JPS6119124B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6119124B2 JPS6119124B2 JP53131660A JP13166078A JPS6119124B2 JP S6119124 B2 JPS6119124 B2 JP S6119124B2 JP 53131660 A JP53131660 A JP 53131660A JP 13166078 A JP13166078 A JP 13166078A JP S6119124 B2 JPS6119124 B2 JP S6119124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- distribution
- terminals
- isolator
- synthesis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/48—Networks for connecting several sources or loads, working on the same frequency or frequency band, to a common load or source
Landscapes
- Supply And Distribution Of Alternating Current (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波電力の分配又は合成を行うため
の分配合成装置に係り、とくにアイソレータ形分
配合成装置に関する。
の分配合成装置に係り、とくにアイソレータ形分
配合成装置に関する。
近年、電子装置の半導体化が進み、高周波装置
においても半導体増幅器等が一般に使用されるよ
うになつてきている。この場合、半導体増幅器は
1個当りの出力電力をあまり大きくできないた
め、高周波信号又は電力を分配して複数個の半導
体増幅器で増幅した後出力信号又は電力を合成す
ることがさかんに行われている。
においても半導体増幅器等が一般に使用されるよ
うになつてきている。この場合、半導体増幅器は
1個当りの出力電力をあまり大きくできないた
め、高周波信号又は電力を分配して複数個の半導
体増幅器で増幅した後出力信号又は電力を合成す
ることがさかんに行われている。
第1図は、上記の如き用途に対して、従来
VHF帯で使用されているフエリ磁性体(以下フ
エライトという。)を用いた集中型の電力分配合
成装置を示す。この分配合成装置は、3端子同軸
サーキユレータSの端子4の終端抵抗器R2で終
端したアイソレータAと、整合トランスT1と、
分配入力端子(合成出力端子)1及び分配出力端
子(合成入力端子)2A,2Bを有するフエライ
トを用いた集中型の分配合成器T2と、該分配合
成器T2の端子2A,2B間に接続される抵抗器
R1とで構成される。ここで、サーキユレータS
の3つの端子3,4,5の特性インピーダンスは
夫々Z0であり、終端抵抗器R2の抵抗値もZ0となつ
ている。また、分配合成器T2は、一般に第2図
に示すように、フエライト10に2つの巻線11
A,11Bをバイフアイラ巻きとして密結合させ
かつ当該巻線11A,11Bが作る高周波磁界が
互いに逆方向になるように巻装したものである。
今、端子1より信号を加えると、電流は第2図矢
印の如く端子2A,2Bに分流するが、このとき
巻線方向が互いに逆方向であるためフエライト1
0中に磁界は存在せず、結局フエライト10中の
巻線には電圧降下が生じないから信号は2分配さ
れる。このとき、端子2A,2Bの特性インピー
ダンスがZ0なら、端子1の特性インピーダンスが
Z0/2である。また端子2A,2Bより信号を加
えた場合には同様にして端子1に合成信号が得ら
れる。整合トランスT1は巻数比√2:1のステ
ツプダウントランス(端子1側よりみたときはス
テツプアツプトランス)であつて、端子1の特性
インピーダンスがZ0/2の場合に端子5の特性イ
ンピーダンスをZ0に整合させるためのものであ
る。前記抵抗器R1は端子2A,2B間の分離度
を良くするための吸収抵抗であつて、普通は特性
インピーダンスZ0の2倍に選ばれる。
VHF帯で使用されているフエリ磁性体(以下フ
エライトという。)を用いた集中型の電力分配合
成装置を示す。この分配合成装置は、3端子同軸
サーキユレータSの端子4の終端抵抗器R2で終
端したアイソレータAと、整合トランスT1と、
分配入力端子(合成出力端子)1及び分配出力端
子(合成入力端子)2A,2Bを有するフエライ
トを用いた集中型の分配合成器T2と、該分配合
