JPS61177360A - 二方位性形状記憶合金の製造法 - Google Patents
二方位性形状記憶合金の製造法Info
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- JPS61177360A JPS61177360A JP1628585A JP1628585A JPS61177360A JP S61177360 A JPS61177360 A JP S61177360A JP 1628585 A JP1628585 A JP 1628585A JP 1628585 A JP1628585 A JP 1628585A JP S61177360 A JPS61177360 A JP S61177360A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、二方位性形状記憶合金の製造法、詳しくは、
ＴｉＮｉ系形状記憶合金の二方位性の発現、発現温度及
ｑ発生力の制御を容易に行うことのできる二方位性形状
記憶合金の製造法に関するものである。
ＴｉＮｉ系形状記憶合金の二方位性の発現、発現温度及
ｑ発生力の制御を容易に行うことのできる二方位性形状
記憶合金の製造法に関するものである。
ＴｉＮｉ系形状記憶合金は、従来、高周波真空誘導溶解
法等の溶［／鋳造法によって製造されている。
法等の溶［／鋳造法によって製造されている。
溶解／鋳造法によって製造されたＴｉＮｉ系形状記憶合
金は、結晶粒の異方性が小さい上に、低酸素濃度の原料
素材を用い脱酸素雰囲気中で高温熔解されるため酸素濃
度が低く、 ＴｉＮｉ （１： １）相思外の異相析出
が少ないため単一過程でのマルテンサイト変態及び逆変
態が生じ易（、Ｔ＋Ｎｔ系形状旧形状記憶合金ては、Ｎ
ｉ基本組成５１ａｔ％の全方位形状記憶合金を除いて実
用的なものは得られ難いとされている。
金は、結晶粒の異方性が小さい上に、低酸素濃度の原料
素材を用い脱酸素雰囲気中で高温熔解されるため酸素濃
度が低く、 ＴｉＮｉ （１： １）相思外の異相析出
が少ないため単一過程でのマルテンサイト変態及び逆変
態が生じ易（、Ｔ＋Ｎｔ系形状旧形状記憶合金ては、Ｎ
ｉ基本組成５１ａｔ％の全方位形状記憶合金を除いて実
用的なものは得られ難いとされている。
従って、本発明の目的は、実用性のある、即ち二方位性
形状記憶効果を容易に発現させることのできる二方位性
ＴｔＮｉ系形状記憶合金の製造法を提供することにある
。
形状記憶効果を容易に発現させることのできる二方位性
ＴｔＮｉ系形状記憶合金の製造法を提供することにある
。
全方位形状記憶効果の発現要因は時効析出物と界面歪及
び二段変態によるとされている。一方、Ｃｕ系形状記憶
合金は二方位性を発現し易い合金とされており、その要
因としてはマルテンサイトの２〜３段変態、界面異方性
等によると推定されている。
び二段変態によるとされている。一方、Ｃｕ系形状記憶
合金は二方位性を発現し易い合金とされており、その要
因としてはマルテンサイトの２〜３段変態、界面異方性
等によると推定されている。
従って、二方位性の発現は、オーステナイト状態からマ
ルテンサイト状態への変態若しくは逆変態が単一過程で
は進行せず、二段以上の段階的変態過程を経て、尚且つ
その過程が可逆的に生ずるためと推論できる。
ルテンサイト状態への変態若しくは逆変態が単一過程で
は進行せず、二段以上の段階的変態過程を経て、尚且つ
その過程が可逆的に生ずるためと推論できる。
本発明者等は、上記のような要因を熱弾性型マルテンサ
イト変態をする材料内に誘導すれば二方位性が容易に発
現すると推論し、この推論に基づき種々検針した結果、
例えば粉末焼結法により製造した焼結空孔を持つ、Ｎｉ
基本組成が４５〜５５ａｔ％且つ酸素濃度が０．６重量
％以下である１ｉＮｉ系合金を冷間で塑性加工し、加熱
焼鈍処理、再塑性加工、再焼鈍等の工程を少なくとも２
回以上繰り返すことによって製造した合金は格子欠陥や
残留歪等を適当に含み、マルテンサイト変態又は逆変態
