JPS6116589A - 半導体レ−ザの動作温度設定装置 - Google Patents
半導体レ−ザの動作温度設定装置Info
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- JPS6116589A JPS6116589A JP13776184A JP13776184A JPS6116589A JP S6116589 A JPS6116589 A JP S6116589A JP 13776184 A JP13776184 A JP 13776184A JP 13776184 A JP13776184 A JP 13776184A JP S6116589 A JPS6116589 A JP S6116589A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の分野
この発明は、ＤＡＤ （デジタル・オーディオ・ディス
ク）、光ディスク及び半導体レーザ（ＬＤ）応用計測機
器等の光源として使用される半導体レーザの動作温度設
定装置に関する。
ク）、光ディスク及び半導体レーザ（ＬＤ）応用計測機
器等の光源として使用される半導体レーザの動作温度設
定装置に関する。
（ロ）従来技術とその問題点
一般に、半導体レーザの光源として使用されるレーザダ
イオードは、周囲温度が大きく変化する環境では、出射
パワーも大きく変動する。この出射パワー変動の主要因
はレーザダイオードのしきい値電流の温度依存性にある
が、一定の出射パワ −一を必要とする機器では、こ
の変動は大きな問題であり、周囲を一定温度に調整する
必要があった。
イオードは、周囲温度が大きく変化する環境では、出射
パワーも大きく変動する。この出射パワー変動の主要因
はレーザダイオードのしきい値電流の温度依存性にある
が、一定の出射パワ −一を必要とする機器では、こ
の変動は大きな問題であり、周囲を一定温度に調整する
必要があった。
このため、従来の半導体し〜ザには、温度調整装置が備
えられていた。その温度調整装置の一例を第５図に示し
ている。同図において、１は半導体レーザ光源であって
、温度を一定に保つための銅ブロツク２内に半導体レー
ザ（図示せず）が収納されている。３は温度制御用のペ
ルチェ素子、４は温度検出用のシート状のＣＡ熱電対、
ｐｔ低抵抗サーミスタ等の温度センサ、５は放熱フィン
である。この装置において、今仮に銅ブロツク２内の半
導体レーザ近傍の温度が高いと、温度センサ４により基
準電圧よりも大なる電圧が帰還され、比較器６を経てＰ
ＩＤ演算制御部７を動作させ、リレ（または５ＳＲ）回
路８によりペルチェ素子電源９をオン・オフして、ベル
チェ素子３が周囲より熱を吸収し、半導体レーザ近傍の
温度を下げるように制御される。一方、半導体レーザ近
傍の温度が低いと、温度センサ４により基準電圧よりも
小なる電圧が帰還され、上記とは逆に制御され、ベルチ
ェ素子３が周囲に熱を放散するような極性の電圧が、ペ
ルチェ素子電源９より所定時間ベルチェ素子３に印加さ
れる。このようにして半導体レーザの温度が一定に保た
れる。
えられていた。その温度調整装置の一例を第５図に示し
ている。同図において、１は半導体レーザ光源であって
、温度を一定に保つための銅ブロツク２内に半導体レー
ザ（図示せず）が収納されている。３は温度制御用のペ
ルチェ素子、４は温度検出用のシート状のＣＡ熱電対、
ｐｔ低抵抗サーミスタ等の温度センサ、５は放熱フィン
である。この装置において、今仮に銅ブロツク２内の半
導体レーザ近傍の温度が高いと、温度センサ４により基
準電圧よりも大なる電圧が帰還され、比較器６を経てＰ
ＩＤ演算制御部７を動作させ、リレ（または５ＳＲ）回
路８によりペルチェ素子電源９をオン・オフして、ベル
チェ素子３が周囲より熱を吸収し、半導体レーザ近傍の
温度を下げるように制御される。一方、半導体レーザ近
傍の温度が低いと、温度センサ４により基準電圧よりも
小なる電圧が帰還され、上記とは逆に制御され、ベルチ
ェ素子３が周囲に熱を放散するような極性の電圧が、ペ
ルチェ素子電源９より所定時間ベルチェ素子３に印加さ
れる。このようにして半導体レーザの温度が一定に保た
