JPS61168926A - 樹脂基板 - Google Patents
樹脂基板Info
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- JPS61168926A JPS61168926A JP60009013A JP901385A JPS61168926A JP S61168926 A JPS61168926 A JP S61168926A JP 60009013 A JP60009013 A JP 60009013A JP 901385 A JP901385 A JP 901385A JP S61168926 A JPS61168926 A JP S61168926A
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- resin substrate
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は樹脂基板に関し、特に、半導体装置の実装に好
適な樹脂基板に関する。
適な樹脂基板に関する。
半導体素子の実装にセラミック基板が広く使用されてい
る。特に、半導体装置に信頼性が重視されるもの罠つい
てはセラミック基板によって〜・る。
る。特に、半導体装置に信頼性が重視されるもの罠つい
てはセラミック基板によって〜・る。
セラミック基板を使用した半導体パッケージにいわゆる
ビングリッドプレイタイプのパッケージがある。これは
、セラミック基板の裏面から垂直方向く多数のビンを立
設したもので、セラミック基板が高価であること、ビン
を立設する工程を要するなどその構造上（製法上）極め
℃高価なものにつぎ、さらＫ、セラミック基板上圧搭載
された半導体素子と上記ビンとをワイヤボンディングに
より電気的に接続するため罠は、当該ビンから。
ビングリッドプレイタイプのパッケージがある。これは
、セラミック基板の裏面から垂直方向く多数のビンを立
設したもので、セラミック基板が高価であること、ビン
を立設する工程を要するなどその構造上（製法上）極め
℃高価なものにつぎ、さらＫ、セラミック基板上圧搭載
された半導体素子と上記ビンとをワイヤボンディングに
より電気的に接続するため罠は、当該ビンから。
導体配線層を、セラミック基板中に、Ｉ！＃に設げねば
ならなかった。
ならなかった。
一方、セラミックタイプの半導体バクケージの一つとし
℃パッドグリッドアレイタイプのパッケージがある。こ
れは基板底面にパッドと称されるメタライズ層を設け、
半田付けによる実装基板へ平面付けするタイプのもので
あるが、このものも前記ピングリットアレイタイプのも
のと同様にその構造上（製法上）極めて高価であり、か
つ、ワイヤボンディングするためにバッドから導体配線
層を設ける必要があった。
℃パッドグリッドアレイタイプのパッケージがある。こ
れは基板底面にパッドと称されるメタライズ層を設け、
半田付けによる実装基板へ平面付けするタイプのもので
あるが、このものも前記ピングリットアレイタイプのも
のと同様にその構造上（製法上）極めて高価であり、か
つ、ワイヤボンディングするためにバッドから導体配線
層を設ける必要があった。
本発明の目的は、かかる従来技術の有する欠点を解消し
、その構造上も製法上も安価なものとすることができ、
かつ、殊更に、導体配線層を設ける必要のない樹脂基板
を提供すること罠ある。
、その構造上も製法上も安価なものとすることができ、
かつ、殊更に、導体配線層を設ける必要のない樹脂基板
を提供すること罠ある。
本発明の他の目的は、ピングリットアレイのごとく、殊
更にビンを立設する必要のない、樹脂基板を提供するこ
とを目的とする。
更にビンを立設する必要のない、樹脂基板を提供するこ
とを目的とする。
本発明のさらに他の目的は、熱放散の良好な樹脂基板を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願に？いて開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明は板状の樹脂体中に適宜のピッチ、配
列で任意の太さのリードワイヤを垂直方向に埋込むこと
罠より、殊更に、ビンを立設する必要がなく、また、殊
更にワイヤボンディングのために導体配線層を設ける必
要がなく、その構造上、製法上も安価なものとなり、さ
らに、樹脂中に金属製のリードワイヤが埋込まれている
ので放熱特性も良く、信頼性の向上を図ることができる
。
列で任意の太さのリードワイヤを垂直方向に埋込むこと
罠より、殊更に、ビンを立設する必要がなく、また、殊
更にワイヤボンディングのために導体配線層を設ける必
要がなく、その構造上、製法上も安価なものとなり、さ
らに、樹脂中に金属製のリードワイヤが埋込まれている
ので放熱特性も良く、信頼性の向上を図ることができる
。
次に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の樹脂基板の一例を示す斜視図。
第２図は第１図１−１線に沿う断面の一例図、第３図は
第２図■−■線に沿う断面の一例図、第４図は本発明樹
脂基板の製法の一例を示す説明図、第５図は本発明の樹
脂基板を用いた半導体装置の一例断面図である。
第２図■−■線に沿う断面の一例図、第４図は本発明樹
脂基板の製法の一例を示す説明図、第５図は本発明の樹
脂基板を用いた半導体装置の一例断面図である。
