JPH0740618B2 - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
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- JPH0740618B2 JPH0740618B2 JP60003884A JP388485A JPH0740618B2 JP H0740618 B2 JPH0740618 B2 JP H0740618B2 JP 60003884 A JP60003884 A JP 60003884A JP 388485 A JP388485 A JP 388485A JP H0740618 B2 JPH0740618 B2 JP H0740618B2
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （イ）産業上の利用分野 この発明は、２回のMBE成長工程を必要とするAlGaAs系
ダブルヘテロ接合構造の半導体レーザおよびその製造方
法に関する。
ダブルヘテロ接合構造の半導体レーザおよびその製造方
法に関する。
（ロ）従来技術 ２回のMBE成長工程を必要とする構造の半導体レーザを
製造する方法を以下説明すると共にその問題点を指摘す
る。
製造する方法を以下説明すると共にその問題点を指摘す
る。
まず、１回目のMBE成長工程で第１成長層を基板の表面
に積層した後、MBE装置から基板を取り出し、エッチン
グ工程にて第１上部クラッド層まで達するストライプ溝
を形成する。このエッチング工程を行ったことに伴い、
前記エッチングした部分に酸化物等の不純物が直接付着
するから、この不純物を所定の方法にて蒸発させる。し
かる後、２回目のMBE成長工程で第２成長層を積層させ
る。
に積層した後、MBE装置から基板を取り出し、エッチン
グ工程にて第１上部クラッド層まで達するストライプ溝
を形成する。このエッチング工程を行ったことに伴い、
前記エッチングした部分に酸化物等の不純物が直接付着
するから、この不純物を所定の方法にて蒸発させる。し
かる後、２回目のMBE成長工程で第２成長層を積層させ
る。
しかして、前記不純物を蒸発させる工程において、第１
上部クラッド層のA1組成が0.4以上の場合、前記不純物
は蒸発されにくくなる。そのため第２成長層の積層状態
が劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問題を
生じる。一方第１上部クラッド層のA1組成を0.4以下に
すれば、第２成長層の積層状態は良好となる反面、光閉
じ込め効率が低下するという問題を生じる。
上部クラッド層のA1組成が0.4以上の場合、前記不純物
は蒸発されにくくなる。そのため第２成長層の積層状態
が劣化し、この部分を電流が流れなくなるという問題を
生じる。一方第１上部クラッド層のA1組成を0.4以下に
すれば、第２成長層の積層状態は良好となる反面、光閉
じ込め効率が低下するという問題を生じる。
（ハ）目的 第１の発明は、電気的性質および光学的性質を向上せし
める半導体レーザを提供することを目的としている。
める半導体レーザを提供することを目的としている。
第２の発明は、上記の如く特性を有する半導体レーザの
形状を再現性良くしかも容易に製造せしめると共に、製
造歩留りを向上しうる半導体レーザの製造方法を提供す
ることを目的としている。
形状を再現性良くしかも容易に製造せしめると共に、製
造歩留りを向上しうる半導体レーザの製造方法を提供す
ることを目的としている。
（ニ）構成 第１の発明に係る半導体レーザの特徴とする処は、一方
の導電型からなるGaAs基板の表面に順次積層された前記
基板と同導電型のAlGaAsからなる下部クラッド層と、Al
xGa1-xAsからなる活性層と、前記基板と反対導電型のAl
GaAsからなる第１上部クラッド層と、量子効果により前
記活性層と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜
厚に設定され且つ前記基板と反対導電型のGaAsからなる
保護層と、前記基板と同導電型のAlGaAs層と、前記基板
と同導電型のGaAsからなる電流制限層とで第１成長層を
構成し、前記第１成長層は、前記保護層の表面が露出さ
れる深さで且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面を
レーザー共振器波長に沿って形成したストライプ溝を有
し、前記第１成長層の上部に積層され、前記基板と反対
導電型のAlGaAsからなる第２上部クラッド層と、オーミ
ックコンタクトを良好にするためのキャップ層とで第２
成長層を構成したことにある。
の導電型からなるGaAs基板の表面に順次積層された前記
基板と同導電型のAlGaAsからなる下部クラッド層と、Al
xGa1-xAsからなる活性層と、前記基板と反対導電型のAl
GaAsからなる第１上部クラッド層と、量子効果により前
