JPS61177697A - 磁気バブルメモリデバイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリデバイスに係わシ、特に磁気
バブルメモリ素子を制御するバイアス磁界および駆動磁
界発生用コイルの末端部とリードフレームの接続用端子
との接続構造に関するものである。

〔発明の背景〕

一般に磁気バブルメモリデバイスは、第１図に示すよう
な内部構造を有している。すなわち、同図において、１
はデータを磁気バブルとして記憶する磁気バブルメモリ
素子、２はとの磁気バブルメモリ素子１のバブルクリア
ー用および、テスティング用磁界を発生させるバイアス
コイル、３ａ。

３ｂは磁気バブルメモリ素子１に駆動磁界を印加するた
めにＸ軸、Ｙ軸方向に巻回された駆動磁界発生コイル、
４は磁気バブルメモリ素子１を搭載し、バイアスコイル
２および駆動磁界発生コイル３ｍ、３ｂを組込んだ素子
搭載基板、５はこの素子搭載基板４を接着配置するため
の、複数個の接続用リード部６を有するリードフレーム
であシ、このリードフレーム５は、前述した各コイル２
および３ｍ、３ｂのリード線７を接続用リード部６の先
端部に巻き付け、半田付けよシ接続した後、第１図に点
線で示す位置で切断されて素子搭載基板４０対向端に複
数本の接続用リード部６が並列配置され、外部回路と接
続される。

このような構成において、各コイル２．３ｍ。

３ｂのリード線７とその接続用リード部６との接続は、
第２図および第３図に要部拡大平面図で示すような構造
が用いられている。すなわち、第２図においては、接続
用リード部６の先端部に円形状の開孔６ａを設け、この
開孔６　ａ　Ｋ　ＩＪ−ド線Ｔを複数回通して巻き付け
た後、半田付によシ接続されていた。また第３図におい
ては、接続用リード部６の先端部にリード幅の狭い挟小
部６ｂを設け、この挟小部６ｂにリード線７を複数回巻
き付けた後、半田付けによシ接続されていた。

なお、このような磁気バブルメモリデバイスの構造は、
例えば特開昭５４−１４６４１号公報に詳細に記載され
ている。

しかしながら、このような接続構造によると、第２図に
おいては、接続用リード部６の開孔６ａの直径が約１ｍ
ｍ以下と小さいため、との開孔６ａにリード線Ｔを通す
手作業が困難となシ、生産性を低下させるという問題が
あった。また、第３図においては、接続用リード部６の
挟小部６ｂに巻き付けたリード線Ｔがその先端部から外
れ易いという問題があった。

〔発明の目的〕

したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものでアシ、その目的とするところは、接続用リー
ド部へのリード線の接続作業の能率を向上させ、生産性
を向上させた磁気バブルメモリデバイスを提供すること
にある。

〔発明の概要〕

このような目的を達成するために本発明は、接続用リー
ド部先端部に設けられた開孔に、リード線を導入するス
リット部を設けたものである。

〔発明の実施例〕

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第４図は本発明による磁気バブルメモリデバイスに係わ
る接続用リード部の一実施例を示す要部拡大平面図であ
る。同図において、接続用リード部６の先端部に設けら
れた開孔６ｍには、このリード部６ｍの先端外周部と連
結するスリット部６ｃが設けられておシ、この場合、こ
のスリット部６ｃは先端部の右上方向に形成されている
。

このような構成において、接続用リード部６の開孔６ａ
　Ｋこのスリット部６ｃを通してリード線７を導入して
開孔６息の周辺部に巻き付けることができるので、リー
ド線７の巻き付けＫよる仮固定後の離脱を防止すること
ができるとともに、開孔６ａへのリード線ＴＯ導入が容
易となるので、初心者においでもリード線７の接続作業
が容易なものとなシ、作業能率を向上させることができ
る。

第５図、第６図および第７図は本発明の他の実施例を説
明するための接続用リード部の要部拡大平面図である。

これらの図において、第５図では接続用リード部６の開
孔６ａに連結するスリット部６ｄがその先端部の左下方
向に設けられている。

第６図では接続用リード部の開孔６ａに連結するスリッ
ト部６・がその上方向に、第７図ではスリット部６ｆが
左方向にそれぞれ設けられている。

このような構成においても前述と全く同様の効果が得ら
れるとともに、リード線７の引き出し構造によシ種々の
スリット部の位置が可能となプ、いずれも良好な接続作
業を行なうことができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、リード線の接続リ
ード部への接続作業能率が大幅に向上できるので、生産
性を大幅に向上させることができるという極めて優れた
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の磁気バブルメモリデバイスの内部構造を
示す要部斜視図、第２図、第３図は従来の接続用リード
部を示す要部拡大平面図、第４図は本発明による磁気バ
ブルメモリデバイスの一実施例を示す接続用リード部の
要部平面図１．第５図、第６図および第７図は本発明の
他の実施例を示す接続用リード部の要部平面図である。 １・・・・磁気バブルメモリ素子、２・・−・バイアス
磁界発生コイル、３ｍ、３ｂ・・・・駆動磁界発生コイ
ル、４・・・拳素子搭載基板、５・・・・リードフレー
ム、６・・・・接続用リード部、５＠＠＠＠曝開孔、６
Ｊ６ｃ＠６ｄ、６＊、（ｉｆｓ・・・スリット部、７ａ
＊＊＊リード線。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 磁気バブルメモリ素子を制御する各種コイルのリード線
   を外部回路接続用リード部に接続してなる磁気バブルメ
   モリデバイスにおいて、前記接続用リード部の先端部に
   、前記リード線を巻き付ける開孔および該開孔にリード
   線を導入するスリットを設けたことを特徴とする磁気バ
   ブルメモリデバイス。