れる。
しかし、この温度調整装置においては、温度は一定に保
たれるものの、温度そのものは任意に設定されていた。
たれるものの、温度そのものは任意に設定されていた。
そのため、たまたま設定温度がモードポンプの生砂る温
度とされると、波長や出射パワーにパルス的な変動が生
じるという欠点があった。これでは高精度な半導体レー
ザ応用計測機器用の光源としてそのまま使用できず、使
用するためには最適な温度で半導体レーザの周囲を温度
調節する必要があった。
度とされると、波長や出射パワーにパルス的な変動が生
じるという欠点があった。これでは高精度な半導体レー
ザ応用計測機器用の光源としてそのまま使用できず、使
用するためには最適な温度で半導体レーザの周囲を温度
調節する必要があった。
半導体レーザの周囲温度を最適に設定する方法としては
、第６図（ａ）に示すように、温調装置１０により、レ
ーザダイオード１１の周囲温度を順次変化して、出射さ
れるレーザ光をレンズ１２を介して分光計１３で受け、
これをペンレコーダ１４に記録し、第２図（ｂ）のよう
な温度Ｔ−ピーク波長λｐ特性を得て、このペンレコー
ダ１４の記録よりモードホップする温度を知り、波長変
化のない最適温度を知るか、第７図（ａ）に示すように
、温調装置２０によりレーザダイオード２１の周囲温度
を時間とともに順次変化して、出射されるレーザ光を光
センサ２２で受け、その光パワーを光パワーメータ２３
で検出し、この検出出力をペンレコーダ２４に記録し、
第７図（ｂ）のような時間（温度）も−光バワーｐ特性
を得て、光パワーの落ら込む点よりモードホップする温
度を知り、パワー変化の生じない最適温度範囲を知る方
法がある。
、第６図（ａ）に示すように、温調装置１０により、レ
ーザダイオード１１の周囲温度を順次変化して、出射さ
れるレーザ光をレンズ１２を介して分光計１３で受け、
これをペンレコーダ１４に記録し、第２図（ｂ）のよう
な温度Ｔ−ピーク波長λｐ特性を得て、このペンレコー
ダ１４の記録よりモードホップする温度を知り、波長変
化のない最適温度を知るか、第７図（ａ）に示すように
、温調装置２０によりレーザダイオード２１の周囲温度
を時間とともに順次変化して、出射されるレーザ光を光
センサ２２で受け、その光パワーを光パワーメータ２３
で検出し、この検出出力をペンレコーダ２４に記録し、
第７図（ｂ）のような時間（温度）も−光バワーｐ特性
を得て、光パワーの落ら込む点よりモードホップする温
度を知り、パワー変化の生じない最適温度範囲を知る方
法がある。
しかしながら、上記方法で最適温度範囲を知るとなると
、分光計、ペンレコーダ等の特別の機器設備を要し、こ
れらを準備するとなるとコスト高となるし、また測定に
時間がかかるという問題がある。
、分光計、ペンレコーダ等の特別の機器設備を要し、こ
れらを準備するとなるとコスト高となるし、また測定に
時間がかかるという問題がある。
（ハ）発明の目的
上記に鑑み、この発明の目的は、特性にバラツキのある
半導体レーザの各素子に対し、操作が簡単で、短時間に
最適温度を設定し得る、しかもそのために特別の機器設
備を必要としない半導体レーザの動作温度設定装置を提
供することである。
半導体レーザの各素子に対し、操作が簡単で、短時間に
最適温度を設定し得る、しかもそのために特別の機器設
備を必要としない半導体レーザの動作温度設定装置を提
供することである。
（ニ）発明の構成と効果
上記目的を達成するために、この発明の半導体レーザの
動作温度設定装置は、半導体レーザ光源と、半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥを入力する入力手段と、設
定すべき出射パワーに対する許容最大変動率ΔＰＭに相
当する許容変動レベルを設定する許容変動レヘル設定手
段と、所定の温度ΔＴずつ温度を変化する温度調整手段
と、前記半導体レーザ光源よりの出射パワーを信号導出
する出射パワー導出手段と、この出射パワー導出手段よ
りの出射パワー信号と前記許容変動レヘルとを比較する
手段と、この比較手段の比較により、許容変動レヘルを
出射パワーが交叉する点の温度を表示する表示部とから
