JPS61200700A - 電子波動リング - Google Patents
電子波動リングInfo
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- JPS61200700A JPS61200700A JP3977885A JP3977885A JPS61200700A JP S61200700 A JPS61200700 A JP S61200700A JP 3977885 A JP3977885 A JP 3977885A JP 3977885 A JP3977885 A JP 3977885A JP S61200700 A JPS61200700 A JP S61200700A
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- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 12
- 230000005405 multipole Effects 0.000 claims 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 32
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、設計軌道に沿って回転しながら高周波加速
空胴で加速され、蓄積されている高エネルギー電子の波
動特性を利用した電子波動リングに関するもので、超Ｌ
ＳＩ回路パターンの転写等の微細加工に好適な大強度光
子の大面積照射を可能にするものである。
空胴で加速され、蓄積されている高エネルギー電子の波
動特性を利用した電子波動リングに関するもので、超Ｌ
ＳＩ回路パターンの転写等の微細加工に好適な大強度光
子の大面積照射を可能にするものである。
第１２図は従来の電子蓄積リングの一例の構成を示す概
略図であり、１ａ〜１ｈは軌道半径２ｍ、偏向角４５°
の偏向電磁石、２は入射用セプタム電磁石、３はキツカ
ーコイル、４は高周波空胴、５は垂直方向の集束力をも
つ四重極電磁石（以下Ｑｄと呼ぶ）、６は水平方向の集
束力をもつ四重極電磁石（以下Ｑｆと呼ぶ）、７は前記
Ｑｒ ６をＱｄ５の両側に配した３台１セツトのトリプ
レットである。なお、１１は設計電子軌道、１２は電子
を示す。
略図であり、１ａ〜１ｈは軌道半径２ｍ、偏向角４５°
の偏向電磁石、２は入射用セプタム電磁石、３はキツカ
ーコイル、４は高周波空胴、５は垂直方向の集束力をも
つ四重極電磁石（以下Ｑｄと呼ぶ）、６は水平方向の集
束力をもつ四重極電磁石（以下Ｑｆと呼ぶ）、７は前記
Ｑｒ ６をＱｄ５の両側に配した３台１セツトのトリプ
レットである。なお、１１は設計電子軌道、１２は電子
を示す。
従来の電子蓄積リングは上記のように構成され、入射用
セプタム電磁石２に入射する電子ビームはわずか８ｍｍ
Ｘ１０ｍｍ角の入口を通って設計軌道から外側に４０＋
ｓｍ外れた位置で安定な設計電子軌道１１と平行に入射
される。入射した電子１２は設計電子軌道１１のまわり
を数周する間に入射用セプタム電磁石２との仕切り板に
衝突して散逸してしまうので、半周下流のキツカーコイ
ル３に電子ビームと同期する極短パルス電流を流して電
子の軌道を修正する。そして、電子１２はさらに１／４
周下流にある高周波空胴４によって加速され、電子が光
放射で失ったエネルギーを補充されながら蓄積されてい
る。
セプタム電磁石２に入射する電子ビームはわずか８ｍｍ
Ｘ１０ｍｍ角の入口を通って設計軌道から外側に４０＋
ｓｍ外れた位置で安定な設計電子軌道１１と平行に入射
される。入射した電子１２は設計電子軌道１１のまわり
を数周する間に入射用セプタム電磁石２との仕切り板に
衝突して散逸してしまうので、半周下流のキツカーコイ
ル３に電子ビームと同期する極短パルス電流を流して電
子の軌道を修正する。そして、電子１２はさらに１／４
周下流にある高周波空胴４によって加速され、電子が光
放射で失ったエネルギーを補充されながら蓄積されてい
る。
次に、第’１２図の蓄積リングから発生するシンクロト
ロン放射光ＳＲ（以下単に放射光ＳＲという）の特性を