成器T2の端子2A,2B間に接続される抵抗器
R1とで構成される。ここで、サーキユレータS
の3つの端子3,4,5の特性インピーダンスは
夫々Z0であり、終端抵抗器R2の抵抗値もZ0となつ
ている。また、分配合成器T2は、一般に第2図
に示すように、フエライト10に2つの巻線11
A,11Bをバイフアイラ巻きとして密結合させ
かつ当該巻線11A,11Bが作る高周波磁界が
互いに逆方向になるように巻装したものである。
今、端子1より信号を加えると、電流は第2図矢
印の如く端子2A,2Bに分流するが、このとき
巻線方向が互いに逆方向であるためフエライト1
0中に磁界は存在せず、結局フエライト10中の
巻線には電圧降下が生じないから信号は2分配さ
れる。このとき、端子2A,2Bの特性インピー
ダンスがZ0なら、端子1の特性インピーダンスが
Z0/2である。また端子2A,2Bより信号を加
えた場合には同様にして端子1に合成信号が得ら
れる。整合トランスT1は巻数比√2:1のステ
ツプダウントランス(端子1側よりみたときはス
テツプアツプトランス)であつて、端子1の特性
インピーダンスがZ0/2の場合に端子5の特性イ
ンピーダンスをZ0に整合させるためのものであ
る。前記抵抗器R1は端子2A,2B間の分離度
を良くするための吸収抵抗であつて、普通は特性
インピーダンスZ0の2倍に選ばれる。
上記の構成において、端子3に入力信号を加え
れば、端子2A,2Bに分配信号が得られ、端子
2A,2Bに夫々入力信号を加えかつサーキユレ
ータSの回転方向を逆にすれば端子3に合成信号
が得られる。この場合、挿入損失は動作上、整合
トランスT1の挿入損失が支配的であり、低い電
力レベルでの分配、合成は問題ないが、高電力レ
ベルでは挿入損失に起因する発熱量が大きくな
り、この発熱による特性劣化が問題となる。ま
た、アイソレータAにより端子3と端子2A,2
B間の影響を軽減しているが、全体の構造が大型
となつてしまう欠点が生じる。
れば、端子2A,2Bに分配信号が得られ、端子
2A,2Bに夫々入力信号を加えかつサーキユレ
ータSの回転方向を逆にすれば端子3に合成信号
が得られる。この場合、挿入損失は動作上、整合
トランスT1の挿入損失が支配的であり、低い電
力レベルでの分配、合成は問題ないが、高電力レ
ベルでは挿入損失に起因する発熱量が大きくな
り、この発熱による特性劣化が問題となる。ま
た、アイソレータAにより端子3と端子2A,2
B間の影響を軽減しているが、全体の構造が大型
となつてしまう欠点が生じる。
本発明は、上記の点に鑑み、整合トランスを省
略して挿入損失の減少を図るとともにインピーダ
ンス整合されたアイソレータを用いることにより
小型で、電気的特性の良好なアイソレータ形分配
合成装置を提供しようとするものである。
略して挿入損失の減少を図るとともにインピーダ
ンス整合されたアイソレータを用いることにより
小型で、電気的特性の良好なアイソレータ形分配
合成装置を提供しようとするものである。
以下、本発明に係るアイソレータ形分配合成装
置の実施例を図面に従つて説明する。
置の実施例を図面に従つて説明する。
第3図は本発明の第1実施例であるアイソレー
タ形分配装置の構成図であり、第4図はその動作
説明図である。これらの図において、アイソレー
タ形分配装置は、アイソレータA1とフエライト
を用いた合成分配器T2との組合せから成り、ア
イソレータA1は端子20,21,22を持つ3
端子同軸サーキユレータS1の1つの端子21を終
端抵抗器R2で終端した構成である。ここで、端
子2A,2B,20,21の特性インピーダンス
は共にZ0であり、終端抵抗器R2の抵抗値もZ0とな
つている。また、端子22は整合用の端子であつ
て、その特性インピーダンスは分配合成器T2の
分配入力端子(合成出力端子)1の特性インピー
ダンスZ0/2に合わせるため予めZ0/2となるよ
うに設定されている。なお、分配合成器T2の分
配出力端子(合成入力端子)2A,2B間には端
子間分離用の吸収抵抗R1が設けられている。
タ形分配装置の構成図であり、第4図はその動作
説明図である。これらの図において、アイソレー
タ形分配装置は、アイソレータA1とフエライト
を用いた合成分配器T2との組合せから成り、ア
イソレータA1は端子20,21,22を持つ3
端子同軸サーキユレータS1の1つの端子21を終
端抵抗器R2で終端した構成である。ここで、端
子2A,2B,20,21の特性インピーダンス
は共にZ0であり、終端抵抗器R2の抵抗値もZ0とな
つている。また、端子22は整合用の端子であつ
て、その特性インピーダンスは分配合成器T2の
分配入力端子(合成出力端子)1の特性インピー
ダンスZ0/2に合わせるため予めZ0/2となるよ
