JPS61188902A - チツプ抵抗器及びその製造方法 - Google Patents
チツプ抵抗器及びその製造方法Info
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- JPS61188902A JPS61188902A JP61029168A JP2916886A JPS61188902A JP S61188902 A JPS61188902 A JP S61188902A JP 61029168 A JP61029168 A JP 61029168A JP 2916886 A JP2916886 A JP 2916886A JP S61188902 A JPS61188902 A JP S61188902A
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- Japan
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- chip resistor
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- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
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- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
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- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin-film techniques by sputtering
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
- H01C17/288—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals by thin film techniques
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、チップ抵抗器及びその製造方法に関する。
１０オーム〜１００キロオームの全範囲にわたり、小さ
な公差及び低い抵抗温度係数を有するチップ抵抗器を得
るためには、このような抵抗器の抵抗層は、薄膜技術に
より最善に製造することができる。前記技術は真空蒸着
又はスパッタリングを利用する。
な公差及び低い抵抗温度係数を有するチップ抵抗器を得
るためには、このような抵抗器の抵抗層は、薄膜技術に
より最善に製造することができる。前記技術は真空蒸着
又はスパッタリングを利用する。
英国特許第９９１６４９号明細書には、少なくとも一つ
の抵抗層を設けた支持体を備え、少なくとも二つの平ら
な、はんだ付け可能な金属の電流供給ストリップを備え
、各ストリップが各少なくとも二つの金属層からなり、
その少なくとも最下層を蒸着させるような抵抗器が開示
されている。
の抵抗層を設けた支持体を備え、少なくとも二つの平ら
な、はんだ付け可能な金属の電流供給ストリップを備え
、各ストリップが各少なくとも二つの金属層からなり、
その少なくとも最下層を蒸着させるような抵抗器が開示
されている。
しかし、既知の構造は、１０オーム〜１００キロオーム
の全範囲にわたり低い抵抗温度係数を有するチップ抵抗
器の抵抗層を製造するのには不適当であることがこれま
でに明らかになった。また、抵抗器の安定性もまだ望む
ところが多い。ここでは、疑いもなく材料選択が重要な
因子である。
の全範囲にわたり低い抵抗温度係数を有するチップ抵抗
器の抵抗層を製造するのには不適当であることがこれま
でに明らかになった。また、抵抗器の安定性もまだ望む
ところが多い。ここでは、疑いもなく材料選択が重要な
因子である。
この発明の目的は、１０オーム〜１００キロオームの範
囲にわたり低い抵抗温度係数及び高い安定性を有し、か
