JPS6116740B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6116740B2 JPS6116740B2 JP23005382A JP23005382A JPS6116740B2 JP S6116740 B2 JPS6116740 B2 JP S6116740B2 JP 23005382 A JP23005382 A JP 23005382A JP 23005382 A JP23005382 A JP 23005382A JP S6116740 B2 JPS6116740 B2 JP S6116740B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- particles
- base material
- flame
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光フアイバ母材を高速で合成するため
の、ガラス微粒子を高反応効率で合成する光フア
イバ母材の製造方法に関する。
の、ガラス微粒子を高反応効率で合成する光フア
イバ母材の製造方法に関する。
（従来の技術〕
火炎内でガラス微粒子を合成し、これを出発材
の軸方向に付着、堆積して多孔質母材を形成した
後、高温焼結して透明母材を製造するVAD法で
は、従来、SiC４，GeC４等のガラス原料ガ
スのみを合成トーチに供給し、火炎反応帯域内で
ガラス微粒子を合成していた。
の軸方向に付着、堆積して多孔質母材を形成した
後、高温焼結して透明母材を製造するVAD法で
は、従来、SiC４，GeC４等のガラス原料ガ
スのみを合成トーチに供給し、火炎反応帯域内で
ガラス微粒子を合成していた。
しかし、この従来の方法でガラス微粒子を合成
した場合、母材の製造速度を向上するために、原
料ガス供給量を増加すると、ガラス微粒子を合成
する反応効率が低下し、ガラス微粒子の堆積速度
は一定以上大きくならず、母材合成速度の向上が
困難になるという問題点があつた。
した場合、母材の製造速度を向上するために、原
料ガス供給量を増加すると、ガラス微粒子を合成
する反応効率が低下し、ガラス微粒子の堆積速度
は一定以上大きくならず、母材合成速度の向上が
困難になるという問題点があつた。
本発明はこの欠点を除去するため、SiC４，
GeC４等を含むガラス原料ガス中に、あらかじ
め合成したガラス原料ガスから形成される酸化物
の微粒子、たとえばSiO2，GeO2，Ａ2O3，
TiO2，B2，O3，P2O5等の微小な酸化物粒子を混
合し、該混合原料ガス体を火炎中に供給すること
により、ガラス微粒子を合成するものであり、そ
の目的は、原料供給量の増加に伴う反応効率の低
下を防止し、VAD法による母材の高速合成を可
能にすることにある。同様に、ガラス微粒子の合
成の効率を上げるために、触媒となる炭素微粒子
を発生するプロパンガス等を合成トーチへ供給す
る方法もあるが、この方法では炭素微粒子は合成
されるガラス微粒子中にはとり込まれない点が異
なる。合成効率の向上は同程度である。
GeC４等を含むガラス原料ガス中に、あらかじ
め合成したガラス原料ガスから形成される酸化物
の微粒子、たとえばSiO2，GeO2，Ａ2O3，
TiO2，B2，O3，P2O5等の微小な酸化物粒子を混
合し、該混合原料ガス体を火炎中に供給すること
により、ガラス微粒子を合成するものであり、そ
の目的は、原料供給量の増加に伴う反応効率の低
下を防止し、VAD法による母材の高速合成を可
能にすることにある。同様に、ガラス微粒子の合
成の効率を上げるために、触媒となる炭素微粒子
を発生するプロパンガス等を合成トーチへ供給す
る方法もあるが、この方法では炭素微粒子は合成
されるガラス微粒子中にはとり込まれない点が異
なる。合成効率の向上は同程度である。
（発明が解決しようとする問題点〕
本発明の方法は、母材の製造速度を向上するた
めに、合成トーチへの原料ガスの供給量を増加し
た場合、火炎内での反応効率が減少し、ガラス微
粒子の堆積速度が一定以上大きくならないことを
解決しようとするものである。
めに、合成トーチへの原料ガスの供給量を増加し
た場合、火炎内での反応効率が減少し、ガラス微
粒子の堆積速度が一定以上大きくならないことを
解決しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の方法はガラス原料ガス中に、ガラス微
粒子を混合した状態でこれを火炎中へ供給するこ
とにより、反応を律速する初期の微粒子合成過程
を円滑にし、微粒子合成の活性化エネルギーを低
下させようとするものである。すなわち混合した
ガラス微粒子が核となり、火炎中でのガラス微粒
子の成長が容易に達成され、反応効率を上昇させ
るのである。この結果、従来の原料ガスのみを供
給してガラス微粒子を合成する場合に比べて、反
応に要する温度が低下し、かつ反応速度が向上す
ることとなる。このことは、一般に表面反応を利
用した場合、活性化エネルギーが低下する現象に
対応するものであり、微小粒子表面がガラス微粒
子合成反応用の表面として作用すると考えられ
る。このように合成したガラス微粒子を軸方向に
付着、堆積して多孔質母材が形成される。この多
孔質母材を1500〜1600℃に加熱、焼結して透明母
材が得られる。
粒子を混合した状態でこれを火炎中へ供給するこ
とにより、反応を律速する初期の微粒子合成過程
を円滑にし、微粒子合成の活性化エネルギーを低
