JPS61196599A - 結晶化ガラス多層回路基板 - Google Patents
結晶化ガラス多層回路基板Info
- Publication number
- JPS61196599A JPS61196599A JP60037157A JP3715785A JPS61196599A JP S61196599 A JPS61196599 A JP S61196599A JP 60037157 A JP60037157 A JP 60037157A JP 3715785 A JP3715785 A JP 3715785A JP S61196599 A JPS61196599 A JP S61196599A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- paste
- glass
- multilayer circuit
- crystallized glass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明結晶化ガラス多層回路基板は、特に＾周波領域で
高速信号伝播に好適に利用される。
高速信号伝播に好適に利用される。
「従来の技術」
多層回路基板は、予め焼結されたセラミック基板上に導
体ペーストを印刷後、絶縁ベースドを印刷し、これを複
数回〈シ返して多層配線パターンを形成した後焼成して
製造されたものとセラミックグリーンシート上に前述の
如く導体ペーストと絶縁ペーストを複数回交互に印刷し
同時焼成して製造されたものが知られている。
体ペーストを印刷後、絶縁ベースドを印刷し、これを複
数回〈シ返して多層配線パターンを形成した後焼成して
製造されたものとセラミックグリーンシート上に前述の
如く導体ペーストと絶縁ペーストを複数回交互に印刷し
同時焼成して製造されたものが知られている。
「発明が解決しようとする問題点」
上記いずれの多層回路基板も、セラミック基板又はセラ
ミックグリーンシートの焼成収縮率と絶縁ペーストの焼
成収縮率とが異なるため、絶縁層にクラックが生じたシ
、反り１．ピンホールなどが発生する、。これを解決す
る虎め、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にセ
ラミックグリーンシートを構成するセラミック質粉体よ
シ粒径の小さい粉体を使用することを特徴とするセラミ
ック多層回路基板の製造法が提案され、特開昭５９−１
０１８９６号公報に開示されたが、粒径制御という面倒
を有する。かかる製造上の問題点に加えてセラミックス
は焼成温度が高いため導体材料がタングステン、モリブ
デン等の高融点高抵抗金属に限られ、高速信号伝播に適
さない。
ミックグリーンシートの焼成収縮率と絶縁ペーストの焼
成収縮率とが異なるため、絶縁層にクラックが生じたシ
、反り１．ピンホールなどが発生する、。これを解決す
る虎め、絶縁ペーストを構成するセラミック質粉体にセ
ラミックグリーンシートを構成するセラミック質粉体よ
シ粒径の小さい粉体を使用することを特徴とするセラミ
ック多層回路基板の製造法が提案され、特開昭５９−１
０１８９６号公報に開示されたが、粒径制御という面倒
を有する。かかる製造上の問題点に加えてセラミックス
は焼成温度が高いため導体材料がタングステン、モリブ
デン等の高融点高抵抗金属に限られ、高速信号伝播に適
さない。
本発明は以上の問題点を解決するためになされたもので
ある。
ある。
「問題点を解決する九めの手段」
解決手段は、導体ペーストと結晶性ガラス質の絶縁ペー
ストとを該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリー
ンシート上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してな
る結晶化ガラス多層回路基板である。ここで結晶性ガラ
ス質とは焼成時に結晶化し得るガラス成分を意味し、同
質とはこのガラス成分に関しての同質をいい、樹脂、粘
結剤等焼失し得る有機成分については同質性を問わない
。
ストとを該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリー
ンシート上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してな
る結晶化ガラス多層回路基板である。ここで結晶性ガラ
ス質とは焼成時に結晶化し得るガラス成分を意味し、同
質とはこのガラス成分に関しての同質をいい、樹脂、粘
結剤等焼失し得る有機成分については同質性を問わない
。
「作用」
絶縁ペースト及びグリーンシートに主として含まれる無
機成分がいずれも結晶性ガラス質であることから、ガラ
ス特有の軟化現象を経て結晶化するため、クラック、ピ
ンホールなどを生じることがない。而して絶縁ペースト
中の結晶性ガラス質とグリーンシート中のそれとが同質
であるので、焼成収縮率の差による反りが生じることが
なく且つ両者が強固に密着したものとなる。また結晶性
ガラス質の焼成温度は１０５０℃以下であるので、導体