記活性層と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜
厚に設定され且つ前記基板と反対導電型のGaAsからなる
保護層と、前記基板と同導電型のAlGaAs層と、前記基板
と同導電型のGaAsからなる電流制限層とで第１成長層を
構成し、前記第１成長層は、前記保護層の表面が露出さ
れる深さで且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面を
レーザー共振器波長に沿って形成したストライプ溝を有
し、前記第１成長層の上部に積層され、前記基板と反対
導電型のAlGaAsからなる第２上部クラッド層と、オーミ
ックコンタクトを良好にするためのキャップ層とで第２
成長層を構成したことにある。
第２の発明に係る半導体レーザの製造方法の特徴とする
処は、一方の導電型のGaAsからなる基板の表面に、前記
基板と同導電型のAlGaAs下部クラッド層と、AlxGa1-xAs
からなる活性層と、前記基板と反対導電型のAlGaAsから
なる第１上部クラッド層と、量子効果により前記活性層
と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜厚に設定
され且つ前記基板と反対導電型のGaAsからなる保護層
と、前記基板と同導電型のAlGaAs層と、前記基板と同導
電型のGaAsからなる電流制限層とで構成される第１成長
層を積層する第１の成長工程と、 GaAs》AlGaAsなるエッチングレートを有する溶液でもっ
て前記電流制限層のみを選択エッチングし、次にAlGaA
s》GaAsなるエッチングレートを有する溶液でもって前
記AlGaAs層のみを選択エッチングすることにより、前記
保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向かって
幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝を形成するエ
ッチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記エッチ
ング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマル
クリーニング工程と、 前記サーマルクリーニングされた第１成長層の上部に前
記基板と反対導電型のAlGaAsからなる第２上部クラッド
層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキャッ
プ層とで構成される第２成長層を積層する第２の成長工
程とを具備したことにある。
処は、一方の導電型のGaAsからなる基板の表面に、前記
基板と同導電型のAlGaAs下部クラッド層と、AlxGa1-xAs
からなる活性層と、前記基板と反対導電型のAlGaAsから
なる第１上部クラッド層と、量子効果により前記活性層
と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜厚に設定
され且つ前記基板と反対導電型のGaAsからなる保護層
と、前記基板と同導電型のAlGaAs層と、前記基板と同導
電型のGaAsからなる電流制限層とで構成される第１成長
層を積層する第１の成長工程と、 GaAs》AlGaAsなるエッチングレートを有する溶液でもっ
て前記電流制限層のみを選択エッチングし、次にAlGaA
s》GaAsなるエッチングレートを有する溶液でもって前
記AlGaAs層のみを選択エッチングすることにより、前記
保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向かって
幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝を形成するエ
ッチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記エッチ
ング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマル
クリーニング工程と、 前記サーマルクリーニングされた第１成長層の上部に前
記基板と反対導電型のAlGaAsからなる第２上部クラッド
層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキャッ
プ層とで構成される第２成長層を積層する第２の成長工
程とを具備したことにある。
（ホ）実施例 第１の発明 第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す斜視図である。同図において、１は半導体レーザであ
り、1a、1bはファブリペロー反射面を示している。10は
Ｎ型GaAsからなる基板、21はＮ型AlxGa1-xAs（A1組成ｘ
＝0.55）からなる下部クラッド層と、22はAlxGa1-xAs