第１３図によって説明する。
ロン放射光ＳＲ（以下単に放射光ＳＲという）の特性を
第１３図によって説明する。
この図で、１１は蓄積リングの設計電子軌道、１２は前
記設計電子軌道１１で軌道半径中心の方向に加速される
電子である。
記設計電子軌道１１で軌道半径中心の方向に加速される
電子である。
放射光ＳＲは設計電子軌道１１の面に垂直な方向のみ鋭
い指向性を持ち円形の設計電子軌道１１の接線方向に拡
散する発散光源である。
い指向性を持ち円形の設計電子軌道１１の接線方向に拡
散する発散光源である。
上記のような従来の電子蓄積リングでは、第１３図の斜
線部分で示すように、照射野が狭いため、放射光ＳＲの
大面積照射を必要とするリソグラフィー技術へ利用して
いく上で問題があった。
線部分で示すように、照射野が狭いため、放射光ＳＲの
大面積照射を必要とするリソグラフィー技術へ利用して
いく上で問題があった。
この発明は上記の問題点を解決するためになされたもの
で、電子ビームを設計電子軌道のまわりに波動させ、水
平、垂直方向に安定して移動でき、かつ、高輝度のシン
クロトロン放射光を発生することができる電子波動リン
グを得ることを目的とする。
で、電子ビームを設計電子軌道のまわりに波動させ、水
平、垂直方向に安定して移動でき、かつ、高輝度のシン
クロトロン放射光を発生することができる電子波動リン
グを得ることを目的とする。
この発明にかかる電子波動リングは、設計軌道上に蓄積
された電子を設計電子軌道のまわりに垂直方向の波動運
動をさせる垂直方向の偏向手段を設けたものである。
された電子を設計電子軌道のまわりに垂直方向の波動運
動をさせる垂直方向の偏向手段を設けたものである。
また、この発明の別の発明にかかる電子波動リングは、
設計電子軌道上の任意の位置に蓄積された電子を電子軌
道のまわりに垂直方向および水平方向の波動運動をさせ
る垂直方向偏向手段と水平方向偏向手段とをそれぞれ別
個に設け、さらに各偏向手段で垂直方向および水平方向
に同時にまたは別個に波動運動をする電子に赤外線から
Ｘ線までの領域で高輝度化された光子を発生させるアン
ジュレータを具備したものである。
設計電子軌道上の任意の位置に蓄積された電子を電子軌
道のまわりに垂直方向および水平方向の波動運動をさせ
る垂直方向偏向手段と水平方向偏向手段とをそれぞれ別
個に設け、さらに各偏向手段で垂直方向および水平方向
に同時にまたは別個に波動運動をする電子に赤外線から
Ｘ線までの領域で高輝度化された光子を発生させるアン
ジュレータを具備したものである。
この発明においては、垂直方向の偏向手段により蓄積さ
れた電子を設計電子軌道のまわりに垂直方向の波動運動
をさせ、これによりシンクロトロン放射光の照射野を拡
大する。
れた電子を設計電子軌道のまわりに垂直方向の波動運動
をさせ、これによりシンクロトロン放射光の照射野を拡
大する。
また、この発明の別の発明にかかる電子波動リングは、
垂直方向偏向手段、水平方向偏向手段およびアンジュレ
ータによって、照射野の広い高輝度光源が得られる。
垂直方向偏向手段、水平方向偏向手段およびアンジュレ
ータによって、照射野の広い高輝度光源が得られる。
第１図はこの発明の一実施例である電子波動リングの構
成を示す概略図であり、１ａ〜Ｉｈ。
成を示す概略図であり、１ａ〜Ｉｈ。
２〜７．および１１．１２は第１２図と同じものである
。
。
この図で、２１は電子ビームの波動運動によって平行移
動あるいは偏向された電子のエネルギーの一部を赤外線
からＸ線までの領域の光子に変換するアンジュレータ、
２２ａは前記トリプレット７に設けた可変垂直偏向電磁
石、２２ｂは同じくトリプレット７に設けた可変水平偏
向電磁石である。以下、電子ビームの軌道偏向について
垂直方向への偏向、水平方向への偏向の順に述べる。
動あるいは偏向された電子のエネルギーの一部を赤外線
からＸ線までの領域の光子に変換するアンジュレータ、
２２ａは前記トリプレット７に設けた可変垂直偏向電磁
石、２２ｂは同じくトリプレット７に設けた可変水平偏
向電磁石である。以下、電子ビームの軌道偏向について
垂直方向への偏向、水平方向への偏向の順に述べる。
まず、垂直偏向を実行するために例えばトリプレット７