うに設定されている。なお、分配合成器T2の分
配出力端子(合成入力端子)2A,2B間には端
子間分離用の吸収抵抗R1が設けられている。
上記第1実施例の構成において、端子20へ加
えられた入力信号は、サーキユレータS1で端子2
2に伝送され、分配合成器T2により端子2A,
2Bに分配される。この場合、端子22は特性イ
ンピーダンスZ0/2となるように設定されている
から分配合成器T2に直結してもインピーダンス
不整合等の問題は生じない。また、端子22に入
力信号とは逆向きの信号が加わつてもこの信号は
端子21に伝送される結果、端子20には現れな
い。
えられた入力信号は、サーキユレータS1で端子2
2に伝送され、分配合成器T2により端子2A,
2Bに分配される。この場合、端子22は特性イ
ンピーダンスZ0/2となるように設定されている
から分配合成器T2に直結してもインピーダンス
不整合等の問題は生じない。また、端子22に入
力信号とは逆向きの信号が加わつてもこの信号は
端子21に伝送される結果、端子20には現れな
い。
第5図は、上記第1実施例の特性を示す。図
中、曲線Xは端子間漏洩(アイソレーシヨン)
を、曲線Yは分配損失を、曲線Zは端子2A,2
Bの定在波比(VSWR)を夫々示す。ただし、特
性インピーダンスZ0=50Ωに設定した場合であ
る。この図によれば、端子間漏洩を充分抑圧で
き、分配損失が小さく定在波比の良好なものが得
られることが判る。
中、曲線Xは端子間漏洩(アイソレーシヨン)
を、曲線Yは分配損失を、曲線Zは端子2A,2
Bの定在波比(VSWR)を夫々示す。ただし、特
性インピーダンスZ0=50Ωに設定した場合であ
る。この図によれば、端子間漏洩を充分抑圧で
き、分配損失が小さく定在波比の良好なものが得
られることが判る。
以上説明したように、上記第1実施例によれ
ば、従来の整合トランスが不要となるから、挿入
損失を減じることができ、使用可能電力範囲を大
きくすることができる。また、形状の小型化が可
能である。さらに、アイソレータA1を用いてい
るため、端子20と端子2A,2Bとの間の影響
を大幅に少くすることができる。
ば、従来の整合トランスが不要となるから、挿入
損失を減じることができ、使用可能電力範囲を大
きくすることができる。また、形状の小型化が可
能である。さらに、アイソレータA1を用いてい
るため、端子20と端子2A,2Bとの間の影響
を大幅に少くすることができる。
第6図は本発明の第2実施例であるアイソレー
タ形合成装置の構成図である。この図において、
アイソレータ形合成装置は、フエライトを用いた
分配合成器T2とアイソレータA2との組合わせか
らなり、アイソレータA2は端子20,21,2
2を持つ3端子同軸サーキユレータS2の1つの端
子21を終端抵抗器R2で終端した構成である。
この合成装置はサーキユレータS2の回転方向が前
記サーキユレータS1とは逆方向になつている他
は、第1実施例の分配装置と同様の構成である。
タ形合成装置の構成図である。この図において、
アイソレータ形合成装置は、フエライトを用いた
分配合成器T2とアイソレータA2との組合わせか
らなり、アイソレータA2は端子20,21,2
2を持つ3端子同軸サーキユレータS2の1つの端
子21を終端抵抗器R2で終端した構成である。
この合成装置はサーキユレータS2の回転方向が前
記サーキユレータS1とは逆方向になつている他
は、第1実施例の分配装置と同様の構成である。
この第2実施例によれば、端子2A,2Bに
夫々加えられた入力信号は分配合成器T2で合成
され、さらにインピーダンス整合されたアイソレ
ータA2を介して端子20へ出力される。この場
合にも整合トランスは不要となり、第1実施例と
同様の効果を上げることができる。
夫々加えられた入力信号は分配合成器T2で合成
され、さらにインピーダンス整合されたアイソレ
ータA2を介して端子20へ出力される。この場
合にも整合トランスは不要となり、第1実施例と
同様の効果を上げることができる。
なお、上記実施例の構成を並列又は縦続接続す
ることにより、多分配、多合成が可能である。
ることにより、多分配、多合成が可能である。
叙上のように、本発明によれば、整合トランス
を省略して挿入損失の減少を図るとともにインピ
ーダンス整合されたアイソレータを用いることに
より端子間の影響を減じることが可能で小型化さ
れたアイソレータ形分配合成装置を得ることがで
きる。
を省略して挿入損失の減少を図るとともにインピ
ーダンス整合されたアイソレータを用いることに
より端子間の影響を減じることが可能で小型化さ
れたアイソレータ形分配合成装置を得ることがで
きる。