（Al組成x0.12）からなる活性層と、23はＰ型AlxGa1-xA
s（A1組成ｘ＝0.55）からなる第１上部クラッド層、24
はＰ型GaAsからなるAlGaAs層、26はＮ型のGaAsからなる
電流制限層、41はＰ型AlyGa1-yAs（A1組成ｙ＝0.55）か
らなる第２上部クラッド層、42はP+型GaAsからなるキャ
ップ層、50はＰ型電極、51はＮ電極をそれぞれ示してい
る。なお前記保護層24は、量子効果により活性層22と同
等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜厚に設定され
ている。
す斜視図である。同図において、１は半導体レーザであ
り、1a、1bはファブリペロー反射面を示している。10は
Ｎ型GaAsからなる基板、21はＮ型AlxGa1-xAs（A1組成ｘ
＝0.55）からなる下部クラッド層と、22はAlxGa1-xAs
（Al組成x0.12）からなる活性層と、23はＰ型AlxGa1-xA
s（A1組成ｘ＝0.55）からなる第１上部クラッド層、24
はＰ型GaAsからなるAlGaAs層、26はＮ型のGaAsからなる
電流制限層、41はＰ型AlyGa1-yAs（A1組成ｙ＝0.55）か
らなる第２上部クラッド層、42はP+型GaAsからなるキャ
ップ層、50はＰ型電極、51はＮ電極をそれぞれ示してい
る。なお前記保護層24は、量子効果により活性層22と同
等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜厚に設定され
ている。
詳しくは、前記下部クラッド層21と活性層22と第１上部
クラッド層23と保護層24とAlGaAs層25と電流制限層26と
で第１成長層20が構成されている。この第１成長層20に
は、保護層24の表面が露出される深さで且つ基板10側に
向かって幅狭となるテーパ面31を有するストライプ溝30
が半導体レーザ１のレーザ共振器波長に沿って形成され
ている。そして前記第２上部クラッド層41とキャップ層
42とで第２成長層40が構成されている。この第２成長層
40は、前記ストライプ溝30の形状に対応して陥没する形
状で第１成長層20の上部に積層されている。
クラッド層23と保護層24とAlGaAs層25と電流制限層26と
で第１成長層20が構成されている。この第１成長層20に
は、保護層24の表面が露出される深さで且つ基板10側に
向かって幅狭となるテーパ面31を有するストライプ溝30
が半導体レーザ１のレーザ共振器波長に沿って形成され
ている。そして前記第２上部クラッド層41とキャップ層
42とで第２成長層40が構成されている。この第２成長層
40は、前記ストライプ溝30の形状に対応して陥没する形
状で第１成長層20の上部に積層されている。
しかして、、上記の如き半導体レーザ１のストライプ溝
30の中央のバンド構造は第２図のようになる。第２図に
おいてＡは伝導帯、Ｂは禁止帯、Ｃは価電子帯をそれぞ
れ示しており、同図によれば、量子効果により保護層24
のバンドギャップは活性層22よりも広くなっていること
がわかる。
30の中央のバンド構造は第２図のようになる。第２図に
おいてＡは伝導帯、Ｂは禁止帯、Ｃは価電子帯をそれぞ
れ示しており、同図によれば、量子効果により保護層24
のバンドギャップは活性層22よりも広くなっていること
がわかる。
これは第１上部クラッド層23と第２上部クラッド層41と
で量子井戸構造が形成されており、量子井戸の厚みによ
り保護層24の実質的なバンドギャップが大きくなること
を利用したものである。
で量子井戸構造が形成されており、量子井戸の厚みによ
り保護層24の実質的なバンドギャップが大きくなること
を利用したものである。
そもそも、半導体レーザにおいて吸収層があると光学的
性質が悪化するばかりか、動作電流が上昇し、電気的性
質も悪化する。
性質が悪化するばかりか、動作電流が上昇し、電気的性
質も悪化する。
しかしながら、ここでは保護層24のバンドギャップが活
性層22より大きくされているので、活性層22から発光す
る光が保護層24で吸収されず、動作電流の上昇を抑止で
きることになる。
性層22より大きくされているので、活性層22から発光す
る光が保護層24で吸収されず、動作電流の上昇を抑止で
きることになる。
よって、半導体レーザの光学的性質及び電気的性質の向
上を図るという点でメリットがある。
上を図るという点でメリットがある。
第２の発明 第３図は第２の発明に係る半導体レーザの製造方法を説
明するための参考図であり、以下同図を参考に説明す
る。
明するための参考図であり、以下同図を参考に説明す
る。
（ａ）図示しないMBE装置内に装着した基板10を所定の
方法にて加熱する。蒸発源にそれぞれ収納された原料物
質や不純物を分子線の形で蒸発させる。この原料等を図
示しない質量分析計でモニターし、図示しないコンピュ
ータで蒸発源の温度やシャッタを制御することにより、