これら図に示すよう罠、樹脂体１中に、リードワイヤ２
を適宜のピッチ、配列で埋込みする。
を適宜のピッチ、配列で埋込みする。
樹脂体ｌは、熱可塑性合成樹脂や熱硬化性合成樹脂など
により構成され１例えばエポキシ樹脂。
により構成され１例えばエポキシ樹脂。
ガラスエポキシ樹脂により構成される。
リードワイヤ２は、例えばワイヤボンディングに使用さ
れているＡｆ線やリードフレーム材料とし１使用され又
いるコバール合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）ＪＰ銅又は銅系
合金により構成される。
れているＡｆ線やリードフレーム材料とし１使用され又
いるコバール合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）ＪＰ銅又は銅系
合金により構成される。
リードワイヤ２は適宜の太さのものを使用する。
均一の太さのものであっ工もよいし、各リードのワイヤ
２・・・の各太さを適宜変えてもよい。
２・・・の各太さを適宜変えてもよい。
樹脂体ｌ中にリードワイヤ２が埋込まれた樹脂基板３は
、各種の方法により成形でき、例えば任意の外形、任意
の厚さを有する樹脂体１に穴を穿設し、当該穴内にリー
ドワイヤ２を固着させること罠より得ることができるし
、また、複数本のリードワイヤ２な型中罠立設しておぎ
、当該型内に樹脂を流し込み、硬化させることにより得
ることができるが、第４図に示すような多心ケーブルの
合成樹脂くよる押出し被覆方法を採用するとよい。
、各種の方法により成形でき、例えば任意の外形、任意
の厚さを有する樹脂体１に穴を穿設し、当該穴内にリー
ドワイヤ２を固着させること罠より得ることができるし
、また、複数本のリードワイヤ２な型中罠立設しておぎ
、当該型内に樹脂を流し込み、硬化させることにより得
ることができるが、第４図に示すような多心ケーブルの
合成樹脂くよる押出し被覆方法を採用するとよい。
例えば、押出機のクロスへラドダイ４に矢標５方向から
、リードワイヤ２を供給し、ホッパー６から、矢標７で
示すよう罠、樹脂体１を構成する樹脂を供給し、樹脂体
１中にリードワイヤ２が埋込みされたものを矢標８力向
に押出し、当該埋込物を、適宜の長さに切断することに
より、第３図や第２図に示す断面の樹脂基板３を得るこ
とができる。
、リードワイヤ２を供給し、ホッパー６から、矢標７で
示すよう罠、樹脂体１を構成する樹脂を供給し、樹脂体
１中にリードワイヤ２が埋込みされたものを矢標８力向
に押出し、当該埋込物を、適宜の長さに切断することに
より、第３図や第２図に示す断面の樹脂基板３を得るこ
とができる。
この樹脂基板３に、第５図に示すように、接着剤９によ
り、半導体素子１０を搭載し、該素子ｌＯのパッド（図
示せずンと樹脂基板３のリードワイヤ２の一端部とをコ
ネクタワイヤ１１によりワイヤボンディングし、樹脂基
板３上に接着剤１２によりキャップ１３を取付けると第
５図に示すような半導体装置１４が得られ、リードワイ
ヤ２の他端部な、半田１５により、プリント配線基板な
どの実装基板１５に平面性は実装する。
り、半導体素子１０を搭載し、該素子ｌＯのパッド（図
示せずンと樹脂基板３のリードワイヤ２の一端部とをコ
ネクタワイヤ１１によりワイヤボンディングし、樹脂基
板３上に接着剤１２によりキャップ１３を取付けると第
５図に示すような半導体装置１４が得られ、リードワイ
ヤ２の他端部な、半田１５により、プリント配線基板な
どの実装基板１５に平面性は実装する。
コネクタワイヤ１１には、例えばＡｊ２細線やＡｕ細線
を使用することができる。
を使用することができる。
接着剤９は例え螺Ａｇペーストより構成される。
半導体素子（半導体チップ）１０は、例えばシリコン単
結晶基板から成り、周知の技術によってこのチップ内に
は多数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えら
れている。回路素子の具体例は１例えばＭＯＳトランジ
スタから成り、これらの回路素子によって、例えばメモ
リや論理回路の回路機能が形成されている。
結晶基板から成り、周知の技術によってこのチップ内に
は多数の回路素子が形成され、１つの回路機能が与えら
れている。回路素子の具体例は１例えばＭＯＳトランジ
スタから成り、これらの回路素子によって、例えばメモ
リや論理回路の回路機能が形成されている。
接着剤１２は例えばガラス材料より構成される。
キャップ１３は、例えば、セラミックや金属により構成
される。
される。
（１１本発明によれば、板状の樹脂体中にリードワイヤ
が埋込みされているので、ピンクリッドアレイのごとく
ピンを立設する必要がない。
が埋込みされているので、ピンクリッドアレイのごとく
ピンを立設する必要がない。
（２１本発明によれば、セラミック基板のごとく何層に
もセラミックグリーンシートを積層し、焼結し、各シー
トに導体配線層を設けるような手のかかる製法を経なく
℃もよく、押出成形などにより簡単に作れ、また、樹脂
にリードワイヤを埋込んでいるだけなので、極め℃安価
な基板を提供でき。
もセラミックグリーンシートを積層し、焼結し、各シー
トに導体配線層を設けるような手のかかる製法を経なく
℃もよく、押出成形などにより簡単に作れ、また、樹脂
にリードワイヤを埋込んでいるだけなので、極め℃安価
な基板を提供でき。
半導体装置も安価なものを提供できた。