を単一過程では生じ難く、段階的に生ずるようになるこ
とを知見し、本発明に到達した。
イト変態をする材料内に誘導すれば二方位性が容易に発
現すると推論し、この推論に基づき種々検針した結果、
例えば粉末焼結法により製造した焼結空孔を持つ、Ｎｉ
基本組成が４５〜５５ａｔ％且つ酸素濃度が０．６重量
％以下である１ｉＮｉ系合金を冷間で塑性加工し、加熱
焼鈍処理、再塑性加工、再焼鈍等の工程を少なくとも２
回以上繰り返すことによって製造した合金は格子欠陥や
残留歪等を適当に含み、マルテンサイト変態又は逆変態
を単一過程では生じ難く、段階的に生ずるようになるこ
とを知見し、本発明に到達した。
即ち、本発明は、Ｔｉ粉末とＮｉ粉末を主要原料とし、
必要に応じてＡＩ 、 Ｓｎ、 Ｚｒ、 Ｍｏ、 Ｖ、
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｍｎ＋ Ｃｒ、 Ｆｅ、Ｃｏ＋Ｃｕ
、Ｓｉ及び−等の粉末若しくはそれ等の元素の一種以上
とＮｉとの合金粉末又は−都合金粉末を充分混合し、成
形し、真空若しくは不活性ガス雰囲気中で焼結した後、
冷間での塑性加工と熱処理を繰り返し行うことにより二
方位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を製造するものであり、
さらに詳しくは、■合金内に空孔等の欠陥を導入し、し
かる後塑性加工を行うことにより欠陥を分散内蔵させる
、■塑性加工後加熱処理を施す操作を繰り返すことによ
り、残留歪を分散内蔵させる及び ■酸素濃度及びＮｉ基本組成を制御してＴｉＮｉ （１
：１）基本権以外の異相を分散させる という操作（１）〜（３）を組合せ制御することを基本
とし、更に、 ■応力誘起マルテンサイト相を結晶粒内に導入し、且つ
必要に応じて （５）Ａｌ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｍｏ＋Ｖ＋Ｎｂ、Ｔａ＋Ｍｎ
＋Ｃｒ＋Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ＋Ｓｉ及び−等を単独若しく
は組合せ添加 することにより、異相分散、粒成長抑止又は促進、結晶
異方性、粒界析出等の導入抑制、共晶反応等による固液
共存温度の低下等を図り、二方位性の発現、発現温度及
び発生力の制御を行うことを特徴とする二方位性形状記
憶合金の製造法を提供するものである。
必要に応じてＡＩ 、 Ｓｎ、 Ｚｒ、 Ｍｏ、 Ｖ、
Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｍｎ＋ Ｃｒ、 Ｆｅ、Ｃｏ＋Ｃｕ
、Ｓｉ及び−等の粉末若しくはそれ等の元素の一種以上
とＮｉとの合金粉末又は−都合金粉末を充分混合し、成
形し、真空若しくは不活性ガス雰囲気中で焼結した後、
冷間での塑性加工と熱処理を繰り返し行うことにより二
方位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を製造するものであり、
さらに詳しくは、■合金内に空孔等の欠陥を導入し、し
かる後塑性加工を行うことにより欠陥を分散内蔵させる
、■塑性加工後加熱処理を施す操作を繰り返すことによ
り、残留歪を分散内蔵させる及び ■酸素濃度及びＮｉ基本組成を制御してＴｉＮｉ （１
：１）基本権以外の異相を分散させる という操作（１）〜（３）を組合せ制御することを基本
とし、更に、 ■応力誘起マルテンサイト相を結晶粒内に導入し、且つ
必要に応じて （５）Ａｌ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｍｏ＋Ｖ＋Ｎｂ、Ｔａ＋Ｍｎ
＋Ｃｒ＋Ｆｅ、Ｃｏ、Ｃｕ＋Ｓｉ及び−等を単独若しく
は組合せ添加 することにより、異相分散、粒成長抑止又は促進、結晶
異方性、粒界析出等の導入抑制、共晶反応等による固液
共存温度の低下等を図り、二方位性の発現、発現温度及
び発生力の制御を行うことを特徴とする二方位性形状記