構成されている。
動作温度設定装置は、半導体レーザ光源と、半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥを入力する入力手段と、設
定すべき出射パワーに対する許容最大変動率ΔＰＭに相
当する許容変動レベルを設定する許容変動レヘル設定手
段と、所定の温度ΔＴずつ温度を変化する温度調整手段
と、前記半導体レーザ光源よりの出射パワーを信号導出
する出射パワー導出手段と、この出射パワー導出手段よ
りの出射パワー信号と前記許容変動レヘルとを比較する
手段と、この比較手段の比較により、許容変動レヘルを
出射パワーが交叉する点の温度を表示する表示部とから
構成されている。
この発明によれば、その出射パワー変動率が出射パワー
最大変動率内にある温度範囲が表示されるので、高精度
な最適温度設定が可能である。また、出力された温度範
囲によりモードホップする温度を含まない温調がなされ
るので、長時間に亘り、高精度に安定した出射パワーが
得られる。そのため精度を必要とする半導体レーザ応用
計測機器の光源にも使用できる。さらにまた、ＣＰＵ。
最大変動率内にある温度範囲が表示されるので、高精度
な最適温度設定が可能である。また、出力された温度範
囲によりモードホップする温度を含まない温調がなされ
るので、長時間に亘り、高精度に安定した出射パワーが
得られる。そのため精度を必要とする半導体レーザ応用
計測機器の光源にも使用できる。さらにまた、ＣＰＵ。
メモリ等のデータ処理手段を用いて実現可能であり、分
光計、ペンレコーダ等は不用であるから、装置が大形化
せず、測定に時間、労力を要せず、また操作性も良い等
の利点がある。その上、ＡＰＣ回路のみで許容パワーの
コントール可能な環境温度範囲の把握が可能である。す
なわち、周囲温度変動に対するＡＰＣ制御において、Ａ
ＰＣ回路の性能評価試験が容易に実現できる。
光計、ペンレコーダ等は不用であるから、装置が大形化
せず、測定に時間、労力を要せず、また操作性も良い等
の利点がある。その上、ＡＰＣ回路のみで許容パワーの
コントール可能な環境温度範囲の把握が可能である。す
なわち、周囲温度変動に対するＡＰＣ制御において、Ａ
ＰＣ回路の性能評価試験が容易に実現できる。
（ホ）実施例の説明
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。
。
第１図は、この発明の１実施例を示す半導体レーザ装置
のブロック図である。同図において３０は半導体レーザ
パッケージであり、レーザダイオード３０ａ、ホトダイ
オード３０ｂとから構成されている。３１はレーザダイ
オード３０ａ等を駆動するためのＡＰＣ（自動パワーコ
ントロール）回路３２は半導体レーザパッケージ３０内
の温度を調整するためのペルチェ素子、３３は半導体レ
ーザパッケージ３０内の温度を検出する温度センサとし
てのｐｔ抵抗素子である。
のブロック図である。同図において３０は半導体レーザ
パッケージであり、レーザダイオード３０ａ、ホトダイ
オード３０ｂとから構成されている。３１はレーザダイ
オード３０ａ等を駆動するためのＡＰＣ（自動パワーコ
ントロール）回路３２は半導体レーザパッケージ３０内
の温度を調整するためのペルチェ素子、３３は半導体レ
ーザパッケージ３０内の温度を検出する温度センサとし
てのｐｔ抵抗素子である。
３４はレーザダイオード３０ａよりのレーザ光を受ける
光センサ、３５は光センサ３４で受光される光パワーを
導出する光パワーメータである。
光センサ、３５は光センサ３４で受光される光パワーを
導出する光パワーメータである。
３６は信号処理部であって、半導体レーザの使用温度範
囲ＴＳ〜ＴＥ及びサンプリング毎に変化させる温度ΔＴ
を設定入力するキーを含む入力部３７、入力部３７より
の設定信号を取込むだめの１１０部３８、レーザダイオ
ードの温度コントロール信号の出力及び最適動作温度の
演算を行うＣＰＵ３９、光パワーメータ３５からのアナ
ログの光パワー信号と、設定出射パワーに対する最大変
動率ΔＰＭに相当する許容変動レベル（しきい値）とを
比較し、出射パワー信号が許容変動レベルと交叉すると
