JPH02184022A - Ｃｖｄ電極 - Google Patents
Ｃｖｄ電極Info
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- JPH02184022A JPH02184022A JP445889A JP445889A JPH02184022A JP H02184022 A JPH02184022 A JP H02184022A JP 445889 A JP445889 A JP 445889A JP 445889 A JP445889 A JP 445889A JP H02184022 A JPH02184022 A JP H02184022A
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- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 23
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000036470 plasma concentration Effects 0.000 abstract description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＬＳＩ等半導体装置の製造に用いられるＣＶ
Ｄ装置のＣＶＤ電極に関する。
Ｄ装置のＣＶＤ電極に関する。
（従来の技術）
化学的気相成長法（以下ＣＶＤ法という）は薄膜を構成
する元素からなる一種またはそれ以上の化合物気体を基
板表面に送り、基板表面上で化学反応させて目的の薄膜
を形成する方法である。
する元素からなる一種またはそれ以上の化合物気体を基
板表面に送り、基板表面上で化学反応させて目的の薄膜
を形成する方法である。
このＣＶＤ法は膜形成時にＰやＢ等のドーパントの添加
が容易であり、不必要な不純物の混入が少ないという特
徴があるため、主として３ｉ、５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等
の８１系薄膜の形成に用いられる重要な技術である。
が容易であり、不必要な不純物の混入が少ないという特
徴があるため、主として３ｉ、５ｉ０２、Ｓｉ３Ｎ４等
の８１系薄膜の形成に用いられる重要な技術である。
ＣＶＤ法ニハ常圧ＣＶＤ法、減ＪＩＣＶＤ法、プラズマ
ＣＶＤ法等の技術があるが、プラズマＣＶＤ法は低温で
成膜が可能なことから近年、益々多用されるようになっ
た。
ＣＶＤ法等の技術があるが、プラズマＣＶＤ法は低温で
成膜が可能なことから近年、益々多用されるようになっ
た。
プラズマＣＶＤ法は０．１〜１ＴＯｒｒの減圧下で５０
ＫＨｚ 〜１３．５６ＭＨ７の高周波励起によりプラズ
マを発生さ（！薄膜を生成する方法であるが、グロー放
電のプラズマ中に原料気体を送りこみ、活性度の高い原
子や分子のラジカルを作り、これらラジカルの反応性を
利用するので、４００°Ｃ以下の低温で反応が可能とな
る。
ＫＨｚ 〜１３．５６ＭＨ７の高周波励起によりプラズ
マを発生さ（！薄膜を生成する方法であるが、グロー放
電のプラズマ中に原料気体を送りこみ、活性度の高い原
子や分子のラジカルを作り、これらラジカルの反応性を
利用するので、４００°Ｃ以下の低温で反応が可能とな
る。
一般に用いられているプラズマＣＶＤ装置の断面図を第
１図に示す。
１図に示す。
図において、円形の平行平板電極１．２が設置され、ウ
ェハー３は下部の接地電極２の上に置かれ、上下の電極
間でグロー放電を起させるために１部電極１に高周波電
圧が印加される。
ェハー３は下部の接地電極２の上に置かれ、上下の電極
間でグロー放電を起させるために１部電極１に高周波電
圧が印加される。
流出調整された原料ガスはキャリアガスとともに原料ガ
ス流入管４から流入し、排気管５から排気される。
ス流入管４から流入し、排気管５から排気される。
上部電極１は第１図に示すように、電極表面に網目もし
くはふるい白状の開口部が設けてあり、流入した原料ガ
スが各開口部からできるだけ均一にプラズマの中に入る
ように工夫されている。
くはふるい白状の開口部が設けてあり、流入した原料ガ
スが各開口部からできるだけ均一にプラズマの中に入る
ように工夫されている。
下部電極２はその上に置いた基板を加熱できるようにな
っている。
っている。
電極間のギャップは通常１０ｍｍ以内に設定することが
多い。
多い。
従来、以上のようなプラズマＣＶＤ電極が用いられてい
るが、しかし、このようなＣＶＤ電極は電極の中央部の
圧力が高いというような電極に圧力分布が生じ易く、そ
のためプラズマ濃度、形成された膜の膜厚、膜質等が不
均一になる欠点がある。
るが、しかし、このようなＣＶＤ電極は電極の中央部の
圧力が高いというような電極に圧力分布が生じ易く、そ
のためプラズマ濃度、形成された膜の膜厚、膜質等が不
均一になる欠点がある。
また、電極中央部に原料の反応生成物が多くなり、その
ため原料供給量が少なくなり、電極中央部に形成された
膜は膜厚が薄くなるというような不均一な膜質分布が発
生する欠点がある。
ため原料供給量が少なくなり、電極中央部に形成された
膜は膜厚が薄くなるというような不均一な膜質分布が発
生する欠点がある。
さらに、原料の反応残ガスにより密閉されたＣｖＤ反応
室６が汚染され、ダストが発生し易いという欠点がある
。
室６が汚染され、ダストが発生し易いという欠点がある
。
また、電界強度、プラズマ状態等と成膜する膜厚分布と
を切り離して調整できない欠点がある。
を切り離して調整できない欠点がある。
（解決しようとする問題点）
本発明は、上記の欠点を除去し、均一な膜厚、膜質の膜
が形成できるＣＶＤ電極を提供しようとするものである
。
が形成できるＣＶＤ電極を提供しようとするものである
。
（問題を解決するための手段）
本発明は、上部電極において原料ガスのプラズマ中への
流出口と隣接して排気口を設け、上部電極内で原料ガス
の供給と排気を行なわしめるようにしたものである。
流出口と隣接して排気口を設け、上部電極内で原料ガス
の供給と排気を行なわしめるようにしたものである。
第２図は本発明になる上部電極の断面図である。
本発明を第２図にしたがって詳細に説明する。
キャリアガスを含む原料ガス導入管７と排気管８とは二
重管になっている。
重管になっている。
原料ガス導入管７から流量調整されて導入された原料ガ
スは複数の原料ガス導出口９から流出しプラズマの中に
入る。
スは複数の原料ガス導出口９から流出しプラズマの中に
入る。
一方、原料の反応生成物、反応残ガス等は原料ガス導出
口９に隣接して設けられた排気口１０−１．１０−２か
ら吸引され排気管８から排気される。したがって、第１
図に示すような排気管５は必ずしも必要としない。
口９に隣接して設けられた排気口１０−１．１０−２か
ら吸引され排気管８から排気される。したがって、第１
図に示すような排気管５は必ずしも必要としない。
上部電極を以上のような構造にすることによって、反応
生成物はＣＶＤ電極間を浮遊せず直ちに電極に設けられ
た排気口から吸引排気されるため電極中央部に原料の反
応生成物が多くなるようなことはなく、そのため原料供
給量が均一化し形成された膜の膜厚は全体的に均一とな
る。また、電極に圧力分布が生じないためプラズマ濃度