憶合金の製造法を提供するものである。
本発明の二方位性形状記憶合金の製造法における上記操
作■は、合金内に空孔等の欠陥を導入するもので、この
導入方法としては、Ｔｉ粉末とＮｉ粉末を主要原料とす
る混合粉を、成形した後、真空若しくは不活性ガス中で
焼結する粉末焼結法が通しており、これにより内部に焼
結空孔等の欠陥が導入されたＴｉＮｉ系合金が得られる
。また、上記操作■においては、このようにして得られ
た欠陥の導入されたＴｉ１ｔ系合金を冷間で塑性加工を
行い、これによりその密度を上昇させ、材料強度上間鹿
のない範囲で欠陥を分散内蔵させる。
作■は、合金内に空孔等の欠陥を導入するもので、この
導入方法としては、Ｔｉ粉末とＮｉ粉末を主要原料とす
る混合粉を、成形した後、真空若しくは不活性ガス中で
焼結する粉末焼結法が通しており、これにより内部に焼
結空孔等の欠陥が導入されたＴｉＮｉ系合金が得られる
。また、上記操作■においては、このようにして得られ
た欠陥の導入されたＴｉ１ｔ系合金を冷間で塑性加工を
行い、これによりその密度を上昇させ、材料強度上間鹿
のない範囲で欠陥を分散内蔵させる。
上記Ｔｉ粉末としては、水素化Ｔｉ粉末又は金属Ｔｉ粉
末が用いられ、また、上記Ｎｉ粉末としては、カルボニ
ルＮｉ粉末、還元Ｎｉ粉末等が用いられ、二方位性が発
現するＮｉ基本組成は４５〜５５ａｔ％である。
末が用いられ、また、上記Ｎｉ粉末としては、カルボニ
ルＮｉ粉末、還元Ｎｉ粉末等が用いられ、二方位性が発
現するＮｉ基本組成は４５〜５５ａｔ％である。
上記Ｔｉ粉末及びＮｉ粉末等の原料粉末の粒度は、数ミ
クロンから数百ミクロンまでのかなり広範囲とすること
ができるが、より好ましくは２０ミクロン以下とする。
クロンから数百ミクロンまでのかなり広範囲とすること
ができるが、より好ましくは２０ミクロン以下とする。
また、上記操作■は、上記操作■における塑性加工及び
該塑性加工後の加熱処理を少なくとも２回以上繰り返し
行うものであり、これにより残留歪を上記ＴｉＮｉ系合
金内に分散内蔵させる。
該塑性加工後の加熱処理を少なくとも２回以上繰り返し
行うものであり、これにより残留歪を上記ＴｉＮｉ系合
金内に分散内蔵させる。
また、上記操作■、即ち酸素濃度及びＮｉ基本組成の制
御により、上記操作■によりＴｉ１ｔ （１： １）基
本権以外の異相を分散させる。
御により、上記操作■によりＴｉ１ｔ （１： １）基
本権以外の異相を分散させる。
本発明の二方位性形状記憶合金の製造法は、上記操作（
１）〜（３）を組合せ制御することを基本とするもので
、さらに、上記操作■、即ち塑性加工後加熱処理の繰り
返しにより、応力誘起マルテンサイト相を合金の結晶粒
内に導入し、二方位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を得る。
１）〜（３）を組合せ制御することを基本とするもので
、さらに、上記操作■、即ち塑性加工後加熱処理の繰り
返しにより、応力誘起マルテンサイト相を合金の結晶粒
内に導入し、二方位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を得る。
尚、上記Ｔｊ粉末とＮｉ粉末の混合時に、ＡＩ＋Ｓｎ＋
Ｚｒ＋ Ｍｏ、 Ｖ ＋ Ｎｂ＋ Ｔａ ＋ Ｍｎ ＋
Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ＋ Ｃｕ ＋ Ｓ ｉ及びＷ等
の粉末若しくはそれ等の元素の一種以上とＮｉとの合金
粉末又は−都合金粉末をＮｉ粉末の一部に代えて添加し
ても良い。また、Ｎｉ基本組成、焼結条件、加工条件、
加工後の加熱処理条件、加工と加工後の加熱処理の繰り
返し数、拘束時効条件等を適宜選択することによって二
方位性の発現温度、発現力の強弱等を制御することがで
きる。また、上記操作■における合金内への欠陥の導入
方法としては、通常の溶解Ｚｔａ造ニチノール合金に中
性子線を照射して欠陥を適当に分散導入させる方法やイ