のＱｔ ６．Ｑｄ５．Ｑｒ ６のうち下流側のＱｒ６−
Ｑ、＋５間に可変垂直偏向電磁石２２ａを設ける。この
可変垂直偏向電磁石２２ａの磁場（数十ガウス程度）に
よって第２図に示すように下流側のＱｒ ６に入射する
電子ビーム軌道がＱｒ６の垂直方向発散力によって、可
変垂直偏向電磁石２２ａの磁場の方向によって上方向ま
たは下方向に増幅されて偏向し、さらに偏向角４５゜の
偏向電磁石１ｄに入射する（第１図）、偏向電磁石１ｄ
は第３図（ａ）に示されるように傾入射角θ、（１１、
７°）がつけられていて、第３図（ｂ）に示されるよう
に縦集束力を持っているため、上方向または下方向に偏
向して入射してきた電子ビームはそれぞれ下方向、上方
向に軌道修正を受けて偏向電磁石１ｄ中を通過し、偏向
電磁石１ｄの下流側の傾出射角θ２（１１、７°）によ
って縦集束され軌道を修正する。また、偏向電磁石１ｄ
を通過する電子ビームは第４図に示すように安定軌道か
ら上下にｄｘｃｍ離れてほぼ水平に通過し、下流側の偏
向電磁石１ｅ〜１ｈを同じように縦集束力を受けながら
通過する。その時、下流のトリプレット７に入射する電
子ビームはそのトリプレット７のＱｄ５で安定軌道と交
叉し、上方向に偏向した゛ものは下方向に、下方向に偏
向したものは上方向に、第４図に示されるように可変垂
直偏向電磁石２２ａをほぼ中心とする前後３番目の偏向
電磁石１ａ、１ｆを節Ｎｏ とする上下波動を行う。
のＱｔ ６．Ｑｄ５．Ｑｒ ６のうち下流側のＱｒ６−
Ｑ、＋５間に可変垂直偏向電磁石２２ａを設ける。この
可変垂直偏向電磁石２２ａの磁場（数十ガウス程度）に
よって第２図に示すように下流側のＱｒ ６に入射する
電子ビーム軌道がＱｒ６の垂直方向発散力によって、可
変垂直偏向電磁石２２ａの磁場の方向によって上方向ま
たは下方向に増幅されて偏向し、さらに偏向角４５゜の
偏向電磁石１ｄに入射する（第１図）、偏向電磁石１ｄ
は第３図（ａ）に示されるように傾入射角θ、（１１、
７°）がつけられていて、第３図（ｂ）に示されるよう
に縦集束力を持っているため、上方向または下方向に偏
向して入射してきた電子ビームはそれぞれ下方向、上方
向に軌道修正を受けて偏向電磁石１ｄ中を通過し、偏向
電磁石１ｄの下流側の傾出射角θ２（１１、７°）によ
って縦集束され軌道を修正する。また、偏向電磁石１ｄ
を通過する電子ビームは第４図に示すように安定軌道か
ら上下にｄｘｃｍ離れてほぼ水平に通過し、下流側の偏
向電磁石１ｅ〜１ｈを同じように縦集束力を受けながら
通過する。その時、下流のトリプレット７に入射する電
子ビームはそのトリプレット７のＱｄ５で安定軌道と交
叉し、上方向に偏向した゛ものは下方向に、下方向に偏
向したものは上方向に、第４図に示されるように可変垂
直偏向電磁石２２ａをほぼ中心とする前後３番目の偏向
電磁石１ａ、１ｆを節Ｎｏ とする上下波動を行う。
第５図はこの上下に波動する電子ビームを立体的に図示
したもので、Ｈは照射野の縦幅、Ｗは同じく横幅であり
、放射光ＳＲの垂直方向の照射野が拡大されている様子
が示されている。なお１図中の斜線部分は従来の照射野
である。
したもので、Ｈは照射野の縦幅、Ｗは同じく横幅であり
、放射光ＳＲの垂直方向の照射野が拡大されている様子
が示されている。なお１図中の斜線部分は従来の照射野
である。
次に、電子ビームの水平方向の波動運動によって水平方
向への安定した移動について説明する。
向への安定した移動について説明する。
なお、水平偏向を実行するため可変水平偏向電磁石２２
ｂの設置位置は可変垂直偏向電磁石２２ａの設置位置ま
たは他のトリプレット７の位置で良いが、例えば下流側
のＱｄ５−Ｑｒ ６間とする。
ｂの設置位置は可変垂直偏向電磁石２２ａの設置位置ま
たは他のトリプレット７の位置で良いが、例えば下流側
のＱｄ５−Ｑｒ ６間とする。
可変水平偏向電磁石２２ｂの磁場（±１００ガウス程度
）によって第６図に示すように下流側のＱｒ ６に入射
する電子ビームの軌道は可変水平偏向電磁石２２ｂの磁
場の方向によって左方向（内側）工または右方向（外側
）Ｈに偏向され、ざらにＱｒ ６の水平方向集束力によ
って、それぞれ逆方向に軌道修正され偏向電磁石１ｄに