トリガされる比較部４０、トリガ時の温度等を記憶する
メモリ４１、サンプリング温度及びｐｔ抵抗素子３３よ
りの信号に基づき、ペルチェ素子３２を制御する設定温
度調整部４２及び、入力された使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥ
と、最大変動率ΔＰＭ内にある温度範囲Ｔ１〜Ｔ２、Ｔ
３〜Ｔ４、・・・、Ｔｉ−Ｔｊ、・・・を表示するため
の表示部４３とから構成されている。
囲ＴＳ〜ＴＥ及びサンプリング毎に変化させる温度ΔＴ
を設定入力するキーを含む入力部３７、入力部３７より
の設定信号を取込むだめの１１０部３８、レーザダイオ
ードの温度コントロール信号の出力及び最適動作温度の
演算を行うＣＰＵ３９、光パワーメータ３５からのアナ
ログの光パワー信号と、設定出射パワーに対する最大変
動率ΔＰＭに相当する許容変動レベル（しきい値）とを
比較し、出射パワー信号が許容変動レベルと交叉すると
トリガされる比較部４０、トリガ時の温度等を記憶する
メモリ４１、サンプリング温度及びｐｔ抵抗素子３３よ
りの信号に基づき、ペルチェ素子３２を制御する設定温
度調整部４２及び、入力された使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥ
と、最大変動率ΔＰＭ内にある温度範囲Ｔ１〜Ｔ２、Ｔ
３〜Ｔ４、・・・、Ｔｉ−Ｔｊ、・・・を表示するため
の表示部４３とから構成されている。
なお、信号処理部３６は、温度センサ３３よりの信号を
入力する端子４４、ペルチェ素子３２へ温度コントロー
ル信号を出力する端子４５及び光パワーメータ３５より
の光パワー信号を受ける端子４６、最大変動率ΔＰＭに
相当する許容電圧の下限値ＶＬ及び上限値ＶＨを印加す
る端子４７．４８を備えている。４９はペルチェ素子３
２用の直流電源、５０は信号処理部３６用の交流電源で
ある。
入力する端子４４、ペルチェ素子３２へ温度コントロー
ル信号を出力する端子４５及び光パワーメータ３５より
の光パワー信号を受ける端子４６、最大変動率ΔＰＭに
相当する許容電圧の下限値ＶＬ及び上限値ＶＨを印加す
る端子４７．４８を備えている。４９はペルチェ素子３
２用の直流電源、５０は信号処理部３６用の交流電源で
ある。
上記比較部４０は、第４図に示すように、２個の比較器
４０１．４０２と、トランジスタ４０３とから構成され
ており、比較器４０１の（＋）入力端と比較器４０２の
（−）入力端に、端子４６よりの光パワー信号ＶＳが加
えられるとともに、比較器４０１の（−）入力端に許容
電圧の上限値ＶＨが、比較器４０２の（＋）入力端に許
容電圧の下限値ＶＬが、それぞれ加えられるようになっ
ている。
４０１．４０２と、トランジスタ４０３とから構成され
ており、比較器４０１の（＋）入力端と比較器４０２の
（−）入力端に、端子４６よりの光パワー信号ＶＳが加
えられるとともに、比較器４０１の（−）入力端に許容
電圧の上限値ＶＨが、比較器４０２の（＋）入力端に許
容電圧の下限値ＶＬが、それぞれ加えられるようになっ
ている。
そのため、光パワー信号■Ｓが、許容電圧レベルＶＬ−
ＶＨの範囲にある間は、両比較器４０１．４０２の出力
はＬ″ （ロー）で、トランジスタ４０３はオフしてお
り、Ｈ” （ハイ）の出力■０が導出されるが、光パワ
ー信号ＶＳが上限値■Ｈよりも大、あるいは下限値ＶＬ
よりも小になると、トランジスタ４０３がオンし、その
出力が“■、”となる。すなわち光パワー■Ｓが、許容
電圧レベルＶ ＨｌあるいはＶＬラインと交叉する点で
、トリガされるようになっている。
ＶＨの範囲にある間は、両比較器４０１．４０２の出力
はＬ″ （ロー）で、トランジスタ４０３はオフしてお
り、Ｈ” （ハイ）の出力■０が導出されるが、光パワ
ー信号ＶＳが上限値■Ｈよりも大、あるいは下限値ＶＬ
よりも小になると、トランジスタ４０３がオンし、その
出力が“■、”となる。すなわち光パワー■Ｓが、許容
電圧レベルＶ ＨｌあるいはＶＬラインと交叉する点で
、トリガされるようになっている。
次に、以上のように構成される実施例装置の動作を第２
図に示すフロー図を参照して説明する。
図に示すフロー図を参照して説明する。