第１成長層20を積層させる（第１の成長工程）。なお、
保護層24の膜厚は30〜40Å程度に、またAlGaAs層25は10
0Å程度に、電流制限層26は500〜5000Å程度にそれぞれ
設定されているものとする。
方法にて加熱する。蒸発源にそれぞれ収納された原料物
質や不純物を分子線の形で蒸発させる。この原料等を図
示しない質量分析計でモニターし、図示しないコンピュ
ータで蒸発源の温度やシャッタを制御することにより、
第１成長層20を積層させる（第１の成長工程）。なお、
保護層24の膜厚は30〜40Å程度に、またAlGaAs層25は10
0Å程度に、電流制限層26は500〜5000Å程度にそれぞれ
設定されているものとする。
（ｂ）前記第１成長層20が積層された基板10をMBE装置
から外部に取り出した後、基板10の裏面をラッピングす
る。次に、ストライプ溝を形成すべき部分以外の電流制
限層26をホトレジスト60で覆う。このホトレジスト60を
マスクにした基板10をGaAs》AlGaAsなるエッチングレー
トを有する溶液に浸漬して電流制限層26を選択エッチン
グすることにより、AlGaAs層25の表面が露出される深さ
で且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面を有するス
トライプ溝30を第１成長層20に形成する（エッチング工
程）。前記溶液は、例えばNH4OHによりpHが7.04に調整
されたH2O2（30％）水溶液を使用する。なお、AlGaAs層
25は電流制限層26を選択エッチングする際のストップ層
の役割を果たす。
から外部に取り出した後、基板10の裏面をラッピングす
る。次に、ストライプ溝を形成すべき部分以外の電流制
限層26をホトレジスト60で覆う。このホトレジスト60を
マスクにした基板10をGaAs》AlGaAsなるエッチングレー
トを有する溶液に浸漬して電流制限層26を選択エッチン
グすることにより、AlGaAs層25の表面が露出される深さ
で且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面を有するス
トライプ溝30を第１成長層20に形成する（エッチング工
程）。前記溶液は、例えばNH4OHによりpHが7.04に調整
されたH2O2（30％）水溶液を使用する。なお、AlGaAs層
25は電流制限層26を選択エッチングする際のストップ層
の役割を果たす。
（ｃ）前記ホトレジスト60を除去した基板10を有機洗浄
し、さらに前記露出したAlGaAs層25を例えばHClでもっ
て選択エッチングすることにより、前記ストライプ溝30
を保護層24の表面が露出する深さにせしめる。
し、さらに前記露出したAlGaAs層25を例えばHClでもっ
て選択エッチングすることにより、前記ストライプ溝30
を保護層24の表面が露出する深さにせしめる。
（ｄ）前記基板10を再度MBE装置内に装着する。ここ
で、基板10に砒素分子線を当てながら基板10を加熱する
ことにより、エッチング工程において付着した酸化物等
の不純物を蒸発させる（サーマルクリーニング工程）。
但し、前記加熱温度および時間はGaAsからなる保護層24
が蒸発しないような条件とする。
で、基板10に砒素分子線を当てながら基板10を加熱する
ことにより、エッチング工程において付着した酸化物等
の不純物を蒸発させる（サーマルクリーニング工程）。
但し、前記加熱温度および時間はGaAsからなる保護層24
が蒸発しないような条件とする。
これは過度なサーマルクリーニングをしないようにする
ためである。基板の加熱温度および時間は次のようにし
て決定する。
ためである。基板の加熱温度および時間は次のようにし
て決定する。
表１は基板の温度とGaAsの蒸発速度との関係を示した図
である。例えば、基板の温度を720℃と設定した場合、G
aAsの蒸発速度が0.5μm/hであるので、10分間サーマル
クリーニングをしたとすると、80Å程蒸発が進むので、
保護層24が30Å〜40Åであればこれが完全に蒸発し、基
板に対してダメージを与える結果となる。よって、この
場合、サーマルクリーニング時間をより短くするか或い
は基板の温度をより低くすることが必要になる。
である。例えば、基板の温度を720℃と設定した場合、G
aAsの蒸発速度が0.5μm/hであるので、10分間サーマル
クリーニングをしたとすると、80Å程蒸発が進むので、
保護層24が30Å〜40Åであればこれが完全に蒸発し、基
板に対してダメージを与える結果となる。よって、この
場合、サーマルクリーニング時間をより短くするか或い
は基板の温度をより低くすることが必要になる。
このように基板に対してダメージを極力与えないよう
に、基板の温度とGaAsの蒸発速度との関係を予め求めて
から、最適な基板の加熱温度および時間を決定する。
に、基板の温度とGaAsの蒸発速度との関係を予め求めて
から、最適な基板の加熱温度および時間を決定する。
