JPS61190706A - 磁気ヘツドチツプの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ＶＴＲ等の磁気記録再生装置に用いられる磁
気ヘッドチップの！！遣方法に関する。

〔従来の技術〕

Ｍｎ　−Ｚｎ　フエライト単結晶を資材とする磁気ヘッ
ドチップは、従来上り第３図（ａ）〜（ｃ）に示す工程
によって製造されている。

先ず、第３図（ａ）に示す如＜Ｍｎ−Ｚｎフエライト単
結晶を適当な結晶面にて切り出しで一対のプロ・ンク半
体（６Ｈ６０）を形成し、両ブロック（６）（６０）の
突合せ面（６１）（６２）に鏡面研摩を施した後、該突
合せ面にヘッドチップのギャップ部となるべき５ｉＯｚ
等の非磁性膜を形成する。次に両ブロック半体（６）（
６０）に機械加工を施して、トラック幅規制溝となる複
数のＵ字状溝（３０）と、コイル窓となる台形溝（４０
）とを設ける。

次に上記両ブロック半体（６）（６０）に対し、機械加
工による歪を除去する為の熱処理を施す、該熱処理は両
ブロック半体（６）（６０）を６００℃以上に加熱して
、この温度（以下熱処理温度という）を一定時間保持し
た後、常温まで冷却することによって行なわれ、機械加
工による歪が原因でフェライト単結晶の磁気特性が劣化
するのを阻止するものである。

熱処理の終了後、第３図（ｂ）に示す如く両ブロック半
体（６）（６０）を突合せ面（６１）（６２）にて接合
し、Ｕ字状溝（３０）に溶融プラス（３）を充填して両
ブロック半体（６）（６０）を一体化し、ヘッドブロッ
ク（６３）を形成する。

最後にヘッドブロック（６３）をスライシングして、ｔ
Ｉｆ１３図（ｅ）に示す如くコイル窓（４）を有する磁
気ヘッドチップ（１）を形成し、コイルを巻装すべきコ
ア体を完成する。

尚、第３図（ｂ）のヘッドブロック（６３）或は第３図
（ｅ）のヘッドチップ（１）の端面（６４）（６５）に
はテープ対接面を形成する為の研摩が施される。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記磁気ヘッドチップの製造工程に於て、加工歪を除去
する熱処理は溶融ガラスの充填前に行なわなければなら
ない。これは、熱処理温度が前述の如く６００℃以上で
あって、プラスの溶融温度の略７６０℃に近く、或は場
合によって溶融温度を越えるから、最後のスライシング
加工が終了した後に熱処理を行なうと、ガラスが軟化し
てギャップ部の形状寸法に誤差が生じる虞れがある為で
ある。

尚、従来の磁気ヘッドチップは、機械加工に伴う歪を出
来るだけ小さくする為に、Ｍｎ−Ｚｎフエライト単結晶
を後述する特定の方向で切り出して、磁気ヘッドチップ
（１）を構成する一対のヘッドチップ半体（１０）（１
０）を形成していた。即ち、夫々のヘッドチップ半体の
磁気テープに接すべき対接面（１１）が結晶面（１１０
）、ギャップ部を形成する突合せ面（１２）が（１００
）、磁力線に沿う方向に伸びる磁路面（１３）が（１１
０）となる様にＭｎ　−Ｚｎフエライト単結晶を切り出
していた。

しかし、従来の製造方法に於ては、前述の如く熱処理を
溶融ガラスの充填前に行なわねばならず、溶融ガラスの
充填後に行なった機械加工による歪は、製品としての磁
気ヘッドチップに残留し、このことが磁気記録再生性能
の改善を阻んでいたのである。

出願人は、上記問題点を解決するべく、一対のベッドチ
ップ半体の結晶方位と、加工歪を除去する為の熱処理温
度との関連を明らかにする為の実験を繰り返した。この
結果、従来とは異なる特定の方向でヘッドチップ半体を
切り出すことにより、従来上りも低い熱処理温度で加工
歪を完全に除去出来ることを発見し、本発明の完成に至
った。

一対のヘッドチップ半体（１０）（１０）は夫々、対接
面（１１）、突合せ面（１２）、磁路面（１３）がＭｎ
−Ｚｎ７ｚライト単結晶の（１１２）、（１１１）、（
１１Ｏ）の各結晶面で構成されると共に夫々の磁路面（
１３）内に存在する＜１１０＞の方向が対接面（１１）
に向かい且つ互いに対向する様に突き合わされ、或は対
接面（１１）、突合せ面（１２）、磁路面（１３）が（
１４５）、（１２３）、（１１１）の各結晶面で構成さ
れる。加工歪を除去する為の熱処理は、全ての機械加工
を終了した後、略２００℃乃至５００℃のプラス溶融点
以下の温度にて行なわれる。

