JPS61196535A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS61196535A JPS61196535A JP60037081A JP3708185A JPS61196535A JP S61196535 A JPS61196535 A JP S61196535A JP 60037081 A JP60037081 A JP 60037081A JP 3708185 A JP3708185 A JP 3708185A JP S61196535 A JPS61196535 A JP S61196535A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cup
- developer
- turned
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体製造装置に関し、特にそのポジ現像
処理時の改良に関するものである。
処理時の改良に関するものである。
従来この種の装置として第2図に示すものかあった。
図において、1はウェハ6を回転させるためのスピンモ
ータ、4は現像カップ、3は現像カップ4を支持する支
持台、2は現像カップ4を上下させるためのカップシリ
ンダ、5はウェハ6を載置するウェハチャック、6はウ
ェハチャック5に真空系により吸着されている処理ウェ
ハ、7は現像のため供給されたポジ現像液であり、これ
はウェハ面の表面張力により保持されている。8はウェ
ハ面上に現像液を供給するためのノズル、9は現像後の
リンスのためのリンス液を供給するためのノズル、10
は処理廃液のタンクである。
ータ、4は現像カップ、3は現像カップ4を支持する支
持台、2は現像カップ4を上下させるためのカップシリ
ンダ、5はウェハ6を載置するウェハチャック、6はウ
ェハチャック5に真空系により吸着されている処理ウェ
ハ、7は現像のため供給されたポジ現像液であり、これ
はウェハ面の表面張力により保持されている。8はウェ
ハ面上に現像液を供給するためのノズル、9は現像後の
リンスのためのリンス液を供給するためのノズル、10
は処理廃液のタンクである。
又、第2図(′b)は現像ノズル8からウェハ6上へ現
像液を供給する時の拡がりの様子を矢印11で示したも
のである。
像液を供給する時の拡がりの様子を矢印11で示したも
のである。
次にこの装置によるウェハの現像工程の各工程を列挙す
る。
る。
(1)カップシリンダ2によりカップ4を下げる。
(2)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送する。
(ここでは搬送システムは図示を省略している。)(3
)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送後、該ウェハ6
を真空吸着する。
)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送後、該ウェハ6
を真空吸着する。
(4)カップシリンダ2によりカップ4を上げる。
(5)スピンモータ1によりウェハ6を低速回転(50
〜100 rpm )させる。
〜100 rpm )させる。
(6)現像ノズル8をオンし現像液をウェハ6上に供給
する。
する。
(7)現像液7を第2図(a)のように表面張力により
保持できる程度供給し、その後現像液の供給を停止し、
同時にスピンモータ1を停止する。
保持できる程度供給し、その後現像液の供給を停止し、
同時にスピンモータ1を停止する。
(8)規定の時間、静止させる。
(9)静止後スピンモータ1を回転(500〜1100
0rp )させ、同時にリンスノズル9をオンしてリン
ス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを行なう。
0rp )させ、同時にリンスノズル9をオンしてリン
ス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを行なう。
(10)リンス終了後リンスノズル9をオフし同時にス
ピンモータ1の回転数を上げ(3000〜5000rp
m ) 、ウェハ6を乾燥させる。
ピンモータ1の回転数を上げ(3000〜5000rp
m ) 、ウェハ6を乾燥させる。
(11)その後カップ4をシリンダ2により下!7.[
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なうゆ 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体製造装置によるウェハの現像は以上のよう
な方法で行なわれていた。そのため、ポジ現像液の量は
ウェハ面上で表面張力により保持されるものだけとなり
、この量だけではパターンの微細化、ウェハの大口径化
に対して十分なパターン精度及び寸法精度を保持するこ
とが非常に困難であるという欠点があった。
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なうゆ 〔発明が解決しようとする問題点〕 従来の半導体製造装置によるウェハの現像は以上のよう
な方法で行なわれていた。そのため、ポジ現像液の量は
ウェハ面上で表面張力により保持されるものだけとなり
、この量だけではパターンの微細化、ウェハの大口径化
に対して十分なパターン精度及び寸法精度を保持するこ
とが非常に困難であるという欠点があった。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、パターン精度及び寸法精度を大幅
に改善することのできる半導体製造装置を提供すること
を目的としている。
めになされたもので、パターン精度及び寸法精度を大幅
に改善することのできる半導体製造装置を提供すること
を目的としている。
この発明に係る半導体製造装置は、ウェハを浸漬させる
ための現像液を収容する現像液槽と、ウェハを載置する
載置台を回転させろウェハ回転駆動手段とを設けたもの
である。
ための現像液を収容する現像液槽と、ウェハを載置する
載置台を回転させろウェハ回転駆動手段とを設けたもの
である。
この発明においては、ウェハは現像液に浸漬された状態
で回転するから、パターン精度2寸法精度の高いウェハ
を得ることができる。
で回転するから、パターン精度2寸法精度の高いウェハ
を得ることができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、12はウェハ6を浸漬させるための現
像液7を収容する現像液槽である現像用カップ、16は
該カップ12と廃液タンク10とを接続するためのパイ
プ、13は該パイプ16に設けられた電磁弁↑あり、こ
れは現像液の充瞑及び廃水のタイミングを図るためのも
のである。14はカップ12内の現像液7を速く廃液で
きるよう廃液タンク10の内圧を下げるための排気ダク
ト、15はカップ12とウェハチャックシャフト5aと
の間を隙間なくシールするための真空シールである。他
は従来例と同様である。そして以上の13.14.15
.16によりカップ12への現像液の供給、排出を自動
的に制御するための現像液供給排出制御手段を構成して
いる。
像液7を収容する現像液槽である現像用カップ、16は
該カップ12と廃液タンク10とを接続するためのパイ
プ、13は該パイプ16に設けられた電磁弁↑あり、こ