水平に入射するが、偏向電磁石１ｄの傾入射角θ１（１
１。
）によって第６図に示すように下流側のＱｒ ６に入射
する電子ビームの軌道は可変水平偏向電磁石２２ｂの磁
場の方向によって左方向（内側）工または右方向（外側
）Ｈに偏向され、ざらにＱｒ ６の水平方向集束力によ
って、それぞれ逆方向に軌道修正され偏向電磁石１ｄに
水平に入射するが、偏向電磁石１ｄの傾入射角θ１（１
１。
７°）のため左右のずれは磁場中の軌道半径Ｒに大きく
影響を与えることなく、電子ビームの軌道は安定軌道に
対して平行に外側または内側に安定して移動する。そし
て、下流に位置するＱｒ ８によって電子ビームはさら
に水平集束されていく。
影響を与えることなく、電子ビームの軌道は安定軌道に
対して平行に外側または内側に安定して移動する。そし
て、下流に位置するＱｒ ８によって電子ビームはさら
に水平集束されていく。
そして、電子ビームの水平方向の波動特性は第６図に示
すように、振動の節Ｎｏが４個所ある。そして、アンジ
ュレータ２１の位置では電子軌道はほぼ電子ビームが平
行移動して第６図にも示すように左右にそれぞれｄｘｃ
ｍずれる。
すように、振動の節Ｎｏが４個所ある。そして、アンジ
ュレータ２１の位置では電子軌道はほぼ電子ビームが平
行移動して第６図にも示すように左右にそれぞれｄｘｃ
ｍずれる。
第７図は上下、左右に平行移動する電子ビームを立体的
に図示したもので、アンジュレータ２１の中で発生した
指向性の良い大強度光子を大面積照射できることを示し
ている。ｄｘは前述した左右方向の移動量、ｄｚは上下
方向の移動量であり、Ｈ，Ｗは第５図と同じものである
。
に図示したもので、アンジュレータ２１の中で発生した
指向性の良い大強度光子を大面積照射できることを示し
ている。ｄｘは前述した左右方向の移動量、ｄｚは上下
方向の移動量であり、Ｈ，Ｗは第５図と同じものである
。
このような電子波動特性は、第１図に示したトリプレッ
ト７を集束レンズとする蓄積リングだけではなくて、第
８図、第９図に示すような各偏向電磁石１ａ〜１ｆ間に
それぞれ１個または２個の四重様電磁石２３を設けた電
子を蓄積できる蓄積リングであれば、先に述べた電子波
動用の偏向手段を用いることによってその蓄積リング固
有のベータトロン振動に応じた電子波動特性を持たせ、
電子波動リングとして使用することが可能である。
ト７を集束レンズとする蓄積リングだけではなくて、第
８図、第９図に示すような各偏向電磁石１ａ〜１ｆ間に
それぞれ１個または２個の四重様電磁石２３を設けた電
子を蓄積できる蓄積リングであれば、先に述べた電子波
動用の偏向手段を用いることによってその蓄積リング固
有のベータトロン振動に応じた電子波動特性を持たせ、
電子波動リングとして使用することが可能である。
この点も、この発明の大きな特徴の一つといえる。
次に、電子ビームの波動振幅制御について第１０図の励
磁電流波形図で説明する。
磁電流波形図で説明する。
この図で、横軸は時間ｔ、縦軸は励磁電流工０であり、
第１図の可変垂直偏向電磁石２２ａ、可変水平偏向電磁
石２２ｂに時間ｔｏ−ｔ！の間に任意可変な励磁電流工
０を印加する。
第１図の可変垂直偏向電磁石２２ａ、可変水平偏向電磁
石２２ｂに時間ｔｏ−ｔ！の間に任意可変な励磁電流工
０を印加する。
この場合では、電子ビームを等速にｔｏ秒の間に垂直方
向、水平方向に対し、最大振幅でｄｚａｍ、ｄｘｃ層変
位することになり、ｔ１秒間停止した後、再び等速でｔ
ｏ秒の間にそれぞれ最大振幅で−ｄ ｚｃ＋ｓ、 −ｄ
ｘｃｍまで等速に変位し、ｔ１秒間停止後、再びもと
の位置に復帰するように励磁電流Ｉｏを制御する。この
ようにすることによって大面積にわたってほぼ均一に放
射光ＳＲを照射することができる。
向、水平方向に対し、最大振幅でｄｚａｍ、ｄｘｃ層変
位することになり、ｔ１秒間停止した後、再び等速でｔ
ｏ秒の間にそれぞれ最大振幅で−ｄ ｚｃ＋ｓ、 −ｄ
ｘｃｍまで等速に変位し、ｔ１秒間停止後、再びもと
の位置に復帰するように励磁電流Ｉｏを制御する。この
ようにすることによって大面積にわたってほぼ均一に放
射光ＳＲを照射することができる。