〔作　用〕

上記の特定の結晶面を有する磁気ヘッドチップは、例え
ば第３図（ａ）に示す如＜Ｍｎ−Ｚｎフエライト単結晶
のブロックを切り出して、突合せ面（６１）（６２）が
結晶面（ｉ　　ｉ　　ｉ）、或は（１２３）、対接面と
なる端面が結晶面（１１２）或は（１４４）である一対
のブロック半体を形成し、該ブロック半体に機械加工及
びプラスの融着等を施すことによって作製することがで
きる。但しこの際、Ｗ１械加工による歪は、結晶面の変
更により従来の結晶面を有する磁気ヘッドチップの場合
よりも増大する。

しかし、該磁気ヘッドチップに対し、従来よりも低い２
００℃〜５００℃にて熱処理を施すことにより、機械加
工による歪は完全に除去され、磁気特性は機械加工前の
結晶が有する磁気特性に回復する。

又、熱処理温度はガラスの溶融温度よりも充分低いから
、固化したガラスが軟化することはなく、ギャップ部の
形状寸法が変化する虞れはない。

〔発明の効果〕

製品としての磁気ヘッドチップに機械加工による歪は残
留せず、従って磁気特性の劣化は生じない。然も各ヘッ
ドチップ半体（１ｏ）（ｉｏ）の各面を上記の特性の結
晶面で構成することにより、磁気ヘッドチップとしての
特性は、結晶面が機械加工による歪の発生を考慮して決
められていた従来の磁気へ７ドチツプよりも向上する。

〔実施例〕

第１図は、本発明に係る製造方法によって製造された磁
気ヘッドチップ（１）の構造を示しでいる。

磁気ヘッドチップ（１）はＭｎ−Ｚｎフエライト単結晶
を資材とする一対のヘッドチップ半体（１０）（１０）
を突合せ面（１２）（１２）にて接合して構成されてい
る。両ヘッドチップ半体（１０）（１０）にＦＦ＞で形
成されたトラック幅規制溝にはプラス（３）が充填され
ている。

両ヘッドチップ半体（１０）（１０）は夫々、テープ対
接面（１１）が結晶面（１１２）、突合せ面（１２）が
結晶面（１１１）、磁路面（１３）が結晶面（１１０）
によって構成され、夫々の磁路面（１３）（１３）に存
在する＜１１０＞の方向（第１図中矢印Ａ）がテープ対
接面（１１）（１１）に向かい且つ互いに対向する向き
で突き合わされている。

上記磁気ヘッドチップ（１）は第３図（ａ）〜（ｅ）に
示す工程を経て、全ての機械加工及びガラスの充填を終
了した後、後述する熱処理を施して完成される。第３図
（ａ）（ｆ）＞（ｃ）に夫々示す工程は前述した従来の
工程と同じであるが、第３図（ａ）に於て、両ブロック
半体（６）（６０）は夫々突合せ面（６１）ｒ６２）が
Ｍｎ−Ｚｎフエライト単結晶の結晶面（１１１）、対接
面となるべき端面（６４）（６４）が結晶面（１１２）
となる様に形成される。

熱処理は、所定の形状寸法に仕上げられた磁気ヘッドチ
ップ（１）を第４図に示すタイムチャートに従って真空
中に加熱、冷却することにより行なわれる。即ち、磁気
へ７ドチツプ（１）を略３０分間で３５０℃本で昇温し
、３５０℃にて２時間保持した後、略９０分間で常温ま
でで冷却するのである。尚、熱処理温度は後述の如く略
２００℃〜５００℃の範囲内であれば可く、保持時間は
２時間以上に設定する。

上記熱処理の効果を第５図に示す。＃ＩＪ５図の曲＃！
　（７）は、本発明の磁気ヘッドチップを用いてＶＴＲ
の磁気ヘッドを構成し、実際に信号の記録、再生を行な
って、出力特性を調べたものである。

実験に用いた磁気ヘッドチップのコイル巻数は１８回、
トラック幅は２６μＩ、ギャップ深さは４０μ輸であり
、インダクタンスは５ＭＨｚにて１．７５μ■４である
。第５図の横軸は、最大の再生出力が得られる記録電流
に於ける記録周波数を示し、縦軸は、上記最大の再生出
力即ち再生時に磁気ヘッドのコイルに生じる起電力を示
している。