第1図は従来の分配合成装置を示す構成図、第
2図はそれに使用されている分配合成器の構成
図、第3図は本発明の第1実施例であつてアイソ
レータ形分配装置を示す構成図、第4図は動作説
明図、第5図は諸特性を示すグラフ、第6図は第
2実施例であつてアイソレータ形合成装置を示す
構成図である。 1,2A,2B,3,20,21,22……端
子、A,A1,A2……アイソレータ、R1……吸収
抵抗、R2……終端抵抗器、S,S1,S2……3端
子同軸サーキユレータ、T1……整合トランス、
T2……分配合成器。
2図はそれに使用されている分配合成器の構成
図、第3図は本発明の第1実施例であつてアイソ
レータ形分配装置を示す構成図、第4図は動作説
明図、第5図は諸特性を示すグラフ、第6図は第
2実施例であつてアイソレータ形合成装置を示す
構成図である。 1,2A,2B,3,20,21,22……端
子、A,A1,A2……アイソレータ、R1……吸収
抵抗、R2……終端抵抗器、S,S1,S2……3端
子同軸サーキユレータ、T1……整合トランス、
T2……分配合成器。
Claims (1)
- 1 3端子同軸サーキユレータの1端子を終端器
で終端しかつ残りの2端子のうちの1端子を整合
用端子として他の端子の特性インピーダンスの1/
2に設定したアイソレータと、1つの分配入力端
子(合成出力端子)及び2つの分配出力端子(合
成入力端子)を有するフエリ磁性体を用いた集中
型分配合成器とを備え、前記アイソレータの整合
用端子を前記分配合成器の分配入力端子(合成出
力端子)に接続したことを特徴とするアイソレー
タ形分配合成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13166078A JPS5558601A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Isolator-type distributing and synthesizing unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13166078A JPS5558601A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Isolator-type distributing and synthesizing unit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5558601A JPS5558601A (en) | 1980-05-01 |
| JPS6119124B2 true JPS6119124B2 (ja) | 1986-05-15 |
Family
ID=15063240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13166078A Granted JPS5558601A (en) | 1978-10-27 | 1978-10-27 | Isolator-type distributing and synthesizing unit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5558601A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2524294B2 (ja) * | 1992-12-10 | 1996-08-14 | 八重洲無線株式会社 | プリント基板パワ―コンバイナ― |
| US6384695B2 (en) | 1999-03-08 | 2002-05-07 | Lucent Technologies Inc. | High power combiner apparatus |
| JP4498595B2 (ja) * | 2000-12-15 | 2010-07-07 | 三菱電機株式会社 | 高周波回路装置 |
| WO2016136412A1 (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | 株式会社村田製作所 | サーキュレータ、フロントエンド回路、アンテナ回路および通信装置 |
-
1978
- 1978-10-27 JP JP13166078A patent/JPS5558601A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5558601A (en) | 1980-05-01 |
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