（ｅ）（ｄ）工程の状態で基板10の温度を約600℃にし
て、（ａ）工程と同様の方法にて第２成長層40を第１成
長層20の上部に積層する（第２の成長工程）。
て、（ａ）工程と同様の方法にて第２成長層40を第１成
長層20の上部に積層する（第２の成長工程）。
以下、通常の半導体レーザの製造方法と同様にしてＰ型
電極、Ｎ型電極をそれぞれ形成する。
電極、Ｎ型電極をそれぞれ形成する。
なお、上記第１および第２の実施例において、AlxGa1-x
AsおよびAlyGa1-yAsからなる各層のA1組成をそれぞれ記
しているが、適宜に変更できることは勿論である。但し
上記実施例のようなA1組成の場合には下部クラッド層21
と第１上部クラッド層23との光閉じ込め効果によって活
性層22内にて効率よく発光することができる。更に、全
ての導電型を逆転することも可能である。
AsおよびAlyGa1-yAsからなる各層のA1組成をそれぞれ記
しているが、適宜に変更できることは勿論である。但し
上記実施例のようなA1組成の場合には下部クラッド層21
と第１上部クラッド層23との光閉じ込め効果によって活
性層22内にて効率よく発光することができる。更に、全
ての導電型を逆転することも可能である。
（ヘ）効果 第１の発明は、第１上部クラッド層と第２上部クラッド
層との間に介在させた保護層でもって量子効果をきか
せ、この保護層に活性層と同等又はそれ以上のバンドギ
ャップを持たせることができるので、半導体レーザの電
気的性質および光学的性質の向上を可能とした。
層との間に介在させた保護層でもって量子効果をきか
せ、この保護層に活性層と同等又はそれ以上のバンドギ
ャップを持たせることができるので、半導体レーザの電
気的性質および光学的性質の向上を可能とした。
第２の発明は上記詳説したように、エッチング工程で保
護層のみを選択的に残して、第１上部クラッド層にパシ
ベーション効果を持たせることにより、第１上部クラッ
ド層の表面に不純物を直接付着させず、比較的簡単なサ
ーマルクリーニングで前記不純物を蒸発させているか
ら、第１上部クラッド層のA1組成に関係なく第２成長層
の積層状態を良好にすることができる。即ち、この発明
によれば、上記の如く特性を有する半導体レーザの形状
を再現性良くしかも容易に製造することができる。その
結果、製造歩留りを向上させることができる。
護層のみを選択的に残して、第１上部クラッド層にパシ
ベーション効果を持たせることにより、第１上部クラッ
ド層の表面に不純物を直接付着させず、比較的簡単なサ
ーマルクリーニングで前記不純物を蒸発させているか
ら、第１上部クラッド層のA1組成に関係なく第２成長層
の積層状態を良好にすることができる。即ち、この発明
によれば、上記の如く特性を有する半導体レーザの形状
を再現性良くしかも容易に製造することができる。その
結果、製造歩留りを向上させることができる。
第１図は第１の発明に係る半導体レーザの一実施例を示
す斜視図、第２図は第１図に示す半導体レーザ１のバン
ド構造を示す説明図、第３図は第２の発明に係る半導体
レーザの製造方法の一実施例を説明するための参考図で
ある。 10……基板、20……第１成長層、21……下部クラッド
層、22……活性層、23……第１上部クラッド層、24……
保護層、25……AlGaAs層、26……電流制限層、30……ス
トライプ溝、31……テーパ面、40……第２成長層、41…
…第２上部クラッド層、42……キャップ層。
す斜視図、第２図は第１図に示す半導体レーザ１のバン
ド構造を示す説明図、第３図は第２の発明に係る半導体
レーザの製造方法の一実施例を説明するための参考図で
ある。 10……基板、20……第１成長層、21……下部クラッド
層、22……活性層、23……第１上部クラッド層、24……
保護層、25……AlGaAs層、26……電流制限層、30……ス
トライプ溝、31……テーパ面、40……第２成長層、41…
…第２上部クラッド層、42……キャップ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 虫上 雅人 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (72)発明者 石田 ▲祐▼士 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (72)発明者 深田 速水 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 ロ ーム株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−227179（ＪＰ，Ａ) Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．56 Ｎｏ．２，15 Ｊｕｌｙ 1984 Ｐ．463 〜467
Claims (2)