材料として金、銀、銅。
機成分がいずれも結晶性ガラス質であることから、ガラ
ス特有の軟化現象を経て結晶化するため、クラック、ピ
ンホールなどを生じることがない。而して絶縁ペースト
中の結晶性ガラス質とグリーンシート中のそれとが同質
であるので、焼成収縮率の差による反りが生じることが
なく且つ両者が強固に密着したものとなる。また結晶性
ガラス質の焼成温度は１０５０℃以下であるので、導体
材料として金、銀、銅。
パラジウム、白金又はこれらの混合物等低抵抗金属を用
いることができ、同時焼成しても金属成分のダレ等問題
を生じることがない。
いることができ、同時焼成しても金属成分のダレ等問題
を生じることがない。
「実施例」
重量基準”ｔ’ ＳｉＯ！５６ ％、ＡｈＯｓ ２８．
５％ 、 ＭｇＯ１５％ 、ＺｎＯ８，５％ 、 Ｂｔ
ｕｓ １ ％及びＰ２Ｏ５Ｉ Ｔｏ ヨりなる平均粒径
２μ調のガラス粉末１００部に分散剤１部、結合剤１５
部、可塑剤１５部、溶剤５０部を添加混練し、ドクター
ブレード法にてグリーンシートＡを成形した。別途、上
記ガラス粉末に溶剤等上記有機成分を粘度６００ボイズ
となるまで添加混合して絶縁ペース）ａｔ調製した。グ
リーンシートＡ上に金ペースト（住友金属鉱山■製Ｃ−
５０２５）を厚膜印刷して膜厚２５μｍの配線パターン
を形成し、その上に絶縁ペース）ａを厚膜印刷して絶縁
層を形成し、この印刷操作をくシ返した後、大気中温度
９３００で焼成することによって配線層５層、膜厚４ｏ
μ屑の結晶化ガラス絶縁層４層、基板厚２１１１＋の本
発明結晶化ガラス多層回路基板を製造した。
５％ 、 ＭｇＯ１５％ 、ＺｎＯ８，５％ 、 Ｂｔ
ｕｓ １ ％及びＰ２Ｏ５Ｉ Ｔｏ ヨりなる平均粒径
２μ調のガラス粉末１００部に分散剤１部、結合剤１５
部、可塑剤１５部、溶剤５０部を添加混練し、ドクター
ブレード法にてグリーンシートＡを成形した。別途、上
記ガラス粉末に溶剤等上記有機成分を粘度６００ボイズ
となるまで添加混合して絶縁ペース）ａｔ調製した。グ
リーンシートＡ上に金ペースト（住友金属鉱山■製Ｃ−
５０２５）を厚膜印刷して膜厚２５μｍの配線パターン
を形成し、その上に絶縁ペース）ａを厚膜印刷して絶縁
層を形成し、この印刷操作をくシ返した後、大気中温度
９３００で焼成することによって配線層５層、膜厚４ｏ
μ屑の結晶化ガラス絶縁層４層、基板厚２１１１＋の本
発明結晶化ガラス多層回路基板を製造した。
比較のために平均粒径２μ屑のＡ１＊Ｏｉ ９６ Ｔｏ
。
。
残部ＣａＯｅ ５ｉ（ｈ ｓ ＭｇＯよりなる配合粉末
１００部に結合剤８部、可塑剤４部、溶剤７０部を添加
混練し、ドクターブレード法にてグリーンシー）Ｂを成
形した。別途、上記配合粉末に溶剤等上記有機成分を粘
度６００ポイズとなるまで添加混合して絶縁ペース）ｂ
″ｆ：調製した。グリーンシー）Ｂ上にタングステンペ
ースト（アサヒ化学■製８ＴＷ−１０００）を厚膜印刷
して膜厚２６μ肩の配線パターンを形成し、その上に絶
縁ベースドｂを厚膜印刷して絶縁層を形成し、この印刷
操作をくシ返した後、水素雰囲気中温度１５００℃で焼
成することによって配線層５層、膜厚４０μｍのセラミ
ック絶縁層４層、基板厚２ｍのセラミック多層回路基板
を製造した。
１００部に結合剤８部、可塑剤４部、溶剤７０部を添加
混練し、ドクターブレード法にてグリーンシー）Ｂを成
形した。別途、上記配合粉末に溶剤等上記有機成分を粘
度６００ポイズとなるまで添加混合して絶縁ペース）ｂ
″ｆ：調製した。グリーンシー）Ｂ上にタングステンペ
ースト（アサヒ化学■製８ＴＷ−１０００）を厚膜印刷
して膜厚２６μ肩の配線パターンを形成し、その上に絶
縁ベースドｂを厚膜印刷して絶縁層を形成し、この印刷
操作をくシ返した後、水素雰囲気中温度１５００℃で焼
成することによって配線層５層、膜厚４０μｍのセラミ
ック絶縁層４層、基板厚２ｍのセラミック多層回路基板
を製造した。
前記本発明結晶化ガラス多層回路基板及び上記セラミッ
ク多層回路基板について緒特性を評価した結果を表に示
す。
ク多層回路基板について緒特性を評価した結果を表に示
す。
以上のように本発明結晶化ガラス多層回路基板は不良発
生率が低く、層間絶縁性の優れたものである。
生率が低く、層間絶縁性の優れたものである。
「発明の効果」
不良発生率が低いので廉価に製造できる。層間絶縁性が
優れているので絶縁層の膜厚が薄くて済み、印刷段階の
工数が向上する。導体材料に低抵抗材料を適用できるの
で信号伝播速度が向上する。以上の効果は、上記実施例
に限ることはなく特開昭５９−９２９４８号公報特許請
求の範囲記載のＳ ｔｏ２− ＡｌｚＯｓ −ＭｇＯ−
ＺｎＯ−Ｂ２０３−ＰｚＯｓ系結晶化ガラス体、特開昭
５９−８８９５７号公報特許請求の範囲記載の５ｔ（ｈ
−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２０３− ＣａＯ−ＺｒＣ
ｈ系結晶化ガラス体等公知の結晶化ガラスを適用しても
同様に奏する。
優れているので絶縁層の膜厚が薄くて済み、印刷段階の
工数が向上する。導体材料に低抵抗材料を適用できるの