下させようとするものである。すなわち混合した
ガラス微粒子が核となり、火炎中でのガラス微粒
子の成長が容易に達成され、反応効率を上昇させ
るのである。この結果、従来の原料ガスのみを供
給してガラス微粒子を合成する場合に比べて、反
応に要する温度が低下し、かつ反応速度が向上す
ることとなる。このことは、一般に表面反応を利
用した場合、活性化エネルギーが低下する現象に
対応するものであり、微小粒子表面がガラス微粒
子合成反応用の表面として作用すると考えられ
る。このように合成したガラス微粒子を軸方向に
付着、堆積して多孔質母材が形成される。この多
孔質母材を1500〜1600℃に加熱、焼結して透明母
材が得られる。
（実施例）
第１図は本発明の製造方法を実現するための装
置の一実施例であつて、１は微小粒子供給装置、
２はガラス原料ガスおよび火炎用ガス供給装置、
３は合成トーチ、４はガラス原料ガスと微小粒子
の混合体、５は火炎流、６は合成されたガラス微
粒子、７は多孔質母材である。微小粒子供給装置
１には、別途合成したガラスの微粒子を充てんし
ておく。供給装置２からのガラス原料ガスおよび
火炎用ガスは、担体としてのArガスにより輸送
された、たとえばSiO2の微小粒子と混合され、
合成トーチ３へ供給される。４は供給されたガラ
ス原料ガスと微小粒子の混合体である。この混合
体４は、合成トーチ３から吹き出す火炎流５内に
おいて、火炎加水分解され、ガラス微粒子６を形
成し、多孔質母材７として堆積される。
置の一実施例であつて、１は微小粒子供給装置、
２はガラス原料ガスおよび火炎用ガス供給装置、
３は合成トーチ、４はガラス原料ガスと微小粒子
の混合体、５は火炎流、６は合成されたガラス微
粒子、７は多孔質母材である。微小粒子供給装置
１には、別途合成したガラスの微粒子を充てんし
ておく。供給装置２からのガラス原料ガスおよび
火炎用ガスは、担体としてのArガスにより輸送
された、たとえばSiO2の微小粒子と混合され、
合成トーチ３へ供給される。４は供給されたガラ
ス原料ガスと微小粒子の混合体である。この混合
体４は、合成トーチ３から吹き出す火炎流５内に
おいて、火炎加水分解され、ガラス微粒子６を形
成し、多孔質母材７として堆積される。
実施例 １
第１図に示す装置を用い微小粒子として高純度
SiO2粒子（直径約0.1μｍ）を使用し、供給装置
１から毎分１ｇの割合でArガスによつて輸送す
る一方、供給装置２からガラス原料ガス（SiC
４：90モル％、GeC４：10モル％）を毎分50ｇ
の割合で輸送し、該SiO2粒子と混合した後、合
成トーチ３に供給して多孔質母材を製造した場
合、12ｇ／分の合成速度で多孔質母材が得られ
た。この場合の反応効率は70％以上に達した。同
一の条件下で、SiO2微粒子を混合しなかつた場
合、反応効率は20％と極めて低かつた。
SiO2粒子（直径約0.1μｍ）を使用し、供給装置
１から毎分１ｇの割合でArガスによつて輸送す
る一方、供給装置２からガラス原料ガス（SiC
４：90モル％、GeC４：10モル％）を毎分50ｇ
の割合で輸送し、該SiO2粒子と混合した後、合
成トーチ３に供給して多孔質母材を製造した場
合、12ｇ／分の合成速度で多孔質母材が得られ
た。この場合の反応効率は70％以上に達した。同
一の条件下で、SiO2微粒子を混合しなかつた場
合、反応効率は20％と極めて低かつた。
実施例 ２
第２図はガラス原料ガス供給量を50ｇ／分の割
合で輸送して多孔質母材を製造した場合の相対混
合微粒子量（相対量：微粒子量／原料ガス量）の
反応効率の関係を示したものである。第２図にお
いて●印は微粒子の混合がない場合を示す。第２
図からわかるようにガラス原料ガス供給量の1/10
００〜1/100の微粒子混合量で、効果が見られ、1/1
０以上の量では、80％程度の一定値となる。
合で輸送して多孔質母材を製造した場合の相対混
合微粒子量（相対量：微粒子量／原料ガス量）の
反応効率の関係を示したものである。第２図にお
いて●印は微粒子の混合がない場合を示す。第２
図からわかるようにガラス原料ガス供給量の1/10
００〜1/100の微粒子混合量で、効果が見られ、1/1
０以上の量では、80％程度の一定値となる。
さらにガラス原料ガス供給量を増加して100
ｇ／分の割合で輸送して多孔質母材を製造した場
合は図示してないが、１／１００の混合微粒子量で30 ％、1/10の混合量で50％の反応効率が確保され
た。この場合、微粒子混合量を零とし、従来法と
同様の条件下で母材を製造したときの反応効率は
10％以下で、ガラス原料ガス供給量50ｇの場合の
約半分に低下していることが明らかになつた。
ｇ／分の割合で輸送して多孔質母材を製造した場
合は図示してないが、１／１００の混合微粒子量で30 ％、1/10の混合量で50％の反応効率が確保され
た。この場合、微粒子混合量を零とし、従来法と
同様の条件下で母材を製造したときの反応効率は
10％以下で、ガラス原料ガス供給量50ｇの場合の
約半分に低下していることが明らかになつた。
本願で示した反応効率改善法は、VAD法だけ
でなく、外付け法等、火炎によつてガラス微粒子
を合成することを基本とした他の光フアイバ母材
の製造方法にも適用できるほか、電気炉内での微
粒子合成にも応用可能である。
でなく、外付け法等、火炎によつてガラス微粒子
を合成することを基本とした他の光フアイバ母材
の製造方法にも適用できるほか、電気炉内での微
粒子合成にも応用可能である。