動作がスタートすると、まずステップＳＴ（以下ＳＴと
略す）１で、入力部３７からキー操作により半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳとＴＥ（ＴＳ＜ＴＥ）を設定する
。続いて同じ入力部３７からキー操作により、サンプリ
ング毎に変化させる微小温度変化量へＴを設定する（Ｓ
ｒ１）。続いて、設定出射パワーに対する最大変動率±
ΔＰＭに相当する許容変動レベルＶＨ１ＶＨを設定する
（Ｓｒ３）。
略す）１で、入力部３７からキー操作により半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳとＴＥ（ＴＳ＜ＴＥ）を設定する
。続いて同じ入力部３７からキー操作により、サンプリ
ング毎に変化させる微小温度変化量へＴを設定する（Ｓ
ｒ１）。続いて、設定出射パワーに対する最大変動率±
ΔＰＭに相当する許容変動レベルＶＨ１ＶＨを設定する
（Ｓｒ３）。
次に、入力部３７に設けられるスタートキーを押して温
度制御動作を開始させ（Ｓｒ１）、温度ＴをＴＳとする
（Ｓｒ５）。そして、この温度ＴＳに対応して、レーザ
ダイオード３０ａの出射パワーが光センサ３４で受光さ
れ、光パワーメータ３５、端子４６を経て、比較部４０
に入力され、信号処理される（Ｓｒ６）。すなわち比較
部４０では、光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ〜ＶＨと
の比較がなされる。スタート時（温度ＴＳ）は、第３図
（ａ）に示すように、設定出射パワーＰＯに対応する電
圧ＶＳ＝Ｖｏは、下限値ＶＬと上限値ＶＨ内にあり、し
たがってその出力電圧Ｖは第３図（ｂ）に示すように“
Ｈ”となる。
度制御動作を開始させ（Ｓｒ１）、温度ＴをＴＳとする
（Ｓｒ５）。そして、この温度ＴＳに対応して、レーザ
ダイオード３０ａの出射パワーが光センサ３４で受光さ
れ、光パワーメータ３５、端子４６を経て、比較部４０
に入力され、信号処理される（Ｓｒ６）。すなわち比較
部４０では、光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ〜ＶＨと
の比較がなされる。スタート時（温度ＴＳ）は、第３図
（ａ）に示すように、設定出射パワーＰＯに対応する電
圧ＶＳ＝Ｖｏは、下限値ＶＬと上限値ＶＨ内にあり、し
たがってその出力電圧Ｖは第３図（ｂ）に示すように“
Ｈ”となる。
さらに続いて、ＣＰＵ３９がΔＴだけ温度を上昇させる
出力信号を設定温度調整部４２に入力し、半導体レーザ
パンケージ３０内の温度Ｔ＋ΔＴとなるように調整する
（Ｓｒ１）。そしてＣＰＵ３９は、温度Ｔが使用温度の
上限設定値ＴＥに達したか否かを判定しく５Ｔ８）、温
度Ｔが上限設定値ＴＥを越えていない場合はＳｒ１に戻
り、出射パワーの信号処理を行う。すなわち比較部４０
で光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ−ＶＨとの比較を行
う。
出力信号を設定温度調整部４２に入力し、半導体レーザ
パンケージ３０内の温度Ｔ＋ΔＴとなるように調整する
（Ｓｒ１）。そしてＣＰＵ３９は、温度Ｔが使用温度の
上限設定値ＴＥに達したか否かを判定しく５Ｔ８）、温
度Ｔが上限設定値ＴＥを越えていない場合はＳｒ１に戻
り、出射パワーの信号処理を行う。すなわち比較部４０
で光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ−ＶＨとの比較を行
う。
続いてまた温度をΔＴだけ上昇させ（Ｓｒ１）このＳｒ
１からＳｒ１までの処理を温度ＴがＴ〉Ｔ、Ｅとなるま
で繰り返す。この繰り返し過程で、光パワー信号ＶＳが
、許容電圧ＶＬ−ＶＨの範囲内にある時は、比較部４０
の出力は”Ｈ”であり、範囲外に出るとその出力は“Ｌ
″となる。すなわち範囲内に入る光パワー信号ＶＳと許
容電圧レベルの交叉点では、比較部４０より出力される
パルス信号は立上がり、範囲内から出る光パワー信号ｖ
Ｓと許容電圧レベルの交叉点では、出力パルス信号が立
下がる。Ｓｒ１の信号処理でこの立上がり時と立下がり
時の温度Ｔ１・Ｔ２、Ｔ３・Ｔ４、Ｔ５・Ｔ６、・・・