つ寿命試験に耐えることができ、雑音の低いレベルを示
すチップ抵抗器を提供することである。
囲にわたり低い抵抗温度係数及び高い安定性を有し、か
つ寿命試験に耐えることができ、雑音の低いレベルを示
すチップ抵抗器を提供することである。
この発明に従うチップ抵抗器は、平らなセラミック支持
体、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層及びはんだ付け可能な金属の電
流供給ストリップを備えるチップ抵抗器において、支持
体の一面上にあるＮｉＣｒＡｌ抵抗層の両方の反対側に
ニッケル又はＮｉを主成分とするニッケル合金の接触ス
トリップ、あるいは更にアルミニウム、アルミニウム合
金又はクロムの中間層を設け、絶縁保護層を抵抗層上に
延在させると共に一部分接触ストリップに重ね、かつ支
持体の側部に沿い底部まで延在するはんだ付け可能な金
属ストリップを接触ストリップの露出部に設けたチップ
抵抗器である。
体、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層及びはんだ付け可能な金属の電
流供給ストリップを備えるチップ抵抗器において、支持
体の一面上にあるＮｉＣｒＡｌ抵抗層の両方の反対側に
ニッケル又はＮｉを主成分とするニッケル合金の接触ス
トリップ、あるいは更にアルミニウム、アルミニウム合
金又はクロムの中間層を設け、絶縁保護層を抵抗層上に
延在させると共に一部分接触ストリップに重ね、かつ支
持体の側部に沿い底部まで延在するはんだ付け可能な金
属ストリップを接触ストリップの露出部に設けたチップ
抵抗器である。
この構造は、実際の抵抗層がはんだ付け可能な接触スト
リップと直接接触していないという洞察に基づく。抵抗
層は、ニッケル、ニッケル合金の層、及び場合によって
はＡ１、ＡＩ−合金又はクロムの中間層の端部と金属接
触するのみであり、これらの材料は、驚くべきことには
、ＮｉＣｒＡｌの抵抗層への拡散を示さない。
リップと直接接触していないという洞察に基づく。抵抗
層は、ニッケル、ニッケル合金の層、及び場合によって
はＡ１、ＡＩ−合金又はクロムの中間層の端部と金属接
触するのみであり、これらの材料は、驚くべきことには
、ＮｉＣｒＡｌの抵抗層への拡散を示さない。
チップ抵抗器の製造においては、Ｎｉ−合金及び保護層
を設けた後、抵抗層は他の方法段階の材料による攻撃に
さらされない。
を設けた後、抵抗層は他の方法段階の材料による攻撃に
さらされない。
抵抗層の両方の反対側にある接触ストリップのニッケル
合金は、それぞれ７％の■及び１０％のＣｒを含有する
Ｎ１Ｖ−合金又はＮｉＣｒ−合金よりなるのが好ましい
。これらの合金は、好ましい適用法であるマグネトロン
スパッタリングに望まれるように非磁性である。
合金は、それぞれ７％の■及び１０％のＣｒを含有する
Ｎ１Ｖ−合金又はＮｉＣｒ−合金よりなるのが好ましい
。これらの合金は、好ましい適用法であるマグネトロン
スパッタリングに望まれるように非磁性である。
この発明に従うチップ抵抗器を製造するためには、最初
に平らなセラミック支持体の一方の側にＮｉＣｒＡｌ層
を設け、次いでこの層をニッケル又はニッケルを主成分
とするニッケル合金で被覆し、あるいは更にこの前にＡ
Ｉ、 Ａ１合金又はクロムの層を設け、フォトエツチン
グにより、最初に二つの接触ストリップを、次いで抵抗
層のパターンを製造し、その後絶縁保護ラッカーを抵抗
層に塗布し、その一部を接触ストリップに重ねるように
し、次に、支持体の側部に沿い底部まで延在する金属の
電流供給ストリップを接触ストリップの露出部上に設け
、最後に、最後に述べた接触ストリップにはんだ付け金
属層を設ける。
に平らなセラミック支持体の一方の側にＮｉＣｒＡｌ層
を設け、次いでこの層をニッケル又はニッケルを主成分
とするニッケル合金で被覆し、あるいは更にこの前にＡ
Ｉ、 Ａ１合金又はクロムの層を設け、フォトエツチン
グにより、最初に二つの接触ストリップを、次いで抵抗
層のパターンを製造し、その後絶縁保護ラッカーを抵抗
層に塗布し、その一部を接触ストリップに重ねるように
し、次に、支持体の側部に沿い底部まで延在する金属の
電流供給ストリップを接触ストリップの露出部上に設け