（３１本発明によれば、従来のセラミックパッケージで
は、基板上部のコネクタワイヤと基板裏面のピンとを電
気的に接続するために、導体配線層を殊更に設は曵いた
が、本発明ではリードワイヤに直接コネクタワイヤをボ
ンディングでき、その際、リードワイヤの材質を適当に
選択することにより。
は、基板上部のコネクタワイヤと基板裏面のピンとを電
気的に接続するために、導体配線層を殊更に設は曵いた
が、本発明ではリードワイヤに直接コネクタワイヤをボ
ンディングでき、その際、リードワイヤの材質を適当に
選択することにより。
例えばＣｕ系材料とすることにより、ポンディング性向
上のためのメッキなどを省略できる。
上のためのメッキなどを省略できる。
＋４７ 本発明ではリードワイヤの材質を適当に選択
することにより、樹脂との熱膨張係数差をなりシ。
することにより、樹脂との熱膨張係数差をなりシ。
樹脂をマツチングした樹脂基板を得ることができた。
（５１本発明によれば、樹脂中に適宜のピッチ、配列で
リードワイヤを多数理め込んであるので、熱の放散が良
く、半導体素子から生ずる熱を当該リードワイヤを介し
て放熱することができ、さらに、実装基板への放熱する
ことができる。
リードワイヤを多数理め込んであるので、熱の放散が良
く、半導体素子から生ずる熱を当該リードワイヤを介し
て放熱することができ、さらに、実装基板への放熱する
ことができる。
このリードワイヤは導通（ワイヤボンディング）をとる
部分の外罠、多数特に半導体素子の下側に多数配設する
ことにより、より一層放熱特性が良くなり、信頼性の向
上に□寄与することができる。
部分の外罠、多数特に半導体素子の下側に多数配設する
ことにより、より一層放熱特性が良くなり、信頼性の向
上に□寄与することができる。
（６１本発明によれば先の実施例にも示すごとく、その
構造上も製法上も簡易なものとすることができ、コスト
を著しく低減できた。
構造上も製法上も簡易なものとすることができ、コスト
を著しく低減できた。
以上本発明によってなされた発明を実施例にもとづき具
体的に説明したが、本発明は上記実施側圧限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施側圧限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、リードビンの高さについて樹脂の上面や下面と
一致させる。あるいはこれら面よりも低くしてもよ（、
さらには、これら面から突出させてもよい。特に、下面
より突出することにより、牛田付は実装の際のメニスカ
スを形成することができる利点がある。
一致させる。あるいはこれら面よりも低くしてもよ（、
さらには、これら面から突出させてもよい。特に、下面
より突出することにより、牛田付は実装の際のメニスカ
スを形成することができる利点がある。
本発明の樹脂基板は、基板としてセラミック基板などく
代って使用でき、前述したビングリッドアレイパッケー
ジやパッドグリッドアレイパッケージの他Ｋ、各種パッ
ケージの基板とし工区範囲に使用できる。
代って使用でき、前述したビングリッドアレイパッケー
ジやパッドグリッドアレイパッケージの他Ｋ、各種パッ
ケージの基板とし工区範囲に使用できる。
特に、安価で、小型化、高密度化、高信頼性を意図する
分野に好適に使用でき、半導体装置の他各種電子部品、
装置の分野にも適用できる。
分野に好適に使用でき、半導体装置の他各種電子部品、
装置の分野にも適用できる。
第１図は本発明の実施例を示す斜視図。
第２図は第１図１−１線に沿う一例断面図。
第３図は第２図■−■線に沿う一例断面図。
第４図は本発明樹脂基板の製法の説明図、第５図は本発
明による樹脂基板の応用例の一例を示す断面図である。 １・・・樹脂体、２・・・リードワイヤ、３・・・樹脂
基板。 ４・・・ダイ、５・・・矢標方向、６・・・ホッパー、
７・・・矢標方向、８・・・矢標方向、９・・・接着剤
、１０・・・半導体素子、１１・・・コネクタワイヤ、
１２・・・接着剤。 １３・・・キャップ、１４・・・半導体装置、１５・・
・半田。 １６・・・実装基板。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ゛第 １
図 第 ４ 図 第 ５ 図
明による樹脂基板の応用例の一例を示す断面図である。 １・・・樹脂体、２・・・リードワイヤ、３・・・樹脂
基板。 ４・・・ダイ、５・・・矢標方向、６・・・ホッパー、
７・・・矢標方向、８・・・矢標方向、９・・・接着剤
、１０・・・半導体素子、１１・・・コネクタワイヤ、
１２・・・接着剤。 １３・・・キャップ、１４・・・半導体装置、１５・・
・半田。 １６・・・実装基板。 代理人弁理士 小 川 勝 男 ゛第 １
図 第 ４ 図 第 ５ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、板状の樹脂体中に適宜のピッチ、配列で任意の太さ
のリードワイヤを埋込んで成ることを特徴とする樹脂基
板。 ２、特許請求の範囲第１項記載の樹脂基板が、リードワ
イヤを複数本埋込んだ樹脂体を切断して成るものから成