オンビーム圧入法により材料内に欠陥を導入する方法も
有効である。
Ｚｒ＋ Ｍｏ、 Ｖ ＋ Ｎｂ＋ Ｔａ ＋ Ｍｎ ＋
Ｃｒ、 Ｆｅ、 Ｃｏ＋ Ｃｕ ＋ Ｓ ｉ及びＷ等
の粉末若しくはそれ等の元素の一種以上とＮｉとの合金
粉末又は−都合金粉末をＮｉ粉末の一部に代えて添加し
ても良い。また、Ｎｉ基本組成、焼結条件、加工条件、
加工後の加熱処理条件、加工と加工後の加熱処理の繰り
返し数、拘束時効条件等を適宜選択することによって二
方位性の発現温度、発現力の強弱等を制御することがで
きる。また、上記操作■における合金内への欠陥の導入
方法としては、通常の溶解Ｚｔａ造ニチノール合金に中
性子線を照射して欠陥を適当に分散導入させる方法やイ
オンビーム圧入法により材料内に欠陥を導入する方法も
有効である。
上述の如くして得られた本発明に係る二方位性ＴｉＮｉ
系形状記憶合金は、実用性を有する二方位性を示すもの
である。
系形状記憶合金は、実用性を有する二方位性を示すもの
である。
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説
明する。
明する。
実施例Ｉ
Ｎｉ基本組成が４８．０ａｔ％を目標組成とする、カル
ボニルＮｉ粉末（粒度３〜７μｍ、Ｏ＜０．１５重量％
、Ｃ＜ ０．１ ｇ量％）と水素化Ｔｉ粉末（平均粒径
３．５μｓ、Ｏ：０．６２重量％）の混合粉を充分混合
し、成形した後、これを１１７５℃でアルゴンガス雰囲
気中で焼結し、密度５．４０ ｇ／ｃｃの焼結体を得た
。この焼結体を、冷間圧延し、９００℃で１時間加熱処
理する操作を２回繰り返し、厚さ０．３６ｍｍ、巾１４
．３ｍｍ、長さ８０１１Ｉ１１の板材とした。
ボニルＮｉ粉末（粒度３〜７μｍ、Ｏ＜０．１５重量％
、Ｃ＜ ０．１ ｇ量％）と水素化Ｔｉ粉末（平均粒径
３．５μｓ、Ｏ：０．６２重量％）の混合粉を充分混合
し、成形した後、これを１１７５℃でアルゴンガス雰囲
気中で焼結し、密度５．４０ ｇ／ｃｃの焼結体を得た
。この焼結体を、冷間圧延し、９００℃で１時間加熱処
理する操作を２回繰り返し、厚さ０．３６ｍｍ、巾１４
．３ｍｍ、長さ８０１１Ｉ１１の板材とした。
この板材を表面歪率Ｅ ｉ−１，３％の拘束下で７゜０
℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓ （マルテン
サイト変態開始温度）は４３℃で、９０℃と０℃との間
で顕著な二方位性を示した。加熱方向の発生力は１０１
００Ｏ、冷却方向の発生力は３０ｇｆであった。
℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓ （マルテン
サイト変態開始温度）は４３℃で、９０℃と０℃との間
で顕著な二方位性を示した。加熱方向の発生力は１０１
００Ｏ、冷却方向の発生力は３０ｇｆであった。
実施例２
Ｎｉ基本組成が５０．９ａｔ％を目標組成とする、カル
ボニルＮｉ粉末（粒度３〜７μｍ、Ｏ＜０．１５重量％
、Ｃ＜ ０． Ｉ Ｍ量％）とスポンジＴｉ粉末（１０
０メツシユ、Ｏ： ０．２重量％）の混合粉を充分混合
し、成形した後、これを１１００℃で真空焼結し、密度
６．２０ ｇ／ｃｃの焼結体を得た。この焼結体を、冷
間圧延し、９００℃で５時間加熱処理する操作を３回繰
り返し、厚さ０．５−■、中１３．９ｏ＋ｍ。
ボニルＮｉ粉末（粒度３〜７μｍ、Ｏ＜０．１５重量％
、Ｃ＜ ０． Ｉ Ｍ量％）とスポンジＴｉ粉末（１０
０メツシユ、Ｏ： ０．２重量％）の混合粉を充分混合
し、成形した後、これを１１００℃で真空焼結し、密度
６．２０ ｇ／ｃｃの焼結体を得た。この焼結体を、冷
間圧延し、９００℃で５時間加熱処理する操作を３回繰
り返し、厚さ０．５−■、中１３．９ｏ＋ｍ。
長さ８０ＩＩ１１の板材とした。
この板材を表面歪率Ｅｉ＝２．０％の拘束下で６００℃
で１時間形状記憶処理したリングの１は３０℃で、８０
℃と４℃との間で顕著な二方位性を示した。加熱方向の
発生力は２００ ｏｇｒ、冷却方向の発生力は１９０ｇ
ｆであった。