、最後に、最後に述べた接触ストリップにはんだ付け金
属層を設ける。
抵抗層及び前記抵抗層の両方の反対側に配設した接触ス
トリップは、前述のように、マグネトロンスパッタリン
グにより設けるのが好ましい。金属の電流供給ストリッ
プは、最初に、金属、好ましくはニッケルの層で、スパ
ッタリング好ましくはマグネトロンスパッタリングによ
り被覆し、その後前記層をニッケルを用いて電気的に又
は無電解的に強化する。所要に応じて、鉛−スズ合金層
を電着により重ねる。
トリップは、前述のように、マグネトロンスパッタリン
グにより設けるのが好ましい。金属の電流供給ストリッ
プは、最初に、金属、好ましくはニッケルの層で、スパ
ッタリング好ましくはマグネトロンスパッタリングによ
り被覆し、その後前記層をニッケルを用いて電気的に又
は無電解的に強化する。所要に応じて、鉛−スズ合金層
を電着により重ねる。
また、金属ストリップを、例えば、塩化第一スズ及び塩
化パラジウムの溶液により直接増感し、次いで前記スト
リップの無電解ニッケルめっきをすることも可能である
。
化パラジウムの溶液により直接増感し、次いで前記スト
リップの無電解ニッケルめっきをすることも可能である
。
チップ抵抗器の製造において、抵抗層上の二つの反対側
の接触ストリップは、抵抗値をレーザビームトリミング
する間抵抗を測定するのに良好に用いることができる。
の接触ストリップは、抵抗値をレーザビームトリミング
する間抵抗を測定するのに良好に用いることができる。
この発明の別の例に従って、新しい構造により一つ又は
それより多い抵抗器を集積して混成回路又は抵抗回路網
にすることができる。
それより多い抵抗器を集積して混成回路又は抵抗回路網
にすることができる。
この発明を説明するために、製造方法をいっそう詳細に
添付図面によって説明する。
添付図面によって説明する。
マグネトロンスパッタリングにより、５００人の厚さを
有し、かつ３０．５重量％のＮｉ、 ５７重量％のＣｒ
及び１２．５重量％のＡｌよりなるＮｉＣｒＡｌ層を９
６Ｘ１１４鶴寸法のＡ１１ａｓの基板に設け；続いて７
重量％のＶを含有するＮｉＶの０．５μｍ厚さの層を前
記基板に設け、最後に市販のポジ型フォトレジスト、例
えばシブレイ社（Ｓｈｉｐｌｅｙ）製ＡＺ１３５０Ｊの
被覆を重ねる。低オーム抵抗器の製造には、アルミニウ
ム、アルミニウム合金又はクロムの層及びＮｌＶＯ層か
らなり、層全体の厚さが１μである二重層をもうけるの
が好ましい。基板をマスクを通して露光後：未露光ラッ
カーを溶解した後、旧Ｖの露出層を５％のＵＣｔを含有
する濃ＨＮＯ３でエツチング除去することにより接触ス
トリップを形成する。この試薬はＮｉＣｒＡｌ層は侵さ
ない。第２の同様なリソグラフィー操作を行って、例え
ば、所定の抵抗値が得られるようにＮｉＣｒＡｌの曲り
くねったパターンを与える。ＮｉＣｒＡｌは、リットル
あたり硝酸セリウムアンモニウムＣｅ（ＮＨｔ）ｚ（Ｎ
Ｏｓ）ｂ ２２０ｇ及び６５％ｌｌＮＯ３１００ｍ１を
含有する水溶液でエツチングされる。
有し、かつ３０．５重量％のＮｉ、 ５７重量％のＣｒ
及び１２．５重量％のＡｌよりなるＮｉＣｒＡｌ層を９
６Ｘ１１４鶴寸法のＡ１１ａｓの基板に設け；続いて７
重量％のＶを含有するＮｉＶの０．５μｍ厚さの層を前
記基板に設け、最後に市販のポジ型フォトレジスト、例
えばシブレイ社（Ｓｈｉｐｌｅｙ）製ＡＺ１３５０Ｊの
被覆を重ねる。低オーム抵抗器の製造には、アルミニウ
ム、アルミニウム合金又はクロムの層及びＮｌＶＯ層か
らなり、層全体の厚さが１μである二重層をもうけるの
が好ましい。基板をマスクを通して露光後：未露光ラッ
カーを溶解した後、旧Ｖの露出層を５％のＵＣｔを含有
する濃ＨＮＯ３でエツチング除去することにより接触ス
トリップを形成する。この試薬はＮｉＣｒＡｌ層は侵さ
ない。第２の同様なリソグラフィー操作を行って、例え
ば、所定の抵抗値が得られるようにＮｉＣｒＡｌの曲り
くねったパターンを与える。ＮｉＣｒＡｌは、リットル
あたり硝酸セリウムアンモニウムＣｅ（ＮＨｔ）ｚ（Ｎ
Ｏｓ）ｂ ２２０ｇ及び６５％ｌｌＮＯ３１００ｍ１を
含有する水溶液でエツチングされる。
次いで、ＮｉＣｒＡｌ層を３００〜３５０℃に３時間加