で信号伝播速度が向上する。以上の効果は、上記実施例
に限ることはなく特開昭５９−９２９４８号公報特許請
求の範囲記載のＳ ｔｏ２− ＡｌｚＯｓ −ＭｇＯ−
ＺｎＯ−Ｂ２０３−ＰｚＯｓ系結晶化ガラス体、特開昭
５９−８８９５７号公報特許請求の範囲記載の５ｔ（ｈ
−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−Ｂ２０３− ＣａＯ−ＺｒＣ
ｈ系結晶化ガラス体等公知の結晶化ガラスを適用しても
同様に奏する。
Claims (3)
- （１）導体ペーストと結晶性ガラス質の絶縁ペーストと
を該結晶性ガラス質と同質の結晶性ガラスグリーンシー
ト上に複数回交互に厚膜印刷し、同時焼成してなる結晶
化ガラス多層回路基板。 - （２）導体ペーストが金、銀、銅、パラジウム、白金又
はこれらの混合物のペーストである特許請求の範囲第１
項記載の結晶化ガラス多層回路基板。 - （３）絶縁ペーストの膜厚が３０〜４０μｍである特許
請求の範囲第１項記載の結晶化ガラス多層回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60037157A JPS61196599A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
| US07/320,796 US4943470A (en) | 1985-01-11 | 1989-03-09 | Ceramic substrate for electrical devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60037157A JPS61196599A (ja) | 1985-02-26 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196599A true JPS61196599A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12489762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60037157A Pending JPS61196599A (ja) | 1985-01-11 | 1985-02-26 | 結晶化ガラス多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196599A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147395A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 高密度配線多層基板の製造法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162393A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
| JPS59101896A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS605597A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 新光電気工業株式会社 | セラミツク複合焼成体の製造方法 |
| JPS6175595A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | 株式会社日立製作所 | 厚膜多層板 |
-
1985
- 1985-02-26 JP JP60037157A patent/JPS61196599A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57162393A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
| JPS59101896A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 日立化成工業株式会社 | セラミツク多層回路基板の製造法 |
| JPS605597A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 新光電気工業株式会社 | セラミツク複合焼成体の製造方法 |
| JPS6175595A (ja) * | 1984-09-21 | 1986-04-17 | 株式会社日立製作所 | 厚膜多層板 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63147395A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 高密度配線多層基板の製造法 |
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