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の樹脂基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009013A JPS61168926A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 樹脂基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60009013A JPS61168926A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 樹脂基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61168926A true JPS61168926A (ja) | 1986-07-30 |
Family
ID=11708765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60009013A Pending JPS61168926A (ja) | 1985-01-23 | 1985-01-23 | 樹脂基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61168926A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5067007A (en) * | 1988-06-13 | 1991-11-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having leads for mounting to a surface of a printed circuit board |
| US5347162A (en) * | 1989-08-28 | 1994-09-13 | Lsi Logic Corporation | Preformed planar structures employing embedded conductors |
| US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
| US5504035A (en) * | 1989-08-28 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate |
| US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
| US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
-
1985
- 1985-01-23 JP JP60009013A patent/JPS61168926A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5067007A (en) * | 1988-06-13 | 1991-11-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having leads for mounting to a surface of a printed circuit board |
| US5347162A (en) * | 1989-08-28 | 1994-09-13 | Lsi Logic Corporation | Preformed planar structures employing embedded conductors |
| US5410805A (en) * | 1989-08-28 | 1995-05-02 | Lsi Logic Corporation | Method and apparatus for isolation of flux materials in "flip-chip" manufacturing |
| US5489804A (en) * | 1989-08-28 | 1996-02-06 | Lsi Logic Corporation | Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate |
| US5504035A (en) * | 1989-08-28 | 1996-04-02 | Lsi Logic Corporation | Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate |
| US5569963A (en) * | 1989-08-28 | 1996-10-29 | Lsi Logic Corporation | Preformed planar structures for semiconductor device assemblies |
| US5834799A (en) * | 1989-08-28 | 1998-11-10 | Lsi Logic | Optically transmissive preformed planar structures |
| US5770889A (en) * | 1995-12-29 | 1998-06-23 | Lsi Logic Corporation | Systems having advanced pre-formed planar structures |
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