で１時間形状記憶処理したリングの１は３０℃で、８０
℃と４℃との間で顕著な二方位性を示した。加熱方向の
発生力は２００ ｏｇｒ、冷却方向の発生力は１９０ｇ
ｆであった。
実施例３
Ｎｉ基本組成が５１．３ａｔ％を目標組成とする、還元
Ｎｉ粉末（平均粒度１５μｍ、０：０．３重量％、Ｃ：
０．０５重量％）と水素化Ｔｉ粉末（平均粒径３゜５μ
ｍ、０１．６２重量％）の混合粉を充分混合し、成形し
た後、これを１１７５℃で真空焼結し、密度５．７７
ｇ／ｃｃの焼結体を得、た。この焼結体を、冷間圧延し
、９００℃で１時間加熱処理する操作を２回繰り返し、
厚さ０．４８ｍｎ＋、中１３．５ｍｍ、長さ７ｑＩＩ１
１の板材とした。
Ｎｉ粉末（平均粒度１５μｍ、０：０．３重量％、Ｃ：
０．０５重量％）と水素化Ｔｉ粉末（平均粒径３゜５μ
ｍ、０１．６２重量％）の混合粉を充分混合し、成形し
た後、これを１１７５℃で真空焼結し、密度５．７７
ｇ／ｃｃの焼結体を得、た。この焼結体を、冷間圧延し
、９００℃で１時間加熱処理する操作を２回繰り返し、
厚さ０．４８ｍｎ＋、中１３．５ｍｍ、長さ７ｑＩＩ１
１の板材とした。
この板材を表面歪率Ｅ ｉ＝ １．８％の拘束下で４０
０℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓは２５℃で
、９８℃とＩｔとの間で顕著な二方位性を示した。加熱
方向の発生力は２０ＱＯｇｆ、冷却方向の発生力は８０
ｇｆであった。
０℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓは２５℃で
、９８℃とＩｔとの間で顕著な二方位性を示した。加熱
方向の発生力は２０ＱＯｇｆ、冷却方向の発生力は８０
ｇｆであった。
比較例
高周波真空誘導溶解法で製造した、Ｎｉ基本組成が５０
ａｔ％のＴｉＮｉ系合金を均一化熱処理後、７００〜８
００℃で熱間圧延して得た板材を、冷間圧延し、９００
℃で１時間加熱処理する操作を３回繰り返し、厚さ０．
５ｖｓ、 中ＬＬｍｓ、長さ８０ＩｌｌＩｌの板材と
した。
ａｔ％のＴｉＮｉ系合金を均一化熱処理後、７００〜８
００℃で熱間圧延して得た板材を、冷間圧延し、９００
℃で１時間加熱処理する操作を３回繰り返し、厚さ０．
５ｖｓ、 中ＬＬｍｓ、長さ８０ＩｌｌＩｌの板材と
した。
この板材を表面歪率Ｅ ｉ＝ １．８％の拘束下で６０
０℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓは６５℃で
あった。このリングは二方位性を全く示さなかった。
０℃で１時間形状記憶処理したリングのＭｓは６５℃で
あった。このリングは二方位性を全く示さなかった。
本発明の二方位性形状記憶合金の製造法によれば、Ｔｉ
Ｎｉ系形状記憶合金の二方位性の発現、発現温度及び発
生力の制御を容易に行うことができ、実用性のある二方
位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を容易に得ることができる
。
Ｎｉ系形状記憶合金の二方位性の発現、発現温度及び発
生力の制御を容易に行うことができ、実用性のある二方
位性ＴｉＮｉ系形状記憶合金を容易に得ることができる
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＴｉＮｉ系形状記憶合金の製造法において、（１）合金
内に空孔等の欠陥を導入し、しかる後塑性加工を行うこ
とにより欠陥を分散内蔵させる、（２）塑性加工後加熱
処理を施す操作を繰り返すことにより、残留歪を分散内
蔵させる及び （３）酸素濃度及びＮｉ基本組成を制御してＴｉＮｉ（
１：１）基本相以外の異相を分散させる という操作（１）〜（３）を組合せ制御することを基本
とし、更に、 （４）応力誘起マルテンサイト相を結晶粒内に導入し、
且つ必要に応じて （５）Ａｌ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｎ
，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｓｉ及びＷ等を単独若しく
は組合せ添加する ことにより二方位性の発現、発現温度及び発生力の制御
を行うことを特徴とする二方位性形状記憶合金の製造法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628585A JPS61177360A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 二方位性形状記憶合金の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1628585A JPS61177360A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 二方位性形状記憶合金の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177360A true JPS61177360A (ja) | 1986-08-09 |
Family
ID=11912276
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1628585A Pending JPS61177360A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 二方位性形状記憶合金の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61177360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191757A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-08-01 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | Ｎｉ−Ｔｉ系形状記憶合金及びその製造方法 |
| WO2002004688A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Bio-Smart, Ltd. | Ti-Ni-Cu-Mo SHAPE MEMORY ALLOYS |
| CN102357622A (zh) * | 2011-07-08 | 2012-02-22 | 宝鸡三线有色金属制造有限公司 | 钛镍铌记忆合金管和环制备工艺 |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1628585A patent/JPS61177360A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01191757A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-08-01 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | Ｎｉ−Ｔｉ系形状記憶合金及びその製造方法 |
| WO2002004688A1 (en) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | Bio-Smart, Ltd. | Ti-Ni-Cu-Mo SHAPE MEMORY ALLOYS |
| KR100395588B1 (ko) * | 2000-07-07 | 2003-08-25 | 주식회사 바이오스마트 | Ｔｉ－Ｎｉ－Ｃｕ－Ｍｏ계 형상기억합금 |
| CN102357622A (zh) * | 2011-07-08 | 2012-02-22 | 宝鸡三线有色金属制造有限公司 | 钛镍铌记忆合金管和环制备工艺 |
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