次に比較の為に、全く熱処理を施さず加工歪が残留した
ままの磁気ヘッドチップを用いて記録周波数に対する再
生出力の変化を調べた。尚、該ヘッドチップのインダク
タンスは５　ＭＨｚにて１．３４μＨである。この結果
、曲＃１（７１）が得られた。図から明らかな様に、上
述の熱処理を施すことによって、再生出力が大幅に増大
している。これは上記熱処理によって加工歪が充分に除
去されたことを表わしている。

更に、従来の結晶方位を有しプラス融着前のブロック半
体に熱処理を施して製造した磁気ヘッドチップを用いて
同様の実験を行なったところ、曲＃１（７０）が得られ
た。このグラフから、本発明の磁気ヘッドチップが従来
の磁気ヘッドチップに比べて良好な磁気特性を有してい
ることは明らかである。

次に、熱処理温度を略２００℃〜５００　’Ｃとするに
至った実験結果について述べる。第６図は熱処理温度を
種々に変えて、磁気ヘッドチップの磁気特性の一つであ
るインダクタンスの変化を調べたものである。図から明
らかな様に略２００”Ｃ以上にて良好なインダクタンス
が得られている。２００°Ｃ以上でインダクタンスは略
一定であるから、実際の磁気ヘッドチップ製造工程では
、ガラスの溶融温度及び他の条件、例えば加熱炉の性能
等を考慮しで略２００℃〜５００℃の範囲内で最適な値
を選定すれば可い。

又、出願人は繰り返し行なった実験によって、下記の結
晶方位を有する磁気ヘッドチップに於いても、２００℃
〜５００℃の熱処理により加工歪が完全に除去され且つ
従来の磁気ヘッドチップよりも良好な磁気特性が得られ
ることを発見した。

即ち、該磁気ヘッドチップを形成する両ヘッドチップ半
体（１０）（１０）は夫々、対接面（１１）が結晶面（
１４５）、突合せ面（１２）が結晶面（１２３）、磁路
面（１３）が結晶面（１１１）によって構成される。該
磁気ヘッドチップに於いても製造方法は上記実施例と同
一であり、略同様の効果が得られる。

尚、上記何れの実施例に於いても、熱処理はＮ２がス等
の不活性ガス中で行なっても真空中と同様の効果が得ら
れた。

又第２図に示す如く、両磁気ヘッドチップ（１０）（１
０）の接合部にセンダスト等の高飽和磁束密度材の薄膜
（２）（２）を設け、ギャップ部（５）に対向せしめた
複合型磁気ヘッドに於いても、本発明の製造方法を実施
出来るのは勿論であって、これによって更に高性能の複
合型磁気ヘッドが得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る製造方法によって製造した磁気ヘ
ッドチップを分断した状態の斜面図、第２図は他の実施
例の平面図、第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）は夫々磁気ヘッ
ドチップの製造工程を示す斜面図、第４図は熱処理方法
を示すグラフ、第５図は磁気へ７ドチツプの出力特性を
示すグラフ、第６図は熱処理温度に対するインダクタン
スの変化を示すグラフである。 （１）・・・磁気ヘッドチップ （１０）（１０）・・・ヘッドチップ半体（１１）・・
・対接面　　（１２）・・・突合せ面（１３）・・・磁
路面 第３図（ａ） 第５図Ｃｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ［１］Ｍｎ−Ｚｎフエライト単結晶のブロックに機械加
   工を施して、磁気記録媒体に接すべき対接面（１１）と
   、ギャップ部を形成する突合せ面（１２）と、磁力線に
   沿う方向に伸びる磁路面（１３）とを夫々具える一対の
   ヘッドチップ半体（１０）（１０）を形成し、両ヘッド
   チップ半体（１０）（１０）によってコイルを巻装すべ
   きコア体を構成する磁気ヘッドチップの製造方法に於て
   、一対のヘッドチップ半体（１０）（１０）は夫々、対
   接面（１１）、突合せ面（１２）、磁路面（１３）がＭ
   ｎ−Ｚｎフエライト単結晶の（１１２）、（１１１）、
   （１１０）の各結晶面で構成されると共に夫々の磁路面
   （１３）内に存在する〈１１０〉の方向が対接面（１１
   ）に向かい且つ互いに対向する様に突き合わされ、或は
   対接面（１１）、突合せ面（１２）、磁路面（１３）が
   （１４５）、（１２３）、（１１１）の各結晶面で構成
   され、全ての機械加工を終了して所定の形状寸法を有す
   るコア体を形成した後、該コア体を略２００℃乃至５０
   ０℃まで加熱昇温し、該温度を一定時間保持した後、常
   温まで冷却することを特徴とする磁気ヘッドチップの製
   造方法。 ［２］コア体を略３５０℃まで昇温し、該温度を略２時
   間保持した後、冷却する特許請求の範囲第１項に記載の
   製造方法。