- 【請求項１】一方の導電型からなるGaAs基板の表面に順
次積層された前記基板と同導電型のAlGaAsからなる下部
クラッド層と、AlxGa1-xAsからなる活性層と、前記基板
と反対導電型のAlGaAsからなる第１上部クラッド層と、
量子効果により前記活性層と同等又はそれ以上のバンド
ギャップを持つ膜厚に設定され且つ前記基板と反対導電
型のGaAsからなる保護層と、前記基板と同導電型のAlGa
As層と、前記基板と同導電型のGaAsからなる電流制限層
とで第１成長層を構成し、 前記第１成長層は、前記保護層の表面が露出される深さ
で且つ基板側に向かって幅狭となるテーパ面をレーザー
共振器波長に沿って形成したストライプ溝を有し、 前記第１成長層の上部に積層され、前記基板と反対導電
型のAlGaAsからなる第２上部クラッド層と、オーミック
コンタクトを良好にするためのキャップ層とで第２成長
層を構成したことを特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】一方の導電型のGaAsからなる基板の表面
に、前記基板と同導電型のAlGaAs下部クラッド層と、Al
xGa1-xAsからなる活性層と、前記基板と反対導電型のAl
GaAsからなる第１上部クラッド層と、量子効果により前
記活性層と同等又はそれ以上のバンドギャップを持つ膜
厚に設定され且つ前記基板と反対導電型のGaAsからなる
保護層と、前記基板と同導電型のAlGaAs層と、前記基板
と同導電型のGaAsからなる電流制限層とで構成される第
１成長層を積層する第１の成長工程と、 GaAs》AlGaAsなるエッチングレートを有する溶液でもっ
て前記電流制限層のみを選択エッチングし、次にAlGaA
s》GaAsなるエッチングレートを有する溶液でもって前
記AlGaAs層のみを選択エッチングすることにより、前記
保護層の表面が露出される深さで且つ基板側に向かって
幅狭となるテーパ面を有するストライプ溝を形成するエ
ッチング工程と、 前記ストライプ溝が形成された第１成長層に砒素分子線
を当てながら該基板を加熱することにより、前記エッチ
ング工程によって付着した不純物を蒸発させるサーマル
クリーニング工程と、 前記サーマルクリーニングされた第１成長層の上部に前
記基板と反対導電型のAlGaAsからなる第２上部クラッド
層と、オーミックコンタクトを良好にするためのキャッ
プ層とで構成される第２成長層を積層する第２の成長工
程とを具備したことを特徴とする半導体レーザーの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003884A JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003884A JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6301197A Division JPH07263800A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP864796A Division JPH08264906A (ja) | 1996-01-22 | 1996-01-22 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61163688A JPS61163688A (ja) | 1986-07-24 |
| JPH0740618B2 true JPH0740618B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=11569608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003884A Expired - Lifetime JPH0740618B2 (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740618B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59227179A (ja) * | 1983-06-08 | 1984-12-20 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-01-11 JP JP60003884A patent/JPH0740618B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．５６Ｎｏ．２，１５Ｊｕｌｙ１９８４Ｐ．４６３〜４６７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61163688A (ja) | 1986-07-24 |
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