、Ｔｉ−’ｒｊ、・・・を、メモリ４１に記憶しておく
。
１からＳｒ１までの処理を温度ＴがＴ〉Ｔ、Ｅとなるま
で繰り返す。この繰り返し過程で、光パワー信号ＶＳが
、許容電圧ＶＬ−ＶＨの範囲内にある時は、比較部４０
の出力は”Ｈ”であり、範囲外に出るとその出力は“Ｌ
″となる。すなわち範囲内に入る光パワー信号ＶＳと許
容電圧レベルの交叉点では、比較部４０より出力される
パルス信号は立上がり、範囲内から出る光パワー信号ｖ
Ｓと許容電圧レベルの交叉点では、出力パルス信号が立
下がる。Ｓｒ１の信号処理でこの立上がり時と立下がり
時の温度Ｔ１・Ｔ２、Ｔ３・Ｔ４、Ｔ５・Ｔ６、・・・
、Ｔｉ−’ｒｊ、・・・を、メモリ４１に記憶しておく
。
温度Ｔが、使用温度範囲の上限ＴＥに達すると、Ｓｒ１
の判定はＹＥＳとなり、次に続いて、Ｓｒ１で表示処理
が行われる。この表示は、トリガ点、すなわち、パルス
信号の立上がり時、立下がり時の温度の対について行わ
れる。したがって表示部３８には、ＴＩ・Ｔ２、Ｔ３・
Ｔ４、・・・、Ｔ７・Ｔ８が表示される。これらの表示
は、出射パワーが最大変動率±ＡＰＭ内にある温度範囲
を示すものであり、これらの温度範囲は、それぞれＣＰ
Ｕ３９で計算され、かつ比較演算により、最も広い温度
範囲Ｔｉ”Ｔｊが決定され、この温度範囲Ｔｉ−Ｔｊの
みが点滅表示され、他の温度範囲と区別される。そして
、最適設定温度は（Ｔｉ十Ｔｊ）／２近辺の温度となる
。
の判定はＹＥＳとなり、次に続いて、Ｓｒ１で表示処理
が行われる。この表示は、トリガ点、すなわち、パルス
信号の立上がり時、立下がり時の温度の対について行わ
れる。したがって表示部３８には、ＴＩ・Ｔ２、Ｔ３・
Ｔ４、・・・、Ｔ７・Ｔ８が表示される。これらの表示
は、出射パワーが最大変動率±ＡＰＭ内にある温度範囲
を示すものであり、これらの温度範囲は、それぞれＣＰ
Ｕ３９で計算され、かつ比較演算により、最も広い温度
範囲Ｔｉ”Ｔｊが決定され、この温度範囲Ｔｉ−Ｔｊの
みが点滅表示され、他の温度範囲と区別される。そして
、最適設定温度は（Ｔｉ十Ｔｊ）／２近辺の温度となる
。
なお、上記実施例において、許容変動レベルは上限値、
及び下限値を設定しているが、上限値あるいは下限値の
みを設定してもよい。
及び下限値を設定しているが、上限値あるいは下限値の
みを設定してもよい。
第１図はこの発明の１実施例を示す半導体レーザの動作
温度設定装置のブロック図、第２図は同動作温度設定装
置の動作を説明するためのフロー図、第３図は同実施例
装置の動作を説明するための特性図であって、第３図（
ａ）は、温度Ｔの変化に対する光パワー信号の変化を示
す図、第３図（ｂ）は温度Ｔの変化に対する比較部の出
力を示す図、第４図は同実施例装置の比較部の具体回路
を示す接続図、第５図は従来の温度調整装置を示゛ずブ
ロック図、第６図は従来の最適温度を決定するための方
法を示す図であって、第６図（ａ）はその方法を実施す
る回路ブロック図、第６図（ｂ）はその方法実施によっ
て出力される温度−ピーり波長特性を示す図、第７図は
従来の最適温度を決定するための他の方法を示す図であ
って、第７図＜ａ＞はその方法を実施する回路ブロック
図、第７図（ｂ）はその方法実施によって出力される温
度−光パワー特性を示す図である。 ３０：半導体レーザパッケージ、 ３０ａ：レーザダイオード、 ３５：光パワーメータ、 ３７：入力部、３９：ＣＰＬ
Ｊ、 ４０：サンプリング部、４１：メモリ、
４３：表示部 特許出願人 立石電機株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第２図 第３図 第４図
温度設定装置のブロック図、第２図は同動作温度設定装
置の動作を説明するためのフロー図、第３図は同実施例
装置の動作を説明するための特性図であって、第３図（
ａ）は、温度Ｔの変化に対する光パワー信号の変化を示
す図、第３図（ｂ）は温度Ｔの変化に対する比較部の出
力を示す図、第４図は同実施例装置の比較部の具体回路
を示す接続図、第５図は従来の温度調整装置を示゛ずブ
ロック図、第６図は従来の最適温度を決定するための方
法を示す図であって、第６図（ａ）はその方法を実施す
