JPS61197500A - 基板の冷却装置 - Google Patents
基板の冷却装置Info
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- JPS61197500A JPS61197500A JP3656385A JP3656385A JPS61197500A JP S61197500 A JPS61197500 A JP S61197500A JP 3656385 A JP3656385 A JP 3656385A JP 3656385 A JP3656385 A JP 3656385A JP S61197500 A JPS61197500 A JP S61197500A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体の製造に使用されるシリコンウェハ等の
基板を冷却する装置に関する。
基板を冷却する装置に関する。
（従来の技術）
従来、真空室内に於いて、この種の基板にイオンを注入
し、その表面の物性を変えることがＩＣ等の製造工程で
行なわれているが、該基板はイオンの注入等の熱入射に
伴う温度上昇により損傷する危険があるので、該基板を
冷却水を循環させた冷却板の平坦な或はレンズ状に隆起
した前面に当接させて冷却している。この場合、冷却板
と基板との間に弾力性に富む熱伝導性ゴムを設け、該基
板の周辺をクランプして取付けすることも行なわれてい
る。
し、その表面の物性を変えることがＩＣ等の製造工程で
行なわれているが、該基板はイオンの注入等の熱入射に
伴う温度上昇により損傷する危険があるので、該基板を
冷却水を循環させた冷却板の平坦な或はレンズ状に隆起
した前面に当接させて冷却している。この場合、冷却板
と基板との間に弾力性に富む熱伝導性ゴムを設け、該基
板の周辺をクランプして取付けすることも行なわれてい
る。
（発明が解決しようとする問題点）
シリコンウェハの基板の周囲をクランプすると、基板の
クランプ部分はその背面が弾力性のゴムであるので押し
つけられて変形し、基板とゴムとの間にゴムでは追従出
来ない遊離部分が生じて両者の実際の接触面積は比較的
少なく、近時のように基板の処理に大電力の使用が要求
されて基板の発熱量も大きくなる場合の冷却装置として
は不向きである。
クランプ部分はその背面が弾力性のゴムであるので押し
つけられて変形し、基板とゴムとの間にゴムでは追従出
来ない遊離部分が生じて両者の実際の接触面積は比較的
少なく、近時のように基板の処理に大電力の使用が要求
されて基板の発熱量も大きくなる場合の冷却装置として
は不向きである。
また冷却板の前面の弾力性のゴムを取除き、基板を直接
に該前面に当接させた場合、該基板面に存する凹凸のた
めにやはり遊離部分が生じて接触面積が少なくなり、良
好な冷却性が得られない不都合がある。
に該前面に当接させた場合、該基板面に存する凹凸のた
めにやはり遊離部分が生じて接触面積が少なくなり、良
好な冷却性が得られない不都合がある。
本発明は真空中で処理される基板と冷却板の大きな接触
面積が得られる構造として両者間の熱伝達鳳を大きくす
る冷却装置を提供することを目的とするものである。
面積が得られる構造として両者間の熱伝達鳳を大きくす
る冷却装置を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明では、真空室内でイオン注入その他の処理を施す
基板を、冷却水の循環等により冷却された冷却板の前面
に当接させて処理に伴い温度上昇する基板を冷却するよ
うにしたものに於いて、該冷却板の前面に多数の突起を
形成するようにした。
基板を、冷却水の循環等により冷却された冷却板の前面
に当接させて処理に伴い温度上昇する基板を冷却するよ
うにしたものに於いて、該冷却板の前面に多数の突起を
形成するようにした。
（作 用）
シリコンウェハ等の基板は冷却板の前面に当接して保持
し、これに真空室内でイオン注入等の熱入射の処理が施
されると該基板が昇温するが、該冷却板の前面には多数
の突起が形成されているので、該基板の背面に存在する
凹部内に冷部板の突起が進入し、該背面に存在する凸部
は該冷却板の突起間の谷部へ進入し、該基板は冷却板の
突起と多く接触することが出来、基板と冷却板の接触面
積が増加して冷却性が向上する。
し、これに真空室内でイオン注入等の熱入射の処理が施
されると該基板が昇温するが、該冷却板の前面には多数
の突起が形成されているので、該基板の背面に存在する
凹部内に冷部板の突起が進入し、該背面に存在する凸部
は該冷却板の突起間の谷部へ進入し、該基板は冷却板の
突起と多く接触することが出来、基板と冷却板の接触面
積が増加して冷却性が向上する。
（実施例）
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図に於い
て、（１）は真空室（２）内配置される基板ホルダで、
該基板ホルダ（１）は例えばＣｕ、 ＡＩ等の金属で形
成され、その内部或は背面に冷却水等の冷媒の循環路（
３）が設けられる。
て、（１）は真空室（２）内配置される基板ホルダで、
該基板ホルダ（１）は例えばＣｕ、 ＡＩ等の金属で形
成され、その内部或は背面に冷却水等の冷媒の循環路（
３）が設けられる。
（４）は該ホルダ（１）の表面即ち冷却面に設けたＣｕ