また原料ガスに混合する微小粒子としては、前
記実施例で示したSiO2粒子のほか、GeO2，Ａ
2O3，TiO2，B2O3，P2O5の１種以上を含む粒子
が使用できる。
記実施例で示したSiO2粒子のほか、GeO2，Ａ
2O3，TiO2，B2O3，P2O5の１種以上を含む粒子
が使用できる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の光フアイバ母材
の製造方法によれば、原料ガス供給量を増加した
場合の反応効率低下を防止できるので、VAD法
によつて、10ｇ／分以上の高速母材合成が可能に
なるほか、高速合成と効率向上が同時に可能にな
るので、光フアイバ母材の製造価格を大幅に低下
できる利点がある。
の製造方法によれば、原料ガス供給量を増加した
場合の反応効率低下を防止できるので、VAD法
によつて、10ｇ／分以上の高速母材合成が可能に
なるほか、高速合成と効率向上が同時に可能にな
るので、光フアイバ母材の製造価格を大幅に低下
できる利点がある。
第１図は本発明の一実施例図、第２図は相対混
合微粒子量と反応効率の関係を示す図である。 １……微小粒子供給装置、２……ガラス原料ガ
スおよび火炎用ガス供給装置、３……合成トー
チ、４……ガラス原料ガスと微小粒子の混合体、
５……火炎流、６……合成されたガラス微粒子、
７……多孔質母材。
合微粒子量と反応効率の関係を示す図である。 １……微小粒子供給装置、２……ガラス原料ガ
スおよび火炎用ガス供給装置、３……合成トー
チ、４……ガラス原料ガスと微小粒子の混合体、
５……火炎流、６……合成されたガラス微粒子、
７……多孔質母材。
Claims (1)
- １ 火炎によつて合成したガラス微粒子を出発材
の軸方向に付着、堆積して丸棒状に多孔質母材を
形成した後、高温に加熱、焼結して光フアイバ母
材を得る光フアイバ母材の製造方法において、火
炎中に供給するガラス原料ガス中に該ガラス原料
から形成される酸化物の１種以上の微小な粒子を
混合し、該混合原料ガス体よりガラス微粒子を合
成して多孔質母材を形成し、高温焼結によつて透
明母材を製造することを特徴とする光フアイバ母
材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23005382A JPS59128225A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23005382A JPS59128225A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59128225A JPS59128225A (ja) | 1984-07-24 |
| JPS6116740B2 true JPS6116740B2 (ja) | 1986-05-01 |
Family
ID=16901819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23005382A Granted JPS59128225A (ja) | 1982-12-29 | 1982-12-29 | 光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59128225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145434B2 (en) | 2019-05-08 | 2021-10-12 | Erico International Corporation | Low voltage power conductor and system |
| US11616334B2 (en) | 2021-01-06 | 2023-03-28 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Method of manufacturing cable assembly, horn chip used in the method and cable assembly manufactured by the method |
-
1982
- 1982-12-29 JP JP23005382A patent/JPS59128225A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11145434B2 (en) | 2019-05-08 | 2021-10-12 | Erico International Corporation | Low voltage power conductor and system |
| US11616334B2 (en) | 2021-01-06 | 2023-03-28 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Method of manufacturing cable assembly, horn chip used in the method and cable assembly manufactured by the method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59128225A (ja) | 1984-07-24 |
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