、形成された膜の膜厚、膜質等が均一になる。
生成物はＣＶＤ電極間を浮遊せず直ちに電極に設けられ
た排気口から吸引排気されるため電極中央部に原料の反
応生成物が多くなるようなことはなく、そのため原料供
給量が均一化し形成された膜の膜厚は全体的に均一とな
る。また、電極に圧力分布が生じないためプラズマ濃度
、形成された膜の膜厚、膜質等が均一になる。
また、原料の反応残ガス、反応生成物等は排気口から直
ちに排気され、ＣＶＤ反応掌中を浮遊することがないの
で、反応室が汚染されたり、ダストが発生したりするこ
ともなく、形成された膜の膜質は極めて優れている。
ちに排気され、ＣＶＤ反応掌中を浮遊することがないの
で、反応室が汚染されたり、ダストが発生したりするこ
ともなく、形成された膜の膜質は極めて優れている。
なお、本発明になる電極はＣＶＤ法による薄膜の製造の
みならず、東、レジスト等のエツチング装置にも応用で
きるものである。
みならず、東、レジスト等のエツチング装置にも応用で
きるものである。
（発明の効果）
本発明によれば、原料の反応生成物は直ちに電極に設け
られた排気口から吸引排気されるため原料供給（社）が
基板上均一化し、全体的に極めて均一な膜厚の膜を形成
できる特徴がある。
られた排気口から吸引排気されるため原料供給（社）が
基板上均一化し、全体的に極めて均一な膜厚の膜を形成
できる特徴がある。
また、電極に圧力分布が生じないためプラズマ濃度、形
成された膜の膜厚、膜質等が均一になる特徴がある。
成された膜の膜厚、膜質等が均一になる特徴がある。
さらに、反応室内でダストが発生することがなくクリー
ンであるため形成された膜の膜質は極めて良質である特
徴がある。
ンであるため形成された膜の膜質は極めて良質である特
徴がある。
さらに、本発明になる電極はＣＶＤ法にょる薄膜の製造
のみならず、エツチング装置にも応用できる利点がある
。
のみならず、エツチング装置にも応用できる利点がある
。
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図である。
図において、１は上部電極、２は下部電極、３はウェー
ハ、４は原料ガス流入管、５は排気管、６はＣＶＤ反応
室である。 第２図は本発明になる上部電極の断面図である。 図において、７は原料ガス導入管、８は排気管、９は原
料ガス導出口、１０−１．１０−２は排気口である。
ハ、４は原料ガス流入管、５は排気管、６はＣＶＤ反応
室である。 第２図は本発明になる上部電極の断面図である。 図において、７は原料ガス導入管、８は排気管、９は原
料ガス導出口、１０−１．１０−２は排気口である。
Claims (1)
- ＣＶＤ電極中の一つの電極に原料ガス供給系と排気系を
設け、隣接した原料ガス流出口と排気口の開口部を電極
表面に複数個有することを特徴とするＣＶＤ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP445889A JPH02184022A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ｃｖｄ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP445889A JPH02184022A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ｃｖｄ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02184022A true JPH02184022A (ja) | 1990-07-18 |
Family
ID=11584704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP445889A Pending JPH02184022A (ja) | 1989-01-11 | 1989-01-11 | Ｃｖｄ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02184022A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5624498A (en) * | 1993-12-22 | 1997-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Showerhead for a gas supplying apparatus |
| JP2006233306A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2006237093A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法 |
| JP2012209456A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Toray Ind Inc | プラズマ処理装置 |
| JP2014220398A (ja) * | 2013-05-09 | 2014-11-20 | ソニー株式会社 | 原子層堆積装置及び原子層堆積方法 |
| JP2021520642A (ja) * | 2018-04-08 | 2021-08-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ガスの供給部と除去部とが交互に配置されたシャワーヘッド、及びその使用方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059078A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-05 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS60210836A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | Hitachi Ltd | 気相成長装置 |
| JPS61120416A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-07 | Fujitsu Ltd | 化学気相成長装置 |
| JPS62193129A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
-
1989
- 1989-01-11 JP JP445889A patent/JPH02184022A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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| JP2006233306A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-07 | Sanyo Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
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