−等の熱良導性の金属で形成した冷却板を示し、その前
面（４ａ）にシリコンウェハ等の基板（５）がクランプ
（６）で押し付けられて当接される。該クランプ（６）
は基板（５）の周縁の例えば３ケ所を押圧し、これと冷
却板（ωとの間に基板（５）を挟持する。
−等の熱良導性の金属で形成した冷却板を示し、その前
面（４ａ）にシリコンウェハ等の基板（５）がクランプ
（６）で押し付けられて当接される。該クランプ（６）
は基板（５）の周縁の例えば３ケ所を押圧し、これと冷
却板（ωとの間に基板（５）を挟持する。
該冷却板（４）の前面（４ａ）には、第２図示のように
多数の突起（７）を形成し、その具体的形状は第３図及
び第４図に見られるように丸形成は角形に形成する等任
意であり、各突起（７）の間隔や高さは基板（５）の背
面に存在する凹凸の平均や分散の程度を考慮して決定さ
れる。真空室（Ｄ内で基板（５）の表面にイオンが注入
されて昇温すると該基板（ωはイオン注入面側が凸面と
なるように反り返えるので、該冷却板（４）の前面（４
ａ）を予め図示のようにレンズ状に突出した形状に形成
しておき、基板（５）の昇温時に該冷却板（４）に適合
して当接可能とすることが好ましい。
多数の突起（７）を形成し、その具体的形状は第３図及
び第４図に見られるように丸形成は角形に形成する等任
意であり、各突起（７）の間隔や高さは基板（５）の背
面に存在する凹凸の平均や分散の程度を考慮して決定さ
れる。真空室（Ｄ内で基板（５）の表面にイオンが注入
されて昇温すると該基板（ωはイオン注入面側が凸面と
なるように反り返えるので、該冷却板（４）の前面（４
ａ）を予め図示のようにレンズ状に突出した形状に形成
しておき、基板（５）の昇温時に該冷却板（４）に適合
して当接可能とすることが好ましい。
該基板（５）にイオン注入処理が施されると昇温し、そ
の熱量は冷却板（４）を介して基板ホルダ（１）へと流
れ、高温化による破損等を防止するが、該冷却板（４）
の前面（４ａ）に形成した突起（７）が該前面（４ａ）
と当接する基板（５）の背面に存在する凹部に進入し、
基板（５）と冷却板（４）との接触面積が増大され、そ
れに応じて冷却性が向上する。
の熱量は冷却板（４）を介して基板ホルダ（１）へと流
れ、高温化による破損等を防止するが、該冷却板（４）
の前面（４ａ）に形成した突起（７）が該前面（４ａ）
と当接する基板（５）の背面に存在する凹部に進入し、
基板（５）と冷却板（４）との接触面積が増大され、そ
れに応じて冷却性が向上する。
各突起（７）の頂面に、第５図示のようなポリ四フフ化
エチレンの膜（８）を重層し、さらにこの上に金属膜を
コーティングすることもあり、或は第６図示のように突
起（７）を含めて前面（４ａ）の全体に該１！ （８）
でコーティングして、冷却板（４）の物質で基板（５）
が汚染されることを防止すると共に該層（８）の多少の
弾性変形によりさらに広く突起（υと基板（５）と接触
を得られるように構成することも可能である。
エチレンの膜（８）を重層し、さらにこの上に金属膜を
コーティングすることもあり、或は第６図示のように突
起（７）を含めて前面（４ａ）の全体に該１！ （８）
でコーティングして、冷却板（４）の物質で基板（５）
が汚染されることを防止すると共に該層（８）の多少の
弾性変形によりさらに広く突起（υと基板（５）と接触
を得られるように構成することも可能である。
また該層（８）に代え薄膜状或は繊維状のカーボンを積
層して膜状に形成したものや金属薄膜或は金ＩＩｈＩＩ
維を積層して膜状に形成したものを使用してもよい。
層して膜状に形成したものや金属薄膜或は金ＩＩｈＩＩ
維を積層して膜状に形成したものを使用してもよい。
第７図は基板の冷却装置の冷却性能を示し、これに於い
て、曲線Ａは従来のレンズ状に前面が突出した冷却板に
よる基板の温度変化であり、。
て、曲線Ａは従来のレンズ状に前面が突出した冷却板に
よる基板の温度変化であり、。
イオンビームの電力やその他の熱入射が増大すると基板
温度は大幅に上昇し、投入電力が１０００Ｗ近くなると
３００℃を越え、基板あるいは基板に塗布したレジスト
の破損を生じ易い。しかしレンズ状に突出した前面を有
する冷却板にさらに突起（７）を形成した本発明のもの
では曲線Ｂ、Ｃ１Ｄの如く投入電力が増大しても温度上
昇を妨げた。曲線Ｂのものは突起（７）の上面に厚さ０
．１１１１のポリ四フッ化エチレンの膜（８）を設けた
もの、曲線Ｃのものは膜（８）がなく突起（７）上に直
接基板（５）を当接させた場合、また曲線りは薄膜状の
カーボンを積層して得た膜を突起（７）の上面に設けた
場合の基板（５）の温度変化である。
温度は大幅に上昇し、投入電力が１０００Ｗ近くなると
３００℃を越え、基板あるいは基板に塗布したレジスト
の破損を生じ易い。しかしレンズ状に突出した前面を有
する冷却板にさらに突起（７）を形成した本発明のもの
では曲線Ｂ、Ｃ１Ｄの如く投入電力が増大しても温度上
昇を妨げた。曲線Ｂのものは突起（７）の上面に厚さ０
．１１１１のポリ四フッ化エチレンの膜（８）を設けた
もの、曲線Ｃのものは膜（８）がなく突起（７）上に直
接基板（５）を当接させた場合、また曲線りは薄膜状の
カーボンを積層して得た膜を突起（７）の上面に設けた
場合の基板（５）の温度変化である。
（発明の効果）
このように本発明によるときは、基板が当接される冷却