次に、波動電子ビームに赤外線からＸ線までの領域の光
子を放射させるアンジュレータ２１の構造と作用につい
て第１１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で述べる。
子を放射させるアンジュレータ２１の構造と作用につい
て第１１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）で述べる。
第１１図（ａ）はアンジュレータ２１の概略図であり、
３１は小型永久磁石で異極性の磁石を交互に上下に配列
している。３２は電子ビーム、入０は周期長である。
３１は小型永久磁石で異極性の磁石を交互に上下に配列
している。３２は電子ビーム、入０は周期長である。
アンジュレータ２１から放射される放射光ＵＲは従来の
蓄積リングからの放射光ＳＲと比較すると、高輝度で１
０２〜１０３倍の準単色をもつ放射光である。放射光Ｓ
Ｒからの指向性は第１１図（ｂ）に示すように、電子軌
道面に対して垂直な方向のみで、軌道面では円軌道の接
線方向に拡散する発散光源である。ところが、アンジュ
レータ２１からの放射光ＵＲは第１１図（Ｃ）に示すよ
うに、電子が蛇行しながら放射する直線状指向性をもっ
た放射光である。そして、放射光ＵＲと放射光ＳＲとの
相対輝度比を示すと、 ２Ｎ＜ ［ＵＲ］ ／ ［ＳＲ］ ＜４Ｎ２となる。上
記式中のＮはアンジュレータ２１の周期数である。ここ
で、相対輝度比の最小値は蛇行した電子軌道の腹の数に
等しく、最大値は電子ビームの方向が揃っている腹のと
ころで放射された放射光の干渉効果が生じた時の値に等
しい、また磁性体としてＳｍＣＯ５等を用いた永久磁石
のアンジュレータ２１の場合の周期長λＯは３〜４ｃｍ
程度で、このときの周期Ｎを１０とすると、放射光ＵＲ
は放射光ＳＲに比べて４００倍の輝度が得られ、周期数
Ｎを１６とすれば、放射光ＵＲは放射光ＳＲに比べて１
０００倍の輝度が得られ、このようにアンジュレータ２
１を通過する電子は赤外線からＸ線までの領域で高輝度
化された光子を放射する。なお、アンジュレータ２１の
設置位置は電子波動リングの構成上、電子入射部と高周
波空胴を除いた直線部分とする。
蓄積リングからの放射光ＳＲと比較すると、高輝度で１
０２〜１０３倍の準単色をもつ放射光である。放射光Ｓ
Ｒからの指向性は第１１図（ｂ）に示すように、電子軌
道面に対して垂直な方向のみで、軌道面では円軌道の接
線方向に拡散する発散光源である。ところが、アンジュ
レータ２１からの放射光ＵＲは第１１図（Ｃ）に示すよ
うに、電子が蛇行しながら放射する直線状指向性をもっ
た放射光である。そして、放射光ＵＲと放射光ＳＲとの
相対輝度比を示すと、 ２Ｎ＜ ［ＵＲ］ ／ ［ＳＲ］ ＜４Ｎ２となる。上
記式中のＮはアンジュレータ２１の周期数である。ここ
で、相対輝度比の最小値は蛇行した電子軌道の腹の数に
等しく、最大値は電子ビームの方向が揃っている腹のと
ころで放射された放射光の干渉効果が生じた時の値に等
しい、また磁性体としてＳｍＣＯ５等を用いた永久磁石
のアンジュレータ２１の場合の周期長λＯは３〜４ｃｍ
程度で、このときの周期Ｎを１０とすると、放射光ＵＲ
は放射光ＳＲに比べて４００倍の輝度が得られ、周期数
Ｎを１６とすれば、放射光ＵＲは放射光ＳＲに比べて１
０００倍の輝度が得られ、このようにアンジュレータ２
１を通過する電子は赤外線からＸ線までの領域で高輝度
化された光子を放射する。なお、アンジュレータ２１の
設置位置は電子波動リングの構成上、電子入射部と高周
波空胴を除いた直線部分とする。
以上説明したようにこの発明は、第１に、電子蓄積リン
グ軌道上に設置した可変垂直偏向電磁石によって電子ビ
ームを波動させることにより従来の蓄積リングと比べて
、蓄積リングからの放射光の照射野を拡大できる。また
、第２に電子蓄積リング軌道上に設置した個別の水平、
垂直偏向電磁石およびアンジュレータによって、従来の
放射光に比べて照射野の広い高輝度光源を得ることがで
き、また安定して波動電子ビーム軌道の振幅を垂直、水
平方向に任意の速度で変化させることができるので、リ
ソグラフィー技術等に利用でき、その工業的意義はきわ
°めて大きい。
グ軌道上に設置した可変垂直偏向電磁石によって電子ビ
ームを波動させることにより従来の蓄積リングと比べて
、蓄積リングからの放射光の照射野を拡大できる。また
、第２に電子蓄積リング軌道上に設置した個別の水平、
垂直偏向電磁石およびアンジュレータによって、従来の
放射光に比べて照射野の広い高輝度光源を得ることがで
き、また安定して波動電子ビーム軌道の振幅を垂直、水
平方向に任意の速度で変化させることができるので、リ
ソグラフィー技術等に利用でき、その工業的意義はきわ
°めて大きい。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図、第２図
は可変垂直偏向電磁石と電子ビームとの関係を説明する
図、第３図（ａ）は偏向電磁石の平面図、第３図（ｂ）
は偏向電磁石の側面図、第４図は電子ビームの垂直方向
の波動特性図、第５図は上下に波動する電子ビームを立
体的に図示したもので、放射光ＳＲの照射野が拡大され
ることを示す図、第６図は電子ビームの水平方向の波動
特性図、第７図は上下、左右に平行移動する電子ビーム
を立体的に図示したもので、アンジュレータの中で発生
した指向性の良い大強度光子を大面積照射できることを
示す図、第８図、第９図はこの発明の他の実施例を示す
概略構成図、第１０図は励磁電流波形図、第１１図（ａ
）はアンジュレータの概略図、第１１図（ｂ）は放射光
ＳＲの指向性を説明する図、第１１図（Ｃ）は放射光Ｕ
Ｒの指向性を説明する図、第１２図は従来の電子蓄積リ
ングの構成を示す概略図、第１３図は電子蓄積リングか
らの放射光ＳＲを説明する図である。 図中、１ａ〜１ｈは偏向電磁石、２は入射用セプタム電
磁石、３はキツカーコイル、４は高周波空胴、５，６は
四重極電磁石、７はトリプレット、１１は設計電子軌道
、１２は電子、２１はアンジュレータ、２２ａは可変垂
直偏向磁石、２２ｂは可変水平偏向電磁石、３１は小型
永久磁第１図 第２図 す 第３図 第７図 −Ｗ− −賛璽２ 第１１図 （ａ） 第１２図
は可変垂直偏向電磁石と電子ビームとの関係を説明する
図、第３図（ａ）は偏向電磁石の平面図、第３図（ｂ）
は偏向電磁石の側面図、第４図は電子ビームの垂直方向
の波動特性図、第５図は上下に波動する電子ビームを立
体的に図示したもので、放射光ＳＲの照射野が拡大され
ることを示す図、第６図は電子ビームの水平方向の波動
特性図、第７図は上下、左右に平行移動する電子ビーム
を立体的に図示したもので、アンジュレータの中で発生
した指向性の良い大強度光子を大面積照射できることを
示す図、第８図、第９図はこの発明の他の実施例を示す
概略構成図、第１０図は励磁電流波形図、第１１図（ａ
）はアンジュレータの概略図、第１１図（ｂ）は放射光
ＳＲの指向性を説明する図、第１１図（Ｃ）は放射光Ｕ
Ｒの指向性を説明する図、第１２図は従来の電子蓄積リ
ングの構成を示す概略図、第１３図は電子蓄積リングか
らの放射光ＳＲを説明する図である。 図中、１ａ〜１ｈは偏向電磁石、２は入射用セプタム電
磁石、３はキツカーコイル、４は高周波空胴、５，６は
四重極電磁石、７はトリプレット、１１は設計電子軌道
、１２は電子、２１はアンジュレータ、２２ａは可変垂
直偏向磁石、２２ｂは可変水平偏向電磁石、３１は小型
永久磁第１図 第２図 す 第３図 第７図 −Ｗ− −賛璽２ 第１１図 （ａ） 第１２図
Claims (4)
- （１）偏向電磁石を設計電子軌道上の所定個所に所定数
配置し、この偏向電磁石の間に高周波空胴と、入射する
電子を水平方向、垂直方向に集束する多重極電磁石の所
定数とを前記電子軌道上の所定位置に設けて前記入射す
る電子を蓄積する電子蓄積リングと、前記電子軌道上の
任意の位置に蓄積された電子を前記電子軌道のまわりに
垂直方向の波動運動をさせる偏向手段とからなることを
特徴とする電子波動リング。 - （２）偏向手段は、波動電子の振幅を任意に変化させる
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の電子波動リング。 - （３）偏向電磁石を設計電子軌道上の所定個所に所定数
配置し、この偏向電磁石の間に高周波空胴と、入射する
電子を水平方向、垂直方向に集束する多重極電磁石の所
定数とを前記電子軌道上の所定位置に設けて前記入射す
る電子を蓄積する電子蓄積リングと、前記電子軌道上の
任意の位置に蓄積された電子を前記電子軌道のまわりに
垂直方向および水平方向の波動運動をさせる垂直方向偏
向手段および水平方向偏向手段と、さらに、前記各偏向
手段で垂直方向および水平方向に同時にまたは別個に波
動運動をする電子に赤外線からＸ線までの領域で高輝度
化された光子を発生されるアンジュレータとからなるこ
とを特徴とする電子波動リング。 - （４）各偏向手段は、波動電子の振幅を任意に変化させ
るものであることを特徴とする特許請求の範囲第（３）
項記載の電子波動リング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3977885A JPS61200700A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子波動リング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3977885A JPS61200700A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子波動リング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61200700A true JPS61200700A (ja) | 1986-09-05 |
Family
ID=12562393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3977885A Pending JPS61200700A (ja) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | 電子波動リング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61200700A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195700A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線発生装置 |
| JPH07201696A (ja) * | 1994-06-20 | 1995-08-04 | Canon Inc | Ｓｏｒ露光装置 |
| WO2014128848A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜パターン形成装置および形成方法 |
-
1985
- 1985-02-28 JP JP3977885A patent/JPS61200700A/ja active Pending
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| PROCEEDINGS OF THE 5TH SYMPOSIUM ON ACCELERATOR SCIENCE AND TECHNOLOGY=1984 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01195700A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-07 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｘ線発生装置 |
| JPH07201696A (ja) * | 1994-06-20 | 1995-08-04 | Canon Inc | Ｓｏｒ露光装置 |
| WO2014128848A1 (ja) * | 2013-02-20 | 2014-08-28 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜パターン形成装置および形成方法 |
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