る回路ブロック図、第６図（ｂ）はその方法実施によっ
て出力される温度−ピーり波長特性を示す図、第７図は
従来の最適温度を決定するための他の方法を示す図であ
って、第７図＜ａ＞はその方法を実施する回路ブロック
図、第７図（ｂ）はその方法実施によって出力される温
度−光パワー特性を示す図である。 ３０：半導体レーザパッケージ、 ３０ａ：レーザダイオード、 ３５：光パワーメータ、 ３７：入力部、３９：ＣＰＬ
Ｊ、 ４０：サンプリング部、４１：メモリ、
４３：表示部 特許出願人 立石電機株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）半導体レーザ光源と、半導体レーザの使用温度範
囲ＴＳ〜ＴＥを入力する入力手段と、設定すべき出射パ
ワーに対する許容最大変動率ΔＰＭに相当する許容変動
レベルを設定する許容変動レベル設定手段と、所定の温
度ΔＴずつ温度を変化する温度調整手段と、前記半導体
レーザ光源よりの出射パワーを信号導出する出射パワー
導出手段と、この出射パワー導出手段よりの出射パワー
信号と前記許容変動レベルとを比較する手段と、この比
較手段の比較により、許容変動レベルを出射パワーが交
叉する点の温度を表示する表示部とからなる半導体レー
ザの動作温度設定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13776184A JPS6116589A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザの動作温度設定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13776184A JPS6116589A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザの動作温度設定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116589A true JPS6116589A (ja) | 1986-01-24 |
Family
ID=15206215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13776184A Pending JPS6116589A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 半導体レ−ザの動作温度設定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116589A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930134A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-29 | Reiton Corporation | Precision temperature sensor |
| JP2009177140A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | 波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13776184A patent/JPS6116589A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930134A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-29 | Reiton Corporation | Precision temperature sensor |
| JP2009177140A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | 波長可変レーザの試験方法、波長可変レーザの制御方法およびレーザ装置 |
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