板の前面に多数の突起を形成するようにしたので基板と
冷却板との接触面積を増大させて基板の冷却性を向上さ
せ得られ、投入電力を大きくしての基板の処理で基板を
損傷させることなく行なうことが出来る等の効果がある
。
板の前面に多数の突起を形成するようにしたので基板と
冷却板との接触面積を増大させて基板の冷却性を向上さ
せ得られ、投入電力を大きくしての基板の処理で基板を
損傷させることなく行なうことが出来る等の効果がある
。
第１図は本発明の実施例の截断側面図、第２図は冷却板
の１例の斜視図、第３図及び第４図は冷却板の拡大断面
図、第５図及び第６図は冷却板の変形例の拡大断面図、
第７図は冷却性能を示す線図である。 （乃・・・真空室 （４）・・・冷却板（４
ａ）・・・前面 （ω・・・基板（７）・
・・突起 他２名 第１図 第２図 第４図 第６図 第７図 υ 電力（ｗ）
の１例の斜視図、第３図及び第４図は冷却板の拡大断面
図、第５図及び第６図は冷却板の変形例の拡大断面図、
第７図は冷却性能を示す線図である。 （乃・・・真空室 （４）・・・冷却板（４
ａ）・・・前面 （ω・・・基板（７）・
・・突起 他２名 第１図 第２図 第４図 第６図 第７図 υ 電力（ｗ）
Claims (1)
- 真空室内でイオン注入その他の処理を施す基板を、冷却
水の循環等により冷却された冷却板の前面に当接させて
処理に伴い昇温する基板を冷却するようにしたものに於
いて、該冷却板の前面に多数の突起を形成したことを特
徴とする基板の冷却装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656385A JPS61197500A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 基板の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3656385A JPS61197500A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 基板の冷却装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61197500A true JPS61197500A (ja) | 1986-09-01 |
| JPH0417920B2 JPH0417920B2 (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=12473225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3656385A Granted JPS61197500A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 基板の冷却装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61197500A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177964A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | イオン注入機用プラテン |
| JP2003511856A (ja) * | 1999-10-01 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 表面構造およびその製造方法，ならびに表面構造を組み込む，静電ウエハクランプ |
| JP2019504442A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-02-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 温度制御されるイオン源 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP3656385A patent/JPS61197500A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10177964A (ja) * | 1996-12-18 | 1998-06-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | イオン注入機用プラテン |
| JP2003511856A (ja) * | 1999-10-01 | 2003-03-25 | バリアン・セミコンダクター・エクイップメント・アソシエイツ・インコーポレイテッド | 表面構造およびその製造方法，ならびに表面構造を組み込む，静電ウエハクランプ |
| JP2019504442A (ja) * | 2015-12-22 | 2019-02-14 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 温度制御されるイオン源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0417920B2 (ja) | 1992-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |