JPS61177367A - スパツタリング装置及びスパツタリング方法 - Google Patents
スパツタリング装置及びスパツタリング方法Info
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- JPS61177367A JPS61177367A JP1533785A JP1533785A JPS61177367A JP S61177367 A JPS61177367 A JP S61177367A JP 1533785 A JP1533785 A JP 1533785A JP 1533785 A JP1533785 A JP 1533785A JP S61177367 A JPS61177367 A JP S61177367A
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- JP
- Japan
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- target
- substrate
- sputtering
- sputtered
- sputtering apparatus
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
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- Analytical Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はマグネトロン型スパッタリング装置と、これに
用いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
に係り、特に被膜形成基板に任意組成の合金膜を均一な
厚さに形成するに好適なスパッタリング装置とこれに用
いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法に
関する。
用いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法
に係り、特に被膜形成基板に任意組成の合金膜を均一な
厚さに形成するに好適なスパッタリング装置とこれに用
いるターゲット及びこれを用いたスパッタリング方法に
関する。
２５６キロビツトＤ ＲＡ Ｍ （Ｄ ｙｎａｍｉｃ
Ｒａｎｄｏｍとして従来の多結晶シリコンに替わり、
シリサイド（例えばＭｏＳｉ２．ＴａＳｉ２．ＷＳｉ２
等）が用いられてきている。
Ｒａｎｄｏｍとして従来の多結晶シリコンに替わり、
シリサイド（例えばＭｏＳｉ２．ＴａＳｉ２．ＷＳｉ２
等）が用いられてきている。
しかしシリサイドの合金ターゲットとしては、現在まで
のところ９９．９％程度の純度しか得られないので、９
９．９９％以上の高純度な各単一元素を適当に配設した
複合ターゲット（第１図、第２図）を用いてシリサイド
膜の形成を行なっていた。第１図は、Ｍｏ部材１．Ｓｉ
部材２よりなるターゲット３の平面図、第２図は第１図
のｘ−ｘ’断面図である。
のところ９９．９％程度の純度しか得られないので、９
９．９９％以上の高純度な各単一元素を適当に配設した
複合ターゲット（第１図、第２図）を用いてシリサイド
膜の形成を行なっていた。第１図は、Ｍｏ部材１．Ｓｉ
部材２よりなるターゲット３の平面図、第２図は第１図
のｘ−ｘ’断面図である。
また、スパッタ装置に広く用いられているマグネトロン
型スパッタ電極を、第３図に示す。ターゲット３の裏面
にバッキングプレート４を介して磁石５が配置され、こ
の磁石５によって、ターゲット面上にターゲット面から
出て、再び入るトンネル状の磁界６が形成され、かつこ
の磁界が閉ループを形成する様になっている。バッキン
グプレート４はターゲット３の機械的強度を補うもので
ある。そしてスパッタ時のターゲット過熱防止の為、給
水パイプ７からバッキングプレート裏面に冷却水を供給
し、排水パイプ８から排出している。
型スパッタ電極を、第３図に示す。ターゲット３の裏面
にバッキングプレート４を介して磁石５が配置され、こ
の磁石５によって、ターゲット面上にターゲット面から
出て、再び入るトンネル状の磁界６が形成され、かつこ
の磁界が閉ループを形成する様になっている。バッキン
グプレート４はターゲット３の機械的強度を補うもので
ある。そしてスパッタ時のターゲット過熱防止の為、給
水パイプ７からバッキングプレート裏面に冷却水を供給
し、排水パイプ８から排出している。
またターゲット３近傍にはアノード９が設置され、アノ
ード９とターゲット３間に高電圧が印加される様になっ
ている。（印加手段及び電源は図示せず、）さて、アノ
ード９とターゲット３間に高電圧を印加するとグロー放
電が起こり、ターゲット面上にプラズマ１０が発生する
。このプラズマ１０は上記の磁界によってドーナツ状に
なる。これＰ ｒｏｃｓｓｓｅｓ Ａｃａｄｅｍｉｃ
Ｐ ｒｅｓｓ １９８０）を参照されたい。
ード９とターゲット３間に高電圧が印加される様になっ
ている。（印加手段及び電源は図示せず、）さて、アノ
ード９とターゲット３間に高電圧を印加するとグロー放
電が起こり、ターゲット面上にプラズマ１０が発生する
。このプラズマ１０は上記の磁界によってドーナツ状に
なる。これＰ ｒｏｃｓｓｓｅｓ Ａｃａｄｅｍｉｃ
Ｐ ｒｅｓｓ １９８０）を参照されたい。
従来、基板にＭｏ−５ｉ膜を形成する場合には第１図の
複合ターゲットと第３図のマグネトロンスパッタ電極に
よって、Ｍｏ−５ｉを同時にスパッタし、基板１１上に
Ｍｏ−３ｉ膜を形成していた。
複合ターゲットと第３図のマグネトロンスパッタ電極に
よって、Ｍｏ−５ｉを同時にスパッタし、基板１１上に
Ｍｏ−３ｉ膜を形成していた。
しかし、この様な従来の方法では、ターゲットの構造に
より形成される膜のＭｏ／Ｓｉ組成比が決まってしまう
ため、任意のＭｏ／Ｓｉ組成比の膜を形成することがで
きなかった。
より形成される膜のＭｏ／Ｓｉ組成比が決まってしまう
ため、任意のＭｏ／Ｓｉ組成比の膜を形成することがで
きなかった。
またターゲットがスパッタを受け、浸食１２が進んでい
くと、Ｍｏ／Ｓｉの組成比が変動していくが、これの変
動を修正して、所定のＭｏ／Ｓｉ組成比に戻すことは不
可能であった。
くと、Ｍｏ／Ｓｉの組成比が変動していくが、これの変
動を修正して、所定のＭｏ／Ｓｉ組成比に戻すことは不
可能であった。
本発明の目的は上記した従来の問題点をなくし、均一で
任意の組成比の合金膜や均一な厚さのスパッタリング膜
形成に適したスパッタリング装置とこれに用いるターゲ
ット及びこれを用いたスパッタリング方法を提供するこ
とにある。
任意の組成比の合金膜や均一な厚さのスパッタリング膜
形成に適したスパッタリング装置とこれに用いるターゲ
ット及びこれを用いたスパッタリング方法を提供するこ
とにある。
本発明は上記目的を達成するため、ターゲット面に２箇
所以上のプラズマを独立に発生できる様にし、各プラズ
マによってターゲットから放出される膜材料が基板に均
一な膜厚で形成できる構成に特徴がある。
所以上のプラズマを独立に発生できる様にし、各プラズ
マによってターゲットから放出される膜材料が基板に均
一な膜厚で形成できる構成に特徴がある。
詳細に述べれば、基板取付は手段と、この取付けられた
基板の膜形成面に対して前記基板の外方向を向く第１の
被スパッタ面と、前記基板の中心方向を向く第２の被ス
パッタ面を有するターゲットと、このターゲット用のア
ノードと、前記ターゲットと前記アノード間に電圧を印
加する手段と、前記ターゲットの基板対向面と反対側に
設置された磁気発生装置と、これらを収納した容器と、
この容器を真空にする手段と、前記容器の真空中に不活
性ガスを導入するスパッタリング装置とを用い、この装
置を真空にし、不活性ガスを所定圧導入し、ターゲット
とアノード間に電圧を印加してプラズマを発生させ、磁
気発生装置に電圧を印加して磁力線を発生させ、この磁
力線が前記第１のスパッタ面の互いに離間した点から出
て再び第１のスパッタ面に入り、前記磁力線が第２の被
スパッタ面の互いに離間した点から出て再び第２のスパ
ッタ面に入ることによって達成できる。これにより段差
のある基板表面でもステップカバレッジが良好となり、
平坦部もコーナ部も同じ厚さのスパッタリング膜が得ら
れる。この場合は、磁力発生手段は、特にターゲット面
に直角に磁力線を当てる必要はない。
基板の膜形成面に対して前記基板の外方向を向く第１の
被スパッタ面と、前記基板の中心方向を向く第２の被ス
パッタ面を有するターゲットと、このターゲット用のア
ノードと、前記ターゲットと前記アノード間に電圧を印
加する手段と、前記ターゲットの基板対向面と反対側に
設置された磁気発生装置と、これらを収納した容器と、
この容器を真空にする手段と、前記容器の真空中に不活
性ガスを導入するスパッタリング装置とを用い、この装
置を真空にし、不活性ガスを所定圧導入し、ターゲット
とアノード間に電圧を印加してプラズマを発生させ、磁
気発生装置に電圧を印加して磁力線を発生させ、この磁
力線が前記第１のスパッタ面の互いに離間した点から出
て再び第１のスパッタ面に入り、前記磁力線が第２の被
スパッタ面の互いに離間した点から出て再び第２のスパ
ッタ面に入ることによって達成できる。これにより段差
のある基板表面でもステップカバレッジが良好となり、
平坦部もコーナ部も同じ厚さのスパッタリング膜が得ら
れる。この場合は、磁力発生手段は、特にターゲット面
に直角に磁力線を当てる必要はない。
また、均一で任意な組成比の合金膜を得るには、上記装
置において、基板面もしくはその延長面に対して鋭角で
対向して設置されたターゲットを異なる材質とし、磁界
発生手段をターゲットに対して交互に磁力線を当てるも
のとすれば良い（第５図）。
置において、基板面もしくはその延長面に対して鋭角で
対向して設置されたターゲットを異なる材質とし、磁界
発生手段をターゲットに対して交互に磁力線を当てるも
のとすれば良い（第５図）。
そして、この装置を真空にし、不活性ガスを所定圧導入
し、ターゲットとアノード間に電圧を印加してプラズマ
を発生させ、磁界発生手段に電圧を印加して磁力線を発
生させてスパッタリングを行なう、なおステップカバレ
ッジは良好である。
し、ターゲットとアノード間に電圧を印加してプラズマ
を発生させ、磁界発生手段に電圧を印加して磁力線を発
生させてスパッタリングを行なう、なおステップカバレ
ッジは良好である。
上記の二つの装置における、真定度、不活性ガス導入圧
、印加電圧などは従来と同様にして良い。
、印加電圧などは従来と同様にして良い。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。第４
図は本発明のスパッタ電極を基板側（上面）から見た図
である。第５図は第４図のＹ−Ｙ（２−２）断面図であ
る。第５図では、ターゲット３と基板との位置関係を示
すため基板１１も記した。
図は本発明のスパッタ電極を基板側（上面）から見た図
である。第５図は第４図のＹ−Ｙ（２−２）断面図であ
る。第５図では、ターゲット３と基板との位置関係を示
すため基板１１も記した。
ターゲット３は第１の被スパッタ面１５．１６と第２の
被スパッタ面１７．１８を持ち、第１の被スパッタ面１
５．１６は基板１１の中心方向を向く様に傾斜しており
、第２の被スパッタ面１７．１８は基板の外周方向を向
く様に傾斜している。
被スパッタ面１７．１８を持ち、第１の被スパッタ面１
５．１６は基板１１の中心方向を向く様に傾斜しており
、第２の被スパッタ面１７．１８は基板の外周方向を向
く様に傾斜している。
第１のスパッタ面はＳｉからなり、第２のスパッタ面は
Ｍｏでできている。ターゲット３の第１の被スパッタ面
１５．１６上に、この面から出て再び入るトンネル状磁
界１９を形成する様にヨーク２１とこのヨークを取り巻
いて４個のコイル２２（第５図は２個しか表われていな
いが、第４図のｚ−２断面もＹ−Ｙ断面と同一であるの
で計４個となる）が配設されている。
Ｍｏでできている。ターゲット３の第１の被スパッタ面
１５．１６上に、この面から出て再び入るトンネル状磁
界１９を形成する様にヨーク２１とこのヨークを取り巻
いて４個のコイル２２（第５図は２個しか表われていな
いが、第４図のｚ−２断面もＹ−Ｙ断面と同一であるの
で計４個となる）が配設されている。
またスパッタターゲット３の第２の被スパッタ面１７．
１８上にこの面から出て再び入るトンネル状磁界２０を
形成する様にヨーク２３とこのヨークを取り巻いて４個
のコイル２４が配設されている。
１８上にこの面から出て再び入るトンネル状磁界２０を
形成する様にヨーク２３とこのヨークを取り巻いて４個
のコイル２４が配設されている。
なお、バッキングプレート４は、従来と同様にターゲッ
ト３と磁気発生手段との間に設けられ。
ト３と磁気発生手段との間に設けられ。
給水パイプ７が冷却水をバッキングプレート裏面に導き
、排水パイプ８から排水している。
、排水パイプ８から排水している。
ターゲット３の近傍にはアノード９があり、ターゲット
−アノード間には高電圧が印加できる様になっている。
−アノード間には高電圧が印加できる様になっている。
（印加手段は図示せず）。
次に本実施例の動作を説明する。ターゲット３の第１の
被スパッタ面１５．１６上に十分な強度の磁界が発生す
る様にコイル２２に電圧を印加し、ターゲット−アノー
ド間に高電圧を印加すると、第１の被スパッタ面１５．
１６にプラズマ１０が発生し、第１の被スパッタ面の材
料であるＭｏがスパッタされる。コイル２２の通電を止
め、第２の被スパッタ面１７．１８上に十分な強度の磁
界が発生する様にコイル２４に電圧を印加し、ターゲッ
ト−アノード間に高電圧を印加すると、第２の被スパッ
タ面にプラズマ１０′が発生し、第２の被スパッタ面の
材料であるＳｉがスパッタされる。
被スパッタ面１５．１６上に十分な強度の磁界が発生す
る様にコイル２２に電圧を印加し、ターゲット−アノー
ド間に高電圧を印加すると、第１の被スパッタ面１５．
１６にプラズマ１０が発生し、第１の被スパッタ面の材
料であるＭｏがスパッタされる。コイル２２の通電を止
め、第２の被スパッタ面１７．１８上に十分な強度の磁
界が発生する様にコイル２４に電圧を印加し、ターゲッ
ト−アノード間に高電圧を印加すると、第２の被スパッ
タ面にプラズマ１０′が発生し、第２の被スパッタ面の
材料であるＳｉがスパッタされる。
基板とターゲット間の距離Ｈを７５ｍｍ、第１の被スパ
ッタ面で発生するプラズマ１０の中心位置間Ａを１７０
１１ＩＩ１１．第１の被スパッタ面１５．１６の傾斜角
θを３０’とすると第６図に示すごとく、基板内φ１０
０ｍｍで均一な厚さく膜厚バラツキ上５％以下）のＭ。
ッタ面で発生するプラズマ１０の中心位置間Ａを１７０
１１ＩＩ１１．第１の被スパッタ面１５．１６の傾斜角
θを３０’とすると第６図に示すごとく、基板内φ１０
０ｍｍで均一な厚さく膜厚バラツキ上５％以下）のＭ。
膜が形成できた。また第２の被スパッタ面１７．１８で
発生するプラズマ１０′の中心位置間Ｂを８０ｍ＋ｗ、
第２の被スパッタ面の傾斜角ｒを３０°とすると、基板
内φ１００ｍｍで均一な厚さのＳｉ膜が形成できた。
発生するプラズマ１０′の中心位置間Ｂを８０ｍ＋ｗ、
第２の被スパッタ面の傾斜角ｒを３０°とすると、基板
内φ１００ｍｍで均一な厚さのＳｉ膜が形成できた。
したがってコイル２２とコイル２４の通電時間を制御す
ることにより任意のＭｏ／Ｓｉ組成比でかつ基板内にお
いて均一なＭｏ／Ｓｉ組成比で均一な膜厚のＭｏ−Ｓｉ
合成膜が得られる。
ることにより任意のＭｏ／Ｓｉ組成比でかつ基板内にお
いて均一なＭｏ／Ｓｉ組成比で均一な膜厚のＭｏ−Ｓｉ
合成膜が得られる。
以上、述べたように本発明によれば、ターゲット面上の
物質の異なる二ケ所で独立にプラズマを発生することが
でき、各プラズマによってスパッタされた膜材料をそれ
ぞれ独立に基板上へ均一に堆積することにより、基板上
に均一で任意の組成比の合金膜や均一な厚さの膜を形成
することができる。また組成比のコントロールが容易に
できるので、ターゲット材料が消耗するまで安定した組
成比の膜を得られる効果がある。
物質の異なる二ケ所で独立にプラズマを発生することが
でき、各プラズマによってスパッタされた膜材料をそれ
ぞれ独立に基板上へ均一に堆積することにより、基板上
に均一で任意の組成比の合金膜や均一な厚さの膜を形成
することができる。また組成比のコントロールが容易に
できるので、ターゲット材料が消耗するまで安定した組
成比の膜を得られる効果がある。
第１図は従来のターゲットの平面図、第２図は第１図の
Ｘ−Ｘ線断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッ
タ電極の縦断面図、第４図は本発明のスパッタ電極の平
面図、第５図は第４図のＹ−ｙ、ｚ−ｚ断面図、第６図
は、第１．第２の各被スパッタ面からスパッタされて基
板上に堆積される膜材料の膜厚分布を示す図である。 １・・・Ｍｏ部材、２・・・Ｓｉ部材、３・・・複合タ
ーゲット、１３・・・カソードボックス、１４・・・ケ
ーシング。
Ｘ−Ｘ線断面図、第３図は従来のマグネトロン型スパッ
タ電極の縦断面図、第４図は本発明のスパッタ電極の平
面図、第５図は第４図のＹ−ｙ、ｚ−ｚ断面図、第６図
は、第１．第２の各被スパッタ面からスパッタされて基
板上に堆積される膜材料の膜厚分布を示す図である。 １・・・Ｍｏ部材、２・・・Ｓｉ部材、３・・・複合タ
ーゲット、１３・・・カソードボックス、１４・・・ケ
ーシング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板取付け手段と、この基板取付け手段の基板取付
け面に対向して設置されたターゲットと、このターゲッ
ト用アノードと、前記ターゲットと前記アノード間に電
圧を印加する手段と、前記ターゲットの基板対向面と反
対側に設置された磁気発生装置と、これらを収納した容
器と、この容器を真空にする手段、前記容器の真空中に
不活性ガスを導入する手段よりなるスパッタリング装置
であって、上記ターゲットが少なくとも基板取付面もし
くはそれの延長面に対して鋭角で対向した一対のターゲ
ットよりなることを特徴とするスパッタリング装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置に
おいて、上記磁気発生装置が上記の基板取付け面もしく
はその延長面に対して鋭角で対向した一対のターゲット
面から、それぞれ磁力線が出て再び同一面に入る磁力線
を発生するものであり、かつ上記一対のターゲットが同
一材質からなることを特徴とするスパッタリング装置。 ３、特許請求の範囲第１項記載のスパッタリング装置に
おいて、上記磁気発生装置が上記の基板取付け面もしく
はその延長面に対して鋭角で対向した一対のターゲット
面からそれぞれ磁力線が出て再び同一面に入る磁力線を
交互に発生するものであり、かつ上記一対のターゲット
がそれぞれ異質の材質からなることを特徴とするスパッ
タリング装置。 ４、特許請求の範囲第２項又は第３項のスパッタリング
装置において、磁気発生装置が電磁石であることを特徴
とするスパッタリング装置。 ５、被膜基板と対向して成膜を行なうスパッタ装置にお
いて、 前記ターゲットが前記基板の膜形成面に対して前記基板
の外方向を向く第１の被スパッタ面と前記基板の中心方
向を向く第２の被スパッタ面を有するものであり、前記
ターゲットの被スパッタ面と反対の面に近接して磁気発
生装置が設けられており、この磁気発生装置による磁力
線が前記第１の被スパッタ面の互いに離間した点から出
て再び第１のスパッタ面に入るようになっている第１の
少なくとも一つの磁石から構成されており、前記第２の
被スパッタ面の互いに離間した点から出て再び第２の被
スパッタ面に入るようになっている第２の少なくとも一
つの磁石からなることを特徴とするスパッタリング装置
。 ６、特許請求の範囲第５項記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは第１の被スパッタ面のターゲット材料
と第２の被スパッタ面のターゲット材料とが、異なるこ
とを特徴とするスパッタリング装置。 ７、特許請求の範囲第５項記載のスパッタリング装置に
おいて、 前記ターゲットは第１の被スパッタ面のターゲット材料
と第２の被スパッタ面のターゲット材料とが異なり、磁
気発生装置は電磁石であることを特徴とするスパッタリ
ング装置。 ８、基板取付け手段に基板を取付け、真空とし、不活性
ガスを所定圧導入し、前記基板の膜形成面に対して前記
基板の外方向を向く第１の被スパッタ面と前記基板の中
心方向を向く第２の被スパッタ面を有するターゲットと
、アノード間に電圧を印加してプラズマを発生させ、上
記ターゲットの被スパッタ面と反対の面に近接して設け
られた磁気発生装置を制御して前記ターゲットの第１の
被スパッタ面と前記第２の被スパッタ面とを選択的にス
パッタすることを特徴とするスパッタリング方法。 ９、特許請求の範囲第８項記載のスパッタリング方法に
おいて、その磁気発生装置が、電磁石であることを特徴
とするスパッタリング方法。 １０、特許請求の範囲第８項のスパッタリング方法にお
いて、そのターゲットが、第１の被スパッタ面のターゲ
ット材料と第２の被スパッタ面のターゲット材料とが異
なることを特徴とするスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015337A JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60015337A JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61177367A true JPS61177367A (ja) | 1986-08-09 |
| JPH0672299B2 JPH0672299B2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=11885968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60015337A Expired - Lifetime JPH0672299B2 (ja) | 1985-01-31 | 1985-01-31 | スパツタリング装置及びスパツタリング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0672299B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194809A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法 |
| US20110089031A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Suntek Precision Corp. | Sputtering System with Normal Target and Slant Targets on the Side |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5416385A (en) * | 1977-06-10 | 1979-02-06 | Varian Associates | Target profile for sputtering apparatus |
| JPS56156766A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Fujitsu Ltd | Spattering device |
| JPS6141767A (ja) * | 1984-05-17 | 1986-02-28 | バリアン・アソシエイツ・インコ−ポレイテツド | 別個の放電にさらされるターゲットへの別個の閉込め磁界を有するマグネトロンスパッタリング装置を制御する装置および方法 |
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1985
- 1985-01-31 JP JP60015337A patent/JPH0672299B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| US20110089031A1 (en) * | 2009-10-16 | 2011-04-21 | Suntek Precision Corp. | Sputtering System with Normal Target and Slant Targets on the Side |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0672299B2 (ja) | 1994-09-14 |
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