熱することによりエージングする。
熱することによりエージングする。
抵抗器を所要の値に１個ずつレーザビームトリミングし
、抵抗値を接触ストリップ間で測定する。
、抵抗値を接触ストリップ間で測定する。
次に保護層、例えば、チバ・ガイギー社（Ｃｉｂａｇｅ
ｉｇｙ）のＰｒｏｂｉｍｅｒ５２又はコーラ社（Ｃｏａ
ｔｅｓ）のＩｍａｇｅｃｕｒｅを、該層が各抵抗器のＮ
ｉＣｒＡｌ−被覆を覆い約５０μｍより広く接触ストリ
ップに部分的に重なるように設ける。次いで、板を個々
の抵抗器の間でＣＯ□−レーザにより線を刻み、すなわ
ちレーザビームが一連の接近した間隔の孔を板に焼きあ
けて、板をこれらの線に沿って分割して個々の抵抗器を
形成することができるようにする。最初に、板を抵抗器
の幅方向に破壊することにより、板をストリップに分割
し、次いで前記ストリップをジグ中に積重ね、これにマ
グネトロンスパッタリングにより、最初に２００ 人の
Ｃｒを、次いで約１μｍのＮｉＶを適用して側部接触（
ｓｉｄ６ （ｏｎｔａｃｔ）を設ける。
ｉｇｙ）のＰｒｏｂｉｍｅｒ５２又はコーラ社（Ｃｏａ
ｔｅｓ）のＩｍａｇｅｃｕｒｅを、該層が各抵抗器のＮ
ｉＣｒＡｌ−被覆を覆い約５０μｍより広く接触ストリ
ップに部分的に重なるように設ける。次いで、板を個々
の抵抗器の間でＣＯ□−レーザにより線を刻み、すなわ
ちレーザビームが一連の接近した間隔の孔を板に焼きあ
けて、板をこれらの線に沿って分割して個々の抵抗器を
形成することができるようにする。最初に、板を抵抗器
の幅方向に破壊することにより、板をストリップに分割
し、次いで前記ストリップをジグ中に積重ね、これにマ
グネトロンスパッタリングにより、最初に２００ 人の
Ｃｒを、次いで約１μｍのＮｉＶを適用して側部接触（
ｓｉｄ６ （ｏｎｔａｃｔ）を設ける。
続いて、ストリップを個々のチップ抵抗器を形成するよ
うに分割し、これらを電気めっきドラム中で引き続いて
２μｍのＮｉ及び６μｍのＰｂ５ｎ又はＳｎで被覆する
。
うに分割し、これらを電気めっきドラム中で引き続いて
２μｍのＮｉ及び６μｍのＰｂ５ｎ又はＳｎで被覆する
。
この発明に従うこのようなチップ抵抗器、寸法例えば、
３ Ｘｌ、５ Ｘｏ、６３ｍｍ’を添付図面第１図に示
す。基板ｌは、ＮｉＣｒＡｌ層２、接触ストリップ３、
保護層４、側部接触５及び、最後に、鉛−スズ層６を備
える。
３ Ｘｌ、５ Ｘｏ、６３ｍｍ’を添付図面第１図に示
す。基板ｌは、ＮｉＣｒＡｌ層２、接触ストリップ３、
保護層４、側部接触５及び、最後に、鉛−スズ層６を備
える。
この発明に従うチップ抵抗器によって、エージング後の
極めて低い温度係数、例えば３００オームでへ１０〜０
ＸＩＯ−ｂ／”Ｃ及び１０オームで±２５ Ｘ １０−
６／ ’Ｃ１を有する抵抗器を得ることができる。
極めて低い温度係数、例えば３００オームでへ１０〜０
ＸＩＯ−ｂ／”Ｃ及び１０オームで±２５ Ｘ １０−
６／ ’Ｃ１を有する抵抗器を得ることができる。
３００オームと１００キロオームの間の抵抗器の場合に
、雑音は約Ｉ Ｘ ２ Ｘｌ０−”μＶ／Ｖであり、３
００及び１０オームの間の抵抗器に対して雑音は約１０
−１μシバに増加することがある。
、雑音は約Ｉ Ｘ ２ Ｘｌ０−”μＶ／Ｖであり、３
００及び１０オームの間の抵抗器に対して雑音は約１０
−１μシバに増加することがある。
抵抗器の安定性は、これを１／８ｄの負荷下に７０℃で
１０００時間の寿命試験に付すことにより測定する。
１０００時間の寿命試験に付すことにより測定する。
最大公差は、１キロオームの抵抗器に対して０．２％、
１００キロオームの抵抗器に対して０．１％及び１０オ
ームの抵抗器に対して０．３％である。
１００キロオームの抵抗器に対して０．１％及び１０オ
ームの抵抗器に対して０．３％である。
第２図は混成回路の一部を示し、ここで符号９はプリン
ト導体、７は低オームＮｉＣｒＡｌ抵抗器及び８は高オ
ーム抵抗器を示す。すでにある抵抗器のほかに、キャパ
シタ、電位差計、トランジスタ及び半導体基板上の回路
素子のような更に別の構成部分（図示せず）をこの回路
に備えることができる。
ト導体、７は低オームＮｉＣｒＡｌ抵抗器及び８は高オ