れは現像液の充瞑及び廃水のタイミングを図るためのも
のである。14はカップ12内の現像液7を速く廃液で
きるよう廃液タンク10の内圧を下げるための排気ダク
ト、15はカップ12とウェハチャックシャフト5aと
の間を隙間なくシールするための真空シールである。他
は従来例と同様である。そして以上の13.14.15
.16によりカップ12への現像液の供給、排出を自動
的に制御するための現像液供給排出制御手段を構成して
いる。
次に本装置によるウェハの現像工程の各工程を列挙する
。
。
(1)カップシリンダ2により現像用カップ(以下カッ
プと称す)12を下げる。この時電磁弁13は開いたま
まである。
プと称す)12を下げる。この時電磁弁13は開いたま
まである。
(2)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送する。
(3)ウェハチャック5上にウェハ6を搬送後、該ウェ
ハ6を真空吸着する。
ハ6を真空吸着する。
(4)カップシリンダ2によりカップ12を上げ、同時
に電磁弁13を閉じる。
に電磁弁13を閉じる。
(5)スピンモータ1によりウェハ6を低速回転(50
〜100 rpm )させる。
〜100 rpm )させる。
(6)現像ノズル8をオンし現像液をウェハ6上に現像
液がウェハ面上1cmぐらいの高さになるまで供給する
。
液がウェハ面上1cmぐらいの高さになるまで供給する
。
(7)規定の時間、ウェハ6の低速回転を続行する。(
なおこれはここでは低速回転させたが、これに限る必要
はない。) (8)その後電磁弁13を開け、同時にリンスノズル9
をオンしてリンス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを
行なう。
なおこれはここでは低速回転させたが、これに限る必要
はない。) (8)その後電磁弁13を開け、同時にリンスノズル9
をオンしてリンス液(水)を出し、ウェハ6のリンスを
行なう。
(9)リンス終了後リンスノズル9をオフし同時にスピ
ンモータlの回転数を上げ(3000〜5000 rp
m) 、ウェハ6を乾燥させる。
ンモータlの回転数を上げ(3000〜5000 rp
m) 、ウェハ6を乾燥させる。
(10)その後カップ12をシリンダ2により下げ、搬
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なう。
送システムによりウェハ6を搬送し、次のウェハの処理
を行なう。
このように本実施例装置では、カップ内に現像液をため
、その中に処理ウェハを浸漬し同時に処理ウェハを回転
させながら現像するようにしたの果がある。
、その中に処理ウェハを浸漬し同時に処理ウェハを回転
させながら現像するようにしたの果がある。
なお、上記実施例ではウェハ搬送のためカップを上下さ
せたが、ウェハチャックを上下させてもよい。
せたが、ウェハチャックを上下させてもよい。
また、上記実施例ではウェハをウェハチャック上に載置
しながら現像液中に浸漬する場合を示したが、ウェハチ
ャックを用いずにウェハをその上面よりハンドラーでつ
かみ、これを現像液中に浸漬するようにしてもよく、上
記と同様の効果を奏する。
しながら現像液中に浸漬する場合を示したが、ウェハチ
ャックを用いずにウェハをその上面よりハンドラーでつ
かみ、これを現像液中に浸漬するようにしてもよく、上
記と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明に係る半導体製造装置によれば
、ポジ現像液を収容したカップにウェハを浸漬して該ウ
ェハを回転させて現像するようにしたので、パターン精
度及び寸法精度の高いウェハが得られる効果がある。
、ポジ現像液を収容したカップにウェハを浸漬して該ウ
ェハを回転させて現像するようにしたので、パターン精
度及び寸法精度の高いウェハが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例による半導体製造装置を示
す断面図、第2図(alは従来の半導体製造装置を示す
断面図、第2図山)は現像ノズルからウェハ上への現像
液を供給する時の拡がりの様子を示す状態図である。 1・・・スピンモータ(ウェハ回転駆動手段)、5・・
・ウェハチャック、6・・・ウェハ、7・・・現像液、
12・・・現像用カップ、13・・・電磁弁、14・・
・排気ダクト、15・・・真空シール、16・・・パイ
プ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す断面図、第2図(alは従来の半導体製造装置を示す
断面図、第2図山)は現像ノズルからウェハ上への現像
液を供給する時の拡がりの様子を示す状態図である。 1・・・スピンモータ(ウェハ回転駆動手段)、5・・
・ウェハチャック、6・・・ウェハ、7・・・現像液、
12・・・現像用カップ、13・・・電磁弁、14・・
・排気ダクト、15・・・真空シール、16・・・パイ
プ。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)露光処理したポジレジスト塗布ウェハを現像する
半導体製造装置において、ウェハを浸漬させるための現
像液を収容する現像液槽と、上記ウェハを載置する載置
台を回転させるウェハ回転駆動手段とを備えたことを特
徴とする半導体製造装置。 - (2)上記現像液槽は、該現像液槽への上記現像液の供
給、排出を自動的に制御するための現像液供給排出制御
手段を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60037081A JPS61196535A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60037081A JPS61196535A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196535A true JPS61196535A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12487598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60037081A Pending JPS61196535A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196535A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60037081A patent/JPS61196535A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655047A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Developing method and device therefor |
| JPS5745232A (en) * | 1980-08-29 | 1982-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device and method for developing |
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