により、第１成長層２０を積層させる（第１の成長工程
）。なお、保護層２４の膜厚は３０〜４０人程度に、ま
た＾ｌＧａＡｓ層２５は１００人程度に、電流制限層２
６は５００〜５０００人程度にそれぞれ設定されている
ものとする。
（ｂｌ 前記第１成長層２０が積層された基板１０を
ＭＢＥ装置から外部に取り出した後、基板ｌＯの裏面を
ラッピングする。次に、ストライプ溝を形成すべき部分
以外の電流制限Ｎ２６をホトレジスト６０で覆う。この
ホトレジスト６０をマスクにした基板ＩＯをＧａＡｓ＞
＞ＡｌＧａＡｓなるエツチングレートを有する溶液に浸
漬して電流制限層２６を選択エツチングすることにより
、ＡｌＧａＡｓ層２５の表面が露出される深さで且つ基
板側に向かって幅狭となるテーパ面を有するストライプ
溝３０を第１成長層２０に形成する（エツチング工程）
。前記溶液は、例えばＮＬ ０１１によりＰＩ（が７．
０４に調整された）１２０２（３０％）水溶液を使用す
る。
ＭＢＥ装置から外部に取り出した後、基板ｌＯの裏面を
ラッピングする。次に、ストライプ溝を形成すべき部分
以外の電流制限Ｎ２６をホトレジスト６０で覆う。この
ホトレジスト６０をマスクにした基板ＩＯをＧａＡｓ＞
＞ＡｌＧａＡｓなるエツチングレートを有する溶液に浸
漬して電流制限層２６を選択エツチングすることにより
、ＡｌＧａＡｓ層２５の表面が露出される深さで且つ基
板側に向かって幅狭となるテーパ面を有するストライプ
溝３０を第１成長層２０に形成する（エツチング工程）
。前記溶液は、例えばＮＬ ０１１によりＰＩ（が７．
０４に調整された）１２０２（３０％）水溶液を使用す
る。
（Ｃ１前記ホトレジスト６０を除去した基板１０を有機
洗浄し、さらに前記露出したＡｌＧａＡｓ層２５を例え
ばＨＣＩでもって選択エツチングすることにより、前記
ストライプ溝３０を保護層２４の表面が露出する深さに
せしめる。
洗浄し、さらに前記露出したＡｌＧａＡｓ層２５を例え
ばＨＣＩでもって選択エツチングすることにより、前記
ストライプ溝３０を保護層２４の表面が露出する深さに
せしめる。
（ｄｌ 前記基板１０を再度ＭＢＥ装置内に装着する
。
。
ここで、基板１−０に砒素分子線を当てながら基板１０
を加熱することにより、エツチング工程において付着し
た酸化物等の不純物を蒸発させる（サーマルクリーニン
グ工程）。但し、前記加熱温度および時間はＧａＡｓか
らなる保護Ｎ２４が范発しないような条件とする。
を加熱することにより、エツチング工程において付着し
た酸化物等の不純物を蒸発させる（サーマルクリーニン
グ工程）。但し、前記加熱温度および時間はＧａＡｓか
らなる保護Ｎ２４が范発しないような条件とする。
（ｅ） （ｄ）工程の状態で基［１０の温度を約６０
０°Ｃにして、（ａ）工程と同様の方法にて第２成長層
４０を第１成長層２０の上部に積層する（第２の成長工
程）。
０°Ｃにして、（ａ）工程と同様の方法にて第２成長層
４０を第１成長層２０の上部に積層する（第２の成長工
程）。
以下、通常の半導体レーザの製造方法と同様にしてＰ型
電極、Ｎ型電極をそれぞれ形成する。
電極、Ｎ型電極をそれぞれ形成する。
しかして、基板の温度とＧａＡｓの蒸発速度との関係は
表１のようになる。
表１のようになる。
［表１１
即ち、表１に基づいてサーマルクリーニング工程の温度
および時間が設定される。
および時間が設定される。
なお、上記第１および第２の実施例において、Ａｌ ｘ
Ｇａ１−ｘＡｓおよび＾ｌ ｙ Ｇａｐ−ｘＡｓから
なる各層のＡ１組成をそれぞれ記しているが、適宜に変
更できることは勿論である６但し上記実施例のようなＡ
１組成の場合には下部クラッド層２１と第１上部クラッ
ド層２３との光閉じ込め効果によって活性１’１ｉ２２
内にて効率よく発光することができる。更に、全ての導
電型を逆転することも可能である。
Ｇａ１−ｘＡｓおよび＾ｌ ｙ Ｇａｐ−ｘＡｓから
なる各層のＡ１組成をそれぞれ記しているが、適宜に変
更できることは勿論である６但し上記実施例のようなＡ
１組成の場合には下部クラッド層２１と第１上部クラッ
ド層２３との光閉じ込め効果によって活性１’１ｉ２２
内にて効率よく発光することができる。更に、全ての導
電型を逆転することも可能である。
（へ）効果
第１の発明は、第１上部クラッド層と第２上部クラッド
層との間に介在させた保護層でもって量子効果をきかせ
、この保護層に活性層と同等又はそれ以上のバンドギャ
ップを持たせることができるので、半導体レーザの電気
的性質および光学的性質の向上を可能とした。
層との間に介在させた保護層でもって量子効果をきかせ
、この保護層に活性層と同等又はそれ以上のバンドギャ
ップを持たせることができるので、半導体レーザの電気
的性質および光学的性質の向上を可能とした。
第２の発明は上記詳説したように、エツチング工程で保
護層のみを選択的に残して、第１上部クラッド層にパシ
ベーション効果を持たせることにより、第１上部クラッ
ド層の表面に不純物を直接付着させず、比較的簡単なサ
ーマルクリーニングで前記不純物を蒸発させているから
、第１上部クラッド層のＡ１組成に関係なく第２成長層
の積層状態を良好にすることができる。邪ち、この発明
によれば、上記の如く特性を有する半導体レーザの形状
を再現性良くしかも容易に製造することができる。その
結果、製造歩留りを向上させることができる。
護層のみを選択的に残して、第１上部クラッド層にパシ
ベーション効果を持たせることにより、第１上部クラッ
ド層の表面に不純物を直接付着させず、比較的簡単なサ
ーマルクリーニングで前記不純物を蒸発させているから
、第１上部クラッド層のＡ１組成に関係なく第２成長層
の積層状態を良好にすることができる。邪ち、この発明
によれば、上記の如く特性を有する半導体レーザの形状
を再現性良くしかも容易に製造することができる。その
結果、製造歩留りを向上させることができる。
第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す斜視図、第２図は第１図に示す半導体レーザ１のバン
ド構造を示す説明図、第３図は第２の発明に係る半導体
レーザの製造方法の一実施例を説明するための参考図で
ある。 ＩＯ・・・基板、２０・・・第１成長層、２１・・・下
部クラッド層、２２・・・活性層、２３・・・第１上部
クラッド層、２４・・・保護層、２５・・・ＡｌＧａＡ
ｓ層、２６・・・電流制限層、３０・・・ストライプ溝
、３１・・・テーバ面、４０・・・第２成長層、４１・
・・第２上部クラッド層、４２・・・キャップ層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 味
す斜視図、第２図は第１図に示す半導体レーザ１のバン
ド構造を示す説明図、第３図は第２の発明に係る半導体
レーザの製造方法の一実施例を説明するための参考図で
ある。 ＩＯ・・・基板、２０・・・第１成長層、２１・・・下
部クラッド層、２２・・・活性層、２３・・・第１上部
クラッド層、２４・・・保護層、２５・・・ＡｌＧａＡ
ｓ層、２６・・・電流制限層、３０・・・ストライプ溝
、３１・・・テーバ面、４０・・・第２成長層、４１・
・・第２上部クラッド層、４２・・・キャップ層。 特許出願人 ローム株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 味
Claims (2)
- （１）一方の導電型からなるＧａＡｓ基板の表面に順次
積層された前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓからなる
下部クラッド層と、Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓから
なる活性層と、前記基板と反対導電型のＡｌＧａＡｓか
らなる第１上部クラッド層と、量子効果により前記活性
層と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜厚に設
定され且つ前記基板と反対導電型のＧａＡｓからなる保
護層と、前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記
基板と同導電型のＧａＡｓからなる電流制限層とで第１
成長層を構成し、 前記保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向か
って幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝をレーザ
共振器波長に沿って前記第１成長層に形成し、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層の上部に前記
基板と反対導電型のＡｌＧａＡｓからなる第２上部クラ
ッド層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキ
ャップ層とで構成する第２成長層を積層したことを特徴
とする半導体レーザ。 - （２）一方の導電型のＧａＡｓからなる基板の表面に、
前記基板と同導電型のＡｌＧａＡｓ下部クラッド層と、
Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓからなる活性層と、前記
基板と反対導電型のＡｌＧａＡｓからなる第１上部クラ
ッド層と、量子効果により前記活性層と同等又はそれ以
上のバンドギャップを持つ膜厚に設定され且つ前記基板
と反対導電型のＧａＡｓからなる保護層と、前記基板と
同導電型のＡｌＧａＡｓ層と、前記基板と同導電型のＧ
ａＡｓからなる電流制限層とで構成される第１成長層を
積層する第１の成長工程と、 ＧａＡｓ≫ＡｌＧａＡｓなるエッチングレートを有する
溶液でもって前記電流制限層のみを選択エッチングし、
次にＡｌＧａＡｓ≫ＧａＡｓなるエッチングレートを有
する溶液でもって前記ＡｌＧａＡｓ層のみを選択エッチ
ングすることにより、前記保護層の表面が露出される深
さで且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面を有する
ストライプ溝を形成するエッチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記エッチ
ング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマル
クリーニング工程と、前記サーマルクリーニングされた
第１成長層の上部に前記基板と反対導電型のＡｌＧａＡ
ｓからなる第２上部クラッド層と、オーミックコンタク
トを良好にするためのキャップ層とで構成される第２成
長層を積層する第２の成長工程とを具備したことを特徴
とする半導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003884A JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003884A JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6301197A Division JPH07263800A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP864796A Division JPH08264906A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163688A true JPS61163688A (ja) | 1986-07-24 |
| JPH0740618B2 JPH0740618B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=11569608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003884A Expired - Lifetime JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740618B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227179A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003884A patent/JPH0740618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227179A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0740618B2 (ja) | 1995-05-01 |
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