ーム抵抗器を示す。すでにある抵抗器のほかに、キャパ
シタ、電位差計、トランジスタ及び半導体基板上の回路
素子のような更に別の構成部分（図示せず）をこの回路
に備えることができる。
第３ａｘｅ図に若干の製造段階を示す。
第３ａ図は、断面図であり、図で１は基板、２はスパッ
タリングにより設けた均一なＮｉＣｒＡｌ層、３は電着
により設けたＮｉ層であり、この層に感光性ラッカ一層
４を塗布する。
タリングにより設けた均一なＮｉＣｒＡｌ層、３は電着
により設けたＮｉ層であり、この層に感光性ラッカ一層
４を塗布する。
露光及び現像後、第３ｂ図に示すようなパターンが得ら
れるように、所望の導体パターンに従ってニッケルを選
択的にエツチング除去する。
れるように、所望の導体パターンに従ってニッケルを選
択的にエツチング除去する。
別の一つのフォトレジスト層を設け、所望の抵抗器をエ
ツチング剤を用いて層２から選択的に分、離する。残存
フォトレジストを除去後、第３ｃ図に従うパターンが得
られる。プリント導体に金層１１を設け（第３ｄ図）、
最後に、集成体に保護ラッカ一層１２を設け、回路フリ
一部の縁部でプリント導体の端部を残す。
ツチング剤を用いて層２から選択的に分、離する。残存
フォトレジストを除去後、第３ｃ図に従うパターンが得
られる。プリント導体に金層１１を設け（第３ｄ図）、
最後に、集成体に保護ラッカ一層１２を設け、回路フリ
一部の縁部でプリント導体の端部を残す。
第４図は、クランプ結合がはんだ層１３により導体の端
部に固定される仕方を示す。
部に固定される仕方を示す。
第１図は、この発明に従うチップ抵抗器であり、第２図
は、すでにある抵抗器に加えて更に他の成分を設けた回
路の一部を示す略図であり、第３ａ＝ｅ図は、第２図に
示す型の回路の若干の製造段階を示す斜視図であり、 第４図は、回路の縁部の導体の一端における直通接続を
示す図である。 １・・・基板 ２・・・ＮｉＣｒＡｌ層３
・・・接触ストリップ ４・・・保護層５・・・側部
接触 ６・・・鉛−スズ層７・・・低オームＮ
ｉＣｒＡｌ抵抗器 ８・・・高オーム抵抗器 ９・・・プリント導体１１
・・・金層 １２・・・保護ラッカ一層１
３・・・はんだ層 １４・・・クランプ結合Ｆ
ｌＯ，１ Ｆ２６．２ ＦＩ［）、３０
は、すでにある抵抗器に加えて更に他の成分を設けた回
路の一部を示す略図であり、第３ａ＝ｅ図は、第２図に
示す型の回路の若干の製造段階を示す斜視図であり、 第４図は、回路の縁部の導体の一端における直通接続を
示す図である。 １・・・基板 ２・・・ＮｉＣｒＡｌ層３
・・・接触ストリップ ４・・・保護層５・・・側部
接触 ６・・・鉛−スズ層７・・・低オームＮ
ｉＣｒＡｌ抵抗器 ８・・・高オーム抵抗器 ９・・・プリント導体１１
・・・金層 １２・・・保護ラッカ一層１
３・・・はんだ層 １４・・・クランプ結合Ｆ
ｌＯ，１ Ｆ２６．２ ＦＩ［）、３０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平らなセラミック支持体、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層及び
はんだ付け可能な金属の電流供給ストリップを備えるチ
ップ抵抗器において、支持体の一面上にあるＮｉＣｒＡ
ｌ抵抗層の両方の反対側にニッケル又はＮｉを主成分と
するニッケル合金の接触ストリップ、あるいは更にアル
ミニウム、アルミニウム合金又はクロムの中間層を設け
、絶縁保護層を抵抗層上に延在させると共に一部分接触
ストリップに重ね、かつ支持体の側部に沿い底部まで延
在するはんだ付け可能な金属ストリップを接触ストリッ
プの露出部に設けたことを特徴とするチップ抵抗器。 ２、ニッケル合金が約７重量％のＶを含有するニッケル
バナジウム合金である特許請求の範囲第１項記載のチッ
プ抵抗器。 ３、ニッケル合金が約１０重量％のＣｒを含有するニッ
ケル−クロム合金である特許請求の範囲第１項記載のチ
ップ抵抗器。 ４、特許請求の範囲第１〜３項のいずれか一つの項に記
載のチップ抵抗器の一つ以上を集積した混成回路。 ５、特許請求の範囲第１〜３項のいずれか一つの項に記
載のチップ抵抗器を用いた抵抗回路網。 ６、平らなセラミック支持体、ＮｉＣｒＡｌ抵抗層及び
はんだ付け可能な金属の電流供給ストリップを備えるチ
ップ抵抗器において、支持体の一面上にあるＮｉＣｒＡ
ｌ抵抗層の両方の反対側にニッケル又はＮｉを主成分と
するニッケル合金の接触ストリップ、あるいは更にアル
ミニウム、アルミニウム合金又はクロムの中間層を設け
、絶縁保護層を抵抗層上に延在させると共に一部分接触
ストリップに重ね、かつ支持体の側部に沿い底部まで延
在するはんだ付け可能な金属ストリップを接触ストリッ
プの露出部に設けたチップ抵抗器を製造するにあたり、
最初に平らなセラミック支持体の一方の側にＮｉＣｒＡ
ｌ層を設け、次いでこの層をニッケル又はニッケルを主
成分とするニッケル合金で被覆し、あるいは更にこの前
にＡｌ、Ａｌ−合金又はクロムの層を設け、フォトエッ
チングにより、最初に二つの接触ストリップを、次いで
抵抗層のパターンを製造し、その後絶縁保護ラッカーを
抵抗層に塗布し、その一部を接触ストリップに重ねるよ
うにし、次に支持体の側部に沿い底部まで延在する金属
の電流供給ストリップを接触ストリップの露出部上に設
け、最後に、最後に述べた接触ストリップにはんだ付け
金属層を設けることを特徴とするチップ抵抗器の製造方
法。 ７、抵抗層及び前記層の両方の反対側に配設する接触ス
トリップをマグネトロンスパッタリングにより設ける特
許請求の範囲第６項記載の方法。 ８、金属の電流供給ストリップを最初にスパッタリング
により設け、次いでニッケルを用いて電気的又は無電解
的に強化する特許請求の範囲第６項又は第７項記載の方
法。 ９、金属の電流供給ストリップを最初に増感し、次いで
無電解ニッケルめっきにより直接強化する特許請求の範
囲第６項又は第７項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8500433 | 1985-02-15 | ||
| NL8500433A NL8500433A (nl) | 1985-02-15 | 1985-02-15 | Chipweerstand en werkwijze voor de vervaardiging ervan. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188902A true JPS61188902A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=19845533
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61029168A Pending JPS61188902A (ja) | 1985-02-15 | 1986-02-14 | チツプ抵抗器及びその製造方法 |
| JP001867U Pending JPH081386U (ja) | 1985-02-15 | 1996-03-18 | チップ抵抗器 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP001867U Pending JPH081386U (ja) | 1985-02-15 | 1996-03-18 | チップ抵抗器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4780702A (ja) |
| EP (1) | EP0191538B1 (ja) |
| JP (2) | JPS61188902A (ja) |
| DE (1) | DE3668254D1 (ja) |
| NL (1) | NL8500433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154501A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Koa Corp | 角形チップ抵抗器 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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